JP2012051102A5 - - Google Patents
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MEMSダイ22は、正面40と、基板厚44の分だけ正面40から離れた裏面42とを有する第1基板38を更に含む。MEMSデバイス36は、第1基板38の正面40の上に、または代替的には正面40に、形成される。MEMSデバイス36が存在するカンチレバー(片持ち梁)基板台46を形成するために、MEMSデバイス36を包囲する第1基板38の材料部分は除去される。カンチレバー基板台46は、基板台46から延在するアーム48を含む。アーム48の第1端部50は第1基板38に固定され、アーム48の第2端部52は基板台46に固定される。従って、第1基板38の材料部分が除去された後、開口54は第1基板38の基板厚44を貫通して延び、カンチレバー基板台46を部分的に包囲し、アーム48の第1端部50は周囲の第1基板38に対するカンチレバー基板台46の唯一の取付点である。また、アーム48には導電性トレース55が形成される可能である。トレース55が、カンチレバー基板台46に存在するMEMSデバイス36にボンドワイヤパッド26を電気接続する。特に明記しない限り、「第1」及び「第2」等の用語は、一連の可算な要素内の要素の順序又は優先順位付けを示そうとするものではなく、議論を明確にするための特定の要素を区別するために用いている。
タスク134に関連して図12(a),(b)を参照すると、図12(a),(b)は処理140の後の段階での図11の構造の上面図136および側断面図138を示す。側断面図138は図12(a)の上面図136の切断線12−12に沿って切り取られたものである。1実施形態において、キャップ層34は、キャビティ142を備えるように適切にエッチング、機械加工、または処理されたウェハ構造であってよい。キャップ層34は、処理の後の段階中および動作中、MEMSデバイス36に対する保護を提供し、キャビティ142は、キャップ層34の内壁がMEMSデバイス36のいかなる可動部分にも接触しないようMEMSデバイス36に対する自由空間を提供する。図には示されていないが、キャップ層34は、キャップ層34の内壁がボンドワイヤパッド26に接触しないようボンドワイヤパッド26上にキャビエィを更に備えてもよい。第1基板構造38に対するキャップ層34の結合は、ガラスフリット接着、金属共晶接着等を用いて達成可能である。
Claims (20)
- 微小電子機械システム(MEMS)デバイスを形成する方法であって、
MEMSデバイスを基板に形成するステップと、
MEMSデバイスが存在するカンチレバー基板台を形成するために、前記MEMSデバイスを部分的に包囲する前記基板の一部分を除去するステップと、
前記MEMSデバイス上を覆うキャップ層を接続するステップと、
からなる方法。 - 前記除去するステップが、前記台から延在するアームを有する前記カンチレバー基板台を形成することを含み、前記アームの第1端部は前記基板に固定され、前記アームの第2端部は前記カンチレバー基板台に固定され、前記アームは前記基板に対する前記カンチレバー基板台の唯一の取付点である、
請求項1記載の方法。 - 前記カンチレバー基板台を形成するために、前記除去するステップが前記基板の厚さの全体を貫通するように前記一部分をエッチングすることを含む、
請求項1記載の方法。 - 前記基板が正面と、前記基板の厚さの分だけ前記正面から離れた裏面とを備え、
前記MEMSデバイスは前記正面に形成され、
前記除去するステップが、前記基板の一部分の少なくとも1つの区画を前記正面から裏面に除去することを含む、
請求項1記載の方法。 - 前記一部分の少なくとも1つの区画が前記基板の前記厚さより短い区画厚さを有し、
前記方法が、前記基板の前記一部分の残りを前記裏面から前記正面に除去することを更に含む、
請求項4記載の方法。 - 前記一部分は第1部分であり、前記MEMSデバイスがアクティブ領域を有し、
前記除去するステップは、前記アクティブ領域まで前記基板を貫通するアパーチャを形成するために、前記アクティブ領域下の前記基板の第2部分を除去する、
請求項1記載の方法。 - 前記基板が正面と、前記基板の厚さの分だけ前記正面から離れた裏面とを備え、
前記MEMSデバイスは前記正面に形成され、
前記除去するステップが、
前記基板の前記第1部分の区画を除去するために前記正面から前記裏面まで第1除去工程を実行することであって、前記区画は前記基板の前記厚さより短い区画厚さを有することと、
前記カンチレバー基板台を形成するため、かつ前記アパーチャを形成するように前記第2部分を同時に除去するために、前記正面から前記裏面まで第2除去工程を実行することを含む、
請求項6記載の方法。 - 前記基板は第1基板であり、
前記一部分は第1部分であり、
前記MEMSデバイスは前記第1基板の第1正面に形成され、
前記方法が、
第2基板を提供するステップと、
第2カンチレバー基板台を形成するために前記第2基板の第2部分を除去するステップと、
積み重ね型カンチレバー台構造を形成するために前記第2カンチレバー基板台を前記カンチレバー基板台に垂直積み重ねるように前記第2基板の第2正面を前記第1基板の第1裏面に取り付けるステップと、
を含む、
請求項1記載の方法。 - MEMSデバイスがアクティブ領域を有し、
前記除去するステップが、
前記第1部分の区画を除去するために、前記第1基板の前記第1正面から前記第1基板の前記第1裏面まで第1除去工程を実行するステップであって、前記区画は前記第1基板の厚さより短い区画厚さを有することと、
前記第1部分の残りを除去するために、かつ前記第1基板を貫通するアパーチャを形成するように前記アクティブ領域の下の前記第1基板の第3部分を同時に除去するために、前記第1基板の前記第1裏面から前記第1基板の第1正面まで第2除去工程を実行するステップと、
を含み、
前記方法は更に、
前記第2除去工程後、前記取り付けるステップを実行するステップを更に含み、
前記MEMSデバイスの前記アクティブ領域下に密封されたキャビティを形成するために前記第2基板が前記アパーチャを覆う、
請求項8記載の方法。 - 前記第1部分及び前記第2部分を除去するステップが、前記積み重ね型カンチレバー台構造を部分的に包囲する前記第1基板及び前記第2基板を貫通する開口を生じ、
前記方法が、
前記開口をブロックするようにプラグ部材を前記第2基板の第2裏面に配置するステップと、
前記MEMSデバイス及び前記接続されたキャップ層を実質的に封止するようにモールド成形化合物を施すステップであって、前記施すステップは前記配置するステップの後に実行されるステップと、
前記施すステップの後に、前記開口の少なくとも一部分を露出するために前記プラグ部材を除去するステップと
を更に含む、
請求項8記載の方法。 - 前記方法が、
前記MEMSデバイス及び前記接続されたキャップ層を実質的に封止するためにモールド成形化合物を施すステップであって、前記キャップ層は、モールド成形化合物が前記MEMSデバイスに接触することを防止するステップ
を更に含む、
請求項1記載の方法。 - 前記形成するステップが、前記基板にボンドワイヤパッドを形成し、
前記ボンドワイヤパッドはトレースを介して前記MEMSデバイスに電気接続し、
前記方法が、
前記MEMSデバイスの前記ボンドワイヤパッドを前記キャップ層の外部に露出するステップと、
前記ボンドワイヤパッドを導電性相互接続部を介して集積回路ダイに電気的に相互接続するステップと、を更に含み、
前記施すステップが前記モールド成形化合物を用いて前記集積回路ダイ、前記導電性相互接続部、前記ボンドワイヤパッド、前記MEMSデバイス、および前記キャップ層を同時に封止する、請求項11記載の方法。 - 前記形成するステップが、MEMSデバイスのパネルを形成するために複数のMEMSデバイス及びボンドワイヤパッドを前記基板に形成し、
前記ボンドワイヤパッドの個別の組は前記複数のMEMSデバイスの各々に接続され、
前記除去するステップは、複数のカンチレバー基板台を形成するために前記MEMSデバイスを包囲する前記基板の前記一部分を除去し、
前記MEMSデバイスの少なくとも1つは前記カンチレバー基板台の各々に存在し、
前記キャップ層が複数のMEMSデバイスを覆い、
前記露出するステップが前記複数のMEMSデバイスの各々の前記ボンドワイヤパッドを露出し、
前記方法が、
前記パネルの前記複数のMEMSデバイスを分割してMEMSデバイスを形成するステップであって、前記MEMSデバイスは前記複数のMEMSデバイスの1つであるステップと、
を更に含む、
請求項12記載の方法。 - アセンブリであって、
基板と、前記基板が内部にカンチレバー基板台を含み、前記カンチレバー基板台が前記台から延びるアームを含み、前記アームの第1端部は前記基板に固定され、前記アームの第2端部はカンチレバー基板台に固定され、前記アームは前記カンチレバー基板台に対する前記基板の唯一取付点であることと、
前記カンチレバー基板台に存在する前記微小電子機械(MEMS)デバイスと、
前記MEMSデバイスの上を覆うキャップ層と、
を備えたアセンブリ。 - 前記基板は第1基板であり、
前記MEMSデバイスは前記第1基板の正面に形成され、
前記アセンブリが、前記第1基板の裏面に取り付けられた第2基板を更に備え、
前記第2基板が、積み重ね型カンチレバー台構造を形成するために前記カンチレバー基板台と共に垂直に積み重ねられた第2カンチレバー基板台を有する、
請求項14記載のアセンブリ。 - 前記MEMSデバイスがアクティブ領域を備え、
前記第1基板が、前記アクティブ領域下に配置されると共に、前記アクティブ領域まで前記第1基板を貫通して延びるアパーチャを有し、
前記MEMSデバイスの前記アクティブ領域下に密封されたキャビティを形成するために前記第2カンチレバー基板台が前記アパーチャを覆うように、前記第2基板が前記第1基板に取り付けられる、
請求項15記載のアセンブリ。 - 前記MEMSデバイス及び前記キャップ層を実質的に封止するモールド成形化合物を更に備え、前記キャップ層はモールド成形化合物が前記MEMSデバイスに接触するのを防止する、
請求項14記載のアセンブリ。 - 前記MEMSデバイスが、前記基板に形成されたボンドワイヤパッドと、前記アームに形成されたトレースとを備え、
前記トレースは前記ボンドワイヤパッドを前記MEMSデバイスと電気接続し、
前記アセンブリが、導電性相互接続部を介してボンドワイヤパッドに相互接続された集積回路ダイを更に備え、
前記モールド成形化合物が、前記集積回路ダイ、前記導電性相互接続部、前記ボンドワイヤパッド、前記MEMSデバイス、および前記キャップ層を実質的に封止する、
請求項17記載のアセンブリ。 - 微小電子機械システム(MEMS)アセンブリをパッケージングする方法であって、
前記MEMSアセンブリがカンチレバー基板台に形成されたMEMSデバイスと、前記MEMSデバイスの上を覆うキャップ層とを備え、前記カンチレバー基板台が前記カンチレバー基板台から延びるアームを有し、前記アームの第1端部は基板に固定され、前記アームの第2アームは前記カンチレバー基板台に固定され、前記アームは前記基板に対する前記カンチレバー基板台の唯一の取付点であり、
前記方法は、
前記MEMSデバイス及び前記キャップ層を実質的に封止するためにモールド成形化合物を施すステップであって、前記キャップ層は、モールド成形化合物が前記MEMSデバイスに接触することを防止するステップ
を含む方法。 - 前記MEMSアセンブリが、
前記MEMSデバイスに電気接続され、かつ前記キャップ層の外部に露出されたボンドワイヤパッドを更に含み、
前記方法が、
前記施すステップ前に、導電性相互接続部を介して前記ボンドワイヤパッドを集積回路ダイに電気接続するステップを更に含み、
前記施すステップが前記集積回路ダイ、前記導電性相互接続部、および前記MEMSアセンブリを実質的に封止する、
請求項19記載の方法。
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