JP2012056860A - 金属化合物及び薄膜形成用原料 - Google Patents
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Abstract
Description
即ち、本発明は、下記一般式(1)で表される金属化合物を提供するものである。
ALDは、本発明の化合物を基体上に吸着させてから、酸化剤等の反応剤を導入し、反応させて薄膜に転化させるプロセスであるので、反応剤との反応性の大きい本発明の化合物を使用する薄膜製造プロセスとしては、最も好ましい方法である。
アルゴン置換した反応フラスコにペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキシド1モル部、2−ジメチルアミノエタノール4モル部、脱水トルエン5モル部を仕込み、110℃に加熱し、メタノールを留去しながら反応を行った。その後減圧留去により、トルエンを除き、得られた残渣を減圧蒸留した。圧力40Pa、バス温度190℃で留出したフラクションから淡黄色液体である目的物を収率81%で得た。得られた化合物の1H−NMR(重ベンゼン溶媒)を図1に、IRを図2に示す。また、元素分析の結果は以下のとおりである。
Ti含有量(測定方法:硝酸を加え、マイクロウェーブ照射分解し酸化チタンとして定量) 10.9%(理論値10.7%)
CHN分析(測定方法:CHNアナライザー)
炭素58.0%(理論値59.1%)、水素10.0%(理論値10.1%)、窒素9.1%(理論値9.4%)
アルゴン置換した反応フラスコにペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキシド1モル部、1−ジメチルアミノ−2−プロパノール4モル部、脱水トルエン5モル部を仕込み、110℃に加熱し、メタノールを留去しながら反応を行った。その後減圧留去により、トルエンを除き、得られた残渣を減圧蒸留した。圧力40Pa、バス温度190℃で留出したフラクションから淡黄色液体である目的物を収率83%で得た。得られた化合物の1H−NMR(重ベンゼン溶媒)を図3に、IRを図4に示す。また、元素分析の結果は以下のとおりである。
Ti含有量(測定方法:硝酸を加え、マイクロウェーブ照射分解し酸化チタンとして定量) 9.6%(理論値9.8%)
CHN分析(測定方法:CHNアナライザー)
炭素61.9%(理論値61.3%)、水素10.4%(理論値10.5%)、窒素8.8%(理論値8.6%)
上記実施例で得られた化合物No.1、化合物No.2、及びペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキシド(下記式)をシリコンウエハ上に滴下した試料について、酸化性ガスであるオゾンと酸素の混合ガス(混合比オゾン4%)500sccm気流下、6〜7℃/分昇温の条件で反応開始温度を測定した。反応は、入射光角度10°でのIR−RAS測定によるスペクトルの変化でモニターを行った。金属化合物と酸化性ガスとの酸化反応により、生成するカルボニル基由来の1650〜1600cm-1に出現する吸収が現れた温度を反応開始温度とした。結果を表1に示す。
化合物No.1、化合物No.2及びペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキシドについて、サンプル量8〜10mg、アルゴン流量100ml/分、昇温速度10℃/分でTG分析を行った。いずれも1段階の揮発のみの質量減少を示し、350℃での残分は1%以下であり、熱安定性に差は観察されなかった。
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