JP2012069863A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 61
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 60
- 239000012783 reinforcing fiber Substances 0.000 claims description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 47
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 3
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 209
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 67
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】電子部品を内蔵する配線基板であって、ベース絶縁層と、このベース絶縁層の上面側に設けられた台座パターンと、この台座パターン上の電子部品と、この電子部品の外周を取り囲む補強絶縁層と、電子部品が内側に配置された開口を持つコア絶縁層と上面側コア配線と下面側コア配線を含み、補強絶縁層上に設けられたコア配線構造層と、電子部品を埋め込むようにコア配線構造層上に設けられた埋め込み絶縁層と、電子部品と電気的に接続された基板上面側の第1配線と、基板下面側の第2配線とを含み、台座パターンの外縁は電子部品の外縁より外側に位置し、補強絶縁層は第1補強繊維を含み、この第1補強繊維は台座パターンの外縁より外側の周辺領域から台座パターンの外縁の直上にわたって配置されている。
【選択図】図1
Description
ベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層の上面側に設けられた台座パターンと、
前記台座パターン上に設けられた電子部品と、
前記ベース絶縁層の上面側に設けられ、前記電子部品の外周を取り囲む補強絶縁層と、
前記電子部品が内側に配置された開口を持つコア絶縁層と該コア絶縁層の上面側のコア配線と該コア絶縁層の下面側のコア配線を含み、前記補強絶縁層上に設けられたコア配線構造層と、
前記電子部品を埋め込むように前記コア配線構造層上に設けられた埋め込み絶縁層と、
前記電子部品と電気的に接続され、前記埋め込み絶縁層上に設けられた第1配線と、
前記ベース絶縁層の下面側に設けられた第2配線と、を含む配線基板であって、
前記台座パターンの外縁は、前記電子部品の外縁より外側に位置し、
前記補強絶縁層は、第1補強繊維を含み、該第1補強繊維は、前記台座パターンの外縁より外側の周辺領域から該台座パターンの外縁の直上にわたって配置されている、配線基板が提供される。
支持基板上のベース絶縁層上に、電子部品の搭載側の面より広い台座パターンを形成する工程と、
前記台座パターン上に、該台座パターンの外縁より内側に配置されるように前記電子部品を搭載する工程と、
前記台座パターンの外縁より内側に配置でき且つ前記電子部品を内側に配置できる開口を有し、第1補強繊維を含む補強絶縁層を用意する工程と、
前記電子部品を内側に配置できる開口を持つコア絶縁層と該コア絶縁層の上面側のコア配線と該コア絶縁層の下面側のコア配線を含むコア配線構造層を用意する工程と、
前記補強絶縁層を、その開口の内側に前記電子部品が配置され、且つ前記第1補強繊維が前記台座パターンの外縁より外側の周辺領域から該台座パターンの外縁の直上にわたって配置されるように、前記ベース絶縁層上に重ねる工程と、
前記コア配線構造層を、その開口の内側に前記電子部品が配置されるように前記補強絶縁層上に重ねる工程と、
前記電子部品を覆うように前記補強絶縁層上に埋め込み絶縁層を重ねる工程と、
加熱を行って前記補強絶縁層および前記埋め込み絶縁層を流動化させ前記電子部品の周囲の隙間を充填し、硬化させるとともに、前記ベース絶縁層、前記補強絶縁層、前記コア配線構造層および前記埋め込み絶縁層を圧着する工程と、
前記埋め込み絶縁層上に、第1配線を形成する工程と、
前記第1配線を形成する前または後に前記支持基板を除去する工程と、
前記ベース絶縁層の下面側に、第2配線を形成する工程を含む、配線基板の製造方法が提供される。
101 ベース絶縁層
102 台座パターン
103 接着層
110 補強絶縁層
111 第1補強繊維
112 ビア
120 コア配線構造層
121 コア絶縁層
122 上面側コア配線
123 下面側コア配線
124 ビア
130 埋め込み絶縁層
131 下地絶縁層
140 第1配線構造層
141a 第1配線
141b 第1配線
142a 第1絶縁層
142b 保護絶縁層(ソルダーレジスト層)
150 第2配線構造層
151 第2配線
151a 第2配線
151b 配線
152 保護絶縁層(ソルダーレジスト層)
152a 第2絶縁層
152b ソルダーレジスト層
161a ホール
161b ホール
161c ホール
162a ホール
162b ホール
200 電子部品
200a 半導体素子
200b チップ部品
201 保護層
Claims (23)
- ベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層の上面側に設けられた台座パターンと、
前記台座パターン上に設けられた電子部品と、
前記ベース絶縁層の上面側に設けられ、前記電子部品の外周を取り囲む補強絶縁層と、
前記電子部品が内側に配置された開口を持つコア絶縁層と該コア絶縁層の上面側のコア配線と該コア絶縁層の下面側のコア配線を含み、前記補強絶縁層上に設けられたコア配線構造層と、
前記電子部品を埋め込むように前記コア配線構造層上に設けられた埋め込み絶縁層と、
前記電子部品と電気的に接続され、前記埋め込み絶縁層上に設けられた第1配線と、
前記ベース絶縁層の下面側に設けられた第2配線と、を含む配線基板であって、
前記台座パターンの外縁は、前記電子部品の外縁より外側に位置し、
前記補強絶縁層は、第1補強繊維を含み、該第1補強繊維は、前記台座パターンの外縁より外側の周辺領域から該台座パターンの外縁の直上にわたって配置されている、配線基板。 - 前記第1補強繊維は、前記電子部品が内側に配置された開口を持つ繊維シートであり、該繊維シートの開口の周囲端部が前記台座パターンの外縁の直上に配置されている、請求項1に記載の配線基板。
- 前記ベース絶縁層上に複数の台座パターンが設けられ、
各台座パターン上に電子部品が設けられている、請求項1又は2に記載の配線基板。 - 前記台座パターン上に複数の電子部品が設けられている、請求項1又は2に記載の配線基板。
- 前記電子部品として、半導体素子を内蔵する、請求項1から4のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記電子部品として、チップ部品を内蔵する、請求項1から4のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記電子部品として、半導体素子とチップ部品を内蔵する、請求項3に記載の配線基板。
- 前記電子部品として、半導体素子とチップ部品を内蔵する、請求項4に記載の配線基板。
- 前記チップ部品は、コンデンサ、抵抗、ダイオード、インダクタ及びフィルタから選ばれる、請求項6から8のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記コア配線構造層は、前記コア絶縁層を貫通し前記上面側コア配線と前記下面側コア配線とを接続するビアを含み、
前記上面側コア配線は、前記埋め込み絶縁層を貫通するビアを介して前記第1配線と電気的に接続され、
前記下面側コア配線は、前記補強絶縁層を貫通するビアを介して前記第2配線と電気的に接続されている、請求項1から9のいずれか一項に記載の配線基板。 - 前記補強絶縁層を貫通するビアは、基板上面側の上端径が基板下面側の下端径より小さい、請求項10に記載の配線基板。
- 前記下面側コア配線は、その下面が前記コア絶縁層の下面より突出した位置にある、請求項1から11のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記下面側コア配線は、その下面が前記コア絶縁層の下面と同一平面内にある、請求項1から11のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記第1補強繊維は、ガラス繊維である、請求項1から13のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記埋め込み絶縁層は、第2補強繊維を含む、請求項1から14のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記コア絶縁層は、第3補強繊維を含む、請求項1から15のいずれか一項に記載の配線基板。
- 前記第1配線を覆う保護絶縁膜を有し、
前記保護絶縁膜は開口を有し、該開口内の前記第1配線の露出部からなる外部端子、または該開口に設けられた導電部からなる外部端子を備えた、請求項1から16のいずれか一項に記載の配線基板。 - 前記埋め込み絶縁層上に交互に設けられた配線と絶縁層を含む第1配線構造層を有し、
最上層側の絶縁層に開口を有し、該開口内の配線の露出部からなる外部端子、または該開口に設けられた導電部からなる外部端子を備えた、請求項1から16のいずれか一項に記載の配線基板。 - 前記第2配線を覆う保護絶縁膜を有し、
前記保護絶縁膜は開口を有し、該開口内の前記第2配線の露出部からなる外部端子、または該開口に設けられた導電部からなる外部端子を備えた、請求項1から18のいずれか一項に記載の配線基板。 - 前記ベース絶縁層の下面側に交互に設けられた配線と絶縁層を含む第2配線構造層を有し、
最下層側の絶縁層に開口を有し、該開口内の配線の露出部からなる外部端子、または該開口に設けられた導電部からなる外部端子を備えた、請求項1から18のいずれか一項に記載の配線基板。 - 支持基板上のベース絶縁層上に、電子部品の搭載側の面より広い台座パターンを形成する工程と、
前記台座パターン上に、該台座パターンの外縁より内側に配置されるように前記電子部品を搭載する工程と、
前記台座パターンの外縁より内側に配置でき且つ前記電子部品を内側に配置できる開口を有し、第1補強繊維を含む補強絶縁層を用意する工程と、
前記電子部品を内側に配置できる開口を持つコア絶縁層と該コア絶縁層の上面側のコア配線と該コア絶縁層の下面側のコア配線を含むコア配線構造層を用意する工程と、
前記補強絶縁層を、その開口の内側に前記電子部品が配置され、且つ前記第1補強繊維が前記台座パターンの外縁より外側の周辺領域から該台座パターンの外縁の直上にわたって配置されるように、前記ベース絶縁層上に重ねる工程と、
前記コア配線構造層を、その開口の内側に前記電子部品が配置されるように前記補強絶縁層上に重ねる工程と、
前記電子部品を覆うように前記補強絶縁層上に埋め込み絶縁層を重ねる工程と、
加熱を行って前記補強絶縁層および前記埋め込み絶縁層を流動化させ前記電子部品の周囲の隙間を充填し、硬化させるとともに、前記ベース絶縁層、前記補強絶縁層、前記コア配線構造層および前記埋め込み絶縁層を圧着する工程と、
前記埋め込み絶縁層上に、第1配線を形成する工程と、
前記第1配線を形成する前または後に前記支持基板を除去する工程と、
前記ベース絶縁層の下面側に、第2配線を形成する工程を含む、配線基板の製造方法。 - 前記台座パターンを複数設け、各台座パターン上に電子部品を搭載する、請求項21に記載の配線基板の製造方法。
- 前記台座パターン上に複数の電子部品を搭載する、請求項21に記載の配線基板の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012069863A true JP2012069863A (ja) | 2012-04-05 |
JP5548855B2 JP5548855B2 (ja) | 2014-07-16 |
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP5548855B2 (ja) |
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