JP2016111168A - 光学装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 光学レンズと光源及び放熱基板との距離が小さい場合には、耐熱性が低い樹脂製の光学レンズにおいて、光源及び放熱基板から光学レンズへの大きな放射熱の影響で変色、溶け、焦げ等の変質不具合を生じない光学装置を提供する。
【解決手段】 光源1が放熱基板2に搭載され、放熱基板2の光源1が搭載された面に対向して光学レンズ3が配置されている。光学レンズ3は、軽量化、成型自由度の観点から、ガラスではなく、ポリカーボネート、アクリル等の樹脂により構成されている。光学レンズ3はねじ5によって放熱基板2に取付けてある。放熱基板2上に、可視光に対して透過率tが大きくかつ赤外光に対して放射率εが小さい光学層6及びその下層としての絶縁層7を設けてある。
【選択図】 図3

Description

本発明は発光ダイオード(LED)素子、レーザダイオード(LD)素子等の発熱素子よりなる光源及び光学レンズを含む光学装置、特に、その放熱構造に関する。
近年、LED素子、LD素子等の発熱素子よりなる光源の高性能化に伴い、光源の発熱量は増大してきている。一方、光源の小型化、薄型化の要求が高まり、光源の発熱密度は非常に高くなり、熱的に厳しい状況を強いられている。
特に、LED素子、LD素子は自身が発する熱により寿命及び性能が低下するという負の特性がある。また、発光素子との組合せにより発光色を変化させる目的で使用される蛍光体層も熱による負の特性を有する。
第1の従来の光学装置においては、光源を黒鉛結晶を含む炭素中に金属が分散された複合材料からなる高放熱炭素材料よりなる放熱基板上に設けている(参照:特許文献1)。この放熱基板においては、炭素含有率が70〜90体積%であり、また、熱放射率が0.5以上かつ熱伝導率が200W/(K・m)以上である。従って、放熱基板は高放射性及び高熱伝導性を兼ね備えており、この結果、光源からの熱を効率よく放散できる。
第2の従来の光学装置においては、光源の周囲に板状放熱面を光源の放熱基板と一体かつ連続して形成したヒートシンクを設けている(参照:特許文献2)。この場合、放熱基板の光源取付け位置前方に、放熱基板の平坦面に対して凹な半円状の曲面からなる導光路を設け、導光路の先端で光学レンズを支持し、光源からの発生する熱を閉空間からなる周囲の空間に放散させる。従って、放熱基板は高放射性及び高熱伝導性を兼ね備えており、この結果、光源からの熱を効率よく放散できる。
尚、従来の半導体発光モジュールとして、半導体発光素子を配置した高反射プレートを用いて構成されるものがある(参照:特許文献3)。この高反射プレートは、たとえばアルミニウム基材上に純アルミニウムあるいは純銀の層を形成し、さらにその上に、酸化チタンあるいは酸化シリコンを蒸着することにより増反射膜を形成する。これにより、純アルミニウムあるいは純銀の酸化による劣化を防止し、初期の反射率を長く維持する(参照:特許文献3の段落0073)。しかし、この高反射プレートは、放熱基板ではない。
特開2009−283764号公報 特開2013−211453号公報 国際公開第2007/126074号公報
しかしながら、上述の従来の第1、第2の光学装置においては、放熱基板が高熱伝導性と共に高放射性を有するので、後述のポリカーボネート、アクリル等の樹脂よりなる光学レンズと光源及び放熱基板との距離が小さい場合には、耐熱性が低い樹脂製の光学レンズにおいて、光源及び放熱基板から光学レンズへの大きな放射熱の影響で変色、溶け、焦げ等の変質不具合を生じるという課題がある。尚、これについては、図1を参照して後述する。
上述の課題を解決するために本発明に係る光学装置は、光源と、光源が搭載された放熱基板と、放熱基板の光源が搭載された面に対向して設けられた樹脂製の光学レンズと、光源及び放熱基板の少なくとも1つと光学レンズとの間に介在し、可視光に対して大きい透過率を有しかつ赤外光に対して放射率が小さい光学層とを具備するものである。これにより、光源及び/または放熱基板から光学レンズへの放射熱は減少する。
本発明によれば、光源及び/または放熱基板から光学レンズへの放射熱が減少するので、光学レンズの受熱量が小さくなる。従って、光学レンズの温度を低下させることができ、この結果、光学レンズの変色、溶け、焦げ等の変質不具合を防止できる。
従来の光学装置を示し、(A)は斜視図、(B)は断面図である。 図1の放熱基板の例を示す断面図であって、(A)はガラスエポキシ基板の場合を示し、(B)は金属ベース基板の場合を示す。 本発明に係る光学装置の第1の実施の形態を示す断面図である。 図3の光学層としての赤外光反射多層膜を示す断面図である。 図4の赤外光反射多層膜の透過スペクトルを示すグラフであって、(A)は可視光領域を示し、(B)は赤外光領域を示す。 図3の光源の可視光領域の発光スペクトルの例を示すグラフである。 図1、図3の光学レンズの温度の例を示す表である。 図3の光学装置の変更例を示す断面図である。 本発明に係る光学装置の第2の実施の形態を示す断面図である。 本発明に係る光学装置の第3の実施の形態を示す断面図である。 図10の光学装置の変更例を示す断面図である。
図1は従来の光学装置を示し、(A)は斜視図、(B)は断面図である。
図1において、光源1が放熱基板2に搭載され、放熱基板2の光源1が搭載された面に対向して光学レンズ3が配置されている。光源1は白色光源であって、たとえば青色LED素子及び青色光の一部を黄色光に波長変換するYAG蛍光体層よりなる。尚、LED素子の代りにLD素子を用いることもできる。放熱基板2は、光源1のプリント配線板の作用もし、図2の(A)に示すガラスエポキシ基板、あるいは図2の(B)に示す金属ベース基板であり、高熱伝導性と共に高放射性を有する。尚、図2の(A)において、21AはFR−4層、22Aは銅箔配線層であり、図2の(B)において、21Bは銅、アルミニウム等よりなるベースメタル層、22Bは絶縁層、23Bは銅箔配線層である。光学レンズ3はたとえば凸レンズあるいはフレネル凸レンズであり、軽量化、成型自由度の観点から、ガラスではなく、ポリカーボネート、アクリル等の樹脂により構成されている。光源1からの熱を放熱基板2だけで放熱できない場合には、放熱基板2の光源1が搭載されていない面にフィン4aを有するヒートシンク4を取付けて放熱性能を向上させる。ヒートシンク4はたとえば高熱伝導性のアルミニウム合金よりなり、表面の放射率を高めるために、黒アルマイト処理等が施されている。また、放熱基板2とヒートシンク4との間には、熱抵抗を低減するために、グリス、熱伝導性接着剤等の熱伝導部材(TIM)(図示せず)を介在させる。光学レンズ3はねじ5によって放熱基板2に取付けてある。
図1の光学装置においては、小型化、薄型化するために、光学レンズ3と光源1との距離dは数mmと小さくされている。他方、軽量化、成型自由度の観点から、光学レンズ3はポリカーボネート、アクリル等の樹脂によって構成されている。従って、光学レンズ3の放射率εは0.8〜0.9と大きいので、光学レンズ3の受熱及び放熱が活発となり、この結果、上述のごとく、光源1及び高放射性の放熱基板2から光学レンズ3への放射熱R1、R2によって光学レンズ3が温度上昇して耐熱性の低い樹脂製の光学レンズ3が変色、溶け、焦げ等の変質不具合が生じる。尚、光源1の発熱量を低減して光学レンズ3の温度負荷を軽減すれば、上述の変質不具合を抑止できるが、この場合、光学装置の光束が低下してしまう。
ところで、光源1もしくは放熱基板2から光学レンズ3への放射熱R1もしくはR2の熱量Q(W/m)は、式(1)で表される。
Q=F・ε・σ・(T −T )・A (1)
但し、Fは形態係数であって、0<F<1、
εは光源1もしくは放熱基板2の放射率であって、0<ε<1、
σはステファン・ボルツマン定数(W/m・K)、
は光源1もしくは放熱基板2の絶対温度(K)、
は光学レンズ3の絶対温度(K)、
Aは伝熱面積(m
である。尚、形態係数Fは放射熱の計算において放射熱をやり取りする2つの面間の幾何学的位置関係を表す量であって、たとえば、2つの面の向きが平行平面のときにはF=1に近づき、2つの面の向きが直角に近く、2つの面の投影面積が小さいほどF=0に近づく。
式(1)においては、ステファン・ボルツマン定数σは一定である。また絶対温度T、Tは設計条件、たとえばサイズや物性値等から予め決まっている。従って、光源1もしくは放熱基板2から光学レンズ3への放射熱量Qを小さくするには、放射率ε及び形態係数Fを小さくすればよい。本発明においては、放射率εを小さくして放射熱量Qを小さくする。
図3は本発明に係る光学装置の第1の実施の形態を示す断面図である。
図3においては、図1の放熱基板2上に、可視光に対して透過率tが大きくかつ赤外光に対して放射率εが小さい光学層6を設けてある。この場合、放熱基板2と光学層6との間には、放熱基板2の銅箔配線層22Aあるいは23Bから光学層6を電気的に絶縁のために絶縁層7を設けてある。
光学レンズ3の樹脂の耐熱温度は約400Kであるので、光学層6はその時の赤外放射中心波長となる約7μm付近の反射率rを大きくすることにより放射率εを小さくしている。このような光学層6の材料としては、たとえば、Au、Pt、Ag、Cu等の金属、TiO、ZnO等の金属酸化物、AlN、TiN、ZrN、TaN、NbN、HfN等の金属窒化物があり、スパッタリング法、化学的気相成長(CVD)法等で形成される。
また、図3の光学層6として、図4に示す赤外光反射多層膜を用いることもできる。図4においては、絶縁層7上に、赤外光を透過する高屈折率層61と低屈折率層62とを交互に積層してある。高屈折率層61はたとえば屈折率n=2.25の酸化チタン(TiO)、あるいはインジウム(In)、ハフニウム(Hf)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)等の酸化物よりなり、また、低屈折率層62はたとえば屈折率n=1.43の酸化シリコン(SiO)、あるいはカルシウム(Ca)、リチウム(Li)、マグネシウム(Mg)等のフッ化物よりなる。各高屈折率層61及び低屈折率層62の厚さは600nm〜2500nmであって、スパッタリング法あるいはCVD法によって形成される。この場合、隣接する高屈折率層61及び低屈折率層62の1組は光の干渉を利用して波長λの赤外光を反射する。このときの反射条件は、
61・d61=n62・d62=λ/4
但し、n61は高屈折率層61の屈折率たとえば2.25、
61は高屈折率層61の厚さ、
62は低屈折率層62の屈折率たとえば1.43、
62は低屈折率層62の厚さ
である。従って、中心波長7000nmの波長範囲λ=6300〜10000nmで赤外光を反射するように、高屈折率層61の厚さd61及び低屈折率層62の厚さd62を変化させて積層すると、所望の透過スペクトルあるいは反射スペクトルを得ることができる。たとえば、図5の(A)に示す可視光領域の透過スペクトル及び図5の(B)に示す赤外光領域の透過スペクトルが得られた。この場合、図5の(A)に示す可視光領域の透過スペクトルは白色LED素子よりなる光源1の図6に示す発光スペクトルに対応しており、この結果、赤外光反射多層膜は光源1の光を通過させることになる。尚、赤外光反射多層膜の積層数は多ければ低透過率(高反射率)の赤外光領域が大きくなるが、少なくともλ=7000nmの赤外光に対して3層以上好ましくは10層あればよい。
このように、第1の実施の形態では、光学層6の赤外光の透過率tを小さくすることにより、つまり、反射率rを大きくすることにより光学層6を含む放熱基板2の実質的な赤外光の放射率εをたとえばε=0.1とすることができる。ここで、図1の光学装置における放熱基板2の赤外光の放射率εを0.9とすれば、図7に示すごとく、図1の光学レンズ3の温度に比較して図3の光学レンズ3の温度は、光源1と光学レンズ3との距離d=1mm、2mm、3mmに対して、1〜5℃の低減が認められた。尚、図7において、周囲空気温度は100℃、光源1の発熱量は2.2Wとした。従って、放熱基板2からの放射熱R2を小さくして光学レンズ3の受熱量を小さくし、光学レンズ3の温度を低下させることができる。この結果、光学レンズ3の変色、溶け、焦げ等の変質不具合を防止できる。
尚、上述の第1の実施の形態においては、光学層6は放熱基板2上のみに設けられているが、図8に示すごとく、光源1上にも設けることができる。この場合、光学層6の赤外光領域の低透過率特性によって光源1の実質的な放射率εはさらに小さくなり、光源1からの放射熱R1を小さくして光学レンズ3の受熱量をさらに小さくでき、従って、光学レンズ3の温度をさらに低下させることができる。この結果、光学レンズ3の変色、溶け、焦げ等の変質不具合をさらに防止できる。
図9は本発明に係る光学装置の第2の実施の形態を示す断面図である。
図9においては、図1の光学レンズ3の放熱基板2側の面上に、可視光に対して透過率tが大きくかつ赤外光に対して放射率εが小さい光学層6’を設けてある。この場合、図3の絶縁層7を設けない。
図9の光学層6’の材料は、図3の光学層6の材料と同一であり、たとえば、Au、Pt、Ag、Cu等の金属、TiO、ZnO等の金属酸化物、AlN、TiN、ZrN、TaN、NbN、HfN等の金属窒化物、あるいは図4に示す赤外光反射多重層である。
このように、第2の実施の形態においても、光学レンズ3側に設けられている光学層6’の赤外光の透過率tを小さくすることにより、つまり反射率rを大きくすることにより、光学層6’を含む光源1及び放熱基板2の実質的な赤外光の放射率εはたとえばε=0.1とすることができる。従って、光学層6’からの放射熱R1’、R2’を小さくして光学レンズ3の受熱量を小さくし、光学レンズ3の温度を低下させることができる。この結果、光学レンズ3の変色、溶け、焦げ等の変質不具合を防止できる。
図10は本発明に係る光学装置の第3の実施の形態を示す断面図である。
図10においては、図1の光源1上に、可視光に対して透過率tが80%以上と大きくかつ赤外光に対して吸収率μが大きい赤外光吸収層8を設けてある。この赤外光吸収層8は図3の光学層6として作用する。
光学レンズ3の樹脂の耐熱温度は約400Kであるので、赤外光吸収層8はその時の赤外放射中心波長となる約7μm付近の吸収率μを大きくすることにより放射率εを小さくしている。このような赤外光吸収層8の材料としては、たとえば、ソーダ石灰ガラス、リン酸塩ガラス等がある。
このように、第3の実施の形態においても、光源1側に設けられている赤外光吸収層8の赤外光の吸収率μを大きくすることにより、光源1の実質的な赤外光の放射率εをたとえばε=0.1とすることができる。従って、光源1からの放射熱R1を小さくして光学レンズ3の受熱量を小さくし、光学レンズ3の温度を低下させることができる。この結果、光学レンズ3の変色、溶け、焦げ等の変質不具合を防止できる。
尚、上述の第3の実施の形態においては、赤外光吸収層8は光源1上のみに設けられているが、図11に示すごとく、放熱基板2上にも設けることができる。この場合、赤外光吸収層8の赤外光吸収率特性によって放熱基板2を含めた光源1の実質的な放射率εはさらに小さくなり、放熱基板2からの放射熱R2を小さくして光学レンズ3の受熱量をさらに小さくでき、従って、光学レンズ3の温度をさらに低下させることができる。この結果、光学レンズ3の変色、溶け、焦げ等の変質不具合をさらに防止できる。
尚、本発明は上述の実施の形態の自明の範囲内のいかなる変更にも適用し得る。
本発明に係る光学装置は、車両用灯具、たとえば前照灯、フォグランプ、昼間走行ランプ(DRL)、及びストロボ、その他一般照明装置に利用できる。
1:光源
2:放熱基板
21A:FR−4層
22A:銅箔配線層
21B:ベースメタル層
22B:絶縁層
23B:銅箔配線層
3:光学レンズ
4:ヒートシンク
4a:フィン
5:ねじ
6、6’:光学層
7:絶縁層
8:赤外光吸収層
R1、R2、R1’、R2’:放射熱
ところで、光源1もしくは放熱基板2から光学レンズ3への放射熱R1もしくはR2の熱量Q()は、式(1)で表される。
Q=F・ε・σ・(T −T )・A (1)
但し、Fは形態係数であって、0<F<1、
εは光源1もしくは放熱基板2の放射率であって、0<ε<1、
σはステファン・ボルツマン定数(W/m・K)、
は光源1もしくは放熱基板2の絶対温度(K)、
は光学レンズ3の絶対温度(K)、
Aは伝熱面積(m
である。尚、形態係数Fは放射熱の計算において放射熱をやり取りする2つの面間の幾何学的位置関係を表す量であって、たとえば、2つの面の向きが平行平面のときにはF=1に近づき、2つの面の向きが直角に近く、2つの面の投影面積が小さいほどF=0に近づく。

Claims (5)

  1. 光源と、
    前記光源が搭載された放熱基板と、
    前記放熱基板の前記光源が搭載された面に対向して設けられた樹脂製の光学レンズと、
    前記光源及び前記放熱基板の少なくとも1つと前記光学レンズとの間に介在し、可視光に対して大きい透過率を有しかつ赤外光に対して放射率が小さい光学層と
    を具備する光学装置。
  2. 前記光学層は前記放熱基板上に設けられた請求項1に記載の光学装置。
  3. 前記光学層は前記光源上に設けられた請求項1に記載の光学装置。
  4. 前記光学層は前記光学レンズの前記放熱基板側の面に設けられた請求項1に記載の光学装置。
  5. 前記光学層は、Au、Pt、Ag、Cu等の金属、TiO、ZnO等の金属酸化物、AlN、TiN、ZrN、TaN、NbN、HfN等の金属窒化物、赤外光反射多重層、及び赤外光吸収層のいずれかよりなる請求項1に記載の光学装置。

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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5854343U (ja) * 1981-10-09 1983-04-13 市光工業株式会社 車輛用灯具
JPS5879802U (ja) * 1981-11-18 1983-05-30 市光工業株式会社 車輛用灯具
JPS58130304U (ja) * 1982-02-26 1983-09-03 株式会社小糸製作所 車輌用灯具
JPS6013225A (ja) * 1983-07-02 1985-01-23 Asahi Chem Ind Co Ltd 透光部材およびそれを用いた光線照射装置
JPS6028103A (ja) * 1983-07-25 1985-02-13 東芝ライテック株式会社 照明器具
JPS63241803A (ja) * 1987-03-28 1988-10-07 東芝ライテック株式会社 照明器具
JPS6444515U (ja) * 1987-09-14 1989-03-16
JPH10188610A (ja) * 1996-12-24 1998-07-21 Toshiba Lighting & Technol Corp 照明器具
JP2002025305A (ja) * 2000-07-11 2002-01-25 Sanei Denki Seisakusho:Kk 高圧放電ランプを用いた投光装置
JP2012094678A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Kyocera Corp 発光装置
US20130277643A1 (en) * 2010-12-23 2013-10-24 Qd Vision, Inc. Quantum dot containing optical element
US20130277689A1 (en) * 2012-04-20 2013-10-24 Wamco, Inc. Night vision imaging system (nvis) compatible light emitting diode

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5854343U (ja) * 1981-10-09 1983-04-13 市光工業株式会社 車輛用灯具
JPS5879802U (ja) * 1981-11-18 1983-05-30 市光工業株式会社 車輛用灯具
JPS58130304U (ja) * 1982-02-26 1983-09-03 株式会社小糸製作所 車輌用灯具
JPS6013225A (ja) * 1983-07-02 1985-01-23 Asahi Chem Ind Co Ltd 透光部材およびそれを用いた光線照射装置
JPS6028103A (ja) * 1983-07-25 1985-02-13 東芝ライテック株式会社 照明器具
JPS63241803A (ja) * 1987-03-28 1988-10-07 東芝ライテック株式会社 照明器具
JPS6444515U (ja) * 1987-09-14 1989-03-16
JPH10188610A (ja) * 1996-12-24 1998-07-21 Toshiba Lighting & Technol Corp 照明器具
JP2002025305A (ja) * 2000-07-11 2002-01-25 Sanei Denki Seisakusho:Kk 高圧放電ランプを用いた投光装置
JP2012094678A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Kyocera Corp 発光装置
US20130277643A1 (en) * 2010-12-23 2013-10-24 Qd Vision, Inc. Quantum dot containing optical element
US20130277689A1 (en) * 2012-04-20 2013-10-24 Wamco, Inc. Night vision imaging system (nvis) compatible light emitting diode

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