JP2012084833A - 高周波トランス、電子回路および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高結合度トランス35はアンテナ素子11と給電回路30との間に接続される。高結合度トランス35は、給電回路30に接続された第1インダクタンス素子L1と、第1インダクタンス素子L1に結合した第2インダクタンス素子L2とを備え、第1インダクタンス素子L1の第1端は給電回路30に、第2端はアンテナ素子11にそれぞれ接続されていて、第2インダクタンス素子L2の第1端はアンテナ素子11に、第2端はグランドにそれぞれ接続される。
【選択図】図13
Description
前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子とは、磁界および電界を介して結合されていて、
前記第1インダクタンス素子に交流電流が流れるとき、前記磁界を介した結合により前記第2インダクタンス素子に流れる電流の向きと、前記電界を介した結合により前記第2インダクタンス素子に流れる電流の向きとが同じであることを特徴とする。
前記第2インダクタンス素子は第3コイル素子および第4コイル素子を含み、前記第3コイル素子および前記第4コイル素子は互いに直列的に接続されていて、且つ閉磁路を作るように導体の巻回パターンが形成され、
前記第1コイル素子と前記第3コイル素子とは、互いの開口面が向かい合うように配置されていて、前記第2コイル素子と前記第4コイル素子とは、互いの開口面が向かい合うように配置されていることが好ましい。
第1インダクタンス素子と、前記第1インダクタンス素子に高い結合度で結合された第2インダクタンス素子とを含み、
前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子とは、磁界および電界を介して結合されていて、
前記第1インダクタンス素子に交流電流が流れるとき、前記磁界を介した結合により前記第2インダクタンス素子に流れる電流の向きと、前記電界を介した結合により前記第2インダクタンス素子に流れる電流の向きとが同じである高結合度トランスを備え、
前記第1インダクタンス素子に接続された1次側回路および前記第2インダクタンス素子に接続された2次側回路を備えたことを特徴とする。
第1インダクタンス素子と、前記第1インダクタンス素子に高い結合度で結合された第2インダクタンス素子とを含み、
前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子とは、磁界および電界を介して結合されていて、
前記第1インダクタンス素子に交流電流が流れるとき、前記磁界を介した結合により前記第2インダクタンス素子に流れる電流の向きと、前記電界を介した結合により前記第2インダクタンス素子に流れる電流の向きとが同じである高結合度トランスと、
前記第1インダクタンス素子に接続された1次側回路と、
前記第2インダクタンス素子に接続された2次側回路と、
前記高結合度トランスを介して前記1次側回路および前記2次側回路間で信号または電力の伝送を行う回路を備えたことを特徴とする。
図1は第1の実施形態の高結合度トランスの回路図である。
図1に示すように、高結合度トランスは第1インダクタンス素子L1と、この第1インダクタンス素子L2に高い結合度で結合された第2インダクタンス素子L2とを含む。第1インダクタンス素子L1の第1端は第1ポートP1、第2端は第2ポートP2としてそれぞれ用いられる。また、第2インダクタンス素子L2の第1端は第3ポートP3、第2端は第4ポートP4としてそれぞれ用いられる。
図2(A)に示す高結合度トランス35において、第1インダクタンス素子L1は第1コイル素子L1aおよび第2コイル素子L1bで構成されていて、これらのコイル素子は互いに直列的に接続され、且つ閉磁路が構成されるように巻回されている。また、第2インダクタンス素子L2は第3コイル素子L2aおよび第4コイル素子L2bで構成されていて、これらのコイル素子は互いに直列的に接続され、且つ閉磁路を構成するように巻回されている。換言すると、第1コイル素子L1aと第2コイル素子L1bとは逆相で結合(加極性結合)し、第3コイル素子L2aと第4コイル素子L2bとは逆相で結合(加極性結合)する。
図3は、第1の実施形態で示した高結合度トランス35をアンテナの高結合度トランスに適用したアンテナ装置102の回路図である。
図6(A)は第3の実施形態の高結合度トランス35の斜視図、図6(B)はそれを下面側から見た斜視図である。また、図7は高結合度トランス35を構成する積層体40の分解斜視図である。
図7に示すように、第1コイル素子L1aと第2コイル素子L1bは、それぞれのコイルパターンの巻回軸が互いに平行になるように隣接配置されている。同様に第3コイル素子L2aと第4コイル素子L2bは、それぞれのコイルパターンの巻回軸が互いに平行になるように隣接配置されている。さらに、第1コイル素子L1aと第3コイル素子L2aは、それぞれのコイルパターンの巻回軸がほぼ同一直線になるように(同軸関係に)近接配置されている。同様に、第2コイル素子L1bと第4コイル素子L2bは、それぞれのコイルパターンの巻回軸がほぼ同一直線になるように(同軸関係に)近接配置されている。また、第1コイル素子L1aと第3コイル素子L2aの互いの開口面が向い合い、第2コイル素子L1bと第4コイル素子L2bの互いの開口面が向い合うように配置されている。すなわち、基材層の積層方向からみたとき、各コイルパターンを構成する導体パターンは重なるように配置されている。
《第4の実施形態》
図9は第4の実施形態の高結合度トランス34と、それを備えたアンテナ装置104の回路図である。ここで用いられている高結合度トランス34は、第1インダクタンス素子L1と二つの第2インダクタンス素子L21,L22を備えたものである。第2インダクタンス素子L22を構成する第5コイル素子L2cと第6コイル素子L2dとは互いに同相で結合している。第5コイル素子L2cは第1コイル素子L1aと逆相で結合していて、第6コイル素子L2dは第2コイル素子L1bと逆相で結合している。第5コイル素子L2cの一端は放射素子11に接続され、第6コイル素子L2dの一端はグランドに接続されている。
図11(A)は第5の実施形態の高結合度トランス135の斜視図、図11(B)はそれを下面側から見た斜視図である。また、図12は高結合度トランス135を構成する積層体140の分解斜視図である。
図13(A)は第6の実施形態のアンテナ装置106の回路図、図13(B)はその各コイル素子の具体的な配置を示す図である。
第6の実施形態のアンテナ装置106に備える高結合度トランスの構成は第1の実施形態で示したものと同じであるが、各ポートに対する接続の仕方が異なる。この例は高結合度トランス35で擬似的に大きな負のインダクタンスを得るための接続構造を示すものである。
図16は第7の実施形態に係る高結合度トランス35を多層基板に構成した場合の各層の導体パターンの例を示す図である。各層は磁性体シートで構成され、各層の導体パターンは図16に示す向きでは磁性体シートの裏面に形成されているが、各導体パターンは実線で表している。また、線状の導体パターンは所定の線幅を備えているが、ここでは単純な実線で表している。
図19は第8の実施形態に係る高結合度トランスの構成を示す図であり、この高結合度トランスを多層基板に構成した場合の各層の導体パターンの例を示す図である。各層の導体パターンは図19に示す向きでは裏面に形成されているが、各導体パターンは実線で表している。また、線状の導体パターンは所定の線幅を備えているが、ここでは単純な実線で表している。
図22は、多層基板に構成された第9の実施形態に係る高結合度トランスの各層の導体パターンの例を示す図である。各層は磁性体シートで構成され、各層の導体パターンは図22に示す向きでは磁性体シートの裏面に形成されているが、各導体パターンは実線で表している。また、線状の導体パターンは所定の線幅を備えているが、ここでは単純な実線で表している。
図24は第10の実施形態に係る高結合度トランスの回路図である。この高結合度トランスは、給電回路30とアンテナ素子11との間に接続された第1の直列回路26、給電回路30とアンテナ素子11との間に接続された第3の直列回路28、およびアンテナ素子11とグランドとの間に接続された第2の直列回路27とで構成されている。
第11の実施形態では、第10の実施形態とは異なる構成で、トランス部の自己共振点の周波数を第7〜第9の実施形態で示したものより高めるための構成例を示す。
第12の実施形態では、第10の実施形態および第11の実施形態とは異なる構成で、トランス部の自己共振点の周波数を第7〜第9の実施形態で示したものより高めるための別の構成例を示す。
第13の実施形態では通信端末装置の例を示す。
図30(A)は第13の実施形態の第1例である通信端末装置、図30(B)は第2例である通信端末装置のそれぞれの構成図である。これらは、例えば携帯電話・移動体端末向けの1セグメント部分受信サービス(通称:ワンセグ)の高周波信号の受信用(470〜770MHz)の端末である。
図30(B)に示す通信端末装置2は、第1放射素子11をアンテナ単体として設けたものである。第1放射素子11はチップアンテナ、板金アンテナ、コイルアンテナなど各種アンテナ素子を用いることができる。また、このアンテナ素子としては、例えば、筺体10の内周面や外周面に沿って設けられた線状導体を利用してもよい。第2放射素子21は第2筺体20のグランド板としても機能するものであり、第1放射素子11と同様に各種のアンテナを用いてもよい。ちなみに、通信端末装置2は、折りたたみ式やスライド式ではないストレート構造の端末である。なお、第2放射素子21は、必ずしも放射体として十分に機能するものでなくてもよく、第1放射素子11がいわゆるモノポールアンテナのように振る舞うものであってもよい。
CM36,CM16…閉磁路
FP12,FP13,FP24,FP34…磁束
L1…第1インダクタンス素子
L2,L21,L22…第2インダクタンス素子
L1a…第1コイル素子
L1b…第2コイル素子
L2a…第3コイル素子
L2b…第4コイル素子
L1c,L2c…第5コイル素子
L1d,L2d…第6コイル素子
M…相互インダクタンス
MW…磁気障壁
Z1…第1インダクタンス素子
Z2…第2インダクタンス素子
Z3…第3インダクタンス素子
1,2…通信端末装置
10,20…筺体
11…アンテナ素子(第1放射素子)
21…第2放射素子
26…第1の直列回路
27…第2の直列回路
28…第3の直列回路
30…給電回路
33…接続線
34,35…インピーダンス変換回路
40…積層体
51a〜51j…基材層
61〜66…導体パターン
68…グランド導体
71〜75…導体パターン
81,82,83…導体パターン
102,104,106…アンテナ装置
140…積層体
151a,151b,151c…基材層
161〜164…導体パターン
165a〜165e…ビアホール導体
前記第1インダクタンス素子は第1コイル素子および第2コイル素子を含み、
前記第1コイル素子および前記第2コイル素子は、コイル巻回軸が異なり、互いに逆相で結合する向きに接続されていて、
前記第2インダクタンス素子は第3コイル素子および第4コイル素子を含み、
前記第3コイル素子および前記第4コイル素子は、コイル巻回軸が異なり、互いに逆相で結合する向きに接続されていて、
前記第1コイル素子と前記第3コイル素子とは、平面視で各コイル素子のコイル開口面が重なるように配置されていて、
前記第2コイル素子と前記第4コイル素子とは、平面視で各コイル素子のコイル開口面が重なるように配置されていて、
前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子とは、磁界および電界を介して結合することを特徴とする。
第1インダクタンス素子と、前記第1インダクタンス素子に高い結合度で結合された第2インダクタンス素子とを含む高周波トランスを備え、
前記高周波トランスは、
前記第1インダクタンス素子は第1コイル素子および第2コイル素子を含み、
前記第1コイル素子および前記第2コイル素子は、コイル巻回軸が異なり、互いに逆相で結合する向きに接続されていて、
前記第2インダクタンス素子は第3コイル素子および第4コイル素子を含み、
前記第3コイル素子および前記第4コイル素子は、コイル巻回軸が異なり、互いに逆相で結合する向きに接続されていて、
前記第1コイル素子と前記第3コイル素子とは、平面視で各コイル素子のコイル開口面が重なるように配置されていて、
前記第2コイル素子と前記第4コイル素子とは、平面視で各コイル素子のコイル開口面が重なるように配置されていて、
前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子とは、磁界および電界を介して結合し、
前記第1インダクタンス素子に接続された1次側回路および前記第2インダクタンス素子に接続された2次側回路を備えたことを特徴とする。
第1インダクタンス素子と、前記第1インダクタンス素子に高い結合度で結合された第2インダクタンス素子とを含む高周波トランスを備え、
前記高周波トランスは、
前記第1インダクタンス素子は第1コイル素子および第2コイル素子を含み、
前記第1コイル素子および前記第2コイル素子は、コイル巻回軸が異なり、互いに逆相で結合する向きに接続されていて、
前記第2インダクタンス素子は第3コイル素子および第4コイル素子を含み、
前記第3コイル素子および前記第4コイル素子は、コイル巻回軸が異なり、互いに逆相で結合する向きに接続されていて、
前記第1コイル素子と前記第3コイル素子とは、平面視で各コイル素子のコイル開口面が重なるように配置されていて、
前記第2コイル素子と前記第4コイル素子とは、平面視で各コイル素子のコイル開口面が重なるように配置されていて、
前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子とは、磁界および電界を介して結合し、
前記第1インダクタンス素子に接続された1次側回路と、
前記第2インダクタンス素子に接続された2次側回路と、
前記高周波トランスを介して前記1次側回路および前記2次側回路間で信号または電力の伝送を行う回路と、を備えたことを特徴とする。
《第4の実施形態》
図9は第4の実施形態の高結合度トランス34と、それを備えたアンテナ装置104の回路図である。ここで用いられている高結合度トランス34は、第1インダクタンス素子L1と二つの第2インダクタンス素子L21,L22を備えたものである。第2インダクタンス素子L22を構成する第5コイル素子L2cと第6コイル素子L2dとは互いに逆相で結合している。第5コイル素子L2cは第1コイル素子L1aと同相で結合していて、第6コイル素子L2dは第2コイル素子L1bと同相で結合している。第5コイル素子L2cの一端は放射素子11に接続され、第6コイル素子L2dの一端はグランドに接続されている。
CM36,CM16…閉磁路
FP12,FP13,FP24,FP34…磁束
L1…第1インダクタンス素子
L2,L21,L22…第2インダクタンス素子
L1a…第1コイル素子
L1b…第2コイル素子
L2a…第3コイル素子
L2b…第4コイル素子
L1c,L2c…第5コイル素子
L1d,L2d…第6コイル素子
M…相互インダクタンス
MW…磁気障壁
Z1…第1インダクタンス素子
Z2…第2インダクタンス素子
Z3…第3インダクタンス素子
1,2…通信端末装置
10,20…筺体
11…アンテナ素子(第1放射素子)
21…第2放射素子
26…第1の直列回路
27…第2の直列回路
28…第3の直列回路
30…給電回路
33…接続線
34,35…高結合度トランス(高周波トランス)
40…積層体
51a〜51j…基材層
61〜66…導体パターン
68…グランド導体
71〜75…導体パターン
81,82,83…導体パターン
102,104,106…アンテナ装置
140…積層体
151a,151b,151c…基材層
161〜164…導体パターン
165a〜165e…ビアホール導体
Claims (8)
- 第1インダクタンス素子と、前記第1インダクタンス素子に高い結合度で結合された第2インダクタンス素子とを含む高結合度トランスであって、
前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子とは、磁界および電界を介して結合されていて、
前記第1インダクタンス素子に交流電流が流れるとき、前記磁界を介した結合により前記第2インダクタンス素子に流れる電流の向きと、前記電界を介した結合により前記第2インダクタンス素子に流れる電流の向きとが同じであることを特徴とする高結合度トランス。 - 前記第1インダクタンス素子に交流電流が流れるとき、前記第2インダクタンス素子に流れる電流の向きは、前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子との間に磁気障壁が生じる向きである、請求項1に記載の高結合度トランス。
- 前記第1インダクタンス素子は第1コイル素子および第2コイル素子を含み、前記第1コイル素子および前記第2コイル素子は互いに直列的に接続されていて、且つ閉磁路を作るように導体の巻回パターンが形成されている、請求項1または2に記載の高結合度トランス。
- 前記第2インダクタンス素子は第3コイル素子および第4コイル素子を含み、前記第3コイル素子および前記第4コイル素子は互いに直列的に接続されていて、且つ閉磁路を作るように導体の巻回パターンが形成されている、請求項1〜3のいずれかに記載の高結合度トランス。
- 前記第1インダクタンス素子は第1コイル素子および第2コイル素子を含み、前記第1コイル素子および前記第2コイル素子は互いに直列的に接続されていて、且つ閉磁路を作るように導体の巻回パターンが形成され、
前記第2インダクタンス素子は第3コイル素子および第4コイル素子を含み、前記第3コイル素子および前記第4コイル素子は互いに直列的に接続されていて、且つ閉磁路を作るように導体の巻回パターンが形成され、
前記第1コイル素子と前記第3コイル素子とは、互いの開口面が向かい合うように配置されていて、前記第2コイル素子と前記第4コイル素子とは、互いの開口面が向かい合うように配置されている、請求項1または2に記載の高結合度トランス。 - 前記第1インダクタンス素子および前記第2インダクタンス素子は、複数の誘電体層または磁性体層が積層された積層体内に配置された導体パターンで構成され、前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子とは前記積層体の内部で結合している、請求項1〜5のいずれかに記載の高結合度トランス。
- 第1インダクタンス素子と、前記第1インダクタンス素子に高い結合度で結合された第2インダクタンス素子とを含み、
前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子とは、磁界および電界を介して結合されていて、
前記第1インダクタンス素子に交流電流が流れるとき、前記磁界を介した結合により前記第2インダクタンス素子に流れる電流の向きと、前記電界を介した結合により前記第2インダクタンス素子に流れる電流の向きとが同じである高結合度トランスを備え、
前記第1インダクタンス素子に接続された1次側回路および前記第2インダクタンス素子に接続された2次側回路を備えた電子回路。 - 第1インダクタンス素子と、前記第1インダクタンス素子に高い結合度で結合された第2インダクタンス素子とを含み、
前記第1インダクタンス素子と前記第2インダクタンス素子とは、磁界および電界を介して結合されていて、
前記第1インダクタンス素子に交流電流が流れるとき、前記磁界を介した結合により前記第2インダクタンス素子に流れる電流の向きと、前記電界を介した結合により前記第2インダクタンス素子に流れる電流の向きとが同じである高結合度トランスと、
前記第1インダクタンス素子に接続された1次側回路と、
前記第2インダクタンス素子に接続された2次側回路と、
前記高結合度トランスを介して前記1次側回路および前記2次側回路間で信号または電力の伝送を行う回路を備えた電子機器。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012153654A1 (ja) * | 2011-05-09 | 2012-11-15 | 株式会社村田製作所 | フロントエンド回路および通信端末装置 |
WO2012153692A1 (ja) * | 2011-05-09 | 2012-11-15 | 株式会社村田製作所 | インピーダンス整合切替回路、アンテナ装置、高周波電力増幅装置および通信端末装置 |
WO2012153691A1 (ja) * | 2011-05-09 | 2012-11-15 | 株式会社村田製作所 | インピーダンス変換回路および通信端末装置 |
WO2012165149A1 (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | 株式会社村田製作所 | アンテナ装置および通信端末装置 |
JP2013012702A (ja) * | 2011-05-31 | 2013-01-17 | Murata Mfg Co Ltd | コモンモードチョークコイルおよび高周波部品 |
JP6010633B2 (ja) * | 2012-12-19 | 2016-10-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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WO2018016340A1 (ja) * | 2016-07-20 | 2018-01-25 | 株式会社村田製作所 | 移相器モジュール、合分波器および通信装置 |
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---|---|---|---|---|
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US9722571B2 (en) * | 2013-05-30 | 2017-08-01 | Mediatek, Inc. | Radio frequency transmitter, power combiners and terminations therefor |
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EP3125367B1 (en) * | 2014-04-30 | 2019-07-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna device and electronic device |
US10278764B2 (en) * | 2014-12-02 | 2019-05-07 | Covidien Lp | Electrosurgical generators and sensors |
US10281496B2 (en) * | 2014-12-02 | 2019-05-07 | Covidien Lp | Electrosurgical generators and sensors |
US10292753B2 (en) * | 2014-12-02 | 2019-05-21 | Covidien Lp | Electrosurgical generators and sensors |
CN207490881U (zh) * | 2015-03-11 | 2018-06-12 | 株式会社村田制作所 | 阻抗变换元件以及通信装置 |
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Family Cites Families (27)
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---|---|---|---|---|
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US6054914A (en) * | 1998-07-06 | 2000-04-25 | Midcom, Inc. | Multi-layer transformer having electrical connection in a magnetic core |
JP2000244273A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Toko Inc | ハイブリッド回路及びハイブリッド回路用トランス |
AU3915000A (en) * | 1999-03-31 | 2000-10-16 | Hercules Incorporated | Pectin having reduced calcium sensitivity |
JP2001036328A (ja) * | 1999-07-21 | 2001-02-09 | Yokowo Co Ltd | Am・fm帯受信用アンテナ |
GB9918539D0 (en) * | 1999-08-06 | 1999-10-06 | Sentec Ltd | Planar current transformer |
JP3766262B2 (ja) * | 1999-10-07 | 2006-04-12 | 東光株式会社 | バラントランス |
US6501363B1 (en) * | 1999-11-03 | 2002-12-31 | Innosys, Inc. | Vertical transformer |
JP2002203721A (ja) | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コイル部品、その製造方法およびそのコイル部品を用いた電子機器 |
US6781229B1 (en) * | 2001-12-19 | 2004-08-24 | Skyworks Solutions, Inc. | Method for integrating passives on-die utilizing under bump metal and related structure |
US6937115B2 (en) * | 2002-02-25 | 2005-08-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Filter having parasitic inductance cancellation |
JP2004119926A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Toshiba Corp | 変流器及び変流器システム |
JP2004304615A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Tdk Corp | 高周波複合部品 |
JP4295660B2 (ja) * | 2004-05-10 | 2009-07-15 | 京セラ株式会社 | バラントランス |
CN102780085A (zh) * | 2006-04-14 | 2012-11-14 | 株式会社村田制作所 | 天线 |
JP2008277485A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | トランスユニットおよび電力変換装置 |
JP2009004606A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Toko Inc | バラントランス及びその特性調整方法 |
WO2009020025A1 (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型トランス,インピーダンス変換器,等分配器,インピーダンス変換方法及び等分配方法 |
CN101821943B (zh) * | 2007-10-23 | 2012-11-14 | 株式会社村田制作所 | 层叠型电子元器件及其制造方法 |
KR101082702B1 (ko) * | 2007-12-20 | 2011-11-15 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 무선 ic 디바이스 |
US8576026B2 (en) * | 2007-12-28 | 2013-11-05 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device having balanced band-pass filter implemented with LC resonator |
EP2244382A4 (en) * | 2008-01-17 | 2013-10-30 | Murata Manufacturing Co | COATED RESONATOR AND COATED FILTER |
JP2009246624A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hitachi Metals Ltd | 積層型バラントランス及びこれを用いた高周波スイッチモジュール |
US7796007B2 (en) * | 2008-12-08 | 2010-09-14 | National Semiconductor Corporation | Transformer with signal immunity to external magnetic fields |
US7969270B2 (en) * | 2009-02-23 | 2011-06-28 | Echelon Corporation | Communications transformer |
EP2242067B1 (en) * | 2009-04-16 | 2013-01-23 | SEPS Technologies AB | A transformer |
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Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9106313B2 (en) | 2011-05-09 | 2015-08-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Impedance conversion circuit and communication terminal apparatus |
WO2012153692A1 (ja) * | 2011-05-09 | 2012-11-15 | 株式会社村田製作所 | インピーダンス整合切替回路、アンテナ装置、高周波電力増幅装置および通信端末装置 |
WO2012153691A1 (ja) * | 2011-05-09 | 2012-11-15 | 株式会社村田製作所 | インピーダンス変換回路および通信端末装置 |
US9264011B2 (en) | 2011-05-09 | 2016-02-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Impedance-matching switching circuit, antenna device, high-frequency power amplifying device, and communication terminal apparatus |
WO2012153654A1 (ja) * | 2011-05-09 | 2012-11-15 | 株式会社村田製作所 | フロントエンド回路および通信端末装置 |
US9197187B2 (en) | 2011-05-09 | 2015-11-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Front-end circuit and communication terminal apparatus |
JP2013012702A (ja) * | 2011-05-31 | 2013-01-17 | Murata Mfg Co Ltd | コモンモードチョークコイルおよび高周波部品 |
US8933859B2 (en) | 2011-05-31 | 2015-01-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna device and communication terminal apparatus |
JP5454742B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2014-03-26 | 株式会社村田製作所 | アンテナ装置および通信端末装置 |
WO2012165149A1 (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | 株式会社村田製作所 | アンテナ装置および通信端末装置 |
JP6010633B2 (ja) * | 2012-12-19 | 2016-10-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
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