JP2012090498A - 電力パス切り替え方法および電力パス切替回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電力パス切り替え方法は、通信装置に内蔵した二次電池からの第1の電力パスと、通信装置に対して挿抜して接続可能で、二次電池を充電するための充電器からの第2の電力パスとを切り替える方法である。電力パス切り替え方法は、通信装置の負荷を、第1の負荷と第2の負荷との2系統に分け、第1の負荷には、第1の電力パスから電力を供給し、第2の負荷には、充電器による二次電池の充電中は、第2の電力パスから電力を供給し、二次電池の非充電中は、第1の電力パスから電力を供給する。
【選択図】 図1
Description
例えば、特開2006-340586号公報(特許文献1)は、消費電流が充電電流よりも大きい場合は、充電器からの電流を増加して電池からの電流の持ち出しをなくすようにした、携帯端末及びその制御方法を開示している。
最初に、発明の特徴について説明する。
前記通信装置の負荷を、第1の負荷と第2の負荷との2系統に分け、
前記第1の負荷には、前記第1の電力パスから電力を供給し、
前記第2の負荷には、前記充電器による前記二次電池の充電中は、前記第2の電力パスから電力を供給し、前記二次電池の非充電中は、前記第1の電力パスから電力を供給する、
ことを特徴とする電力パス切り替え方法。
前記通信装置の負荷は、第1の負荷と第2の負荷との2系統に分けられており、
前記電力パス切替回路は、
前記第1の電力パスから前記第1の負荷へ電力を供給するための給電パスと、
前記第1の電力パスと前記第2の電力パスとを切替えて、切替えた電力を前記第2の負荷へ供給する電力パス切替部と、を備え、
前記電力パス切替部は、前記充電器が前記通信装置に接続されていないときには、前記第1の電力パスからの電力を前記切替えた電力として前記第2の負荷へ供給し、前記充電器が前記通信装置に接続されているときには、前記第2の電力パスからの電力を前記切替えた電力として前記第2の負荷へ供給する、
ことを特徴とする電力パス切替回路。
前記充電パスには、前記充電電流を所定の電流値となるように制御するためのPチャネルMOSFETが挿入されている、
付記7に記載の電力パス切替回路。
前記電力パス切替部は、
前記第1の入力端と前記出力端との間に挿入されて、前記第1の電力パスからの電力を前記切替えた電力として前記出力端へ導通させる第1の導通素子と、
前記第2の入力端と前記出力端との間に挿入されて、前記第2の電力パスからの電力を前記切替えた電力として前記出力端へ導通させる第2の導通素子と、
から構成されることを特徴とする付記8に記載の電力パス切替回路。
前記第2の導通素子は、アノードが前記第2の入力端に接続され、カソードが前記出力端に接続された第2のショットキーバリアダイオードから構成される、
ことを特徴とする付記9に記載の電力パス切替回路。
前記第1の入力端に一端が接続された抵抗器と、
該抵抗器の他端にドレインが接続され、前記第2の入力端にゲートが接続され、ソースが接地されたNチャネルMOSFETと、
から構成される付記11に記載の電力パス切替回路。
前記第1の入力端にドレインが接続され、前記出力端にソースが接続され、前記第2の入力端にゲートが接続された、PチャネルMOSFETと、
該PチャネルMOSFETのゲートと接地端子との間に接続された抵抗器と、
から構成される付記13に記載の電力パス切替回路。
アノードが前記第1の入力端に接続され、カソードが前記出力端に接続されたショットキーバリアダイオードと、
ドレインが前記第1の入力端に接続され、ソースが前記出力端に接続された第1のPチャネルMOSFETと、
から構成され、
前記第2の導通素子は、
ドレインが前記第2の入力端に接続され、カソードが前記出力端に接続された第2のPチャネルMOSFETから構成され、
前記第2の損失減少回路は、
前記第1の入力端の電圧と前記第2の入力端の電圧とを比較して、その比較結果によって前記第1および前記第2のPチャネルMOSFETのゲート電圧を制御するコンパレータから構成される、
付記15に記載の電力パス切替回路。
前記コンパレータは、前記第2のPチャネルMOSFETのゲート制御電圧を、前記第1の入力端の電圧が前記第2の入力端の電圧より高いときは論理ハイレベルとし、低いときは論理ロウレベルとする、
付記16に記載の電力パス切替回路。
前記コンパレータは、前記第2のPチャネルMOSFETのゲート制御電圧を、前記第1の入力端の電圧が前記第2の入力端の電圧から所定のオフセット電圧だけ差し引いた電圧より高いときは論理ハイレベルとし、低いときは論理ロウレベルとする、
付記16に記載の電力パス切替回路。
200、200A、200B、200C 携帯情報端末(通信装置)
310 第1の装置ブロック(第1の負荷)
320 第2の装置ブロック(第2の負荷)
400 二次電池
500 充電制御部
502 電流検出部
504 FET制御部
600、600A、600B、600C 電力パス切替回路
601 第1の電力パス
602 第2の電力パス
603 充電パス
604 抵抗器
605 PチャネルMOSFET
607 抵抗器
609 給電パス
611 ショットキーバリアダイオード(SBD)
700、700A、700B、700C 電力パス切替部
701 第1の入力端
702 第2の入力端
703 出力端
710 第1のショットキーバリアダイオード(SBD)
720 第2のショットキーバリアダイオード(SBD)
720A PチャネルMOSFET
730 抵抗器
740 NチャネルMOSFET
750 PチャネルMOSFET
760 抵抗器
770、770A コンパレータ
780 コンデンサ
Claims (10)
- 通信装置に内蔵した二次電池からの第1の電力パスと、前記通信装置に対して挿抜して接続可能で、前記二次電池を充電するための充電器からの第2の電力パスとを切り替える方法であって、
前記通信装置の負荷を、第1の負荷と第2の負荷との2系統に分け、
前記第1の負荷には、前記第1の電力パスから電力を供給し、
前記第2の負荷には、前記充電器による前記二次電池の充電中は、前記第2の電力パスから電力を供給し、前記二次電池の非充電中は、前記第1の電力パスから電力を供給する、
ことを特徴とする電力パス切り替え方法。 - 通信装置に内蔵した二次電池からの第1の電力パスと、前記通信装置に対して挿抜して接続可能で、前記二次電池を充電するための充電器からの第2の電力パスとを切り替える電力パス切替回路であって、
前記通信装置の負荷は、第1の負荷と第2の負荷との2系統に分けられており、
前記電力パス切替回路は、
前記第1の電力パスから前記第1の負荷へ電力を供給するための給電パスと、
前記第1の電力パスと前記第2の電力パスとを切替えて、切替えた電力を前記第2の負荷へ供給する電力パス切替部と、を備え、
前記電力パス切替部は、前記充電器が前記通信装置に接続されていないときには、前記第1の電力パスからの電力を前記切替えた電力として前記第2の負荷へ供給し、前記充電器が前記通信装置に接続されているときには、前記第2の電力パスからの電力を前記切替えた電力として前記第2の負荷へ供給する、
ことを特徴とする電力パス切替回路。 - 前記電力パス切替部は、前記第1の電力パスに接続された第1の入力端と、前記第2の電力パスに接続された第2の入力端と、前記切替えた電力を出力する出力端とを持ち、
前記電力パス切替部は、
前記第1の入力端と前記出力端との間に挿入されて、前記第1の電力パスからの電力を前記切替えた電力として前記出力端へ導通させる第1の導通素子と、
前記第2の入力端と前記出力端との間に挿入されて、前記第2の電力パスからの電力を前記切替えた電力として前記出力端へ導通させる第2の導通素子と、
から構成されることを特徴とする請求項2に記載の電力パス切替回路。 - 前記第1の導通素子は、アノードが前記第1の入力端に接続され、カソードが前記出力端に接続された第1のショットキーバリアダイオードから構成され、
前記第2の導通素子は、アノードが前記第2の入力端に接続され、カソードが前記出力端に接続された第2のショットキーバリアダイオードから構成される、
ことを特徴とする請求項3に記載の電力パス切替回路。 - 前記電力パス切替部は、前記充電器が前記通信装置に接続されたときに、前記第2の負荷から前記第1の導通素子を介して前記二次電池へ逆方向電流が流れるのを阻止する逆流阻止回路を更に有する、請求項3に記載の電力パス切替回路。
- 前記電力パス切替部は、前記充電器が前記通信装置に接続されていないときに、前記第1の導通素子で発生する損失を減少する第1の損失減少回路を更に有する、請求項3に記載の電力パス切替回路。
- 前記電力パス切替部は、前記充電器が前記通信装置に接続されたときに、前記第2の導通素子で発生する損失を減少する第2の損失減少回路を更に有する、請求項3に記載の電力パス切替回路。
- 前記第1の導通素子は、
アノードが前記第1の入力端に接続され、カソードが前記出力端に接続されたショットキーバリアダイオードと、
ドレインが前記第1の入力端に接続され、ソースが前記出力端に接続された第1のPチャネルMOSFETと、
から構成され、
前記第2の導通素子は、
ドレインが前記第2の入力端に接続され、カソードが前記出力端に接続された第2のPチャネルMOSFETから構成され、
前記第2の損失減少回路は、
前記第1の入力端の電圧と前記第2の入力端の電圧とを比較して、その比較結果によって前記第1および前記第2のPチャネルMOSFETのゲート電圧を制御するコンパレータから構成される、
請求項7に記載の電力パス切替回路。 - 前記コンパレータは、前記第1のPチャネルMOSFETのゲート制御電圧を、前記第1の入力端の電圧が前記第2の入力端の電圧より高いときは論理ロウレベルとし、低いときは論理ハイレベルとし、
前記コンパレータは、前記第2のPチャネルMOSFETのゲート制御電圧を、前記第1の入力端の電圧が前記第2の入力端の電圧より高いときは論理ハイレベルとし、低いときは論理ロウレベルとする、
請求項8に記載の電力パス切替回路。 - 前記コンパレータは、前記第1のPチャネルMOSFETのゲート制御電圧を、前記第1の入力端の電圧が前記第2の入力端の電圧より高いときは論理ロウレベルとし、低いときは論理ハイレベルとし、
前記コンパレータは、前記第2のPチャネルMOSFETのゲート制御電圧を、前記第1の入力端の電圧が前記第2の入力端の電圧から所定のオフセット電圧だけ差し引いた電圧より高いときは論理ハイレベルとし、低いときは論理ロウレベルとする、
請求項8に記載の電力パス切替回路。
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