JP2012042377A - 位置検出センサ - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、サイン相コイルと励磁コイル間の距離とコサイン相コイルと励磁コイル間の距離とが実質的に等しくなるようにして検出精度を向上させることである。
【解決手段】本発明に係る位置検出センサの第1部材20は、絶縁層を介して積層された二層のコイル形成層23,25を備え、それらのコイル形成層23,25が第2部材と平行になるように構成されており、サイン相コイル、コサイン相コイルは、第1部材20の相対移動方向に延びる仮想分割線の位置で相対移動方向に対する右側と左側とに分割された左右のコイル分割片がつなぎ合わされることにより構成されており、相対移動方向に対する右側のサイン相コイル分割片30xと相対移動方向に対する左側のコサイン相コイル分割片40yとが一方のコイル形成層23に設けられて、左側のサイン相コイル分割片30yと右側のコサイン相コイル分割片40xとが他方のコイル形成層25に設けられている。
【選択図】図7

Description

本発明は、隙間を介して互いに平行に配置され、その隙間を保持した状態で相対的に移動可能に構成されている第1部材と第2部材との位置関係を求める位置検出センサに関する。
電気自動車等において使用されるブラシレスモータでは、モータの出力軸の回転角度を検出するためにレゾルバが一般的に設けられている。そして、このレゾルバに関する技術が特許文献1に記載されている。
特許文献1に記載のレゾルバ100は、図15に示すように、隙間Gを介して互いに平行に配置されたリング状のステータ102とロータ104とを備えており、前記ステータ102がモータの固定子(図示省略)側、前記ロータ104がモータの回転子(図示省略)側に固定されている。ロータ104には、基板の表裏に励磁コイル106が設けられている。また、ステータ102には、同じく基板の表裏に電気角が90°ずれた状態で一対のサイン相コイル108とコサイン相コイル109(検出コイル)が設けられている。そして、前記ステータ102に対するロータ104の回転に起因する励磁コイル106の磁界の変化を検出コイル108,109で誘導起電力として検出し、前記誘導起電力に基づいて前記ロータ104の回転角度を演算できるように構成されている。
特開平8−136211号公報
上記したレゾルバ100では、ステータ102の基板の表側にサイン相コイル108、前記基板の裏側にコサイン相コイル109を設ける構成である。このため、励磁コイル106とサイン相コイル108間の距離と励磁コイル106とコサイン相コイル109間の距離が異なり、前記サイン相コイル108とコサイン相コイル109間で出力差が生じて、検出精度が低くなる。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、本発明の技術的課題は、サイン相コイルと励磁コイル間の距離とコサイン相コイルと励磁コイル間の距離とが実質的に等しくなるようにして検出精度を向上させることである。
上記した課題は、各請求項の発明によって解決される。
請求項1の発明は、隙間を介して互いに平行に配置され、その隙間を保持した状態で相対的に移動可能に構成されている第1部材と第2部材と、前記第1部材に電気角を90°ずらした状態で設けられた一対のサイン相コイルとコサイン相コイルと、前記第2部材、あるいは前記第1部材に設けられた基準コイルとを有し、前記一対のサイン相コイルとコサイン相コイル、あるいは基準コイルの一方を検出コイルにし、前記一対のサイン相コイルとコサイン相コイル、あるいは基準コイルの他方を励磁コイルにし、前記励磁コイルで発生する磁界の変化を前記検出コイルで誘導起電力として検出し、前記誘導起電力の変化に基づいて前記第1部材と前記第2部材との位置関係を演算する構成であり、前記第1部材は、絶縁層を介して積層された二層のコイル形成層を備え、それらのコイル形成層が前記第2部材と平行になるように構成されており、前記サイン相コイル、前記コサイン相コイルは、前記第1部材の相対移動方向に延びる仮想分割線の位置で相対移動方向に対する右側と左側とに分割された左右のコイル分割片がつなぎ合わされることにより構成されており、前記相対移動方向に対する右側のサイン相コイル分割片と前記相対移動方向に対する左側のコサイン相コイル分割片とが一方のコイル形成層に設けられて、左側のサイン相コイル分割片と右側のコサイン相コイル分割片とが他方のコイル形成層に設けられていることを特徴とする。
本発明によると、第1部材は、絶縁層を介して積層された二層のコイル形成層を備え、それらのコイル形成層が第2部材と平行になるように構成されている。このため、第1部材の一方のコイル形成層と第2部材間の距離と、第1部材の他方のコイル形成層と第2部材間の距離とは異なっている。
しかし、サイン相コイルは左右のサイン相コイル分割片からなり、コサイン相コイルは左右のコサイン相コイル分割片から構成される。さらに、右側のサイン相コイル分割片と左側のコサイン相コイル分割片とが一方のコイル形成層に設けられており、左側のサイン相コイル分割片と右側のコサイン相コイル分割片とが他方のコイル形成層に設けられている。このため、第2部材に基準コイルが設けられている場合に、その基準コイルと第1部材のサイン相コイル間の距離と、前記基準コイルと第1部材のコサイン相コイル間の距離とは実質的に等しくなる。
これにより、基準コイルと、サイン相コイル、コサイン相コイルとの距離の違いに起因した出力誤差が解消され、検出精度が向上する。
請求項2の発明によると、第1部材のコイル形成層は基板状に形成されてサイン相コイル分割片、コサイン相コイル分割片がそれぞれ同一面上にプリントされていることを特徴とする。
請求項3の発明によると、第1部材の絶縁層が絶縁基板状に形成されて、絶縁基板の表裏に前記コイル形成層が設けられていることを特徴とする。
上記したようにプリント基板を用いることができるので、製造コストを低減させることができる。さらに、コイル形成層、絶縁層の厚み寸法を小さくできるため、一方のコイル形成層と他方のコイル形成層との距離が小さくなり、一方のコイル形成層と他方のコイル形成層との距離に起因する誤差を低減させることができる。
請求項4の発明によると、第1部材と第2部材とはリング状に形成されて、同軸に相対回転する構成であり、サイン相コイル、コサイン相コイルは、円周方向に延びる仮想分割線の位置で半径方向外側と半径方向内側とに分割された内外のコイル分割片がつなぎ合わされることにより構成されており、半径方向外側のサイン相コイル分割片と半径方向内側のコサイン相コイル分割片とが一方のコイル形成層に設けられており、半径方向内側のサイン相コイル分割片と半径方向外側のコサイン相コイル分割片とが他方のコイル形成層に設けられていることを特徴とする。
これにより、第1部材と第2部材との相対回転角度を精度良く検出することができる。
なお、第1部材が第2部材に対して右回転する場合には、半径方向内側が移動方向に対する右側に相当し、半径方向外側が移動方向に対する左側に相当する。また、第1部材が第2部材に対して左回転する場合には、半径方向内側が移動方向に対する左側に相当し、半径方向外側が移動方向に対する右側に相当する。
請求項5の発明によると、第1部材と前記第2部材との間で電気信号の伝送に使用されるロータリトランスを備えており、前記ロータリトランスのコイルが前記コイル形成層のサイン相コイル分割片とコサイン相コイル分割片との半径方向内側に設けられていることを特徴とする。
このように、サイン相コイル分割片、コサイン相コイル分割片がロータリトランスのコイルに囲まれないため、サイン相コイル分割片、コサイン相コイルがロータリトランスの磁界の影響を受け難くなる。
請求項6の発明によると、ロータリトランスのコイルのリード線が、並べられた状態で、サイン相コイル分割片、あるいはコサイン相コイル分割片に形成された円周方向における隙間を通って半径方向外側に延びるように設けられていることを特徴とする。
このように、ロータリトランスのコイルのリード線が並べられた状態で設けられているため、サイン相コイル分割片、コサイン相コイル分割片がロータリトランスのコイルのリード線に囲まれることがなく、サイン相コイル分割片、コサイン相コイルがロータリトランスの磁界の影響を受け難くなる。
請求項7の発明によると、サイン相コイルとコサイン相コイルとを備える第1部材は固定されており、基準コイルを備える第2部材は、前記第1部材に対して移動できるように構成されていることを特徴とする。
請求項8の発明によると、基準コイルを備える第2部材は固定されおり、サイン相コイルとコサイン相コイルとを備える第1部材は、前記第2部材に対して移動できるように構成されていることを特徴とする。
請求項9の発明によると、サイン相コイルとコサイン相コイルと基準コイルを備える第1部材は固定されており、第2部材は、非磁性導電材料により形成されて、前記第1部材に対して移動できるように構成されていることを特徴とする。
本発明によると、サイン相コイルとコサイン相コイルと基準コイルが第1部材に設けられているため、前記第1部材と第2部材間で電気信号の伝送に使用されるロータリトランスが不要になる。
本発明によると、基準コイルと、サイン相コイル、コサイン相コイルとの距離の違いに起因した出力誤差が解消され、検出精度が向上する。
本発明の実施形態1に係る位置検出センサの信号ブロック図である。 前記位置検出センサのステータに設けられたサイン相コイルを表す平面図である。 半径方向内側のサイン相コイル分割片を表す平面図(A図)、半径方向外側のサイン相コイル分割片を表す平面図(B図)である。 前記位置検出センサのステータに設けられたコサイン相コイルを表す平面図である。 半径方向外側のコサイン相コイル分割片を表す平面図(A図)、半径方向内側のコサイン相コイル分割片を表す平面図(B図)である。 前記位置検出センサのステータに設けられたロータリトランスの一次コイルの平面図(A図)、A図のB部拡大図(B図)、一次コイルの平面図(C図)、C図のD部拡大図(D図)である。 位置検出センサのステータを表す分解斜視図である。 前記ステータの下段コイル形成層を表す拡大斜視図である。 前記ステータの上段コイル形成層を表す拡大斜視図である。 位置検出センサのロータを表す分解斜視図である。 前記ロータに設けられた励磁コイルとロータリトランスの二次コイルとの配線を表す模式図である。 前記位置検出センサのステータとロータとを表す模式縦断面図である。 前記位置検出センサをブラシレスモータに取付けた状態を表す縦断面図である。 本発明の変更例に係る位置検出センサの信号ブロック図である。 従来の位置検出センサ(レゾルバ)のステータとロータとを表す模式縦断面図である。
[実施形態1]
以下、図1から図14に基づいて本発明の実施形態1に係る位置検出センサ(レゾルバ)の説明を行う。
<位置検出センサ10の概要について>
本実施形態に係る位置検出センサ10は、例えば、ブラシレスモータ90(図13参照)の出力軸の回転角度を検出するためのものである。位置検出センサ10は、図1のブロック図に示すように、センサ部10sと、前記センサ部10sを動作させ、そのセンサ部10sからの信号を処理して演算する制御部10eとから構成されている。さらに、位置検出センサ10のセンサ部10sは、図1、図13に示すように、ブラシレスモータ90の固定子側(ケース蓋部92)に固定されるリング状のステータ20と、ブラシレスモータ90の回転子94側に固定されるリング状のロータ60とから構成されている。位置検出センサ10のステータ20とロータ60とは同軸に位置決めされており、ステータ20の上面20uがロータ60の下面60dと一定の隙間Gを介して対向している。なお、図13において上側がステータ20とロータ60の上側、図13において下側がステータ20とロータ60の下側として以下の説明を行う。
位置検出センサ10のステータ20には、図1に示すように、電気角を90°ずらした状態で設けられたサイン相コイル30とコサイン相コイル40と、そのステータ20とロータ60間で電気信号を伝送するためのロータリトランス50の一次コイル51とが設けられている。
また、位置検出センサ10のロータ60には、ロータリトランス50の二次コイル55と励磁コイル70とが設けられている。
即ち、前記励磁コイル70が本発明の基準コイルに相当し、前記サイン相コイル30、コサイン相コイル40が本発明の検出コイルに相当する。また、前記ステータ20が本発明の第1部材に相当し、前記ロータ60が本発明の第2部材に相当する。
上記構成により、位置検出センサ10の制御部10eに設けられた入力信号発生器11から高周波の交流電圧がロータリトランス50の一次コイル51に加えられると、この交流電圧がロータリトランス50の二次コイル55を介してロータ60の励磁コイル70に加えられる。これにより、励磁コイル70に交番磁界が発生する。この交番磁界により、前記励磁コイル70とサイン相コイル30、及びコサイン相コイル40間の相互インダクタンスの大きさに応じてサイン相コイル30、及びコサイン相コイル40に誘導起電力が発生する。ここで、サイン相コイル30、及びコサイン相コイル40の各コイルから得られる出力電圧の大きさは、サイン相コイル30、及びコサイン相コイル40に対する励磁コイル70、即ち、ロータ60の回転角度θ(電気角)に応じた値になる。
サイン相コイル30の出力信号は、図1に示すように、制御部10eの同期検波器12sに入力されて一定時間毎にサンプリングされ、積分回路13sで平滑化されることで高周波成分が除去される。これにより、サイン相コイル30の積分回路13sの出力信号SOは、ロータ60の回転角度θの関数となり、正弦波(sinθ)で表される。同様に、コサイン相コイル40の出力信号COも、制御部10eの同期検波器12c、積分回路13cの働きでロータ60の回転角度θの関数となる。しかし、前述のように、サイン相コイル30とコサイン相コイル40とは、電気角を90°ずらした状態で設置されているため、コサイン相コイル40の出力信号COはサイン相コイル30の出力信号SOに対して電気角で90°ずれており、余弦波(cosθ)で表される。
このため、演算器15でサイン相コイル30の出力信号SOをコサイン相コイル40の出力信号COで除してtanθを求めることで、ロータ60の回転角度θは、θ=tan-1 SO/COにより求めることができる。
<サイン相コイル30の具体的な構成について>
サイン相コイル30は、図2の平面図に示すように、直列に接続された第1コイル31、第2コイル32、第3コイル33、及び第4コイル34とから構成されている。第1〜第4コイル31,32,33,34は、中心角が略90°の円弧状に形成されており、後記するように、ステータ20を構成するリング状の上段コイル形成層25、下段コイル形成層23の表面に円周方向に90°間隔で形成されている。
サイン相コイル30の第1コイル31は外側から内側に右巻きされており、第2コイル32は内側から外側に左巻きされている。また、第3コイル33は外側から内側に右巻きされており、第4コイル34は内側から外側に左巻きされている。さらに、第1〜第4コイル31,32,33,34は等しい巻数で巻かれており、各々のコイル31,32,33,34における導体の円周方向における間隔は内側になるほど大きく設定されている。また、第1コイル31における導体の間隔と、第2コイル32における導体の間隔と、第3コイル33における導体の間隔と、第4コイル34における導体の間隔とは等しく設定されている。さらに、第1コイル31と第2コイル32間の間隔と、第2コイル32と第3コイル33間の間隔と、第3コイル34と第4コイル34間の間隔と、第4コイル34と第1コイル31間の間隔とは等しく設定されている。
そして、第1コイル31の一端(外周側の端末)がリード線31eによって端子T1に接続されており、第1コイル31の内周側の端末Gが渡り線31wによって第2コイル32の内周側の端末Hに接続されている。また、第2コイル32の外周側の端末が渡り線32wによって第3コイル33の外周側の端末に接続されており、第3コイル33の内周側の端末Lが渡り線33wによって第4コイル34の内周側の端末Xに接続されている。さらに、第4コイル34の外周側の端末がリード線34eによって端子T5に接続されている。
上記構成により、例えば、サイン相コイル30に対して直角(紙面に対して直角)な幅の小さい一定磁界がそのサイン相コイル30の第1コイル31の位置を円周方向に通過すると、第1コイル31で発生する誘導起電力は正弦波状に変化するようになる。即ち、前記磁界が第1コイル31の位置(0°〜90°)を移動すると、誘導起電力は正弦波状に0°〜180°の範囲で変化するようになる。また、前記磁界が第2コイル32の位置を通過すると、第2コイル32で発生する誘導起電力は第1コイル31とは逆向き(マイナス)の正弦波状に変化するようになる。即ち、磁界が第2コイル32の位置を90°〜180°移動すると、誘導起電力は正弦波状に180°〜360°の範囲で変化するようになる。同様に、前記磁界が第3コイル33の位置を通過すると第3コイル33で発生する誘導起電力はプラス(第1コイル31と同じ向き)の正弦波状に変化し、前記磁界が第4コイル34の位置を通過すると第4コイル34で発生する誘導起電力はマイナスの正弦波状に変化するようになる。
即ち、第1コイル31、第2コイル32が設けられている0°〜180°の範囲(機械角0°〜180°)が電気角(0°〜360°)に相当するようになる。
サイン相コイル30は、仮想分割線Z(図2参照)の位置で半径方向外側と内側とに分割されたサイン相コイル分割片30x(図3(B)参照)とサイン相コイル分割片30y(図3(A)参照)から構成されている。ここで、仮想分割線Zは、サイン相コイル30の半径方向における中央位置に設けられている。そして、半径方向外側のサイン相コイル分割片30x(図3(B)参照)が、後記するステータ20の下段コイル形成層23に設けられ、半径方向内側のサイン相コイル分割片30y(図3(A)参照)がステータ20の上段コイル形成層25に設けられている。
半径方向外側のサイン相コイル分割片30x(図3(B)参照)と、半径方向内側のサイン相コイル分割片30y(図3(A)参照)とは、第1コイル31の接続点a1,b1・・n1,o1の位置と、第2コイル32の接続点a2,b2・・n2,o2の位置と、第3コイル33の接続点a3,b3・・n3,o3の位置と、第4コイル34の接続点a4,b4・・n4,o4の位置とでそれぞれ接続されるようになっている。さらに、半径方向外側のサイン相コイル分割片30x(図3(B)参照)の渡り線32w,33w等と、半径方向内側のサイン相コイル分割片30y(図3(A)参照)の渡り線31w,33w等とはそれぞれ所定位置に接続されるようになっている。このように、半径方向外側のサイン相コイル分割片30xと半径方向内側のサイン相コイル分割片30yとがつなぎ合わされることで図2に示すサイン相コイル30が構成されるようになる。
<コサイン相コイル40の具体的な構成について>
コサイン相コイル40は、図4の平面図に示すように、直列に接続された第1コイル41、第2コイル42、第3コイル43、及び第4コイル44とから構成されている。第1〜第4コイル41,42,43,44は、中心角が略90°の円弧状に形成されており、サイン相コイル30に対して位相を電気角で90°(機械角で45°)ずらした状態で形成されている。
コサイン相コイル40の第1コイル41は内側から外側に左巻きされており、第2コイル42は外側から内側に右巻きされている。また、第3コイル43は内側から外側に左巻きされており、第4コイル44は外側から内側に右巻きされている。さらに、第1〜第4コイル41,42,43,44は、サイン相コイル30の第1〜第4コイル31,32,33,34と等しい巻数で巻かれており、各々のコイル41,42,43,44における導体の円周方向における間隔は内側になるほど大きく設定されている。また、第1コイル41における導体の間隔と、第2コイル42における導体の間隔と、第3コイル43における導体の間隔と、第4コイル44における導体の間隔とは等しく設定されている。さらに、第1コイル41と第2コイル42間の間隔と、第2コイル42と第3コイル43間の間隔と、第3コイル44と第4コイル44間の間隔と、第4コイル44と第1コイル41間の間隔とは等しく設定されている。
そして、第1コイル41の一端(内周側の端末T2)がリード線41eによって端子T2に接続されており、第1コイル41の外周側の端末が渡り線41wによって第2コイル42の外周側の端末に接続されている。また、第2コイル42の内周側の端末Oが渡り線42wによって第3コイル43の内周側の端末Pに接続されており、第3コイル43の外周側の端末が渡り線43wによって第4コイル34の外周側の端末に接続されている。さらに、第4コイル44の内周側の端末T6がリード線44eによって端子T6に接続されている。
コサイン相コイル40は、仮想分割線Z(図4参照)の位置で半径方向外側と内側とに分割されたコサイン相コイル分割片40x(図5(A)参照)とコサイン相コイル分割片40y(図5(B)参照)から構成されている。そして、半径方向内側のコサイン相コイル分割片40y(図5(B)参照)が、後記するステータ20の下段コイル形成層23に設けられ、半径方向外側のコサイン相コイル分割片40x(図5(A)参照)がステータ20の上段コイル形成層25に設けられている。
半径方向外側のコサイン相コイル分割片40x(図5(A)参照)と、半径方向内側のコサイン相コイル分割片40y(図5(B)参照)とは、第1コイル41の接続点a5,b5・・n5,o5の位置と、第2コイル42の接続点a6,b6・・n6,o6の位置と、第3コイル43の接続点a7,b7・・n7,o7の位置と、第4コイル44の接続点a8,b8・・n8,o8の位置とでそれぞれ接続される。さらに、半径方向外側のコサイン相コイル分割片40x(図5(A)参照)の渡り線41w,43w等と、半径方向内側のコサイン相コイル分割片40y(図5(B)参照)の渡り線42w等とはそれぞれ所定位置に接続される。このように、半径方向外側のコサイン相コイル分割片40xと半径方向内側のコサイン相コイル分割片40yとがつなぎ合わされることで図4に示すコサイン相コイル40が構成される。
<ロータリトランス50の一次コイル51について>
ロータリトランス50の一次コイル51は、サイン相コイル30、コサイン相コイル40の半径方向内側に配置されて円環状に巻かれたコイルであり、図6に示すように、上段側コイル51uと下段側コイル51dとから構成されている。下段側コイル51d(図6(C)(D)参照)は、後記するステータ20の下段コイル形成層23に設けられ、上段側コイル51u(図6(A)(B)参照)はステータ20の上段コイル形成層25に設けられる。そして、下段側コイル51dと上段側コイル51uとが同方向に巻かれて直列に接続されている。即ち、端子T3に接続されたリード線513(図6(C)参照)の端末S1がリード線511(図6(A)参照)の一端S1に接続され、そのリード線511の他端S2が下段側コイル51dの外周側の端末S2(図6(C)参照)に接続される。そして、下段側コイル51dの内周側の端末Y1が上段側コイル51uの内周側の端末Y1に接続され、上段側コイル51uの外周側の端末がリード線512、接続部Y2、及びリード線514(図6(C)参照)を介して端子T4に接続されている。
<ステータ20の構成について>
ステータ20は、図7、図12に示すように、ベース平板21と、下段絶縁層22と、下段コイル形成層23と、中間絶縁層24と、上段コイル形成層25と、上段絶縁層26とからリング状に構成されている。そして、図12に示すように、ベース平板21上に下段絶縁層22、下段コイル形成層23、中間絶縁層24、上段コイル形成層25、及び上段絶縁層26が順番に積層され、前記ベース平板21によりステータ20が、図13に示すように、ブラシレスモータ90のケース蓋部92に固定される。
下段コイル形成層23には、図8に示すように、中央位置にロータリトランス50の一次コイル51の下段側コイル51dが設けられており、その下段側コイル51dの外側に、半径方向内側のコサイン相コイル分割片40yが前記下段側コイル51dと同軸に設置されている。さらに、そのコサイン相コイル分割片40yの外側に、半径方向外側のサイン相コイル分割片30xが同軸に設置されている。
そして、下段コイル形成層23の外周縁の所定位置にサイン相コイル30の端子T1,T5と、コサイン相コイル40の端子T2,T6と、ロータリトランス50の一次コイル51の端子T3,T4とが設けられている。ここで、ロータリトランス50の一次コイル51のリード線513,514は平行に並べられた状態で、サイン相コイル分割片30xの第1コイル31と第4コイル34との円周方向における隙間を通って半径方向外側に延びるように配線されている(図8参照)。
また、下段コイル形成層23は、基板状に形成されており、ロータリトランス50の一次コイル51の下段側コイル51d、半径方向内側のコサイン相コイル分割片40y、及び半径方向外側のサイン相コイル分割片30xは基板上(同一面上)にプリントされている。
上段コイル形成層25には、図9に示すように、中央位置にロータリトランス50の一次コイル51の上段側コイル51uが設けられており、その上段側コイル51uの外側に、半径方向内側のサイン相コイル分割片30yが前記上段側コイル51uと同軸に設置されている。さらに、そのサイン相コイル分割片30yの外側に、半径方向外側のコサイン相コイル分割片40xが同軸に設置されている。
さらに、ロータリトランス50の一次コイル51のリード線511,512は平行に並べられた状態で、サイン相コイル分割片30yの第1コイル31と第4コイル34との円周方向における隙間を通って半径方向外側に延びるように配線されている(図9参照)。
上段コイル形成層25は、基板状に形成されており、ロータリトランス50の一次コイル51の上段側コイル51u、半径方向内側のサイン相コイル分割片30y、及び半径方向外側のコサイン相コイル分割片40xは基板上(同一面上)にプリントされている。
上段コイル形成層25と下段コイル成形層との間に位置する中間絶縁層24には、図7に示すように、サイン相コイル30とコサイン相コイル40との仮想分割線Zに対応する位置にリング状の窓部24wが形成されている。そして、中間絶縁層24の窓部24wの位置で、図12に示すように、半径方向外側のサイン相コイル分割片30xと、半径方向内側のサイン相コイル分割片30yとが、第1コイル31の接続点a1,b1・・n1,o1の位置と、第2コイル32の接続点a2,b2・・n2,o2の位置と、第3コイル33の接続点a3,b3・・n3,o3の位置と、第4コイル34の接続点a4,b4・・n4,o4の位置とで接続される。同様に、中間絶縁層24の窓部24wの位置で、半径方向外側のコサイン相コイル分割片40xと半径方向内側のコサイン相コイル分割片40yとが各々の接続点で接続される。また、中間絶縁層24には、サイン相コイル30の渡り線31w,32w,33w等を接続するための窓部(図示省略)、及びコサイン相コイル40の渡り線41w,42w,43w等を接続するための窓部(図示省略)が設けられている。
<ロータ60の構成について>
位置検出センサ10のロータ60は、図10に示すように、ベース平板61と、下段絶縁層62、下段コイル形成層63と、中間絶縁層64と、上段コイル形成層65と、上段絶縁層66とからリング状に構成されている。そして、ベース平板61上に下段絶縁層62、下段コイル形成層63、中間絶縁層64、上段コイル形成層65、及び上段絶縁層66が順番に積層される。前記ロータ60は、図12に示すように、上段絶縁層66がステータ20の上段絶縁層26と対向するように、上下が逆転した状態で前記ベース平板61によりブラシレスモータ90の回転子94に固定される(図13参照)。
下段コイル形成層63と上段コイル形成層65とには、中央位置にロータリトランス50の二次コイル55が設置されており、その二次コイル55の外側に第1コイル71、第2コイル72、第3コイル73、及び第4コイル74からなる励磁コイル70が設けられている。
励磁コイル70の第1〜第4コイル71,72,73,74は、中心角が略90°の円弧状に形成されており、図11に示すように、第1コイル71が右巻き、第2コイル72が左巻き、第3コイル73が右巻き、第4コイル74が左巻きに形成されている。そして、励磁コイル70の第1〜第4コイル71,72,73,74とロータリトランス50の二次コイル55とが直列に接続されている。
前述のように、ロータ60はステータ20と同軸に位置決めされており、ロータ60の下面60dはステータ20の上面20uに対して一定の隙間Gを介して対向している(図12参照)。このため、ロータ60の下段コイル形成層63、上段コイル形成層65とステータ20の下段コイル形成層23、上段コイル形成層25とは平行に保持されている。ここで、ロータ60の励磁コイル70からステータ20の下段コイル形成層23までの距離と、ロータ60の励磁コイル70からステータ20の上段コイル形成層25までの距離とは異なっている。しかし、半径方向外側のサイン相コイル分割片30xと半径方向内側のコサイン相コイル分割片40yとが下段コイル形成層23に設けられており、半径方向内側のサイン相コイル分割片30yと半径方向外側のコサイン相コイル分割片40xとが上段コイル形成層25に設けられている。このため、ロータ60の励磁コイル70とステータ20のサイン相コイル30間の距離と、ロータ60の励磁コイル70とステータ20のコサイン相コイル40間の距離とは実質的に等しくなる。この結果、ロータ60の励磁コイル70とステータ20のサイン相コイル30間の相互インダクタンスと、ロータ60の励磁コイル70とステータ20のコサイン相コイル40間の相互インダクタンスがほぼ等しくなる。したがって、励磁コイル70に磁界が発生している状態でロータ60がステータ20に対して回転し、前述のように、ステータ20のサイン相コイル30、コサイン相コイル40にロータ60の回転角度θ(電気角)に応じた誘導起電力が発生すると、サイン相コイル30、コサイン相コイル40で発生する誘導起電力(出力)の大きさはほぼ等しくなる。
<本実施形態に係る位置検出センサ10の長所について>
本実施形態に係る位置検出センサ10によると、上記したように、ロータ60の励磁コイル70とステータ20のサイン相コイル30間の距離と、ロータ60の励磁コイル70とステータ20のコサイン相コイル40間の距離とが実質的に等しくなる。このため、励磁コイル70と、サイン相コイル30、コサイン相コイル40との距離の違いに起因した出力誤差が解消され、検出精度が向上する。
さらに、サイン相コイル30、コサイン相コイル40を半径方向外側と内側とに分割して各々のコイル分割片をつなぎ合わせる構成のため、例えば、サイン相コイル30、コサイン相コイル40を円周方向に分割する場合と比較して、各コイル分割片の接続点の間隔を広くとることができる。このため、サイン相コイル30、コサイン相コイル40の各コイル分割片のつなぎ合わせが容易になるとともに、各コイル30,40の配置の自由度が向上する。
また、ステータ20の上段コイル形成層25、下段コイル形成層23は基板状に形成されて、ロータリトランス50の一次コイル51、コサイン相コイル40、及びサイン相コイル30は基板上にプリントされるため、製造コストを低減させることができる。さらに、上段、下段コイル形成層25,23と中間絶縁層24の厚み寸法を小さくできるため、上段コイル形成層25と下段コイル形成層23との距離が小さくなり、上段コイル形成層25と下段コイル形成層23との距離差に起因する誤差を低減させることができる。
また、ロータリトランス50の一次コイル51がサイン相コイル30、コサイン相コイル40の半径方向内側に設けられることで、サイン相コイル30、コサイン相コイル40がロータリトランス50の一次コイル51に囲まれなくなるため、サイン相コイル30、コサイン相コイル40がロータリトランス50の磁界の影響を受け難くなる。
また、ロータリトランス50の一次コイル51のリード線511(513),512(514)は平行に並べられた状態で、サイン相コイル30の第1コイル31と第4コイル34との円周方向における隙間を通って半径方向外側に延びるように配線されている。即ち、サイン相コイル30、コサイン相コイル40がロータリトランス50の一次コイル51のリード線511(513),512(514)に囲まれなくなるため、サイン相コイル30、コサイン相コイル40がロータリトランスの磁界の影響を受け難くなる。
<変更例>
ここで、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における変更が可能である。例えば、本実施形態では、位置検出センサ10のロータ60に励磁コイル70とロータリトランス50の二次コイル55を設ける例を示した。しかし、図14に示すように、励磁コイル70をステータ20側に設け、ロータ60を非磁性導電材料(例えば、SUS305)により形成してロータリトランス50を省略することも可能である。この場合、励磁コイル70は、図8、図9において、サイン相コイル30、コサイン相コイル40を囲んで円環状に設けられている。さらに、ロータ60には、90°間隔で扇形の板部68と切欠き部69とが互い違いに形成されている。これにより、ステータ20のサイン相コイル30、コサイン相コイル40とロータ60の板部68とが重なる位置では、励磁コイル70の磁界が板部68に生じた渦電流による逆向きの磁界で打ち消され、サイン相コイル30、コサイン相コイル40には誘導起電力が発生しなくなる。逆に、ステータ20のサイン相コイル30、コサイン相コイル40とロータ60の切欠き部69とが重なる位置では、励磁コイル70の磁界によりサイン相コイル30、コサイン相コイル40には誘導起電力が発生する。即ち、ロータ60の回転角度θに応じて磁界が変化し、サイン相コイル30、コサイン相コイル40の誘導起電力がロータ60の回転角度θに応じて変化するようになる。したがって、前述のように、サイン相コイル30、コサイン相コイル40の誘導起電力に基づいてロータ60の回転角度θを求めることが可能になる。
この場合でも、励磁コイル70とサイン相コイル30間の距離と、励磁コイル70とコサイン相コイル40間の距離とが実質的に等しくなるため、検出精度が向上する。
また、本実施形態では、ステータ20のサイン相コイル30、コサイン相コイル40を検出コイルにする例を示したが、前記サイン相コイル30、コサイン相コイル40を励磁コイルとし、ロータ60側に検出コイルを設け、その検出コイルの信号をロータリトランス50により取り出すようにすることも可能である。
また、本実施形態では、ステータ20側にサイン相コイル30、コサイン相コイル40を設け、ロータ60側に励磁コイル70を設ける例を示したが、サイン相コイル30、コサイン相コイル40をロータ60側、励磁コイル70をステータ20側に設けることも可能である。
また、本実施形態では、モータの回転角度を検出する位置検出センサを例示したが、例えば、直線移動する移動体に電気角を90°ずらしたサイン相コイル、コサイン相コイルを備える第1部材を装着し、前記移動体をガイドするガイド部材に励磁コイルを備える第2部材を装着して、前記移動体の位置を検出することも可能である。
この場合、第1部材の移動方向に延びる仮想分割線の位置でサイン相コイル、コサイン相コイルを分割し、移動方向右側のサイン相コイル分割片と相対移動左側のコサイン相コイル分割片とを一方のコイル形成層に設け、左側のサイン相コイル分割片と右側のコサイン相コイル分割片とを他方のコイル形成層に設けるようにする。これにより、励磁コイルとサイン相コイル間の距離と、励磁コイルとコサイン相コイル間の距離とを実質的に等しくできる。
20・・・・ステータ(第1部材、あるいは第2部材)
23・・・・下段コイル形成層
24・・・・中間絶縁層
25・・・・上段コイル形成層
30・・・・サイン相コイル
30x・・・半径方向外側のサイン相コイル分割片
30y・・・半径方向内側のサイン相コイル分割片
40・・・・コサイン相コイル
40y・・・半径方向内側のコサイン相コイル分割片
40x・・・半径方向外側のコサイン相コイル分割片
50・・・・ロータリトランス
60・・・・ロータ(第2部材、あるいは第1部材)
70・・・・励磁コイル
511・・・リード線
512・・・リード線
513・・・リード線
514・・・リード線
Z・・・・・仮想分割線

Claims (9)

  1. 隙間を介して互いに平行に配置され、その隙間を保持した状態で相対的に移動可能に構成されている第1部材と第2部材と、
    前記第1部材に電気角を90°ずらした状態で設けられた一対のサイン相コイルとコサイン相コイルと、
    前記第2部材、あるいは前記第1部材に設けられた基準コイルとを有し、
    前記一対のサイン相コイルとコサイン相コイル、あるいは基準コイルの一方を検出コイルにし、前記一対のサイン相コイルとコサイン相コイル、あるいは基準コイルの他方を励磁コイルにし、前記励磁コイルで発生する磁界の変化を前記検出コイルで誘導起電力として検出し、前記誘導起電力の変化に基づいて前記第1部材と前記第2部材との位置関係を演算する構成であり、
    前記第1部材は、絶縁層を介して積層された二層のコイル形成層を備え、それらのコイル形成層が前記第2部材と平行になるように構成されており、
    前記サイン相コイル、前記コサイン相コイルは、前記第1部材の相対移動方向に延びる仮想分割線の位置で相対移動方向に対する右側と左側とに分割された左右のコイル分割片がつなぎ合わされることにより構成されており、
    前記相対移動方向に対する右側のサイン相コイル分割片と前記相対移動方向に対する左側のコサイン相コイル分割片とが一方のコイル形成層に設けられて、左側のサイン相コイル分割片と右側のコサイン相コイル分割片とが他方のコイル形成層に設けられていることを特徴とする位置検出センサ。
  2. 請求項1に記載された位置検出センサであって、
    前記第1部材のコイル形成層は基板状に形成されて前記サイン相コイル分割片、前記コサイン相コイル分割片がそれぞれ同一面上にプリントされていることを特徴とする位置検出センサ。
  3. 請求項1又は請求項2のいずれかに記載された位置検出センサであって、
    前記第1部材の絶縁層が絶縁基板状に形成されて、前記絶縁基板の表裏に前記コイル形成層が設けられていることを特徴とする位置検出センサ。
  4. 請求項1から請求項3のいずれかに記載された位置検出センサであって、
    前記第1部材と第2部材とはリング状に形成されて、同軸に相対回転する構成であり、
    前記サイン相コイル、前記コサイン相コイルは、円周方向に延びる仮想分割線の位置で半径方向外側と半径方向内側とに分割された内外のコイル分割片がつなぎ合わされることにより構成されており、
    半径方向外側のサイン相コイル分割片と半径方向内側のコサイン相コイル分割片とが一方のコイル形成層に設けられており、半径方向内側のサイン相コイル分割片と半径方向外側のコサイン相コイル分割片とが他方のコイル形成層に設けられていることを特徴とする位置検出センサ。
  5. 請求項4に記載された位置検出センサであって、
    前記第1部材と前記第2部材との間で電気信号の伝送に使用されるロータリトランスを備えており、
    前記ロータリトランスのコイルが前記コイル形成層のサイン相コイル分割片とコサイン相コイル分割片との半径方向内側に設けられていることを特徴とする位置検出センサ。
  6. 請求項5に記載された位置検出センサであって、
    前記ロータリトランスのコイルのリード線が、並べられた状態で、前記サイン相コイル分割片、あるいは前記コサイン相コイル分割片に形成された円周方向における隙間を通って半径方向外側に延びるように設けられていることを特徴とする位置検出センサ。
  7. 請求項1から請求項6のいずれかに記載された位置検出センサであって、
    前記サイン相コイルと前記コサイン相コイルとを備える第1部材は固定されており、
    前記基準コイルを備える第2部材は、前記第1部材に対して移動できるように構成されていることを特徴とする位置検出センサ。
  8. 請求項1から請求項6のいずれかに記載された位置検出センサであって、
    前記基準コイルを備える第2部材は固定されおり、
    前記サイン相コイルと前記コサイン相コイルとを備える第1部材は、前記第2部材に対して移動できるように構成されていることを特徴とする位置検出センサ。
  9. 請求項1から請求項4のいずれかに記載された位置検出センサであって、
    前記サイン相コイルと前記コサイン相コイルと前記基準コイルを備える第1部材は固定されており、
    前記第2部材は、非磁性導電材料により形成されて、前記第1部材に対して移動できるように構成されていることを特徴とする位置検出センサ。
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