KR20100030768A - 보호막 후면에 차광막을 갖는 시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

차광막을 보호막 형성 이후 수소 플라즈마 열처리 공정을 진행한 후 만들어 수소 이온이 차광막에 의해서 확산이 방지되지 않아서 열공정 진행 후 기판의 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-))가 잘 치유되어 다크(dark) 레벨(level)이 차이가 없는 이미지 센서를 제공 한다.
시모스 이미지 센서에서 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간 다크 레벨(dark level)이 차이 없게 하는 방법은, 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel) 영역에 다수의 트랜지스터를 형성하고, 상기 트랜지스터 상에 다수의 층간 절연막과 금속 배선 층 및 보호막 형성 후 차광막 형성 전 수소 플라즈마 열공정을 실시하면 수소 이온이 차광막에 차단되지 않고 모든 영역에 전달되어 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 형성된 댕글링 본드(dangling bond) 결함이 완전히 제거 된다.

Description

보호막 후면에 차광막을 갖는 시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 {A CMOS IMAGE SENSOR HAVING SHIELDING LAYER ON THE PASSIVATION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 반도체 시모스 이미지 센서 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 차광막 형성을 수소 플라즈마 열처리를 통하여 댕글링 본드(dangling bond)((-Si-O),(-Si-)) 결함 치유이후 형성하여 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 없는 이미지 센서 구조를 얻을 수 있는 방법 및 이를 이용하는 반도체 소자의 구조 및 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학 영상을 전기 신호로 변환 시킨다. 최근 들어 정보 통신 산업 발달과 전자기기의 디지털 화에 따라 디지털 카메라, 캠코더, 휴대폰, PCS(personal communication system), 게임기기, 경비용 카메라, 의료용 마이크로 카메라 등 다양한 분야에서 성능이 향상된 이미지 센서들이 사용 되고 있다.
이미지 센서의 증대된 해상도를 충족시키기 위해서 픽셀의 집적도를 증가 시킬수록 단위 픽셀 당 광전 변환 소자, 예컨대 포토다이오드의 체적이 작아져서 감도(sensitivity)가 떨어진다.
또한 시모스 이미지 센서는 노이즈(noise) 또는 암전류(dark current)로 인하여 전하 전송 효율의 저하 및 전하 저장능력이 감소되어 화상 결함이 야기되는 것이 큰 문제점으로 지적되어 왔다.
암전류(dark current)는 이미지 센서의 감광소자에서 광의 입력 없이 축적된 전하를 일컫는 것으로서, 주로 실리콘 기판 표면에 존재하는 결함들이나 실리콘 댕글링 본드(dangling bond)((-Si-O),(-Si-))에서 야기된다. 실리콘 기판 표면의 실리콘 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-))는 광에 의한 입력이 없이도 열적으로 전하를 발생시키기 쉬운 상태에 있게 된다. 따라서 실리콘 기판에 댕글링 본드가 다량 존재하면 어두운 상태에서도 이미지 센서가 마치 광이 입사되는 듯한 반응을 보이는 비정상 상태를 보인다. 이미지 센서 내에서 발생하는 암전류는 이미지 센서의 화질에 악영향을 미친다.
특히, 이미지 센서의 단위 픽셀을 구성하는 트랜스퍼 게이트(transfer gate) 하부에서 실리콘 기판 표면에서의 불순물에 의한 결함이나 또는 기판을 식각 가공 할 때 발생하는 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-))에 의한 계면 결함으로 인하여 전자가 열적으로 생성되어 주변의 포토다이오드 영역으로 원하지 않게 확산된다. 이때, 포토다이오드로 확산된 전자는 광의 입력에 관계없이 출력신호로 나타남으로 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level)이 차이 나거나, 노이즈 또는 암전류를 발생 시키고 화면상에 백점(white spot)이라는 화상 결함을 야기 시킨다.
그러므로 이러한 암전류를 유발하는 댕글링 본드 ((-Si-O),(-Si-)) 결함을 제거해야 한다.
일반적인 시모스 이미지 센서(10)는 도 1에 도시한 바와 같이 능동 픽셀 어레이 영역 (20) 및 시모스 제어 회로 (30)를 포함한다. 능동 픽셀 어레이 영역(20)은 매트리스(matrix) 형태로 배치된 복수의 단위 픽셀 (22)을 포함한다. 상기 능동 픽셀 어레이 영역(20)의 주위에 위치되어 있는 상기 CMOS 제어회로(30)는 복수의 CMOS 트랜지스터로 구성되며, 상기 능동 픽셀 어레이 영역(20)의 각 단위 픽셀(22)에 일정한 신호를 제공하거나 출력 신호를 제어한다.
도 2는 도 1의 단위 픽셀(22)의 등가 회로도이다.
도 2를 참조하면, 상기 단위 픽셀(22)은 광을 인가 받아 광 전하를 생성하는 포토다이오드(PD), 상기 포토다이오드(PD)에서 생성된 전하를 플로팅 확산영역(FD: floating diffusion region)에 운송하는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx), 상기 플로팅 확산 영역(FD)에 저장되어 있는 전하를 주기적으로 리셋(reset) 시키는 리셋 트랜지스터(Rx), 소스 팔로워 버퍼 증폭시(source follower buffer amplifier) 역할을 하며 상기 플로팅 확산 영역(FD)에 충전된 전하에 따른 신호를 버퍼링(buffering)하는 드라이브 트랜지스터(DX), 그리고 상기 픽셀(22)을 선택하기 위한 스위치 역할을 하는 셀렉트 트랜지스터(Sx)를 포함한다.
도 3은 일반적인 차광막(86)을 갖는 CMOS 이미지센서의 주요 구성을 보여주는 단면도이다.
반도체 기판 (50)에 포토다이오드(68)층이 형성 되어 있고, 트랜스퍼 게이트는, 제 1 도전형 및 제 2 도전형으로 구성된 제 1 채널과 제 2 채널을 갖는 채널 영역(65)을 가지며, 측면으로 플로팅 확산 영역을 비롯하여, 주변회로 트랜지스터(72) 및 저농도, 고농도 소오스 드레인(도시하지 않음)등으로 구성되어 있다.
상기 주변회로 트랜지스터(72)상에 제 1 층간 절연막(75) 제2 층간 절연막(78)을 형성하고 금속 배선(80)을 형성 한다. 제 3 층간 절연막(85) 형성 시 차광막(86)을 제 3 층간 절연막을 형성하고 보호막(87)을 형성 한다. 보호막 형성 후 패드 금속막(88)을 형성하고 보호막 얼로이(passivation alloy)를 실시하면서 기판의 결함을 제거하기 위해서 수소 플라즈마 열처리를 실시한다.
그러나 상기와 같은 차광막 구조를 가지고 있는 상태에서 수소 플라즈마 열공정을 실시하면, 차광막이 없는 영역인 엑티브 픽셀(active pixel) 영역은 수소 이온이 잘 확산되어서 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-)) 결함이 제거되나 차광막(86)이 있는 영역 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)에서는 수소 이온이 차단되어서 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-)) 결함이 제거되지 않는다.
이러한 이유로 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 댕글링 본드(dangling bond)((-Si-O),(-Si-)) 결함이 차이가 생겨 다크 레벨(dark level) 차이가 발생 한다.
본 발명은 이러한 문제가 발생하지 않는 차광막 구조가 보호막 상부에 있으면서 수소 플라즈마 열처리 이후에 형성되어 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-)) 결함이 제거된 구조를 갖는 미세한 시모스 이미지 센서 및 형성 방법에 관한 것이다.
최근 정보통신 산업 발달과 전자기기의 디지털 화에 따라 디지털 카메라, 캠코더, 휴대폰, PCS(personal communication system), 게임기기, 경비용 카메라, 의료용 마이크로 카메라 등 다양한 분야에서 성능이 향상된 이미지 센서들이 사용 되고 있다. 반도체 제품의 고집적화가 가속화됨에 따라 단위 셀 면적이 크게 감소하면서, 패턴의 선폭 및 패턴들의 간격이 현저하게 좁아지고 있다. 그리고 단위 셀 면적은 감소되나 디바이스에서 요구하는 전기적인 특성은 유지되어야 하고 저전력을 요구한다.
일반적으로 이미지 센서 셀은 포토다이오드를 포함하는 APS (active pixel sensor) 어레이 영역과 주변 회로 영역으로 구성 된다.
상기 APS (active pixel sensor) 어레이 영역을 상세히 살펴보면 포토다이오드(PD)와 플로팅 확산 영역을 사이에 두고 트랜스퍼 트랜지스터가 형성 되어 있다. 공정 진행중 플로팅 확산 영역과 주변회로 영역상에 원하지 않는 금속 오염 이온, 식각 공정시 발생하는 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-))에 의한 기판 결함 등에 의해 전자가 열적으로 생성되어 주변의 플로팅 확산 영역이나 포토다이오드 영역으로 유입되어 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 발생하거나 백점(white spot) 또는 암전류를 유발하여 해상도가 떨어지고 화상이 왜곡되는 현상이 발생 한다.
이러한 일반적인 CMOS 이미지 센서가 가지고 있는 문제점을 해결하기 위해서 본 발명은, 차광막을 형성 전 수소 플라즈마 열처리하여 기판의 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-)) 결함을 충분히 제거시켜 전자가 열적으로 생성되어 주변의 플로팅 확산 영역이나 포토다이오드 영역으로 유입되는 것을 막아 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 없는 이미지 센서 구조를 얻을 수 있고, 백점(white spot)현상, 암전류, 노이즈가 없는 시모스 이미지 센서를 제공한다.
본 발명의 목적은, 시모스 이미지 센서의 셀 구조에서 플로팅 확산 영역(FD)과 주변 회로 트랜지스터 형성 후 층간 절연막을 형성하고 금속 배선물질을 형성 후 보호막을 형성하고, 열처리를 실시하여 기판의 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-)) 결함을 제거 후 차광막을 형성하여, 기판의 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-)) 결함에 의해서 발생하는 열적 전하들이 플로팅 확산(FD) 영역이나 포토다이오드에 유입되는 것을 막아서 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 없는 이미지 센서 구조 및 백점 현상이 발생하지 않는 구조를 갖는 반도체 디바이스를 만드는데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 시모스 이미지 센서의 셀 구조에서 플로팅 확산 영역(FD)과 주변 트랜지스터를 형성하고, 층간 절연막 및 금속 배선층을 형성하고, 반도체 기판 일부를 제거하고 핸들링 기판을 형성 후 상기 일부 제거된 반도체 기판을 수소 플라즈마 열처리하여 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-)) 결함을 치유하고, 차광막 및 컬러 필터 및 렌즈를 형성 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 없는 이미지 센서 구조 및 백점현상이 발생하지 않는 백사이드 일루민네이션(back side illumination) 이미지 센서 구조를 갖는 반도체 디바이스를 만드는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 언급한 셀 구조를 갖는 디바이스를 활용하여 시스템을 만드는 방법을 제공하는데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 시모스 이미지 센서 셀 제조 방법은, 반도체 제 1 도전형 기판상에 제2 도전형 에피층을 형성하고, 상기 제 2 도전형 에피층에 서로 다른 도전형 웰층을 형성하고, 트랜스퍼 트랜지스터가 될 영역에 제 1, 제2 채널을 형성하고, 포토다이오드를 형성하고, 게이트 전극 형성 후 저농도 소오스 드레인 불순물층을 형성하고, 게이트 전극 트랜지스터가 형성된 기판에 고농도 소오스 드레인 불순물을 형성하고, 상기 전극층상에 다수의 층간 절연막 및 금속 배선을 형성하고, 보호막을 형성 후 수소 플라즈마 열처리를 통하여 기판상에 형성된 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-)) 결함들을 열적으로 처리 상기 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-))결함들을 제거하고 차광막을 형성 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 없는 시모스 이미지 센서를 제공한다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서 백사이드 일루민네이션(back side illumination) 시모스 이미지 센서 셀 제조 방법은, 반도체 제 1 도전형 기판상에 제2 도전형 에피층을 형성하고, 상기 제 2 도전형 에피층에 서로 다른 도전형 웰층을 형성하고, 트랜스퍼 트랜지스터가 될 영역에 제 1, 제2 채널을 형성하고, 포 토다이오드를 형성하고, 게이트 전극 형성 후 저농도 소오스 드레인 불순물층을 형성하고, 상기 게이트 전극 트랜지스터가 형성된 기판에 고농도 소오스 드레인 불순물을 형성하고, 일반적인 시모스 이미지 센서공정을 진행하여 보호막을 형성 후 핸들링 기판을 부착하고, 상기 반도체 기판 일부를 재거 후 수소 플라즈마 열처리를 하여 기판상에 형성된 댕글링 본드 ((-Si-O),(-Si-)) 결함들을 열적으로 처리 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 없는 이미지 센서 구조를 제공한다.
본 발명의 실시예에서 만들어진 시모스 이미지 센서 셀 구조는, 반도체 기판상에 형성된 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-)) 등 전자가 열적으로 생성되어 주변의 플로팅 확산 영역이나 포토다이오드 영역으로 유입되는 것을 원천적으로 제거하여 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 없는 이미지 센서 구조 및 백점(white spot)현상, 암전류, 노이즈가 없는 시모스 이미지 센서를 제공한다.
본 발명에 따른 시모스 이미지 센서 장치 및 그 제조 방법에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않은 범위 내에서 본 발명을 다양한 형태로 구현 할 수 있을 것이다.
상술한 것과 같이 본 발명에 의하면, 시모스 이미지 센서 셀 구조는, 반도체 기판상에 형성된 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-)) 등 전자가 열적으로 생성되어 주변 의 플로팅 확산 영역이나 포토다이오드 영역으로 유입되는 것을 원천적으로 제거하여 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 없는 이미지 센서 구조 및 백점(white spot)현상, 암전류, 노이즈가 없는 시모스 이미지 센서를 제공한다.
이러한 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 없는 이미지 센서 구조 및 백점(white spot) 현상을 예방 할 수 있는 미세한 이미지 센서 셀 구조를 보호막 처리 후 열처리 공정이라는 단순한 공정을 통하여 형성 할 수 있어, 대용량 이미지 센서를 손쉽게 만들 수 있고, 이러한 디바이스를 여러 디지털 시스템을 만들 때 응용함으로써 고해상도 구현이 가능한 디지털 제품을 만들 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
수소 플라즈마 열처리 후 차광막을 형성하는 CMOS 이미지 센서 형성하는 방법 실시예 1
도 4 및 11은 보호막 형성 수소 플라즈마 열처리 후 차광막을 형성하는 CMOS 이미지 센서를 형성하는 제조방법을 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 반도체 기판 (100)은 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel) 영역으로 크게 나눈다. 다시 말하면 APS 어레이 및 공유소자가 형성될 부분 중, 포토다이오드가 형성될 영역은 광이 통과되어야 하고, 나머지 트랜스퍼 게이트 및 플로팅 확산 영역, 주변 로직 CMOS 트랜지스터 영역 등은 빛이 필요하지 않음으로 차광 되어야 하는 영역이다.
본 발명의 모든 실시예는 N 형 또는 P형 반도체 기판을 사용한다.
반도체 기판 (100)상에 제 1 도전형 에피층(105)을 형성한다. 제 1 도전형 에피층(105)은 깊은 웰 등 많은 반도체 구조가 형성될 공간이 됨으로 5 내지 15um 두께로 성장한다.
상기 반도체 기판(100)상에 형성된 제 1 도전형 에피층(105)안에 제 2 도전형 웰(110)과, 제1 도전형 웰(115)을 형성한다.
도 5를 참조하면, 상기 형성된 웰 및 포토다이오드가 형성될 공간에 서로의 소자들이 격리 될 수 있도록 소자 분리막층(120)을 형성 한다. 소자 분리막층(120)은 포토다이오드 사이에 형성될 소자 분리막과 일반적인 소자를 격리시키는 소자 분리막(120)의 깊이를 서로 다르게 형성 할 수 도 있다.
소자 분리막(120)은 소자 서로간 격리를 시키는 것이 주 목적으로 일반적인 소자의 작동은 기판 표면 채널에서 전자나 정공에 의해서 디바이스가 작동이 되나, 포토다이오드의 작동은 청색광, 녹생광, 적색광이 에피층 (105)에 흡수되어 포토다이오드에 축적 감도를 증가시켜 동작된다. 가장 파장이 긴 적색광은 파장이 0.4에서 5um 이므로 포도다이오드의 깊이는 최소한 2um 이상은 되어야 한다.
일반적인 소자는 2um이내에서 모든 소자가 작동되고 격리 될 수 있으나 포토다이오드는 2um이내의 소자 분리막(120) 깊이를 갖는다면 이웃하는 픽셀간 크로스토크를 충분히 잡을 수 없다. 그러므로 소자분리막(120)을 모두 2um보다 깊게 형성하면 좋겠지만 깊게 할수록 옆으로의 공간도 넓어져야 함으로 일반회로 공간도 깊게 형성할 경우 디바이스 집적도를 올릴 수 없다. 그러므로 포토다이오드간만 깊게 형성 할 수 있다.
소자 분리막(120) 형성후 트랜스퍼 트랜지스터가 형성될 공간에 제 1 채널 영역과 제 2 채널 영역을 형성하기 위해서 감광액 마스크(123)를 이용하여 제 1 도전형 불순물, 제 2 도전형 불순물을 차례로 주입하여 트랜스퍼 게이트 채널(125)을 형성 한다.
도 6을 참조하면, 포토다이오드가 형성될 영역에 포토다이오드 마스크(128)을 이용하여 불순물 포토다이오드(130)를 형성 한다. 포토다이오드(130)를 형성하는 공정은 제 1 도전형 에피층에 포토다이오드를 형성하기 때문에 수직형 다이오드를 형성하기 위해서는 아래층에 제 2 도전형 불순물층을 형성하고, 상부층에 제 1 도전형 불순물층을 형성하는 순서로 형성하여야만 포토다이오드(130)와 제 1 도전형 에피층 (105)이 접하는 부분이 공핍영역이 형성되어 디바이스가 작동 될 수 있다.
그리고 포토다이오드의 깊이는 적색광의 최대 파장보다 깊을 때 모든 적색광을 캡쳐하여 감도를 높일 수 있음으로, 제 2 도전형 불순물층이 5um 깊이까지 형성 될 수 있도록 에너지를 조절하여 형성한다.
포토다이오드(130) 아래 영역은 제 1 도전형 에피층 (105)상에 공핍영역이 형성될 공간으로 공핍영역이 넓으면 전기적 크로스토크 발생률을 줄일 수 있음으로 제 1 도전형 에피층(105) 형성시 적절한 농도를 관리해야 한다.
도 7을 참조하면, APS 어레이 영역 및 주변회로 영역 상에 게이트 절연막(133)을 형성하고 게이트 전극(135)을 형성한다. 상기 게이트 전극(135)은 폴리 실리콘막과 금속막이 있는 형태로 구성될 수 있다.
포토다이오드(130)가 형성될 영역 및 PMOS가 형성될 영역을 감광액 마스크(138)를 이용하여 덮고 제 2 도전형 저농도 불순물층(140)을 형성 한다.
도 8을 참조하면, PMOS가 형성될 영역에 감광 마스크(143)를 오픈 하여 제 1 도전형 저농도 불순물층(145)을 형성 한다.
도 9를 참조하면, 반도체 기판(105) 및 게이트 전극(135)상에 측벽으로 사용할 스페이서 질화막(148)을 형성 한다. 상기 스페이서 질화막(148)은 CVD 공정으로 약 500Å 정도 형성 한다. 스페이서 질화막(145) 형성 후, 포토다이오드(130)와 플로팅 확산 영역을 감광액 마스크(153)로 커버하고 에치백 식각 공정을 통하여 게이 트 전극 측벽 스페이서(150)를 형성 한다.
그러면 포토다이오드(130)와 플로팅 확산 영역의 트랜스퍼 게이트는 스페이서 질화막(148)이 반도체 기판(105)상 및 게이트 전극(135)상에 남아 있고, 나머지 액티브 픽셀 센서(Active Pixel Sensor) 트랜지스터 및 주변 회로 영역에는 질화막이 게이트 전극(135) 측벽에 스페이스 형태로 존재하여 측벽 스페이서(150)가 된다.
이후 감광마스크를 다시 사용하여 주변회로 영역에 제 1, 제 2 도전형 고농도 불순물층(155, 158)을 형성한다.
도 10을 참조하면, 반도체 기판(105) 및 게이트 전극(135)상에 제1 층간 절연막(160)을 형성한다. 제1 층간 절연막(160)은 HDP, CVD 등으로 형성하며 평탄화후 콘텍홀을 형성 금속 플러그를 형성 한다.
제 1 층간 절연막(160)상에 식각 방지막(165)을 형성하고 제 2 층간 절연막(170)을 형성 한다. 제 2 층간 절연막(170) 또한 제 1 층간 절연막(160)과 같이 PVD, CVD 등으로 형성하고 평탄화 후 콘텍 홀을 형성후 금속 배선층(168)을 형성 한다.
제 2 층간 절연막(170)상에 식각 방지막 (175)을 형성하고 콘텍홀 형성후 상부 금속 배선층(178)을 형성한다. 상기 상부 금속 배선층(178) 형성후 제3 층간 절연막(180)을 형성한다. 제3 층간 절연막(180)은 HDP, CVD 등으로 형성하며 평탄화 한다.
도 11을 참조하면, 보호막(193) 형성 후 포토 다이오드 영역에 광투과용 홀 을 형성 한다. 상기 광투과 홀은 많은 층간 절연막 및 식각 방지막 등의 굴절률에 따라 광투과 시 많은 빛이 손실을 얻을 수 있음으로 단일 투과 레진층을 형성하기 위해서다.
광투과 홀에 투명 레진막 (190) 형성 후 컬러 필터층(도시하지 않음)을 형성하기 위하여 평탄화를 하여 기판 표면을 균일하게 한다. 상기 투명 레진막(190)상에 컬러 필터층(도시하지 않음)을 형성한다. 도면은 편의상 1개의 광 투과 부위를 도시하고 있지만, 레드(red), 그린(green), 블루(blue)에 의한 컬러 필터 어레이 (color filter array: CFA)를 사용하는 컬러 이미지 센서의 경우 최소한 3개 이상의 광투과 투명 레진층 (190) 및 포토다이오드(130)로 셀을 구성해야 한다.
상기 컬러 필터층(도시하지 않음) 형성 후 수소(H2) 플라즈마 처리를 한다. 상기 수소 플라즈마 처리는 고밀도 플라즈마 챔버에서 수행 한다.
구체적으로, 우선 상기 고밀도 플라즈마 챔버로 수소 가스와 아르곤 가스를 제공한다. 상기 수소가스는 수소 플라즈마 처리를 위한 가스이고, 상기 아르곤 가스는 상기 수소 가스를 이송하며, 플라즈마 형성을 위한 보조가스이다. 상기 수소가스와 아르곤 가스는 약 4:1의 유량비로 제공 될 수 있다. 바람직하게는 상기 수소가스가 상기 챔버의 상방 및 측면에서 각각 200sccm이 공급되고, 아르곤 가스는 50sccm이 공급된다.
다음으로, 상기 고밀도 플라즈마 챔버에 전압을 인가하여 상기 가스들을 플라즈마 상태로 여기 시킨다. 일예로, 상부 소스 전압 및 측면 소스전압으로 각각 1000W, 바이어스 고주파 전압으로 100W 인가 될 수 있다.
상기 수소 플라즈마 처리의 공정 온도는 300내지 400℃ 이며 약 60초간 수행하는 것이 바람직하다.
상기 수소 플라즈마 처리에 여기된 수소 이온이 층간 절연막 식각 방지막 등을 통과하여 포토다이오드 영역이나 확산층 영역에 확산된다. 상기 수소이온에 의해 상기 포토다이오드 및 트랜스퍼 트랜지스터 주위 표면에 발생된 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-))가 제거 된다. 따라서 댕글린 본드((-Si-O),(-Si-))에 의한 포토다이오드의 암전류 및 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 발생되지 않는다.
상기 보호막(193)상에 포토다이오드 영역만 오픈하고 나머지 공간은 덮는 차광막(195)을 형성한다. 상기 차광막은 패드 메탈(195)로 사용되는 같은 패드 메탈 금속층을 사용한다.
상기 컬러 필터층(도시하지 않음)상부에 마이크로 렌즈(198)를 형성 한다.
마이크로 렌즈(198)를 통과한 이미지 영상 빛은 컬러 필터(도시하지 않음)에 의해서 선택적으로 필요한 색광만 선택되고, 선택된 색광은 광투과 투명 레진층(190)을 통하여 포토다이오드 (130)에 축적된다.
본 발명의 실시예처럼 수소 플라즈마 열처리 공정을 차광막 형성 이전에 실시함으로 종전에는 차광막에 의해서 수소 이온들이 확산되는 것이 차단되어 실리콘 기판 경계면에 발생된(-Si-O),(-Si-)와 같은 댕글링 본드가 치유되는 것이 방해를 받았으나 차광막 형성 이전에 수소 플라즈마 열처리를 진행함으로써 포토다이오드 영역뿐만 아니라 주변 영역 모두까지 수소 이온들이 확산되어 댕글링 본드((-Si- O),(-Si-))를 치유함으로 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 발생되지 않는다.
수소 플라즈마 열처리후 차광막을 형성하는 백사이드 일루민네이센 CMOS 이미지 센서 형성하는 방법 실시예 2
도 12 및 20은 수소 플라즈마 열처리 후 차광막을 형성하는 백사이드 일루민네이센 CMOS 이미지 센서 제조방법을 나타내는 단면도이다.
도 12를 참조하면, 반도체 기판 (200)은 N형 기판으로 출발한다.
반도체 기판 (200)은 실시예 1과 마찬가지로, 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel) 영역으로 크게 나눈다. 다시 말하면 APS 어레이 및 공유소자가 형성될 부분 중, 포토다이오드가 형성될 영역은 광이 통과되어야 하고, 나머지 트랜스퍼 게이트 및 플로팅 확산 영역, 주변 로직 CMOS 트랜지스터 영역 등은 빛이 필요하지 않음으로 차광 되어야 하는 영역이다.
본 실시예는 실시예 1의 사상을 응용하지만 구조적으로 다른 후면에서 입사광을 얻는 백사이드 일루민네이션(back side illumination)이 가능한 시모스 이미지 센서의 구조를 얻는 것으로 전반부 부분에서 실시예 1과 동일한 부분은 설명은 많은 부분에서 생략하고, 실시예 1에서 언급하지 못한 사항이나 백사이드 일루민네이션(back side illumination) 구조가 될 때 필요한 사항을 첨부하여 설명을 하고자 한다.
반도체 기판 (200)상에 제 1 도전형 에피층(205)을 형성한다. 제 1 도전형 에피층(205)은 깊은 웰 등 많은 반도체 구조가 형성될 공간이 됨으로 5 내지 15um 두께로 성장한다.
상기 반도체 기판(200)상에 형성된 제 1 도전형 에피층(205)안에 제 2 도전형 웰(210)과, 제1 도전형 웰(215)을 형성한다. 상기의 웰 공정은 본 발명의 특징적인 부분이 아니라 부수적인 부분임으로 간단하게 제 1 도전형 및 제 2 도전형 웰로 설명되고 있지만 실제적인 공정에서는 깊은 웰 등 다양한 웰 들이 존재 할 수 있다. 그러나 그러한 것이 본 발명의 특징이 아님으로 다른 공정은 생략 한다.
도 13을 참조하면, 상기 형성된 웰(210, 215) 및 포토다이오드가 형성될 공간에 서로의 소자들이 격리 될 수 있도록 소자 분리막층 (220)을 형성 한다. 소자 분리막층(220)은 포토다이오드 사이에 형성될 소자 분리막과 일반적인 소자를 격리시키는 소자분리막(220)의 깊이를 서로 다르게 형성 할 수 도 있다.
소자 분리막(220)은 소자 서로간 격리를 시키는 것이 주 목적으로 일반적인 소자의 작동은 기판 표면 채널에서 전자나 정공에 의해서 디바이스가 작동이 되나, 포토다이오드의 작동은 청색광, 녹생광, 적색광이 에피층 (205)에 흡수되어 포토다이오드에 축적 감도를 증가시켜 동작된다. 가장 파장이 긴 적색광은 파장이 0.4에서 5um 이므로 포도다이오드의 깊이는 최소한 2um 이상은 되어야 한다.
일반적인 소자는 2um이내에서 모든 소자가 작동되고 격리 될 수 있으나 포토다이오드는 2um이내의 소자 분리막 깊이를 갖는다면 이웃하는 픽셀간 크로스토크를 충분히 잡을 수 없다. 그러므로 소자분리막을 모두 2um보다 깊게 형성하면 좋겠지만 깊게 할수록 옆으로의 공간도 넓어져야 함으로 일반회로 공간도 깊게 형성할 경 우 디바이스 집적도를 올릴 수 없다. 그러므로 포토다이오드간만 깊게 형성 할 수 있다.
그리고 본 실시예 2에서 사용되는 시모스 이미지 센서는 백사이드 일루민네이션(back side illumination)이 가능한 구조가 됨으로 후면에서 광이 조사 될 때 인접한 픽셀에 혼색이 되지 않도록 하기 위해서는 포토다이오드 영역안에 형성되는 소자 분리막(220)은 반도체 기판 (200)과 근접하게 형성하거나, 도시되지는 않았지만 소자 분리막(220) 형성용 트렌치 홀 형성 후 반도체 기판 (200)과 맞닿게 소자 분리용 불순물층을 형성하여 불순물층이 백사이드 일루민네이션(back side illumination)시 혼색이 일어나지 않게 형성할 수 있다. 혼색이 일어나지 않는 원리는 소자분리막(220) 및 불순물층(보이지 않음)이 각각의 포토다이오드를 감싸는 구조를 만들면, 후면에서 조사되는 빛이 옆 포토다이오드로 굴절되지 않고 차단 될 수 있어 혼색이 일어나지 않는다.
소자 분리막(220) 형성후 트랜스퍼 트랜지스터가 형성될 공간에 제 1 채널 영역과 제 2 채널 영역을 만들어 트랜스퍼 채널(225)을 형성하기 위해서 감광액 마스크(223)를 이용하여 제 1 도전형 불순물, 제 2 도전형 불순물을 차례로 주입한다.
도 14를 참조하면, 포토다이오드가 형성될 영역에 포토다이오드 (230)를 형성 한다. 포토다이오드(230)를 형성하는 공정은 포토다이오드 마스크(228)를 이용하여 불순물층으로 포토다이오드(230)를 형성 한다.
제 1 도전형 에피층(205)에 포토다이오드(230)를 형성하기 때문에 수직형 다 이오드를 형성하기 위해서는 아래층에 제 2 도전형 불순물층을 형성하고, 상부층에 제 1 도전형 불순물층을 형성하는 순서로 형성하여야만 포토다이오드(230)와 제 1 도전형 에피층 (205)이 접하는 부분이 공핍영역이 형성되어 디바이스가 작동 될 수 있다.
그리고 포토다이오드(230)의 깊이는 적색광의 최대 파장보다 깊을 때 모든 적색광을 캡쳐하여 감도를 높일 수 있음으로, 제 2 도전형 불순물층이 5um 깊이에서 형성 될 수 있도록 에너지를 조절하여 형성한다.
포토다이오드(230) 아래 영역은 제 1 도전형 에피층 (205)상에 공핍영역이 형성될 공간으로 공핍영역이 넓으면 전기적 크로스토크 발생률을 줄일 수 있음으로 제 1 도전형 에피층(205) 형성시 적절한 농도를 관리해야 한다.
도 15를 참조하면, 포토다이오드(230) 및 APS 어레이 영역과 주변회로 영역 상에 게이트 절연막 (233)를 형성하고 게이트 전극 (235)을 형성한다. 포토다이오드(230) 영역과 트랜스퍼 트랜지스터 영역에 감광액 마스크(238), 및 PMOS가 형성될 영역을 감광액 마스크(238)를 이용하여 커버하고, 나머지 공간에 제 2 도전형 저농도 불순물층(240)을 형성 한다.
도 16 참조하면, PMOS가 될 부분은 오픈하고 나머지 영역은 커버하는 마스크(243)를 이용하여 제 1 도전형 저농도 불순물층(245)을 형성 한다.
도 17을 참조하면, 게이트 전극(235)상에 측벽으로 사용할 스페이서 질화막(248)을 형성 한다. 상기 스페이서 질화막(248)은 CVD 공정으로 약 500Å 정도 형성 한다. 스페이서 질화막(248) 형성 후, 포토다이오드 영역 과 플로팅 확산 영 역을 감광액 마스크(253)로 커버하고 에치백 식각 공정을 통하여 게이트 전극 측벽 스페이서(250)를 형성 한다.
그러면 포토다이오드(230) 영역과 플로팅 확산 영역에는 스페이서 질화막(248)이 반도체 기판(200)상 및 게이트 전극(235)상에 남아있고, 나머지 트랜지스터 및 주변 회로 영역에는 스페이서 질화막이 게이트 전극(235) 측벽에 스페이스 형태로 존재하는 측벽 스페이서(250)가 형성 된다.
이후 마스크를 다시 사용하여 주변회로 영역에 제 1, 제 2 도전형 고농도 불순물층(255, 258)을 형성 한다.
도 18을 참조하면, 반도체 기판(200) 및 게이트 전극(235)상에 제1 층간 절연막 (260)을 형성한다. 제1 층간 절연막은 HDP, CVD 등으로 형성하며 평탄화후 콘텍홀을 형성 금속 플러그(268)를 형성 한다.
제 1 층간 절연막(260)상에 식각 방지막(265)를 형성하고 제 2 층간 절연막(270)을 형성 한다. 제 2 층간 절연막(270) 또한 제 1 층간 절연막(260)과 같이 PVD, CVD 등으로 형성하고 평탄화 후 콘텍 홀을 형성 후 금속 배선층(278)을 형성 한다.
제 2 층간 절연막(270)상에 식각 방지막 (275)을 형성하고 상기 식각 방지막(275)상에 제 3 층간 절연막(280)을 형성 한다. 제 3 층간 절연막(280) 또한 PVD, CVD 등으로 형성 한다.
도 19를 참조하면, 상기 제 3 층간 절연막(280)상에 핸들링 웨이퍼(285)를 붙인다. 핸들링 웨이퍼(285) 부착 후 반도체 기판 전체를 상하로 뒤집어 핸들링 웨 이퍼(285)가 하부가 되도록 하고, 그동안 하부로 있던 반도체 기판 (200)을 디닝(thinning) 공정을 통하여 제거하여 제 1 도전형 에피층(205)이 노출되도록 한다.
도 20을 참조하면, 제 1 도전형 에피층(205)을 노출 후 그동안 공정상에서 발생한 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-)) 결함을 치유하기 위해서 수소(H2) 플라즈마 처리를 한다. 상기 수소 플라즈마 처리는 고밀도 플라즈마 챔버에서 수행 한다.
구체적으로, 우선 상기 고밀도 플라즈마 챔버로 수소 가스와 아르곤 가스를 제공한다. 상기 수소가스는 수소 플라즈마 처리를 위한 가스이고, 상기 아르곤 가스는 상기 수소 가스를 이송하며, 플라즈마 형성을 위한 보조가스이다. 상기 수소가스와 아르곤 가스는 약 4:1의 유량비로 제공 될 수 있다. 바람직하게는 상기 수소가스가 상기 챔버의 상방 및 측면에서 각각 200sccm이 공급되고, 아르곤 가스는 50sccm이 공급된다.
다음으로, 상기 고밀도 플라즈마 챔버에 전압을 인가하여 상기 가스들을 플라즈마 상태로 여기 시킨다. 일예로, 상부 소스 전압 및 측면 소스전압으로 각각 1000W, 바이어스 고주파 전압으로 100W 인가 될 수 있다.
상기 수소 플라즈마 처리의 공정 온도는 300내지 400℃ 이며 약 60초간 수행하는 것이 바람직하다.
상기 수소 플라즈마 처리에 여기된 수소 이온이 제 1 도전형 에피층(205) 표면뿐만 아니라 확산 통과하여 포토다이오드 영역이나 확산층 영역에 확산된다. 상기 수소이온에 의해 상기 포토다이오드 및 트랜스퍼 트랜지스터 주위 표면에 발생 되었던 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-))가 제거 된다. 따라서 댕글린 본드((-Si-O),(-Si-))에 의한 포토다이오드의 암전류 및 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 발생되지 않는다.
상기 제 1 도전형 에피층(205)상에 포토다이오드 영역만 오픈하고 나머지 공간은 덮는 보호막(290)을 형성한다. 상기 보호막(290)형성 후 컬러 필터층(도시하지 않음)상부에 마이크로 렌즈(298)를 형성 한다.
상기 마이크로 렌즈(298) 형성 후 마이크로 렌즈를 제외한 공간에 차광막(295)을 형성한다. 상기 차광막은 패드 메탈로 사용되는 같은 패드 메탈 금속층을 사용한다.
상기 마이크로 렌즈(298)를 통과한 이미지 영상 빛은 컬러 필터(도시하지 않음)에 의해서 선택적으로 필요한 색광만 선택되고, 선택된 색광은 제 1 도전형 에피층(205)을 통하여 포토다이오드 (230)에 축적된다.
본 발명의 실시예처럼 수소 플라즈마 열처리 공정을 통하여 반도체 기판상에 존재하는 기판 경계면에 발생된(-Si-O),(-Si-)와 같은 댕글링 본드를 치유하여 포토다이오드 영역뿐만 아니라 주변 영역 모두까지 수소 이온들이 확산되어 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-))를 치유함으로 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 발생되지 않는다.
도면은 간략하게 마이크로 렌즈 하나만 도시하였으나 컬러 필터층(도시되지 않음)을 비롯하여 다수의 렌즈로 구성된 시모스 컬러 이미지 센서의 구성 요소들을 형성 한다.
그러면 백사이드 일루민네이션(back side illumination)이 가능한 구조의 시모스 이미지 센서를 얻을 수 있으며, 실시예 1에서처럼 차광막 형성전 수소 플라즈마 열처리를 진행함으로써 포토다이오드 영역뿐만 아니라 주변 영역 모두까지 수소 이온들이 확산되어 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-))를 치유함으로 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 발생되지 않는다.
수소 플라즈마 열처리후 차광막을 형성하는 CMOS 이미지 센서를 갖는 시스템 실시예 3
도 21은 수소 플라즈마 열처리 후 차광막을 형성하는 CMOS 이미지 센서를 갖는 다른 실시예를 도시한 블록다이어그램이다.
도 21을 참조하면, CMOS 이미지 센서 (310)를 갖는 시스템(300)은 CMOS 이미지 센서 (310)의 출력 이미지를 처리하는 시스템이다. 시스템 (300)은 컴퓨터 시스템, 카메라 시스템, 스캐너, 이미지 안전화 시스템 등 CMOS 이미지 센서 (310)를 장착한 어떠한 시스템도 가능하다.
컴퓨터 시스템과 같은 프로세서 기반 시스템(300)은 버스(305)를 통해서 입출력 I/O소자(330)와 커뮤니케이션을 할 수 있는 마이크로프로세서 등과 같은 중앙처리장치(CPU)(320)를 포함한다. 버스 (305)를 통해서 플로피 디스크 드라이 브(350) 및 / 또는 CD ROM 드라이브(355), 및 포트 (360), RAM(340)과 중앙처리장치는 서로 연결되어 데이터를 주고받아, CMOS 이미지 센서(310) 데이터를 출력 이미지를 재생한다.
포트 (360)는 비디오카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 소자 등을 커플링하거나, 또 다른 시스템과 데이터를 통신 할 수 있는 포트일 수 있다.
CMOS 이미지 센서 (310)는 CPU, 디지털 신호 처리 장치(DSP) 또는 마이크로프로세서와 함께 같이 집적 될 수 있거나, 메모리와 함께 집적 될 수 있다. 물론 경우에 따라서는 프로세서와 별개의 칩으로 집적 될 수 있다.
시스템 (300)은 최근 발달되고 있는 디지털 기기중 카메라폰, 디지털 카메라 등의 시스템 블록다이어그램이 될 수 있고 앞의 실시예에서 보여준 CMOS 이미지센서 제조방법으로 제조 공정중 발생한 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-))를 수소 플라즈마 열처리로 치유한 후 차광막을 형성하여 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 발생되지 않는 CMOS 이미지 센서(310)가 장착된 시스템이다.
수소 플라즈마 열처리후 차광막을 형성하는 CMOS 이미지 센서 실시예 4
도 22는 별개의 칩으로 구성된 수소 플라즈마 열처리 후 차광막을 형성하는 CMOS 이미지 센서를 도시한 블록다이어그램이다.
도 22를 참조하면, CMOS 이미지 센서 (400)는, 타이밍 제너레이터(timing generator)(405), APS 어레이 (415), CDS(crrelated double sampling)(420), 컴페 레이터(comparator) (425), ADC(analog-to-digital convertor)(430), 버퍼(buffer) (435) 및 컨트롤 리지스터 블록 (control resister block)(445) 등으로 구성 되어 있다.
APS 어레이(415)의 광학렌즈에 포집된 피사체 빛 데이터는 전자로 변환 (electron conversion)을 통하여, 이러한 전자들이 전압으로 전환(voltage conversion) 증폭되어, CDS(crrelated double sampling)(420)에서 노이즈가 제거되고 필요한 신호만 선택되어서, 컴페레이터(comparator) (425)에서 선택된 신호들을 비교하여 일치여부를 확인하고, 일치된 신호 데이터를 ADC(analog-to-digital convertor)(430)에서 아날로그 신호가 디지털화 되어서 디지털 이미지 데이터 신호가 버퍼(buffer) (435)등을 통과해서, DSP 등을 거쳐 시스템을 통해 피사체 이미지가 재생된다.
본 발명의 CMOS 이미지 센서의 특징은 APS 어레이(415) 구조에 있어서 앞의 실시예에서 보여준 공정중 발생한 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-))를 수소 플라즈마 열처리로 치유한 후 차광막을 형성하여 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 발생되지 않는 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.
수소 플라즈마 열처리후 차광막을 형성하는 CMOS 이미지 센서를 갖는 시스템 실시예 5
도 23은 수소 플라즈마 열처리 후 차광막을 형성하는 CMOS 이미지 센서를 사 용하는 또 다른 실시예중 카메라폰을 도시한 도면이다.
도 23를 참조하면, 카메라폰 (500)은 카메라 컨트롤러 (보이지 않음), 이미지 시그널 프로세서( 보이지 않음) 등이 내장되어있는 DSP (510)가 있고 이러한 DSP (510)에 실시예 4에서 보여준 이미지 센서 칩(400)이 전기적으로 연결되는 형태로 시스템이 구성 되어 있다.
전체적인 시스템 구성은 실시예 3의 블럭다이아그램에서 카메라폰에 적합하게 구성 요소를 제거하거나 첨가하여 구성하면 된다. CMOS 이미지 센서 칩 (400)은 설명하기 좋게 탈착식으로 구성되어 있게 도시되어 있지만 시스템에 함께 기판위에 하나의 모듈로 구성 되어 있다.
본 발명은 상기 CMOS 이미지 센서 칩(400)이 앞의 실시예에서 설명한 공정중 발생한 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-))를 수소 플라즈마 열처리로 치유한 후 차광막을 형성하여 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 발생되지 않는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징인 다크 레벨 차이가 없는 CMOS 이미지 센서를 장착한 카메라폰 (500)은 감도가 우수하고 암전류 및 백점 현상이 없어 선명한 칼라화면을 재생할 수 있는 능력이 뛰어나다. 화상 통화가 가능한 휴대폰 (500)인 경우는 선명한 화면으로 현장감 있는 화면을 재생하거나 전송 할 수 있어 휴대폰의 성능을 배가 시킬 수 있다.
본 발명의 CMOS 이미지 센서는 수소 플라즈마 열처리 후 차광막을 형성하여 다크 레벨이 차이가 없고 암전류 및 백점(white spot)현상이 없어 디지털 기기 감 도가 우수하고 백점 현상이 없어 선명한 칼라화면을 재생할 수 있는 능력이 뛰어나다.
본 발명은 CMOS 이미지 센서는 뛰어난 디지털 화면 데이터를 저장 할 수 있는 메모리 카드 (보이지 않음)에 저장하여 언제든지 재상 가능하고 편집 가능한 디지털 기기를 실현 할 수 있도록 한다.
상기 설명한 것과 같이, 공정중 발생한 댕글링 본드((-Si-O),(-Si-))를 수소 플라즈마 열처리로 치유한 후 차광막을 형성하여 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 발생되지 않아서, 선명하고 고집적 이미지 시스템을 용이하게 만들 수 있다.
그리고 이러한 CMOS 이미지 센서를 장착한 시스템은 NAND 또는 NOR 플래시를 이용한 메모리 카드와 연결되어 고화질 화면을 저장하여 간단하게 재생하거나 편집할 수 있는 기능을 제공 할 수 있다.
또한 각종 이미지 센서가 필요한 디지털 기기에 장착되어 선명한 컬러 화면을 얻을 수 있어, 실시간 현장감 있는 이미지를 얻어서 응용 적용 할 수 있고, 화상 전송 시스템과 연결시 언제 어디서나 동시에 실감나는 화상 정보를 얻어서, 오락, 경비 시스템, 원격 진료 등을 실현 할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명했지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 시킬 수 있 음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 CMOS 이미지 센서를 나타내는 레이아웃 이다.
도 2 는 일반적인 CMOS 이미지 센서를 나타내는 회로도이다.
도 3은 일반적인 CMOS 이미지 센서 구조의 단면도이다.
도 4 및 도 11은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 12 및 20는 본 발명에 제2 실시예에 따라 만들어진 CMOS 이미지 센서 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 21 본 발명에 의해서 만들어진 CMOS 이미지 센서를 사용하는 시스템 블록다이어그램.
도 22은 본 발명에 의해서 만들어진 CMOS 이미지 센서 칩의 블록다이어그램.
도 23는 본 발명에 의해서 만들어진 CMOS 이미지 센서 칩을 이용하는 디지털 카메라이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100, 200 : 반도체 기판 105, 205: 제 1 도전형 에피층
110, 210: N 웰 115, 215: P 웰
120, 220: 소자 분리막 125, 225: 제 1, 제 2 채널
130, 230: 포토다이오드 133, 233: 게이트 유전막
135, 235: 게이트 전극 148, 248: 스페이서 질화막
150, 250: 게이트 측벽 스페이서
160, 260: 제 1 층간 절연막 170, 270: 제 2 층간 절연막
180, 280: 제 3 층간 절연막 168, 178, 268, 278: 금속 배선
185, 290: 보호막 198, 298: 렌즈
195, 295: 차광막
300: 이미지 시스템 305: 버스 310: CMOS 이미지 센서
320: CPU 330: I/O 소자 340: RAM
350: 프로피 디스크 드라이버 355: CD ROM 드라이버
360: 포트
400: CMOS 이미지 센서 405: 타이밍 제너레이터
410: ROW 드라이버 415: APS 어레이
420: CDS 425: 컴퍼레이터 430: ADC
445:control resister block 440: RAMP GEN.
435: 버퍼
500: 디지털 카메라 510: DSP

Claims (20)

  1. 포토다이오드 영역인 엑티브 픽셀 영역과 플로팅 확산 영역과 APS 어레이 회로 영역과 주변 회로 영역으로 형성된 옵티칼 블랙 픽셀로 구분된 반도체 기판;
    상기 반도체 기판상에 형성된 제 1 도전형 불순물을 갖은 에피층;
    상기 제 1 도전형 에피층 포토다이오드 영역에 형성된 불순물 포토다이오드;
    상기 제 1 도전형 에피층 플로팅 확산 영역에 제 1 채널과 제2 채널을 가지고 있는 트랜스퍼 트랜지스터;
    상기 제 1 도전형 에피층 APS 어레이 회로 영역과 주변 회로 영역 상에 형성된 다수의 CMOS 트랜지스터;
    상기 트랜지스터 전극상에 형성된 층간 절연막과 금속 배선층; 및
    상기 금속 배선층 상에 형성된 보호막층과 상기 보호막층상에 수소 플라즈마 열처리 후 형성된 차광막을 형성 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 발생되지 않도록 하는 것이 특징인 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 차광막은 패드 메탈 공정시 동시에 형성된 것이 특징인 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 포토다이오드가 있는 엑티브 필셀 영역과 옵티칼 블랙 픽셀은 포토다이오드를 경계로 광투과막이 형성된 것이 특징인 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 광투과막은 굴절률이 일정한 투명 레진층인 것이 특징인 반도체 장치.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 광투과막 상에는 다수의 마이크로렌즈가 형성된 것이 특징인 반도체 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 수소 플라즈마 열처리로 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)에 형성된 댕글링 본드를 제거 기판 경계면의 결함이 제거된 것이 특징인 반도체 장치.
  7. 포토다이오드 영역인 엑티브 픽셀 영역과 플로팅 확산 영역과 APS 어레이 회로 영역과 주변 회로 영역으로 형성된 옵티칼 블랙 픽셀로 구분된 핸들링 반도체 기판;
    상기 핸들링 반도체 기판상에 형성된 다수의 층간 절연막 및 금속 배선층;
    상기 금속 배선층과 전기적으로 연결되는 다수의 시모스 트랜지스터 전극;
    상기 다수의 트랜지스터 전극상에 형성된 제 1 도전형 불순물을 갖은 에피층;
    상기 제 1 도전형 에피층 포토다이오드 영역에 형성된 불순물 포토다이오드;
    상기 제 1 도전형 에피층 플로팅 확산 영역 트랜스퍼 전극 상에 있는 제 1 채널과 제2 채널;
    상기 에피층 APS 어레이 회로 영역과 주변 회로 영역상에 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 없도록 수소 플라즈마 열처리하고 난 후 형성된 차광막; 및
    상기 포토다이오드 영역에 형성된 포토다이오드 상 제 1 도전형 에피층상에 마이크로 렌즈가 형성된 것이 특징인 반도체 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 핸들링 반도체 기판은 상기 층간 절연막 형성 후 핸들링 반도체 기판을 부착하고 반도체 기판을 상하로 뒤집어 반도체 기판을 디닝(thinning) 공정을 통하여 제거하고 제 1 도전형 에피층이 도출 되도록 형성된 것이 특징인 반도체 장치
  9. 제 7항에 있어서, 상기 차광막은 패드 메탈인 알루미늄인 것이 특징인 반도체 장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 마이크로렌즈 하부에는 컬러 필터층이 형성된 것이 특징인 반도체 장치.
  11. 제 7항에 있어서, 상기 수소 플라즈마 열처리는 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)에 형성된 댕글링 본드를 제거 결함이 없는 경계면인 것이 특징인 반도체 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 댕글링 본드는 반도체 제조 공정에서 발생된 ((-Si-O)혹은(-Si-)) 구조를 갖으며 수소 플라즈마 열처리를 통해서 치유되어 결함이 없는 것이 특징인 반도체 장치.
  13. 포토다이오드 영역인 엑티브 픽셀 영역과 플로팅 확산 영역, APS 어레이 회로 영역 및 주변 회로 영역으로 형성된 옵티칼 블랙 픽셀로 구분된 반도체 기판 상에 제 1 도전형 불순물을 갖은 에피층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 도전형 에피층 플로팅 확산 영역에 제 1 채널 및 제2 채널을 형성하는 단계;
    상기 제 1 도전형 에피층 포토다이오드 영역에 불순물 포토다이오드를 형성하는 단계;
    상기 제 1 도전형 에피층상에 트랜스퍼 전극 및 다수의 CMOS 트랜지스터 전극을 형성하는 단계;
    상기 트랜지스터 전극상에 다수의 층간 절연막 및 금속 배선층을 형성하는 단계; 및
    상기 금속 배선층 상에 보호막층을 형성하고 상기 보호막층 형성 후 공정중 발생한 댕글링 본드 결함을 제거하기 위하여 수소 플라즈마 열처리를 하여 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 발생되지 않도록 하는 것이 특징인 반도체 제조방법.
  14. 13항에 있어서, 상기 수소 플라즈마 열처리 후 차광막을 형성하는 것이 특징인 반도체 제조 방법.
  15. 14항에 있어서, 상기 차광막 형성 공정은 패드 메탈 형성 공정 시 같이 실시하는 것이 특징인 반도체 제조방법.
  16. 포토다이오드 영역인 엑티브 픽셀 영역과 플로팅 확산 영역, APS 어레이 회로 영역 및 주변 회로 영역으로 형성된 옵티칼 블랙 픽셀로 구분된 반도체 기판 상에 제 1 도전형 불순물을 갖은 에피층을 형성하는 단계;
    상기 제 1 도전형 에피층 플로팅 확산 영역에 제 1 채널 및 제2 채널을 형성하는 단계;
    상기 제 1 도전형 에피층 포토다이오드 영역에 불순물 포토다이오드를 형성하는 단계;
    상기 제 1 도전형 에피층 상에 트랜스퍼 전극 및 다수의 CMOS 트랜지스터 전극을 형성하는 단계;
    상기 트랜지스터 전극상에 다수의 층간 절연막과 금속 배선층을 형성하는 단계;
    상기 최종 층간 절연막상에 핸들링 반도체 기판을 부착하는 단계;
    상기 핸들링 반도체 기판을 상하로 뒤집어 상기 반도체 기판을 상부로 하여 상기 반도체 기판을 디닝(thinning)하여 제거하고 상기 제1 도전형 에피층을 노출하는 단계;
    상기 노출된 제 1 도전형 에피층에 보호막을 형성하는 단계; 및
    상기 보호막 형성 후 제조 공정 중 발생한 기판상의 댕글링 본드 결함을 치유하기 위해 수소 플라즈마 열처리를 실시하여 엑티브 픽셀(active pixel) 영역과 옵티칼 블랙 픽셀(optical black pixel)간에 다크 레벨(dark level) 차이가 발생되지 않도록 하는 것이 특징인 반도체 제조방법.
  17. 16항에 있어서, 상기 수소 플라즈마 열처리 후 차광막을 형성하는 것이 특징인 반도체 제조 방법.
  18. 16항에 있어서, 상기 포토다이오드 영역 상부에 컬러 필터층 및 다수의 렌즈를 형성하는 것이 특징인 반도체 제조 방법.
  19. 16항에 있어서, 상기 차광막 공정은 패드 메탈 형성 공정과 동시에 실시하는 것이 특징인 반도체 제조 방법.
  20. 16항에 있어서, 상기 주변 회로 영역에는 다수의 CMOS 논리소자를 형성하는 것이 특징인 반도체 제조 방법.
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