JP2012058407A - 撮像装置及び携帯情報端末 - Google Patents
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Abstract
【課題】固体撮像素子と共に用いられる複数枚構成の光学系を改良し、撮像装置の小型化・薄型化を図る。
【解決手段】光学系の全長Dを3.6mm未満にして薄型化を図るとともに、結像面上における主光線の最大入射角を33°を越える範囲まで広げる。全系の焦点距離f、最終レンズの焦点距離をfLとしたとき、f/fL<−1.50あるいはf/fL<−0.9、さらにはD/f<1.10の条件を満たすようにして光学性能の良化を図る。
【選択図】図5
【解決手段】光学系の全長Dを3.6mm未満にして薄型化を図るとともに、結像面上における主光線の最大入射角を33°を越える範囲まで広げる。全系の焦点距離f、最終レンズの焦点距離をfLとしたとき、f/fL<−1.50あるいはf/fL<−0.9、さらにはD/f<1.10の条件を満たすようにして光学性能の良化を図る。
【選択図】図5
Description
本発明は、結像用の光学系と撮像素子とからなる撮像装置に関し、詳しくは、光学系の全長を短くして薄型化を図った撮像装置及びこの撮像装置を内蔵した携帯情報端末に関するものである。
デジタルカメラは小型化が容易であることから、携帯電話機やPDAなどの各種の携帯機器に組み込まれ、さらにはTV電話機用のカメラとして、また各種車両の内外の画像を運転席から確認するための車載カメラとしても広く用いられている。デジタルカメラは、結像用の光学系と、この光学系で結像された被写体画像を光電変換する固体撮像素子とをユニット化した撮像装置と、固体撮像装置を駆動して撮像信号の読出しを行い、さらには種々の信号処理を施してデジタル化した画像データを得、そして記録する回路・メモリ装置などで構成される。
例えば、携帯情報端末として広く利用されている携帯電話機やPDAなどにデジタルカメラを内蔵させる場合、回路・メモリ装置部分については様々な実装手法で薄型化を図ることは比較的容易であるが、撮像装置部分についてはその光学的な性能を考慮するとその薄型化が難しい。というのは、簡便には光学系の全長を短くして撮像装置の薄型化を図ることは可能であるが、その結果、結像面上で光軸から離れた各点に入射する主光線の入射角度は光学系の全長が長いものと比較して大きくなる。これは、絞り面と結像面との間の幾何学距離が短くなることに起因しており、光学設計上、避けることができない。
一方、固体撮像素子として現在広く用いられている通常の表面照射型CMOSイメージセンサでは、画素の開口効率を向上させ、結像光束を可能な限り画素ごとの光電変換部に導くべく、被写体光の入射面にマイクロレンズが敷設されている。これによって、マイクロレンズが敷設されていない場合に比べて開口効率が向上し光電変換効率も向上してはいる。しかし、被写体像を光電変換する光電変換部が配線層のさらに下方に存在するため、垂直入射した光線は効率よく光電変換されるものの、ある程度の角度の角度がついた光線は光電変換部に到達する前に配線層等によって遮断され、あるいは隣接する画素に漏れてしまうため、当該画素の光電変換に寄与できない。このために、画素単位での光電変換効率は光線が撮像面に垂直に入射した場合に最も高く、入射角20°程度になったときの光電変換効率は垂直入射時の100%に対して35%程度にまで激減し、入射角が30°程度を越えると大半の光線が配線層等により遮断され、あるいは隣接する画素へ漏れる結果、垂直入射時の5%まで低下する。
表面照射型CMOSイメージセンサにおいては、上述の如く光電変換部が配線層のさらに下方に存在するという画素構造により光線の広がり角度の許容範囲が狭く、入射角度が垂直よりも増すと直ちに隣接する画素への光線漏れが生じて感度の低下を誘起する。このような入射角度をもつ光線は画面周辺部に近づくほど増え、結果的に画面周辺部側で光電変換に寄与できる光線が減少して画面周辺部の画像が相対的に暗くなる。換言すれば、光学系で本来的に担保している開口効率そのままの明るさをCMOSイメージセンサを通して得られる画像で再現することができない。画面周辺部が暗い画像は、後段の画像処理によってこれを補正することが一般に行われている。しかし補正にはSNの劣化が伴い、甚だしく暗い画像を無理に補正した場合にはSNの劣化が許容範囲を越え、実用にはならない。また、上記のような入射角度をもった光線が画面周辺部で増えることに伴い、隣接画素への漏光も増えて混色の問題も生じる。混色についても同様に後段の画像処理による補正が可能ではあるが、やはりSNの劣化が免れず、混色が甚だしい画像を無理に補正した場合には同様にSNの劣化が許容範囲を越えてしまうため実用には供し得ない。
最近では、主光線の入射角度を画面周辺部で補正するために、マイクロレンズのピッチを画素ピッチよりも詰めること(いわゆるスケーリング)で、画面周辺部での照度低下を軽減させる対策が講じられることもあるが、未だ不十分で完全な対策にはなっていない。こうした事情から、特許文献1、2、3などで知られるように、撮像装置に用いられる光学系は、画面周辺部に入射する主光線の入射角が概ね30°以内に収まるように光学設計されているのが現状である。
これまでの撮像装置に用いられている光学系は、固体撮像素子の構造上の制約から、固体撮像素子の光入射面と一致させる光学系の結像面上で、画面周辺部における主光線の入射角を最大でも30°程度に抑えなくてはならないことから、特許文献1、2に見られるように光学系の全長は4mm以上であり、撮像装置のさらなる薄型化には不十分である。また、特許文献3記載の光学系は、空気換算した全長が3.2mm程度にまで薄型化されてはいるが、結像面への主光線の入射角を30°程度に抑えることを前提にしているため解像力が不足しがちでイメージサイズが小さくなるという難点があり、一般用途では適用可能範囲が限られ汎用性に乏しい。
本発明は上記背景を考慮してなされたもので、小型化、特に光学系の最前面から固体撮像素子の入射面(光学系の結像面)までの距離を短くして携帯情報端末への組み込み適性を高めると同時に、光学性能についても良好な光学系を備えた撮像装置を提供することを目的とする。
本発明は上記目的を達成するにあたり、固体撮像素子と組み合わされる結像用の光学系を複数枚構成とし、光学系の最前面から結像面までの距離を3.6mm未満にして薄型化を図るとともに、結像面に入射する主光線の最大入射角が33°を越えるようにしたものである。主光線の最大入射角が33°を越える範囲まで許容されると諸収差を小さく抑えたままでさらに光学系の全長を短くすることが可能となる。これにより、光学系の最前面から結像面までの距離を3.3mm程度まで縮めることが可能である。さらに望ましくは、結像面に入射する主光線の最大入射角を45°以上にすることによって、諸収差を小さく抑えたままでさらに全長を短くすることが可能となる。これにより、光学系の最前面から結像面までの距離を3.0mm程度にまで縮めることが可能である。また、光学系全体の焦点距離をf、固体撮像素子側の最終レンズの焦点距離をfLとしたとき、「f/fL<−1.50」を満たすようにすることが有効である。なお、光学系の最前面はレンズ面に限られず絞り面であってもよい。また、光学系の最前面から結像面までの距離は、光学系中にフィルタプレートなどのパワーをもたない平行平面板が含まれている場合には、これを空気換算して算出した値を表す。
さらに本発明は、複数枚のレンズで構成された結像用の光学系と、前記光学系の結像面に結像された画像を撮像する固体撮像素子とを備えた撮像装置を構成するにあたり、前記光学系の最前面から結像面までの距離Dを3.6mm未満とし、かつ全系の焦点距離をfとしたとき、D/f<1.10とすることも効果的である。加えて、最終レンズの焦点距離をfLとしたとき、f/fL<−0.90とする。望ましくは、f/fL<−1.50とすることも有効であり、これによって光学系の全長Dを短くしながらも例えば解像力などの光学性能を維持することが可能となる。これらの光学系は、最終レンズに負パワーのレンズを含み、全体で4枚または3枚のレンズの組合せにより効果的に実施することができる。
また、本発明において固体撮像素子とともに用いられる光学系は、その最前面から結像面までの距離をD、全系の焦点距離をf、最終レンズの焦点距離をfLとしたとき、f/fL<−1.5であり、かつD/f<1.10を満足する光学系として構成することもできる。そして、この光学系においても、全体で3〜4枚のレンズ構成とすることにより、前記距離Dを3.6mm未満に抑えて薄型化を図ることが可能である。
本発明において用いられる固体撮像素子としては、有機光電変換膜によって被写体光を光電変換する機能を有するものであることが最も好ましく、この場合は結像面における光線の最大入射角を33°を越えて広げることが可能となるだけでなく、併用される光学系中に赤外カットフィルタを要しないという大きな利点がある。また、結像面における光線の最大入射角を33°を越えた角度まで広げることができるという観点からは裏面照射型の固体撮像素子も実用の範囲内である。上記したこれらの撮像装置は、携帯電話機に代表される携帯情報端末に好適に内蔵させることが可能で、そのほかにも内視鏡装置の撮像デバイスとして、またパーソナルコンピュータやテレビジョンなどに内蔵され、人物感知用あるいは画像認証用の撮像デバイスとして広く用いることが可能である。
本発明の撮像装置は、小型化・薄型化を図りながらも、結像面における主光線の最大入射角を従来装置と比較して大きくしても良好な結像性能が得られるように工夫されているから、例えば家電製品や携帯情報端末などに種々の用途で内蔵される撮像装置として効果的に利用することができる。
本発明を適用した撮像装置を内蔵した携帯電話機の一例を図1に示す。同図(A)が正面側、同図(B)が背面側の外観で、表示パネル2の下方に設けられた操作部から入力操作を行うと表示パネル2に操作メニューが表示される。表示パネル2はタッチパネルになっており、以後は表示パネル2に表示された適宜のアイコンに指先を触れてダイヤル通話操作などを行うことができる。
同図(B)に示すように、携帯電話機の背面側に撮影窓3が設けられ、その奥に撮像装置5が組み込まれている。表示パネル2へのタッチ操作によりカメラモードで起動すると、撮影窓3を通して撮像装置5で得られた画像がリアルタイムで表示パネル2にスルー画像として表示される。このスルー画像を観察しながらフレーミングを行い、適宜のタイミングでレリーズ操作すれば静止画の撮影を行うことができる。カメラモードで起動した後、動画モードを選択すれば動画の撮影も可能となる。撮像装置5は、略直方体状の筐体内に、チップレベルでフレキシブル基板に実装された固体撮像素子と、この固体撮像素子の前面に位置決めされた結像用の光学系とからなり、筐体を含む全体の厚みは数mm〜8mm程度にまとめられ、携帯電話機の筐体厚み内に収容されている。
この撮像装置5に用いられている固体撮像素子は、光学系を通して入射した被写体光を有機光電変換膜で光電変換するCMOSイメージセンサ(以下、有機CMOSセンサ)で構成されている。この有機CMOSセンサは、例えば「FUJIFILM RESERCH &DEVELOPMENT 」(No.55-2010)などにより公知で、その概略構造は、例えば図2(A)に示すようになっている。また、従来のシリコン光電変換領域が設けられたCMOSイメージセンサにおいて、受光感度を向上させることを目的として裏面照射型(背面照射型)CMOSイメージセンサが開発されている。その概略構造は、例えば図2(B)に示すようになっている。
図2(A)は有機CMOSセンサを示し、比較のために同図(C)に従来の表面照射型CMOSイメージセンサを示す。互いに共通する構成部分には同符号を付してある。マイクロカラーフィルタ層6は、青色(B光)透過フィルタと緑色(G光)透過フィルタと赤色(R光)透過フィルタとをベイヤー配列などの所定パターンで配列したもので、図中のPが一画素分のピクセルに相当する。
有機CMOSセンサは読み出し回路(図示省略)が設けられた半導体基板7の上方に配線層8を設け、その上方に画素電極9、有機光電変換膜10、透明な対向電極12を有する構造である。配線層8には、画素電極9を介して画素単位に得られる撮像信号を読み出すためのスイッチング回路あるいは増幅回路などの回路網が含まれ、これらの回路は配線層8中に設けられた接続部14によって電気的に接続される。対向電極12の上方には透明な保護層13が形成され、その上に前述したマイクロカラーフィルタ層6が積層されている。
同図(B)に示す裏面照射型CMOSイメージセンサでは、半導体基板7中にシリコンフォトダイオードからなる光電変換部11が画素ごとに設けられ、その上方にパッシベーション膜15、マイクロカラーフィルタ層6を積層した構造となっている。さらにマイクロカラーフィルタ層6を画素単位で個々のマイクロレンズが覆うように、マイクロレンズアレイ16が重ねられ、画素単位で撮像信号を読み出すためのスイッチング回路等を含む配線層8は、光電変換部11の下方(光の入射面とは反対側)に設けられている。
同図(C)に示す従来の表面照射型CMOSイメージセンサでは、半導体基板7中にシリコンフォトダイオードからなる光電変換部11を設け、その上方に配線層8、パッシベーション絶縁膜15、マイクロカラーフィルタ層6を設け、マイクロカラーフィルタ層6を画素単位で個々のマイクロレンズで覆うように、マイクロレンズアレイ16が重ねられている。
図2から分るように、有機CMOSセンサと裏面照射型CMOSイメージセンサでは、光電変換のための受光面となる有機光電変換膜10の上面、あるいは光電変換部11の上面が配線層8の上方に位置し、光の入射側に接近して設けられているのに対し、従来の表面照射型CMOSイメージセンサでは受光面となる光電変換部11の上面が配線層8の下方に位置している。また、有機CMOSセンサでは光電変換部として機能する有機光電変換膜の厚みが0.5μmであるが、裏面照射型CMOSイメージセンサおよび表面照射型CMOSイメージセンサではシリコンフォトダイオードからなる光電変換部の深さ方向の厚みが5μm程度となっている。
光電変換部の受光面を配線層8の上方に位置させることにより、表面照射型CMOSイメージセンサと比較して、有機CMOSセンサ及び裏面照射型CMOSイメージセンサは入射光束の損失が少なく感度が向上する。また、入射光が受光面に達する前に配線層8で蹴られるのを避けることができるため、光線が角度をもって入射した場合の感度劣化を抑えることができる。さらに、光電変換作用をもつ有機光電変換膜10あるいは光電変換部11の深さ方向の厚みTが薄くなれば、マイクロカラーフィルタ層6を垂直に透過してきた入射光はもとより、斜めに透過してきた入射光も隣接する画素の光電変換部11への漏光を抑えることができるようになり、混色の発生を改善することが可能となる。そして、同図(B)に示す裏面照射型CMOSイメージセンサでは、混色の発生を防ぐために、斜めに入射してきた光がマイクロカラーフィルタ層6にできるだけ垂直に入射するようにマイクロレンズアレイ16を利用せざるを得ないのに対し、同図(A)の有機CMOSセンサではマイクロレンズアレイ16を省略することができる。
また、図2(B),(C)に示す裏面照射型あるいは表面照射型CMOSイメージセンサでは、適切なマイクロレンズアレイ16を用いた場合でもマイクロカラーフィルタ層6の法線に対して30°以上の角度で入射してきた光線は、該当画素の光電変換部11に入射する割合が激減する。図3はその様子を相対感度で表したもので、光線の入射角0°が垂直入射に相当する。図3に符号M3で示す感度特性が従来の表面照射型CMOSイメージセンサのもので、光線の入射角が±20°程度になると垂直入射と比較して35%程度にまで低下し、±30°がほぼ限界となっている。
符号M2で示す感度特性が裏面照射型CMOSイメージセンサのもので、光線の入射角が±20°ぐらいになると垂直入射と比較して感度は低下するものの、50%程度は確保され,±30°でも25%程度の感度を有しており、表面入射型CMOSイメージセンサよりも優れている。さらに、有機CMOSセンサは符号M1で示す感度特性を有しており、理論限界となるコサインカーブM0とほぼ同等のレベルまで高い感度特性を示し、実用的には±45°近辺でも十分な感度を示していることが分かる。これは、上述の如く有機光電変換膜が光の入射面に接近し、かつ、その厚みが薄いという特長に依るものである。
上述のように、有機CMOSセンサの感度特性は裏面照射型CMOSイメージセンサよりも格段に優れており、かつ表面照射型CMOSイメージセンサに対しては圧倒的に優れている。感度特性としては有機CMOSセンサが最も優れてはいるが、本発明を実施する上では、入射角±30°の光線に対する相対的な感度が、垂直入射に対して20%を上回る感度特性があればよい。したがって、感度特性上からは裏面照射型CMOSイメージセンサでも実用的には利用可能で、必ずしも有機光電変換膜によって光電変換作用を行う固体撮像素子に限られない。入射角±30°の光線に対して相対的な感度が20%を下回る固体撮像素子では、後段の画像処理によってシェーディング補正処理を行った際にSN の劣化が許容できなくなり、結果として画質の著しい低下を招く。望ましくは、光線入射角±30°における相対的な感度が50%を上回る特性をもつ固体撮像素子であればなお良い。
また、従来型のCMOSイメージセンサは赤外領域にも感度を有するため、赤外カットフィルタを光学系内に組み込むのが一般となっている。一般的な多層膜を用いた赤外カットフィルタは、例えば図4に符号T0で示すように、垂直入射光に対する透過率の半値が650nm程度に設定された分光透過特性をもつ。ところが、斜め入射光に対しては波長シフトを生じ、20°入射ではT1、30°入射ではT2、40°入射ではT3と透過特性が変化する。したがって、入射角が小さい画面中央部分と入射角が大きくなる画面周辺部とで色味が変わる色シェーディングの問題が生じてくる。この色シェーディングの観点からも、従来型のCMOSイメージセンサでは、結像面の特に周辺部に入射する主光線の入射角の最大値を25°〜30°に抑えておくことが前提的条件にもなっているのが現状となっている。
これに対し本発明の撮像装置では、従来の常識的制約にとらわれることなく、結像面に入射する主光線の最大角度を33°以上にまで広げることによって、全長が3.6mm未満にまで抑えることができる光学系を用いるようにしたことが大きなポイントになっている。また、結像面に入射する主光線の最大角度を40°以上にまで広げることによって、全長が3.3mm程度にまで縮めることが可能である。さらに望ましくは、結像面に入射する主光線の最大入射角を45°以上にすることによって、光学系の最前面から結像面までの距離を3.0mm程度にまで縮めることが可能となる。しかも、主光線の最大入射角を大きくしても、図2及び図3で説明したような隣接画素への漏光が生じることがないように、光学系とともに用いられる固体撮像素子も改善を施しておくことが好ましく、固体撮像素子としては前述した有機CMOSイメージセンサや、裏面照射型イメージセンサが好適に用いられる。
特に、有機CMOSイメージセンサでは、その分光感度特性が図4に破線で示すように、赤外領域での感度を著しく低下させることが可能であるため、必ずしも赤外カットフィルタを光学系中に組み込まなくても実用化ができる。したがって、赤外カットフィルタを省略して色シェーディングをなくすとともに、製造コストを抑えることも可能となる。
本発明に用いられる結像用の光学系の特徴は、第一に複数枚で構成される光学系の全長Dが3.60mm未満であり、より好ましくは3.50mmであることで、さらに結像面上で許容される主光線の最大入射角が33°を越えていることである。ここで、主光線とは光学絞り面の中心を通って結像面に達する光線を意味し、また光学系の全長Dとは、最前面に絞り面がある場合には絞り面から結像面までの距離を意味し、光学系内にパワーをもたない平行平面板が含まれる場合にあっては、その屈折率と厚みに応じた空気換算を行った値を意味する。
さらに、本発明の光学系が4枚レンズで構成されている場合の特徴は、光学系全系の焦点距離をf、固体撮像素子に最も近く、そしてパワーをもった最終レンズの焦点距離をfLとしたとき、f/fL<−1.50の条件を満たすことである。この条件を満たさないと、光学系の全長Dを短くしながらも例えば解像力などの光学性能を維持することが困難になる。実用的にはさらに下限をもたせ、−3.00<f/fL<−1.5の範囲にすることが望ましい。この下限が満たされないと、最終レンズの負パワーが強くなり過ぎて光学性能の維持が難しくなる。
さらに、光学系の全長Dと、全系の焦点距離fとを用い、D/f<1.10の条件を満足させることも有効である。この条件を満たさずに全長Dを短くすると必要以上に広角となり、一般的な使用状態のもとでは光学諸元として適切でない。この条件に下限を加えるなら、0.80<D/f<1.10とするのが望ましい。この下限を下まわると、各レンズのパワーが強くなり過ぎて収差補正が難しくなる。
本発明の光学系を3枚レンズの組み合わせで構成する場合には、f/fL<−0.90の条件式を満足させるのが好ましい。この条件式が満たされないと、やはり光学性能の劣化が避けられない。さらに下限を設け、−2.00<f/fL<−0.90にすることが望ましい。この下限を下まわると最終レンズの負パワーが強くなり過ぎて光学性能の維持が困難になる。さらに、3枚レンズ構成あるいは4枚レンズ構成のいずれの場合でも最終レンズの像側の面は光軸近辺で像面側に凹であることが望ましい。これによりf/fL を適切な値に保つことが容易になる。
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。実施例1〜8は光学系を4枚のレンズで構成した例、実施例9〜14は光学系を3枚のレンズで構成した例である。これらの実施例1〜14の代表的な数値データは表1に示すとおりで、参考までに比較例1〜6についても併記した。比較例1,2はそれぞれ特許文献1の実施例1、2として記載された例、比較例3,4はそれぞれ特許文献2の実施例1,4として記載された例、比較例5,6はそれぞれ特許文献3の実施例4,7として記載された例を示している。なお、これらの実施例では3枚レンズ構成、4枚レンズ構成について説明しているが、5枚以上のレンズ構成の場合でも本発明は適用することができる。この場合、4枚レンズ構成の場合と同等の数値範囲が適用できる。
以下、本発明の実施例1〜14及び、比較例1〜6について、それぞれレンズデータと非球面係数を示す各表と、光学系の基本構成と、結像面における各像高位置に入射する主光線(P)の入射角並びにその主光線の上方(U)と下方(L)からそれぞれ入射する光線の入射角を示すグラフと、各実施例の収差図を表す図面にしたがって説明する。光学系の基本構成を示す図面においては、物体側から順にG1,G2,G3,G4の符号を付し、Sは絞り面を、Pは結像面を表し、また赤外カットフィルタFLは平行平面板で構成され結像性能には寄与しない。収差図にあっては、球面収差図の符号F,d,CはそれぞれF線(486nm)、d線(588nm)、C線(656nm)の波長光に対する特性を示し、非点収差図の符号s,tは、それぞれサジタル,タンジェンシャルの特性を示す。
また、本発明の各実施例では、複数枚構成のレンズの各面には全て非球面が用いられ、レンズデータ中の各面の曲率半径は近軸曲率半径を示す。非球面係数は、以下の数式で表される非球面形状の各係数Aiと、Kの値を表す。表中の記号Eは、その次に続く数値が10を底とする「べき指数」であることを意味している。
上記非球面形状を表す数式は、
Z(h)=C・h2/{1+(1−K・C2・h2)1/2}+ΣA(i)・hi
で表され、上式の各文字は以下を表す。
Z:非球面の深さ(mm)
h:光軸からレンズ面までの距離(高さ)(mm)
K:円錐係数
C:近軸曲率=1/R
R:近軸曲率半径
Ai:第i次(iは3以上の整数)の非球面係数
Z(h)=C・h2/{1+(1−K・C2・h2)1/2}+ΣA(i)・hi
で表され、上式の各文字は以下を表す。
Z:非球面の深さ(mm)
h:光軸からレンズ面までの距離(高さ)(mm)
K:円錐係数
C:近軸曲率=1/R
R:近軸曲率半径
Ai:第i次(iは3以上の整数)の非球面係数
以下に説明する各実施例は、本発明の撮像装置に用いられる光学系についてのものであるが、これらの各実施例に挙げた光学系とともに共通に用いられる固体撮像素子としては、光線入射角度±30°において相対的な感度が20%を上回る特性をもつものであればよい。具体的には、有機CMOSセンサもしくは裏面照射型CMOSイメージセンサが挙げられる。望ましくは、光電変換部としては有機光電変換膜に限らず最終的に光線入射角度±30°において相対的な感度が50%を上回る特性をもつものであればなお良い。
[実施例1]
実施例1の光学系は図5の構成を有し、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表2及び表3のとおりである。
実施例1の光学系は図5の構成を有し、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表2及び表3のとおりである。
実施例1では、光学系の全長が実寸で3.382mmであるが、赤外カットフィルタFLの厚み分を空気換算した値3.303mmが全長DとなりD<3.6mmの条件を満たす。また、結像面における主光線の最大入射角は周辺部で約36.8°に達し、所期の条件を満たす。なお、結像面における主光線の最大入射角は、他の実施例についても「CRA(Chief Ray Angleの略)」として表1に併記した。表1にも示すように、全系の焦点距離fは3.09mm、最終レンズであるG4の焦点距離fLは−1.860mmであるから、f/fL、D/fの値はそれぞれ−1.661(<−1.50)、1.068(<1.10)となり、所期の条件を満たしている。
[実施例2]
実施例2の光学系は図8の構成を有し、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表4及び表5のとおりである。この実施例では、絞りが第1レンズG1の像面側の面とほぼ一致して具体的な図示が難しいので図8では絞りの図示を省略した。
実施例2の光学系は図8の構成を有し、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表4及び表5のとおりである。この実施例では、絞りが第1レンズG1の像面側の面とほぼ一致して具体的な図示が難しいので図8では絞りの図示を省略した。
実施例2では、光学系の全長が実寸で3.008mmであり、光学系中に赤外カットフィルタがないためこれが全長Dとなり、D<3.6mmの条件を満たす。結像面における主光線の最大入射角は周辺部で約45.8°(>33°)に達し、この点でも所期の条件が満たされている。表1にも示すように、全系の焦点距離fは3.00mm、最終レンズであるG4の焦点距離fLは−1.914mmであるから、f/fL、D/fの値はそれぞれ−1.567(<−1.50)、1.002(<1.10)となり、所期の条件を満たしている。
[実施例3]
実施例3の光学系は図11の構成を有し、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表6及び表7のとおりである。
実施例3の光学系は図11の構成を有し、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表6及び表7のとおりである。
実施例3では、光学系の全長が実寸で3.129mmであり、光学系中に赤外カットフィルタがないためこれが全長Dとなり、所期の条件を満たしている。結像面における主光線の最大入射角は周辺部で約45.5°(>33°)に達している。表1にも示すように、全系の焦点距離fは3.01mm、最終レンズであるG4の焦点距離fLは−1.878mmであるから、f/fL、D/fの値はそれぞれ−1.603(<−1.50)、1.040(<1.10)となり、これらの値も所期の条件を満たしている。
[実施例4]
実施例4の光学系は図14の構成を有し、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表8及び表9のとおりである。
実施例4の光学系は図14の構成を有し、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表8及び表9のとおりである。
実施例4では、光学系の全長が実寸で3.205mmであり、光学系中に赤外カットフィルタFLを有するため、空気換算した3.127mmが全長Dとなるから、D<3.6mmの条件をクリアしている。結像面における主光線の最大入射角は周辺部で約46.9°(>33°)に達する。表1にも示すように、全系の焦点距離fは3.01mm、最終レンズであるG4の焦点距離fLは−1.969mmであるから、f/fL、D/fの値はそれぞれ−1.529(<−1.50)、1.041(<1.10)となり、これらの値も所期の条件を満たす。
[実施例5]
実施例5の光学系は図17の構成を有し、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表10及び表11のとおりである。
実施例5の光学系は図17の構成を有し、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表10及び表11のとおりである。
実施例5では、光学系の全長が実寸で3.597mmであり、光学系中に赤外カットフィルタFLを有するため、空気換算した3.495mmが全長Dとなり、3.6mmよりも小さい。また、結像面における主光線の最大入射角は周辺部で約36.2°(>33°)に達している。表1にも示すように、全系の焦点距離fは2.88mm、最終レンズであるG4の焦点距離fLは−1.784mmであるから、f/fLの値は−1.614(<−1.50)となり所期の条件を満たす。D/fの値は1.213でD/f<1.10の条件を満たしていないが、収差図にみられるように結像性能は良好で十分に実用レベルである。
[実施例6]
実施例6の光学系は図20の構成を有し、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表12及び表13のとおりである。
実施例6の光学系は図20の構成を有し、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表12及び表13のとおりである。
実施例6では、光学系の全長が実寸で3.392mmであり、光学系中に赤外カットフィルタがないためこれが全長Dとなり、D<3.6mmの条件を満たす。また、結像面における主光線の最大入射角は約34.9°(>33°)に達している。表1にも示すように、全系の焦点距離fは2.70mm、最終レンズであるG4の焦点距離fLは−1.693mmであるから、f/fLの値は−1.595(<−1.50)となり所期の条件を満たす。D/fの値は1.256でD/f<1.10の条件を満たしていないが、収差図にみられるように結像性能は良好で十分に実用レベルである。
[実施例7]
実施例7の光学系は図23の構成を有し、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表14及び表15のとおりである。
実施例7の光学系は図23の構成を有し、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表14及び表15のとおりである。
実施例7では、光学系の全長が実寸で3.392mmであり、光学系中に赤外カットフィルタがないためこれが全長Dとなり、やはり3.6mmよりも小さくなっている。また、結像面における主光線の最大入射角は44.6°(>33°)に達する。表1にも示すように、全系の焦点距離fは2.65mm、最終レンズであるG4の焦点距離fLは−2.190mmであるから、f/fL、D/fの値はそれぞれ−1.21、1.255となる。f/fL<−0.9の条件が満たされ、D/f<1.10の条件は満たされていないものの、収差図にみられるように光学性能は十分に実用レベルである。
[実施例8]
実施例8の光学系は図26の構成を有し、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表16及び表17のとおりである。
実施例8の光学系は図26の構成を有し、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表16及び表17のとおりである。
実施例8では、光学系の全長が実寸で3.087mmであり、光学系中に赤外カットフィルタがないためこれが全長Dとなり、条件であるD<3.6mmを大幅にクリアしている。また、結像面における主光線の最大入射角は約38.7°(>33°)に達する。表1にも示すように、全系の焦点距離fは2.62mm、最終レンズであるG4の焦点距離fLは−1.300mmであるから、f/fLの値は−2.015(<−1.50)となり所期の条件を満たす。D/fの値は1.179でD/f<1.10の条件をわずかに満たしていないが、収差図にみられるように結像性能は良好で十分に実用レベルである。
[実施例9]
実施例9の光学系は、図29に示すように3枚レンズで構成され、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表18及び表19のとおりである。
実施例9の光学系は、図29に示すように3枚レンズで構成され、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表18及び表19のとおりである。
実施例9では、光学系の全長が実寸で3.363mmであり、光学系中に赤外カットフィルタがないためこれが全長Dとなり、D<3.6mmを満たす。また、結像面における主光線の最大入射角は画面周辺部では約40.6°(>33°)に達する。表1にも示すように、全系の焦点距離fは3.12mm、最終レンズG3の焦点距離fLは−2.074mmであるから、f/fL,D/fの値はそれぞれ−1.054,1.079となる。3枚構成の光学系では、f/fL<−0.9でも十分で、この実施例9ではf/fL<−0.9の条件及びD/f<1.10の条件は共に満たされている。
[実施例10]
実施例10の光学系は図32に示すとおりで、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表20及び表21のとおりである。
実施例10の光学系は図32に示すとおりで、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表20及び表21のとおりである。
実施例10では、光学系の全長が実寸で3.256mmであり、光学系中に赤外カットフィルタがないためこれが全長Dとなり、D<3.6mmを満たす。また、結像面における主光線の最大入射角は画面周辺部では約44.9°(>33°)に達する。表1にも示すように、全系の焦点距離fは3.01mm、最終レンズG3の焦点距離fLは−3.081mmであるから、f/fL,D/fの値はそれぞれ−0.977,1.083となる。f/fL<−0.9の条件及びD/f<1.10の条件は満たされている。
[実施例11]
実施例11の光学系は図35に示すとおりで、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表22及び表23のとおりである。
実施例11の光学系は図35に示すとおりで、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表22及び表23のとおりである。
実施例11では、光学系の全長が実寸で3.257mmであり、光学系中に赤外カットフィルタがないためこれが全長Dとなり、D<3.6mmを満たす。また、結像面における主光線の最大入射角は画面周辺部では約43.9°(>33°)である。表1にも示すように、全系の焦点距離fは3.01mm、最終レンズG3の焦点距離fLは−2.702mmであるから、f/fL,D/fの値はそれぞれ−1.114,1.083となる。f/fL<−0.9の条件及びD/f<1.10の条件は満たされている。
[実施例12]
実施例12の光学系は図38に示すとおりで、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表24及び表25のとおりである。
実施例12の光学系は図38に示すとおりで、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表24及び表25のとおりである。
実施例12では、光学系の全長が実寸で3.339mmであり、光学系中に赤外カットフィルタがないためこれが全長Dとなり、D<3.6mmを満たす。また、結像面における主光線の最大入射角は画面周辺部では約41.6°(>33°)に達する。全系の焦点距離fは3.02mm、最終レンズG3の焦点距離fLは−2.987mmであるから、f/fL,D/fの値はそれぞれ−1.011,1.105となる。f/fL<−0.9の条件はクリアしている。D/f<1.10の条件をわずかに満たされていないが、収差図にみられるように結像性能は実用レベルである。
[実施例13]
実施例13の光学系は図41に示すとおりで、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表26及び表27のとおりである。
実施例13の光学系は図41に示すとおりで、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表26及び表27のとおりである。
実施例13では、光学系の全長が実寸で3.216mmであるが、赤外カットフィルタFLの厚み分を空気換算した値3.166mmが全長DとなりD<3.6mmの条件を満たす。また、結像面における主光線の最大入射角は画面周辺部では約36.0°(>33°)に達する。全系の焦点距離fは2.72mm、最終レンズG3の焦点距離fLは−33.58mmであるから、f/fL,D/fの値はそれぞれ−1.011,1.105となる。f/fL<−0.9及びD/f<1.10の条件は満たされてはいないが、収差図にみられるように結像性能は実用レベルである。
[実施例14]
実施例14の光学系は図44に示すとおりで、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表28及び表29のとおりである。この実施例では、絞りが第1レンズG1の像面側の面とほぼ一致して具体的な図示が難しいので図44では絞りの図示を省略した。
実施例14の光学系は図44に示すとおりで、そのレンズデータ及び非球面係数は次の表28及び表29のとおりである。この実施例では、絞りが第1レンズG1の像面側の面とほぼ一致して具体的な図示が難しいので図44では絞りの図示を省略した。
実施例14では、光学系の全長が実寸で3.289mmであるが、赤外カットフィルタFLの厚み分を空気換算した値3.24mmが全長DとなりD<3.6mmの条件を満たす。また、結像面における主光線の最大入射角は画面周辺部では約40.4°(>33°)に達する。全系の焦点距離fは2.77mm、最終レンズG3の焦点距離fLは46.95mmであるから、f/fL,D/fの値はそれぞれ0.059,1.171となる。f/fL<−0.9及びD/f<1.10の条件は満たされてはいないが、収差図にみられるように結像性能は実用レベルである。
5 撮像装置
6 マイクロカラーフィルタ層
7 CMOS基板
10 有機光電変換膜
6 マイクロカラーフィルタ層
7 CMOS基板
10 有機光電変換膜
Claims (15)
- 複数枚のレンズで構成された結像用の光学系と、前記光学系の結像面に結像された画像を撮像する固体撮像素子とを備えた撮像装置において、
前記光学系の最前面から結像面までの距離が3.6mm未満であり、かつ結像面に入射する主光線の最大角度が33°を越えることを特徴とする撮像装置。 - 全系の焦点距離をf、最終レンズの焦点距離をfLとしたとき、f/fL<−1.50であることを特徴とする請求項1記載の撮像装置。
- 複数枚のレンズで構成された結像用の光学系と、前記光学系の結像面に結像された画像を撮像する固体撮像素子とを備えた撮像装置において、
前記光学系の最前面から結像面までの距離Dが3.6mm未満であり、かつ全系の焦点距離をfとしたとき、D/f<1.10であることを特徴とする撮像装置。 - 最終レンズの焦点距離をfLとしたとき、f/fL<−0.90であることを特徴とする請求項3記載の撮像装置。
- 最終レンズの焦点距離をfLとしたとき、f/fL<−1.50であることを特徴とする請求項3記載の撮像装置。
- 前記光学系が負の最終レンズを含む4枚のレンズで構成されていることを特徴とする請求項3〜5のいずれか記載の撮像装置。
- 前記光学系が負の最終レンズを含む3枚のレンズで構成されていることを特徴とする請求項3又は4記載の撮像装置。
- 複数枚のレンズで構成された結像用の光学系と、前記光学系の結像面に結像された画像を撮像する固体撮像素子とを備えた撮像装置において、
前記光学系の最前面から結像面までの距離をD、全系の焦点距離をf、最終レンズの焦点距離をfLとしたとき、f/fL<−1.5であり、かつD/f<1.10であることを特徴とする撮像装置。 - 前記固体撮像素子は、前記光学系の結像面に位置決めされる入射面に入射角度±30°で光が入射したときの感度が、前記入射面に垂直に入射したときの感度の20%以上であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか記載の撮像装置。
- 前記固体撮像素子は、被写体光を光電変換する光電変換部の受光面が、画素単位で撮像信号を読み出すための回路を含む配線層よりも被写体光の入射面側に設けられていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか記載の撮像装置。
- 前記光電変換部が有機光電変換膜で構成されていることを特徴とする請求項1〜10のいずれか記載の撮像装置。
- 前記固体撮像素子は可視光域の被写体光を受光し、赤外領域には実質的な感度を有しないことを特徴とする請求項9記載の撮像装置。
- 前記固体撮像素子は、裏面照射型固体撮像素子であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか記載の撮像装置。
- 前記光学系が赤外カットフィルタを含まないことを特徴とする請求項1〜13のいずれか記載の撮像装置。
- 請求項1〜11のいずれか記載の撮像装置を内蔵したことを特徴とする携帯情報端末。
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