JP2012046770A - Apparatus and method for processing substrate - Google Patents

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夏木 牧野
Masaaki Kato
正明 加藤
Michinori Yamamoto
通典 山本
Masaru Ota
賢 太田
Mitsuyoshi Matsuoka
三芳 松岡
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and method for processing a substrate, which can improve processing speed of a substrate.SOLUTION: The processing apparatus 1 includes a means 18 for disturbing the flow of fluid flowing along a substrate surface from an upper side to a lower side in a vertical direction when a liquid is flowed from a supply port 111 to a discharge port 112 in a state where the substrate 2 is immersed in the liquid L in a tank 11.

Description

本発明は、基板の処理装置および基板の処理方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

従来、回路基板は、以下のようにして製造されている。
基材の両面に銅箔が貼り付けられた両面銅貼積層板を用意する。この両面銅貼積層板にビアホールを形成し、さらに、ビアホールおよび両面銅貼積層板上にめっきを行う。その後、両面銅貼積層板を加工して回路を形成する（たとえば、特許文献１参照）。 Conventionally, circuit boards are manufactured as follows.
A double-sided copper-clad laminate with copper foil attached to both sides of the substrate is prepared. Via holes are formed in the double-sided copper-clad laminate, and plating is further performed on the via holes and the double-sided copper-clad laminate. Thereafter, the double-sided copper-clad laminate is processed to form a circuit (see, for example, Patent Document 1).

特開平１１−１８６７３７号公報JP 11-186737 A

従来の基板の製造方法では、めっきを行う際に、両面銅貼積層板をめっき液に浸漬させている。しかしながら、この製造方法では、めっき膜を所望の速度で得ることがむずかしかった。
この原因としては、めっき液の滞留が考えられる。めっき液をバブリング等で撹拌することも行われているが、めっき槽は比較的大きいため、バブリング等で撹拌しても、めっき液の滞留を確実に抑制することは非常に困難であった。
なお、このような課題は、めっきを行う場合のみならず、両面銅貼積層板を水に浸して水洗する場合や、エッチング液に両面銅貼積層板を浸してエッチングを行う場合等にも生じる。 In the conventional method for manufacturing a substrate, a double-sided copper-clad laminate is immersed in a plating solution when plating. However, with this manufacturing method, it was difficult to obtain a plating film at a desired rate.
As a cause of this, the retention of the plating solution can be considered. Although the plating solution is agitated by bubbling or the like, since the plating tank is relatively large, it is very difficult to reliably suppress the retention of the plating solution even if it is agitated by bubbling or the like.
Such a problem occurs not only when plating is performed, but also when the double-sided copper-clad laminate is immersed in water and washed, or when the double-sided copper-clad laminate is immersed in an etching solution and etched. .

本発明によれば、基板に対し液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理装置において、
内部に前記液体が供給されるとともに、供給された前記液体に前記基板を浸漬させる槽と、
前記槽内部に配置される前記基板の基板面が鉛直方向に平行となるように前記基板を保持する保持部とを備え、
前記槽の前記液体の供給口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向上方にあり、
前記槽の前記液体の排出口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向下方にあり、
前記基板が前記槽内の前記液体に浸漬した状態で、前記供給口から前記排出口へ向かって液体を流す際に、基板面に沿って流れる流体の流れを乱す手段を備える基板の処理装置が提供される。 According to the present invention, in the substrate processing apparatus for processing the substrate by bringing a liquid into contact with the substrate,
A tank for immersing the substrate in the supplied liquid while the liquid is supplied inside,
A holding unit that holds the substrate so that the substrate surface of the substrate disposed in the tank is parallel to the vertical direction;
The liquid supply port of the tank is vertically above the substrate held by the holding unit,
The liquid outlet of the tank is vertically lower than the substrate held by the holding part,
A substrate processing apparatus comprising means for disturbing a flow of a fluid flowing along a substrate surface when a liquid flows from the supply port toward the discharge port in a state where the substrate is immersed in the liquid in the tank. Provided.

この発明によれば、基板を槽内の液体中に浸漬させた状態で、槽内の液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板の基板面に沿って流すことができる。さらに、流れを乱す手段を備えるため、基板面に沿って流れる流体の流れを乱すことができる。
基板面に沿って流れる流体の流れを乱すことで、基板面に沿って流れる液体の少なくとも一部が新鮮な液体に入れ替わりやすくなり、基板面により新鮮な液を接触させることができる。これにより基板の処理速度を向上させることができる。
さらに、本発明では、供給口が鉛直方向上側、排出口が鉛直方向下側に形成されているので、槽内の液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって流している。液体が重力に従って流れることとなるので、液体をスムーズに流すことができる。
なお、ここで、基板面に沿って流れる流体の流れを乱すとは、基板面に沿って流れる流体の流れのベクトルに対し、このベクトルと交差する方向の流れのベクトルが作用することを意味する。 According to the present invention, the liquid in the tank can flow along the substrate surface of the substrate from the upper side in the vertical direction toward the lower side in a state where the substrate is immersed in the liquid in the tank. Furthermore, since the means for disturbing the flow is provided, the flow of the fluid flowing along the substrate surface can be disturbed.
By disturbing the flow of the fluid flowing along the substrate surface, at least a part of the liquid flowing along the substrate surface can be easily replaced with fresh liquid, and the fresh liquid can be brought into contact with the substrate surface. Thereby, the processing speed of the substrate can be improved.
Further, in the present invention, since the supply port is formed on the upper side in the vertical direction and the discharge port is formed on the lower side in the vertical direction, the liquid in the tank flows from the upper side in the vertical direction toward the lower side. Since the liquid flows according to gravity, the liquid can flow smoothly.
Here, disturbing the flow of fluid flowing along the substrate surface means that a flow vector acting in a direction intersecting with this vector acts on the vector of fluid flow flowing along the substrate surface. .

また、本発明によれば、上述した基板の処理装置を使用した基板の処理方法も提供することができる。
すなわち、本発明によれば上述した基板の処理装置を使用した基板の処理方法であって、
前記基板の基板面が鉛直方向と平行となるように、前記保持部に前記基板を保持させる工程と、
前記基板を前記槽内の前記液体中に浸漬させるとともに、前記供給口から前記排出口へ向かって液体を流す工程とを含み、
前記供給口から前記排出口へ向かって液体を流す前記工程では、前記流れを乱す手段により、前記基板面に沿って流れる流体の流れを乱す基板の処理方法も提供できる。 In addition, according to the present invention, a substrate processing method using the above-described substrate processing apparatus can also be provided.
That is, according to the present invention, there is provided a substrate processing method using the substrate processing apparatus described above,
Holding the substrate in the holding portion so that the substrate surface of the substrate is parallel to the vertical direction;
Immersing the substrate in the liquid in the tank, and flowing the liquid from the supply port toward the discharge port,
In the step of flowing the liquid from the supply port toward the discharge port, a substrate processing method for disturbing the flow of fluid flowing along the substrate surface can be provided by means for disturbing the flow.

本発明によれば、基板の処理速度を向上させることができる基板の処理装置および処理方法が提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the processing apparatus and processing method of a board | substrate which can improve the processing speed of a board | substrate are provided.

本発明の一実施形態にかかる処理装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the processing apparatus concerning one Embodiment of this invention. 障害物を示す平面図および断面図である。It is the top view and sectional drawing which show an obstruction. 基板の処理工程を示す図である。It is a figure which shows the process process of a board | substrate. 基板面に沿って流れるエッチング液が乱れる様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the etching liquid which flows along a substrate surface is disturb | confused. 処理装置の槽の平面図である。It is a top view of the tank of a processing apparatus. 障害物の変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the modification of an obstruction. 本発明の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of this invention.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
はじめに、図１を参照して、本実施形態の基板の処理装置１の概要について説明する。
処理装置１は、基板２に対し液体Ｌを接触させて、基板２を処理する装置である。処理装置１は、内部に液体Ｌが供給されるとともに、供給された液体Ｌに基板２を浸積させる槽１１と、槽１１内部に配置される基板２の基板面が鉛直方向に略平行となるように前記基板２を保持する保持部１３とを備える。
槽１１の液体Ｌの供給口１１１は、保持部１３で保持された基板２よりも鉛直方向上方にあり、槽１１の液体Ｌの排出口１１２は、保持部１３で保持された基板２よりも鉛直方向下方にある。
また、処理装置１は、基板２が槽１１内の液体Ｌに浸漬した状態で、供給口１１１から排出口１１２へ向かって液体を流す際に、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れる流体の流れを乱す手段（以下、障害物という）１８を備える。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
First, the outline of the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment will be described with reference to FIG.
The processing apparatus 1 is an apparatus that processes the substrate 2 by bringing the liquid L into contact with the substrate 2. In the processing apparatus 1, the liquid L is supplied to the inside, and the tank 11 that immerses the substrate 2 in the supplied liquid L, and the substrate surface of the substrate 2 disposed inside the tank 11 is substantially parallel to the vertical direction. The holding part 13 holding the substrate 2 is provided.
The supply port 111 of the liquid L in the tank 11 is vertically above the substrate 2 held by the holding unit 13, and the discharge port 112 of the liquid L in the tank 11 is higher than the substrate 2 held by the holding unit 13. Located vertically below.
Further, when the substrate 2 is immersed in the liquid L in the tank 11, the processing apparatus 1 allows the substrate surface to face downward from the upper side in the vertical direction when the liquid flows from the supply port 111 toward the discharge port 112. Means (hereinafter referred to as an obstacle) 18 for disturbing the flow of the fluid flowing along.

次に、処理装置１について詳細に説明する。
液体Ｌは薬液、本実施形態では、エッチング液Ｌであり、たとえば、塩化第二鉄溶液等である。処理装置１は、本実施形態ではエッチング装置である。
槽１１は、直方体形状であり、たとえば、硬質塩ビ槽である。
槽１１には、エッチング液Ｌが供給される。槽１１の側面には、エッチング液Ｌの供給口１１１が形成されている。この供給口１１１は、槽１１内に配置される基板２よりも鉛直方向上方に位置する。
また、槽１１の底面には、エッチング液Ｌの排出口１１２が形成されている。排出口１１２は、本実施形態では、槽１１の底面に形成された複数の貫通孔で構成されている。このように複数個の貫通孔で排出口１１２を構成することで、エッチング液Ｌを基板２の基板面に沿ってスムーズに排出することができる。ただし、貫通孔は一つであってもよい。
排出口１１２は、槽１１内に配置される基板２よりも鉛直方向下方側に位置する。また、排出口１１２は、供給口１１１よりも鉛直方向下方側に位置している。
必要に応じて、排出口１１２に、配管およびポンプを接続し、ポンプでエッチング液Ｌを吸引することで、排出口１１２から排出されるエッチング液Ｌの流速を調整してもよい。
なお、本実施形態では、排出口１１２と、第二槽１４とは配管で接続されておらず、排出口１１２から排出されるエッチング液Ｌは、第二槽１４内に自然落下する。
また、必要に応じて、槽１１から排出されるエッチング液Ｌの量を調整する調整手段を設けてもよい。たとえば、一部の排出口１１２をふさぐ栓を前記調整手段として設けてもよく、また、排出口１１２の大きさを調整する調整手段（たとえば、排出口１１２の一部をふさぎ、排出口１１２の開口度合いを調整する板材）を設けてもよい。
なお、本実施形態では、エッチングを行う際、槽１１内には、基板２が一枚配置される。 Next, the processing apparatus 1 will be described in detail.
The liquid L is a chemical liquid, and in this embodiment, the etching liquid L, for example, a ferric chloride solution. The processing apparatus 1 is an etching apparatus in this embodiment.
The tank 11 has a rectangular parallelepiped shape, and is, for example, a hard PVC tank.
An etching solution L is supplied to the tank 11. An etching solution supply port 111 is formed on the side surface of the tank 11. The supply port 111 is positioned above the substrate 2 arranged in the tank 11 in the vertical direction.
Further, an outlet 112 for the etching solution L is formed on the bottom surface of the tank 11. In this embodiment, the discharge port 112 is composed of a plurality of through holes formed in the bottom surface of the tank 11. Thus, by forming the discharge port 112 with a plurality of through holes, the etching solution L can be smoothly discharged along the substrate surface of the substrate 2. However, the number of through holes may be one.
The discharge port 112 is located on the lower side in the vertical direction than the substrate 2 disposed in the tank 11. Further, the discharge port 112 is located on the lower side in the vertical direction than the supply port 111.
If necessary, a flow rate of the etching solution L discharged from the discharge port 112 may be adjusted by connecting a pipe and a pump to the discharge port 112 and sucking the etching solution L with the pump.
In the present embodiment, the discharge port 112 and the second tank 14 are not connected by piping, and the etching solution L discharged from the discharge port 112 naturally falls into the second tank 14.
Moreover, you may provide the adjustment means which adjusts the quantity of the etching liquid L discharged | emitted from the tank 11, as needed. For example, a plug that blocks a part of the discharge ports 112 may be provided as the adjusting means, and an adjusting unit that adjusts the size of the discharge ports 112 (for example, a part of the discharge ports 112 is blocked to A plate member for adjusting the degree of opening may be provided.
In the present embodiment, one substrate 2 is disposed in the tank 11 when etching is performed.

保持部１３は、基板２を保持するとともに、基板２を槽１１内のエッチング液Ｌ中に浸漬させるものである。保持部１３は、基板２を保持し上下方向に駆動可能であり、槽１１内に基板２を配置したり、槽１１から基板２を除去したりする。
保持部１３に保持された基板２は、基板面が鉛直方向と略平行となるように槽１１内に配置されることとなる。
なお、図示しない揺動手段を用い、保持部１３を上下方向に揺動させることで、基板２を障害物１８に対して相対的に移動させてもよいし、障害物１８を上下方向に揺動させることで、基板２を障害物１８に対して相対的に移動させてもよい。
このようにすることで、基板２の基板面に縞状のエッチングむらが発生することを確実に抑制することができる。 The holding unit 13 holds the substrate 2 and immerses the substrate 2 in the etching solution L in the tank 11. The holding unit 13 holds the substrate 2 and can be driven in the vertical direction, and arranges the substrate 2 in the tank 11 or removes the substrate 2 from the tank 11.
The board | substrate 2 hold | maintained at the holding part 13 will be arrange | positioned in the tank 11 so that a board | substrate surface may become substantially parallel to a perpendicular direction.
The substrate 2 may be moved relative to the obstacle 18 by swinging the holding portion 13 in the vertical direction using a swing means (not shown), or the obstacle 18 may be swinged in the vertical direction. The substrate 2 may be moved relative to the obstacle 18 by moving.
By doing in this way, it can suppress reliably that striped etching nonuniformity generate | occur | produces on the board | substrate surface of the board | substrate 2. FIG.

次に、障害物１８について説明する。
障害物１８は、基板面に沿って流れる流体の流れを乱すものであり、基板面表面に乱流を発生させる。本実施形態では、図２に示す障害物１８を使用する。図２（Ａ）は、基板面側からみた障害物１８の平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＢ−Ｂ方向の断面図である。
この障害物１８は、平板に複数の貫通孔１８１，１８２を形成したものである。より具体的には、平面矩形形状の平板に貫通孔１８１と、複数の貫通孔１８２とを形成したものである。
障害物１８の表裏面は、基板面と平行となっている。
貫通孔１８１は、平面矩形形状の開口で構成され、平板の前記表裏面を貫通している。この貫通孔１８１は、障害物１８を槽１１内に設置する際の把持部となる部分である。
貫通孔１８２は平面矩形形状の開口で構成され、平板の表裏面を貫通している。貫通孔１８２は、複数個形成され、いずれも同一の大きさ形状である。本実施形態では、貫通孔１８２は、四角筒状（直方体状）であり、平面矩形形状（長方形形状）の開口を有する。貫通孔１８２は、平板の表裏面を貫通している。
各貫通孔１８２は、障害物１８の表裏面に沿った方向、すなわち、貫通方向と直交する延在方向が互いに平行であり、一定の間隔をあけて形成されている。たとえば、図２（Ｂ）に示すように、貫通孔１８２の高さ寸法Ｈ１は、１０ｍｍであり、幅寸法Ｗ１は２ｍｍであり、４ｍｍ間隔で形成されている。 Next, the obstacle 18 will be described.
The obstacle 18 disturbs the flow of fluid flowing along the substrate surface, and generates turbulence on the surface of the substrate surface. In this embodiment, the obstacle 18 shown in FIG. 2 is used. 2A is a plan view of the obstacle 18 viewed from the substrate surface side, and FIG. 2B is a cross-sectional view in the BB direction of FIG. 2A.
The obstacle 18 has a plurality of through holes 181 and 182 formed on a flat plate. More specifically, a through-hole 181 and a plurality of through-holes 182 are formed on a flat rectangular plate.
The front and back surfaces of the obstacle 18 are parallel to the substrate surface.
The through hole 181 is configured by a flat rectangular opening and penetrates the front and back surfaces of the flat plate. The through hole 181 is a portion that becomes a grip when the obstacle 18 is installed in the tank 11.
The through-hole 182 is configured by a planar rectangular opening and penetrates the front and back surfaces of the flat plate. A plurality of through holes 182 are formed and all have the same size and shape. In the present embodiment, the through hole 182 has a rectangular tube shape (a rectangular parallelepiped shape) and has a planar rectangular shape (rectangular shape). The through hole 182 penetrates the front and back surfaces of the flat plate.
Each through-hole 182 is formed at a certain interval with the directions along the front and back surfaces of the obstacle 18, that is, the extending directions perpendicular to the through-direction, being parallel to each other. For example, as shown in FIG. 2B, the through hole 182 has a height dimension H1 of 10 mm, a width dimension W1 of 2 mm, and is formed at intervals of 4 mm.

ここで、隣接する貫通孔１８２間の領域は、直方体となり、棒状の部材１８３となる。すなわち、障害物１８は、互いに平行に延在する複数の部材１８３を備える。各部材１８３は、たとえば、高さ寸法Ｈ２が４ｍｍであり、幅寸法Ｗ２が２ｍｍであり、複数の部材１８３は、１０ｍｍ間隔で配置されている。なお、各部材１８３の高さ寸法Ｈ２の好ましい範囲は、基板面に沿って流れるエッチング液Ｌの流れを乱す観点から１〜２０ｍｍであり、Ｗ２は１〜１０ｍｍである。また、各部材１８３間の間隔の好ましい範囲は、基板面に沿って流れるエッチング液Ｌの流れを乱す観点から、１〜２０ｍｍである。なお、部材１８３は３個以上設けられることが好ましい。   Here, a region between the adjacent through holes 182 is a rectangular parallelepiped, and becomes a rod-shaped member 183. That is, the obstacle 18 includes a plurality of members 183 extending in parallel with each other. For example, each member 183 has a height dimension H2 of 4 mm and a width dimension W2 of 2 mm, and the plurality of members 183 are arranged at intervals of 10 mm. In addition, the preferable range of the height dimension H2 of each member 183 is 1-20 mm from a viewpoint which disturbs the flow of the etching liquid L which flows along a substrate surface, and W2 is 1-10 mm. Moreover, the preferable range of the space | interval between each member 183 is 1-20 mm from a viewpoint of disturbing the flow of the etching liquid L which flows along a substrate surface. Note that three or more members 183 are preferably provided.

各部材１８３は、槽１１内に障害物１８を配置した際に、基板２の基板面と対向し、基板面に沿って水平方向に延在する。各部材１８３の水平方向の長さ寸法は、基板２の幅寸法（図１の奥行き方向の寸法）と同等以上である。したがって、各部材１８３は、基板２の全幅にわたって基板面と対向し、延在することとなる。
また、障害物１８を基板２の基板面と対向配置させ、基板面側から平面視した際、複数の部材１８３は、基板２の基板面の上端側から下端側にわたって等間隔で配列されることとなる。
ここで障害物１８の材料としては、エッチング液Ｌに対し耐久性のあるものであればよく、たとえば、硬質塩ビ等である。
以上のような障害物１８は、平面矩形形状の板材に対し、貫通孔１８１，１８２をくりぬくことで製造することができる。 Each member 183 faces the substrate surface of the substrate 2 when the obstacle 18 is arranged in the tank 11 and extends in the horizontal direction along the substrate surface. The length dimension in the horizontal direction of each member 183 is equal to or greater than the width dimension of the substrate 2 (dimension in the depth direction in FIG. 1). Therefore, each member 183 extends opposite to the substrate surface over the entire width of the substrate 2.
Further, when the obstacle 18 is disposed opposite to the substrate surface of the substrate 2 and viewed in plan from the substrate surface side, the plurality of members 183 are arranged at equal intervals from the upper end side to the lower end side of the substrate surface of the substrate 2. It becomes.
Here, the material of the obstacle 18 may be any material that is durable to the etchant L, and is, for example, hard vinyl chloride.
The obstacle 18 as described above can be manufactured by hollowing through holes 181 and 182 with respect to a flat rectangular plate.

さらに、処理装置１は、槽１１へ供給するためのエッチング液Ｌが充填された第二槽（調整槽）１４を備える。第二槽１４は、槽１１からオーバーフローしたエッチング液Ｌを受ける役割も果たすため、第二槽１４は槽１１の鉛直方向下方側に配置される。
第二槽１４のエッチング液Ｌの排出口と、槽１１の供給口１１１とは、配管１６で接続されている。配管１６および配管１６に接続されているポンプＰ１を介してエッチング液Ｌが第二槽１４から槽１１へと供給される。なお、第二槽１４では、エッチング液Ｌの各成分の濃度を定期的に調整する。
また、配管１６には、フィルターＦが設けられている。配管１６を通るエッチング液Ｌ中の異物をフィルターＦで除去することができる。 Furthermore, the processing apparatus 1 includes a second tank (conditioning tank) 14 that is filled with an etching solution L to be supplied to the tank 11. Since the second tank 14 also serves to receive the etching solution L overflowed from the tank 11, the second tank 14 is disposed on the lower side in the vertical direction of the tank 11.
The discharge port of the etching solution L in the second tank 14 and the supply port 111 of the tank 11 are connected by a pipe 16. The etching solution L is supplied from the second tank 14 to the tank 11 through the pipe 16 and the pump P1 connected to the pipe 16. In addition, in the 2nd tank 14, the density | concentration of each component of the etching liquid L is adjusted regularly.
The pipe 16 is provided with a filter F. Foreign matter in the etching solution L passing through the pipe 16 can be removed by the filter F.

次に、処理装置１を使用した基板２の処理方法について説明する。
はじめに、図３（Ａ）に示すような基板２を用意する。この基板２はフレキシブル回路基板用の基板である。
この基板２は、絶縁層２１と、この絶縁層２１の表裏面に貼り付けられた金属膜２２（たとえば、銅膜）とを有する。絶縁層２１の厚みは、たとえば、５μｍ以上、１００μｍ以下であり、金属膜２２の厚みは、たとえば、１μｍ以上、５０μｍ以下である。基板２全体の厚みは、たとえば、１０μｍ以上、２００μｍ以下である。
なお、金属膜２２上には開口が形成されたマスクＭが設けられており、マスクＭの開口から露出する部分がエッチング液Ｌによりエッチングされる。なお、図１では、マスクＭの図示を省略している。 Next, a method for processing the substrate 2 using the processing apparatus 1 will be described.
First, a substrate 2 as shown in FIG. This substrate 2 is a substrate for a flexible circuit board.
The substrate 2 includes an insulating layer 21 and a metal film 22 (for example, a copper film) attached to the front and back surfaces of the insulating layer 21. The thickness of the insulating layer 21 is, for example, 5 μm or more and 100 μm or less, and the thickness of the metal film 22 is, for example, 1 μm or more and 50 μm or less. The entire thickness of the substrate 2 is, for example, 10 μm or more and 200 μm or less.
Note that a mask M in which an opening is formed is provided on the metal film 22, and a portion exposed from the opening of the mask M is etched by the etchant L. In FIG. 1, the mask M is not shown.

はじめに、図１に示すように、第二槽１４から槽１１へ、配管１６およびポンプＰ１を介して、エッチング液Ｌを供給する。槽１１内をエッチング液Ｌで満たしておく。なお、障害物１８は、各部材１８３の延在方向が水平方向となるように、あらかじめ槽１１内に設置しておく。
その後、基板２を保持部１３に保持させて、基板２を槽１１内に配置し、基板２をエッチング液Ｌ中に浸漬させる。このとき、基板２の基板面が鉛直方向と平行となり、基板２の基板面が各部材１８３と対向するように、基板２を槽１１内に配置する。
次に、供給口１１１から排出口１１２へむけてエッチング液Ｌを流す。これにより、槽１１内のエッチング液Ｌは、鉛直方向上側から、鉛直方向下側に向かって、流れることとなる（矢印Ｙ１参照）。
また、エッチングを行う間、基板２全体がエッチング液Ｌ中に浸漬した状態となる。
供給口１１１から排出口１１２へむけてエッチング液Ｌを流すと、図４に示すように、部材１８３により、基板面に沿って上下方向に流れるエッチング液Ｌには乱れが生じる。すなわち、部材１８３により、基板面に接して流れるエッチング液Ｌに乱流が発生することとなる。
より詳細に説明すると、部材１８３により部材１８３の下流側には、回転方向の異なるカルマン渦が千鳥状に発生することとなる。これにより、基板面に対し水平方向にエッチング液Ｌが動くこととなる。すなわち、基板面に対し、エッチング液Ｌが水平方向に近づいたり、遠ざかったりすることとなる（矢印Ｙ３参照）。基板面に沿って上下方向に流れるエッチング液Ｌのベクトルに対し、基板面と交差する方向のベクトル、主として水平方向の流れのベクトルが作用することとなり、基板面に沿って上下方向に流れるエッチング液Ｌに水平方向の乱れが生じる。そして、基板面に接して流れるエッチング液Ｌに乱流が発生することとなる。 First, as shown in FIG. 1, the etching solution L is supplied from the second tank 14 to the tank 11 through the pipe 16 and the pump P1. The tank 11 is filled with the etching solution L. The obstacle 18 is installed in the tank 11 in advance so that the extending direction of each member 183 is the horizontal direction.
Thereafter, the substrate 2 is held by the holding unit 13, the substrate 2 is placed in the tank 11, and the substrate 2 is immersed in the etching solution L. At this time, the substrate 2 is disposed in the tank 11 so that the substrate surface of the substrate 2 is parallel to the vertical direction and the substrate surface of the substrate 2 faces each member 183.
Next, the etching solution L is flowed from the supply port 111 toward the discharge port 112. Thereby, the etching liquid L in the tank 11 flows from the upper side in the vertical direction toward the lower side in the vertical direction (see arrow Y1).
Further, during the etching, the entire substrate 2 is immersed in the etching solution L.
When the etching solution L is flowed from the supply port 111 toward the discharge port 112, as shown in FIG. 4, the member 183 causes disorder in the etching solution L flowing in the vertical direction along the substrate surface. That is, the member 183 generates a turbulent flow in the etching solution L that flows in contact with the substrate surface.
More specifically, Karman vortices having different rotation directions are generated in a staggered manner on the downstream side of the member 183 by the member 183. Thereby, the etching solution L moves in the horizontal direction with respect to the substrate surface. That is, the etching liquid L approaches or moves away from the substrate surface (see arrow Y3). The vector in the direction intersecting the substrate surface, mainly the vector in the horizontal direction, acts on the vector of the etching solution L flowing in the vertical direction along the substrate surface, and the etching solution flowing in the vertical direction along the substrate surface. L is disturbed in the horizontal direction. Then, a turbulent flow is generated in the etching solution L flowing in contact with the substrate surface.

ここで、障害物１８の部材１８３と基板２との間の距離（水平方向に沿った距離）をｄ（ｍ）、基板面に沿って流れるエッチング液Ｌの流速をｕ（ｍ／ｓ）、エッチング液Ｌの動粘性係数をν（ｍ２／ｓ）とした場合、ｕｄ／νの値が２０００以上であることが好ましい。このようにすることで、確実に乱流を発生させることができる。ｕｄ／νの値の上限値は特に限定されない。
ここで、基板面に沿って流れるエッチング液Ｌの流速ｕ（ｍ／ｓ）は、以下のようにして計測することができる。
排出口１１２から単位時間当たりに排出されるエッチング液Ｌの排出量Ｖ１（ｍ３／ｓ）を測定する。次に、図５に示すように、槽１１の水平方向に沿った断面積Ｓ（ｍ２）を算出する。そして、ｕ＝Ｖ１／Ｓで算出することができる。 Here, the distance (distance along the horizontal direction) between the member 183 of the obstacle 18 and the substrate 2 is d (m), the flow velocity of the etching solution L flowing along the substrate surface is u (m / s), When the kinematic viscosity coefficient of the etching solution L is ν (m 2 / s), the value of ud / ν is preferably 2000 or more. By doing in this way, a turbulent flow can be generated reliably. The upper limit of the value of ud / ν is not particularly limited.
Here, the flow velocity u (m / s) of the etching solution L flowing along the substrate surface can be measured as follows.
The discharge amount V1 (m 3 / s) of the etching solution L discharged from the discharge port 112 per unit time is measured. Next, as shown in FIG. 5, the cross-sectional area S (m 2 ) along the horizontal direction of the tank 11 is calculated. Then, it can be calculated by u = V1 / S.

さらに、エッチングを行う際、第二槽１４から槽１１へは随時エッチング液Ｌが供給されており、エッチング液Ｌの第二槽１４から槽１１への供給量は、槽１１から排出されるエッチング液Ｌの量よりも多い。従って、槽１１の上部からは、エッチング液Ｌがオーバーフローする。オーバーフローしたエッチング液Ｌは、矢印Ｙ２方向に流れ、第二槽１４で回収される。
さらに、第二槽１４には、槽１１の排出口１１２からのエッチング液Ｌが供給される。
第二槽１４内のエッチング液Ｌは、配管１６およびポンプＰ１を介して再度槽１１に供給されることとなる。 Furthermore, when etching is performed, the etchant L is supplied from the second tank 14 to the tank 11 as needed, and the supply amount of the etchant L from the second tank 14 to the tank 11 is the etching discharged from the tank 11. More than the amount of liquid L. Therefore, the etching solution L overflows from the upper part of the tank 11. The overflowed etching solution L flows in the direction of the arrow Y2 and is collected in the second tank 14.
Further, the etching solution L from the discharge port 112 of the tank 11 is supplied to the second tank 14.
The etching solution L in the second tank 14 is supplied again to the tank 11 through the pipe 16 and the pump P1.

以上のようなエッチングの工程により、金属膜２２が選択的に除去されることとなる（図３（Ｂ））。   Through the etching process as described above, the metal film 22 is selectively removed (FIG. 3B).

次に、槽１１からエッチングが施された基板２を取り出し、洗浄する。
以上の工程により、図３（Ｂ）に示すように、基板２に対しエッチング処理したフレキシブル回路基板を得ることができる。 Next, the etched substrate 2 is taken out of the tank 11 and washed.
Through the above steps, a flexible circuit board obtained by etching the substrate 2 can be obtained as shown in FIG.

次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態では、基板２を槽１１内のエッチング液Ｌ中に浸漬させた状態で、槽１１内のエッチング液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板２の基板面に沿って流している。これにより基板２表面付近でエッチング液Ｌが滞留してしまうことが防止される。
これに加え、本実施形態では、障害物１８により、基板面に沿って流れるエッチング液の流れを乱している。これにより、基板面に沿って流れるエッチング液Ｌの少なくとも一部が新鮮なエッチング液Ｌに入れ替わりやすくなり、基板面により新鮮なエッチング液Ｌを接触させることができる。そのため、基板２の処理速度を向上させることができる。 Next, the effect of this embodiment is demonstrated.
In the present embodiment, with the substrate 2 immersed in the etching solution L in the tank 11, the etching solution L in the tank 11 extends from the upper side in the vertical direction toward the lower side along the substrate surface of the substrate 2. It is flowing. This prevents the etchant L from staying near the surface of the substrate 2.
In addition to this, in this embodiment, the obstacle 18 disturbs the flow of the etching solution flowing along the substrate surface. Thereby, at least a part of the etching solution L flowing along the substrate surface can be easily replaced with the fresh etching solution L, and the fresh etching solution L can be brought into contact with the substrate surface. Therefore, the processing speed of the substrate 2 can be improved.

また、本実施形態では、槽１１内のエッチング液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって流している。エッチング液Ｌが重力に従って流れることとなるので、エッチング液Ｌをスムーズに流すことができる。また、エッチング液Ｌを重力に従って流すことで、エッチング液Ｌの流れが安定したものとなる。
さらに、エッチング液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって重力に従って流すことで、処理装置１の装置構成の複雑化を抑制できる。 Moreover, in this embodiment, the etching liquid L in the tank 11 is made to flow toward the downward side from the vertical direction upper side. Since the etching liquid L flows according to gravity, the etching liquid L can be flowed smoothly. Moreover, the flow of the etching liquid L is stabilized by flowing the etching liquid L according to gravity.
Furthermore, the complexity of the apparatus configuration of the processing apparatus 1 can be suppressed by flowing the etching liquid L from the upper side in the vertical direction toward the lower side according to gravity.

本実施形態では、基板２の上方の供給口１１１から基板２の下方の排出口１１２へむけてエッチング液Ｌを流すため、基板面の鉛直方向において、基板２の処理速度の違いが生じやすい。たとえば、障害物１８を用いない場合、基板面の供給口１１１側に近い部分のエッチング速度は、排出口１１２に近い部分のエッチング速度に比べて速くなりやすい。
そこで、部材１８３を複数設け、基板面に対向させるとともに、鉛直方向上側から下側に向かって間隔をあけて配列させている。このように、部材１８３を、間隔をあけて配置することで乱流が発生する箇所を適宜設定することができる。これにより、基板面の鉛直方向に沿った処理速度の違いを修正することが可能となる。
本実施形態では、各部材１８３の大きさ形状を等しくし、部材１８３を基板面の鉛直方向上側から下側にわたって等間隔で配置することで、等間隔で均一な大きさの乱流を発生させることができる。これにより、基板面の鉛直方向における処理速度の違いを修正して、処理速度の均一化をはかることができる。 In the present embodiment, since the etching solution L flows from the supply port 111 above the substrate 2 toward the discharge port 112 below the substrate 2, a difference in the processing speed of the substrate 2 tends to occur in the vertical direction of the substrate surface. For example, when the obstacle 18 is not used, the etching rate at the portion near the supply port 111 side of the substrate surface is likely to be higher than the etching rate at the portion near the discharge port 112.
Therefore, a plurality of members 183 are provided to face the substrate surface, and are arranged at intervals from the upper side in the vertical direction to the lower side. Thus, the location where the turbulent flow is generated can be appropriately set by disposing the members 183 at intervals. This makes it possible to correct the difference in processing speed along the vertical direction of the substrate surface.
In this embodiment, each member 183 has the same size and shape, and the members 183 are arranged at equal intervals from the upper side to the lower side in the vertical direction of the substrate surface, thereby generating turbulent flow of uniform size at equal intervals. be able to. Thereby, the difference in processing speed in the vertical direction of the substrate surface can be corrected, and the processing speed can be made uniform.

また、部材１８３を直方体の棒状とし、部材１８３の長手方向を基板２の幅方向に沿うように部材１８３を配置している。これにより、基板２の幅方向（図１奥行き方向）に均一な乱れを発生させることができる。   The member 183 is a rectangular parallelepiped rod, and the member 183 is disposed so that the longitudinal direction of the member 183 is along the width direction of the substrate 2. Thereby, uniform disturbance can be generated in the width direction of the substrate 2 (the depth direction in FIG. 1).

さらに、各部材１８３を直方体の棒状とすることで、基板面の鉛直方向上側から下側にわたって均一な大きさのエッチング液Ｌの乱れを発生させることができる。   Further, by making each member 183 into a rectangular parallelepiped rod shape, it is possible to generate disorder of the etching solution L having a uniform size from the upper side to the lower side of the substrate surface in the vertical direction.

また、本実施形態では、平板に複数の貫通孔１８１，１８２を形成することで障害物１８を構成している。そのため、障害物１８の製造が容易となる。   Moreover, in this embodiment, the obstruction 18 is comprised by forming the several through-holes 181 and 182 in a flat plate. Therefore, manufacture of the obstacle 18 becomes easy.

さらに、本実施形態では、基板２を槽１１内のエッチング液Ｌ中に浸漬させた状態で、槽１１内のエッチング液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板２の基板面に沿って流し、排出している。他方向からのエッチング液Ｌの供給、排出がないので、エッチング液Ｌ中に異物が混入していても、槽１１内から異物を容易に排出することができる。そのため基板２に異物が付着することを抑制することができる。   Furthermore, in this embodiment, the substrate 2 is immersed in the etching solution L in the tank 11, and the etching solution L in the tank 11 is moved from the upper side in the vertical direction to the lower surface of the substrate 2. It is flowing along and discharging. Since the etchant L is not supplied and discharged from the other direction, the foreign matter can be easily discharged from the tank 11 even if foreign matter is mixed in the etchant L. For this reason, it is possible to prevent foreign matter from adhering to the substrate 2.

さらに、本実施形態では、槽１１からエッチング液Ｌをオーバーフローさせてエッチングを行っている。オーバーフローさせることで、基板２がエッチング液Ｌに浸漬した状態を確実に維持しながらエッチング液Ｌを基板２に対し施すことができる。   Further, in the present embodiment, the etching is performed by overflowing the etchant L from the tank 11. By making it overflow, the etching liquid L can be given with respect to the board | substrate 2, maintaining the state which the board | substrate 2 immersed in the etching liquid L reliably.

また、本実施形態では、槽１１内に基板２を一枚配置して、エッチングを行っている。そのため、槽１１は、基板２および障害物１８を配置でき、基板２の基板面側でエッチング液Ｌを流すことができる程度の大きさでよい。これにより、処理装置１の大型化を抑制することができる。   In this embodiment, one substrate 2 is arranged in the tank 11 and etching is performed. Therefore, the tank 11 may have a size that allows the substrate 2 and the obstacle 18 to be disposed and allows the etching solution L to flow on the substrate surface side of the substrate 2. Thereby, the enlargement of the processing apparatus 1 can be suppressed.

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
たとえば、前記実施形態では、板材に貫通孔１８１，１８２を形成することで、障害物１８を作製していたが、障害物はこれに限られるものではない。たとえば、図６に示すように、複数の正多角柱状（たとえば直方体や正三角柱）の部材３８１を用意して、これを一対の桟３８２にかけわたし、障害物３８を構成してもよい。
この場合も、複数の部材３８１が基板面と対向し、水平方向に延在するように障害物３８を配置することが好ましい。また、複数の部材３８１は等間隔で配置されていることが好ましい。
さらに、障害物の流れを乱す部材を円柱状の部材としてもよい。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.
For example, in the said embodiment, although the obstruction 18 was produced by forming the through-holes 181 and 182 in a board | plate material, an obstruction is not restricted to this. For example, as shown in FIG. 6, a plurality of regular polygonal columnar members (for example, a rectangular parallelepiped or a regular triangular prism) 381 may be prepared, and this may be applied to a pair of bars 382 to constitute an obstacle 38.
Also in this case, it is preferable to arrange the obstacle 38 so that the plurality of members 381 face the substrate surface and extend in the horizontal direction. The plurality of members 381 are preferably arranged at equal intervals.
Furthermore, the member that disturbs the flow of the obstacle may be a cylindrical member.

ただし、本発明者が乱流発生のシミュレーションを行ったところ、部材を正多角柱、特に直方体とし、基板面の上流側から下流側にかけて等間隔で配置した場合に、基板面の上流側から下流側にかけて均一な大きさの乱流が発生することがわかっている。したがって、部材は、多角柱、特に直方体とすることが好ましい。なお、シミュレーションは、以下の条件で行っている。
各部材間の鉛直方向の隙間１０ｍｍ、流速０．７４ｍ／ｓ、エッチング液の密度１０４０ｋｇ／ｍ３、粘度１×１０−３（Ｐａ・ｓ）。部材が直方体の場合には、長手方向と直交し、鉛直方向に沿った断面を２×４ｍｍとした。部材が円柱状の場合には径を２ｍｍとした。 However, when the present inventor performed simulation of turbulent flow generation, when the member is a regular polygonal column, particularly a rectangular parallelepiped, and is arranged at equal intervals from the upstream side to the downstream side of the substrate surface, the downstream side from the upstream side of the substrate surface. It has been found that a turbulent flow of uniform size occurs on the side. Therefore, the member is preferably a polygonal column, particularly a rectangular parallelepiped. The simulation is performed under the following conditions.
The vertical gap between the members is 10 mm, the flow rate is 0.74 m / s, the density of the etching solution is 1040 kg / m 3 , and the viscosity is 1 × 10 −3 (Pa · s). When the member was a rectangular parallelepiped, the cross section perpendicular to the longitudinal direction and along the vertical direction was 2 × 4 mm. When the member was cylindrical, the diameter was 2 mm.

また、前記実施形態では、障害物１８を板材で構成したが、これに限らず、たとえば、図７に示すように、槽１１の内壁と障害物４８とを一体化してもよい。
この障害物４８は、離間配置された部材４８１で構成される。各部材４８１は、槽１１の内壁に形成された凸部であり、基板面と対向する。部材４８１は、たとえば、直方体の棒状であり、基板面に沿って水平方向に延在する。各部材４８１は、同一の大きさ形状であり、基板面の上端側から下端側にわたって等間隔に配列されていることが好ましい。 Moreover, in the said embodiment, although the obstruction 18 was comprised with the board | plate material, as shown in FIG. 7, you may integrate the inner wall of the tank 11 and the obstruction 48, for example, as shown in FIG.
The obstacle 48 includes a member 481 that is spaced apart. Each member 481 is a convex portion formed on the inner wall of the tank 11 and faces the substrate surface. The member 481 has, for example, a rectangular parallelepiped rod shape and extends in the horizontal direction along the substrate surface. The members 481 have the same size and shape, and are preferably arranged at equal intervals from the upper end side to the lower end side of the substrate surface.

さらに、前記実施形態では、部材１８３は、基板面の上端側から下端側にわたって等間隔に配置されていたが、これに限られるものではない。
たとえば、基板面の上端側の処理速度が速く、下端側の処理速度が遅い場合には、基板面の下端側にのみ対向するように、部材１８３を配置してもよい。
また、基板面の所定の領域のみ処理速度を速めたい場合には、基板面の一部の領域にのみ対向する障害物を設置すればよい。
たとえば、従来、ひとつの基板面においてエッチング量を異なるものとする場合、エッチング液に基板を浸した後、所定の部分にマスクを形成し、マスクから露出する部分のみを再度エッチングする必要があった。
これに対し、本発明の処理装置を使用することで、局所的にエッチング速度を速めることができるので、従来のような再エッチングが不要となる。これにより、基板を迅速に処理することができ、生産性を向上させることができる。 Furthermore, in the said embodiment, although the member 183 was arrange | positioned at equal intervals from the upper end side of a substrate surface to the lower end side, it is not restricted to this.
For example, when the processing speed on the upper end side of the substrate surface is fast and the processing speed on the lower end side is slow, the member 183 may be disposed so as to face only the lower end side of the substrate surface.
Further, when it is desired to increase the processing speed only in a predetermined area on the substrate surface, it is only necessary to install an obstacle facing only a partial area on the substrate surface.
For example, conventionally, when the etching amount is different on one substrate surface, it is necessary to form a mask at a predetermined portion after the substrate is immersed in an etching solution and to etch only the portion exposed from the mask again. .
On the other hand, since the etching rate can be locally increased by using the processing apparatus of the present invention, the conventional re-etching becomes unnecessary. Thereby, a board | substrate can be processed rapidly and productivity can be improved.

さらに、前記実施形態では、処理装置をエッチング装置としたが、これに限らず、めっき装置、現像装置、剥離装置、水洗装置等としてもよい。エッチング液をめっき液、現像液、剥離液、水のいずれかに替えればよい。ただし、電解めっきを行う場合には、槽１１内に陽極を配置する必要がある。   Furthermore, in the said embodiment, although the processing apparatus was used as the etching apparatus, it is not restricted to this, It is good also as a plating apparatus, a developing device, a peeling apparatus, a washing apparatus, etc. The etching solution may be changed to any one of a plating solution, a developing solution, a stripping solution, and water. However, when performing electrolytic plating, it is necessary to arrange an anode in the tank 11.

１ 処理装置
２ 基板
１１ 槽
１３ 保持部
１４ 第二槽
１６ 配管
１８ 障害物
２１ 絶縁層
２２ 金属膜
３８ 障害物
４８ 障害物
１１１ 供給口
１１２ 排出口
１８１ 貫通孔
１８２ 貫通孔
１８３ 部材
３８１ 部材
３８２ 桟
４８１ 部材
Ｆ フィルター
Ｈ１ 寸法
Ｈ２ 寸法
Ｌ エッチング液（液体）
Ｍ マスク
Ｐ１ ポンプ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing apparatus 2 Substrate 11 Tank 13 Holding part 14 Second tank 16 Piping 18 Obstacle 21 Insulating layer 22 Metal film 38 Obstacle 48 Obstacle 111 Supply port 112 Discharge port 181 Through-hole 182 Through-hole 183 Member 381 Member 382 Bar 481 Member F Filter H1 Dimension H2 Dimension L Etching liquid (liquid)
M mask P1 pump

Claims (12)

基板に対し液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理装置において、
内部に前記液体が供給されるとともに、供給された前記液体に前記基板を浸漬させる槽と、
前記槽内部に配置される前記基板の基板面が鉛直方向に平行となるように前記基板を保持する保持部とを備え、
前記槽の前記液体の供給口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向上方にあり、
前記槽の前記液体の排出口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向下方にあり、
前記基板が前記槽内の前記液体に浸漬した状態で、前記供給口から前記排出口へ向かって液体を流す際に、基板面に沿って流れる流体の流れを乱す手段を備える基板の処理装置。 In a substrate processing apparatus for processing a substrate by bringing a liquid into contact with the substrate,
A tank for immersing the substrate in the supplied liquid while the liquid is supplied inside,
A holding unit that holds the substrate so that the substrate surface of the substrate disposed in the tank is parallel to the vertical direction;
The liquid supply port of the tank is vertically above the substrate held by the holding unit,
The liquid outlet of the tank is vertically lower than the substrate held by the holding part,
An apparatus for processing a substrate, comprising: means for disturbing a flow of a fluid flowing along a substrate surface when the substrate is immersed in the liquid in the tank and the liquid flows from the supply port toward the discharge port. 請求項１に記載の基板の処理装置において、
前記流れを乱す手段は、基板面に沿って流れる流体の流れを乱す複数の部材で構成され、
前記複数の部材は、前記基板の基板面に対し対向配置され、鉛直方向上側から下側に向かって間隔をあけて配列されている基板の処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The means for disturbing the flow is composed of a plurality of members for disturbing the flow of fluid flowing along the substrate surface,
The substrate processing apparatus, wherein the plurality of members are arranged to face the substrate surface of the substrate and are arranged at intervals from an upper side in a vertical direction. 請求項２に記載の基板の処理装置において、
各前記部材は、水平方向に延在する棒状の部材であり、同一の大きさ形状である基板の処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2,
Each of the members is a bar-shaped member extending in the horizontal direction, and is a substrate processing apparatus having the same size and shape. 請求項３に記載の基板の処理装置において、
前記複数の部材は、同一の大きさの直方体の棒状の部材であり、
複数の部材が前記基板面の鉛直方向上端側から下端側にわたって等間隔で配列されている基板の処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3,
The plurality of members are rectangular parallelepiped rod-shaped members having the same size,
A substrate processing apparatus in which a plurality of members are arranged at equal intervals from the upper end to the lower end in the vertical direction of the substrate surface. 請求項２乃至４のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記流れを乱す手段は、平板で構成され、
前記平板には、一対の対向する板面を貫通するとともに、貫通方向と直交する方向に延在する複数の貫通孔が形成され、
前記複数の貫通孔は、延在方向が互いに平行であり、
隣接する前記貫通孔に挟まれた領域が前記部材となる基板の処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 2 to 4,
The means for disturbing the flow comprises a flat plate,
The flat plate has a plurality of through-holes extending through a pair of opposing plate surfaces and extending in a direction orthogonal to the through direction,
The plurality of through holes have extending directions parallel to each other,
A substrate processing apparatus in which a region sandwiched between adjacent through holes serves as the member. 請求項１乃至４のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記流れを乱す手段は、前記槽の内壁に取り付けられている基板の処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The means for disturbing the flow is a substrate processing apparatus attached to an inner wall of the tank. 請求項１乃至６のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記流れを乱す手段は、前記基板の基板面に対し対向配置され、
前記基板を前記流れを乱す手段に対して鉛直方向に沿って相対的に移動させる手段を備える基板の処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6,
The means for disturbing the flow is disposed opposite to the substrate surface of the substrate,
A substrate processing apparatus comprising means for moving the substrate relative to the means for disturbing the flow along a vertical direction. 請求項１乃至７のいずれかに記載の基板の処理装置において、
当該液体は、エッチング液であり、
当該基板の処理装置は基板をエッチングするエッチング装置である基板の処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7,
The liquid is an etchant,
The substrate processing apparatus is an etching apparatus for etching a substrate. 請求項１乃至７のいずれかに記載の基板の処理装置において、
当該液体は、めっき液であり、
当該基板の処理装置は基板をめっきするめっき装置である基板の処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7,
The liquid is a plating solution,
The substrate processing apparatus is a plating apparatus for plating a substrate. 請求項１乃至７のいずれかに記載の基板の処理装置において、
当該液体は、水であり、
当該基板の処理装置は基板を水洗する水洗装置である基板の処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7,
The liquid is water;
The substrate processing apparatus is a rinsing apparatus for rinsing a substrate. 請求項１乃至１０のいずれかに記載の基板の処理装置を使用した基板の処理方法であって、
前記基板の基板面が鉛直方向と平行となるように、前記保持部に前記基板を保持させる工程と、
前記基板を前記槽内の前記液体中に浸漬させるとともに、前記供給口から前記排出口へ向かって液体を流す工程とを含み、
前記供給口から前記排出口へ向かって液体を流す前記工程では、前記流れを乱す手段により、前記基板面に沿って流れる流体の流れを乱す基板の処理方法。 A substrate processing method using the substrate processing apparatus according to claim 1, comprising:
Holding the substrate in the holding portion so that the substrate surface of the substrate is parallel to the vertical direction;
Immersing the substrate in the liquid in the tank, and flowing the liquid from the supply port toward the discharge port,
In the step of flowing a liquid from the supply port toward the discharge port, a substrate processing method for disturbing a flow of a fluid flowing along the substrate surface by means for disturbing the flow. 請求項１１に記載の基板の処理方法において、
前記流れを乱す手段は、前記基板の基板面に対し平行に対向配置され、
前記流れを乱す手段と、前記基板の基板面との間の距離をｄ（ｍ）、
基板面に沿って流れる流体の流速をｕ（ｍ／ｓ）、
前記液体の動粘性係数をν（ｍ２／ｓ）とした場合、
ｕｄ／νの値が２０００以上である基板の処理方法。 The substrate processing method according to claim 11,
The means for disturbing the flow is disposed opposite and parallel to the substrate surface of the substrate,
The distance between the means for disturbing the flow and the substrate surface of the substrate is d (m),
The flow velocity of the fluid flowing along the substrate surface is u (m / s),
When the kinematic viscosity coefficient of the liquid is ν (m 2 / s),
A substrate processing method in which the value of ud / ν is 2000 or more.
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