JP2012089802A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板の所定領域に拡散性を有する酸化促進物質を注入する酸化促進物質注入工程と、上記半導体基板に熱処理を行うことで当該半導体基板に上記酸化促進物質の注入量に応じた複数の厚みの酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、上記所定領域に注入された酸化促進物質を拡散させることで上記酸化膜中に存在する上記酸化促進物質の濃度を低下させる酸化促進物質拡散工程とを備える。
【選択図】図1
Description
半導体基板の所定領域に拡散性を有する酸化促進物質を注入する酸化促進物質注入工程と、
上記半導体基板に熱処理を行うことで当該半導体基板に上記酸化促進物質の注入量に応じた厚みの酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
上記所定領域に注入された酸化促進物質を拡散させることで上記酸化膜中に存在する上記酸化促進物質の濃度を低下させる酸化促進物質拡散工程と、を備える半導体装置の製造方法である。
上記酸化促進物質はリンであり、
上記酸化膜上に酸化促進物質の濃度が上記酸化膜中の酸化促進物質の濃度より低いポリシリコンでゲート電極を形成するゲート電極形成工程をさらに備え、
上記酸化促進物質拡散工程は、リンの自己拡散作用により上記酸化促進物質を上記ゲート電極に拡散させる工程であることを特徴とする。
上記酸化促進物質はアルゴンであり、
上記酸化促進物質拡散工程は、アルゴンの気相拡散作用により上記酸化促進物質を上記酸化膜の外へ放出させる工程であることを特徴とする。
本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図面を参照しつつ説明する。図1は、第1実施形態に係る半導体装置の製造フローを示す縦断面図である。なお、図1において、酸化膜の厚みが小さい領域と酸化膜の厚みが大きい領域とは、素子分離領域により分離されるべきものであるが、素子分離領域は本発明のない部分、例えば、ソース領域、ドレイン領域等についても図示を省略している。
本発明の第2実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図面を参照しつつ説明する。図2は、第2実施形態に係る半導体装置の製造フローを示す縦断面図である。なお、図2において、酸化膜の厚みが小さい領域と酸化膜の厚みが大きい領域とは、素子分離領域により分離されるべきものであるが、本発明の本質とは直接関係がないので図示を省略している。また、本発明の本質とは直接関係ない部分、例えば、ソース領域、ドレイン領域等についても図示を省略している。
2 レジスト膜
3、4 酸化膜(ゲート絶縁膜)
5 ゲート電極
Claims (3)
- 半導体基板の所定領域に拡散性を有する酸化促進物質を注入する酸化促進物質注入工程と、
前記半導体基板に熱処理を行うことで当該半導体基板に前記酸化促進物質の注入量に応じた厚みの酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
前記所定領域に注入された酸化促進物質を拡散させることで前記酸化膜中に存在する前記酸化促進物質の濃度を低下させる酸化促進物質拡散工程と、を備える半導体装置の製造方法。 - 前記酸化促進物質はリンであり、
前記酸化膜上に酸化促進物質の濃度が前記酸化膜中の酸化促進物質の濃度より低いポリシリコンでゲート電極を形成するゲート電極形成工程をさらに備え、
前記酸化促進物質拡散工程は、リンの自己拡散作用により前記酸化促進物質を前記ゲート電極に拡散させる工程であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記酸化促進物質はアルゴンであり、
前記酸化促進物質拡散工程は、アルゴンの気相拡散作用により前記酸化促進物質を前記酸化膜の外へ放出させる工程であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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