JP2012042216A - センサ - Google Patents
センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012042216A JP2012042216A JP2010180798A JP2010180798A JP2012042216A JP 2012042216 A JP2012042216 A JP 2012042216A JP 2010180798 A JP2010180798 A JP 2010180798A JP 2010180798 A JP2010180798 A JP 2010180798A JP 2012042216 A JP2012042216 A JP 2012042216A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- field effect
- effect transistor
- charge storage
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
【解決手段】第1細線チャネル101aより構成される第1電界効果トランジスタ101と、第2細線チャネル102aより構成される第2電界効果トランジスタ102と、第1細線チャネル101aの一方に接続するとともに第2細線チャネル102aに容量を介して接続する電荷蓄積部103と、第1細線チャネル101aの他方に接続する電子溜め部104と、第1電界効果トランジスタ101のゲート電極および電子溜め部104に対する電荷注入制御電圧を制御して電子溜め部104から電荷蓄積部103への電荷の注入を制御する蓄積電荷制御部105と、第2電界効果トランジスタ102に流れる電流値の、蓄積電荷制御部105による制御の前後における変化を検出する電流検出部106とを備える。
【選択図】 図1A
Description
はじめに、本発明の実施の形態1について説明する。図1Aは、本発明の実施の形態におけるセンサの構成を示す構成図である。このセンサは、まず、第1細線チャネル101aより構成される第1電界効果トランジスタ101と、第2細線チャネル102aより構成される第2電界効果トランジスタ102と、第1細線チャネル101aの一方に接続するとともに第2細線チャネル102aに容量を介して接続する電荷蓄積部103と、第1細線チャネル101aの他方に接続する電子溜め部104とを備える。
次に、本発明の実施の形態2について説明する。この実施の形態2では、次に示すように、信号の検出を行う。なお、センサの構成は、前述した実施の形態1と同様である。
Claims (5)
- 第1細線チャネルより構成される第1電界効果トランジスタと、
第2細線チャネルより構成される第2電界効果トランジスタと、
前記第1細線チャネルの一方に接続するとともに前記第2細線チャネルに容量を介して接続する電荷蓄積部と、
前記第1細線チャネルの他方に接続する電子溜め部と、
前記第1電界効果トランジスタのゲート電極および前記電子溜め部に対する電荷注入制御電圧を制御して前記電子溜め部から前記電荷蓄積部への電荷の注入を制御する蓄積電荷制御手段と、
前記電荷蓄積部への電荷の注入による電界をゲート電圧として動作する前記第2電界効果トランジスタに流れる電流値の、前記蓄積電荷制御手段による前記制御の前後における変化を検出する電流検出手段と、
前記蓄積電荷制御手段の制御により前記電荷蓄積部へ注入された電荷の数を、前記電流検出手段が検出した電流値の変化により算出する電荷数算出手段と、
この電荷数算出手段が算出した電荷の数より前記電子溜め部および前記第1電界効果トランジスタのゲート電極のいずれかに入力された信号の変化を導出する信号検出手段と
を備えることを特徴とするセンサ。 - 請求項1記載のセンサにおいて、
前記信号検出手段は、予め求めてある前記電子溜め部および前記第1電界効果トランジスタのゲート電極のいずれかに入力された信号の変化と前記蓄積電荷制御手段の制御により前記電荷蓄積部へ注入された電荷の数との関係を用い、前記信号の変化を導出する
ことを特徴とするセンサ。 - 請求項1または2記載のセンサにおいて、
前記電子溜め部,前記第1電界効果トランジスタ,前記電荷蓄積部,および前記第2電界効果トランジスタより構成された複数のユニットを備え、
複数の前記ユニットは、各々の前記第2電界効果トランジスタが直列に接続され、
前記蓄積電荷制御手段は、複数の前記第1電界効果トランジスタのゲート電極および複数の前記電子溜め部に対する電荷注入制御電圧を共通に制御し、
前記電流検出手段は、直列に接続された複数の前記第2電界効果トランジスタに流れる電流値の変化を検出し、
前記電荷数算出手段は、前記電流検出手段が検出した電流値の変化により複数の前記電荷蓄積部へ注入された電荷の数の合計を算出し、
前記信号検出手段は、前記電荷数算出手段が算出した合計の電荷の数より複数の前記電子溜め部および複数の前記第1電界効果トランジスタのゲート電極のいずれかに入力された信号の変化を導出する
ことを特徴とするセンサ。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のセンサにおいて、
前記電流検出手段が前記電流値の変化を検出した後で、前記電荷蓄積部に注入された電荷を前記電子溜め部に放出させる放出制御電圧を前記電荷蓄積部に印加する放出制御電圧印加手段を備えることを特徴とするセンサ。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載のセンサにおいて、
前記第2電界効果トランジスタのゲート電極に、前記電荷蓄積部への電荷の注入による電界印加とは異なるトランジスタ動作制御電圧を印加するトランジスタ動作制御電圧印加手段を備えることを特徴とするセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010180798A JP5345985B2 (ja) | 2010-08-12 | 2010-08-12 | センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010180798A JP5345985B2 (ja) | 2010-08-12 | 2010-08-12 | センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012042216A true JP2012042216A (ja) | 2012-03-01 |
JP5345985B2 JP5345985B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=45898741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010180798A Active JP5345985B2 (ja) | 2010-08-12 | 2010-08-12 | センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5345985B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017005040A (ja) * | 2015-06-08 | 2017-01-05 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置 |
JP2018029312A (ja) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | 国立大学法人群馬大学 | 有機電界効果トランジスタ |
US9927376B2 (en) | 2016-03-15 | 2018-03-27 | Toshiba Memory Corporation | Template defect inspection method |
WO2024038577A1 (ja) * | 2022-08-19 | 2024-02-22 | 日本電信電話株式会社 | 整流器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000028394A (ja) * | 1998-07-15 | 2000-01-28 | Japan Aviation Electronics Ind Ltd | 静電容量式検出装置 |
JP2011013037A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Panasonic Electric Works Co Ltd | アレイセンサ装置 |
-
2010
- 2010-08-12 JP JP2010180798A patent/JP5345985B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000028394A (ja) * | 1998-07-15 | 2000-01-28 | Japan Aviation Electronics Ind Ltd | 静電容量式検出装置 |
JP2011013037A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Panasonic Electric Works Co Ltd | アレイセンサ装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017005040A (ja) * | 2015-06-08 | 2017-01-05 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置 |
US9927376B2 (en) | 2016-03-15 | 2018-03-27 | Toshiba Memory Corporation | Template defect inspection method |
JP2018029312A (ja) * | 2016-08-19 | 2018-02-22 | 国立大学法人群馬大学 | 有機電界効果トランジスタ |
WO2024038577A1 (ja) * | 2022-08-19 | 2024-02-22 | 日本電信電話株式会社 | 整流器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5345985B2 (ja) | 2013-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4124867B2 (ja) | 変換装置 | |
JP5345985B2 (ja) | センサ | |
EP1655791A1 (en) | Transistor with carbon nanotube channel and method of manufacturing the same | |
KR20040060370A (ko) | 수직나노튜브를 이용한 메모리 | |
KR20120048453A (ko) | 다중양자점 소자 및 그 소자의 제조방법 | |
JP4927785B2 (ja) | 電界効果型センサ | |
Frank et al. | High-frequency response in carbon nanotube field-effect transistors | |
US20140217409A1 (en) | Thin film transistor | |
KR101036551B1 (ko) | 재설정 가능한 반도체 소자 | |
US11456375B2 (en) | Semiconductor device including first and second dummy trench gates | |
KR101474335B1 (ko) | 유기 전계효과 트랜지스터 및 이 트랜지스터의 제조방법 | |
US5940682A (en) | Method of measuring electron shading damage | |
US7217620B2 (en) | Methods of forming silicon quantum dots and methods of fabricating semiconductor memory device using the same | |
Pai et al. | Sub 3-micron gap microplasma FET with 50 V turn-on voltage | |
JP3846016B2 (ja) | 電子シェーディングダメージの測定方法 | |
Mikhelashvili et al. | Negative capacitance in optically sensitive metal-insulator-semiconductor-metal structures | |
KR100966007B1 (ko) | 탄소나노튜브를 이용한 상온동작 단전자 소자 및 그 제조방법 | |
US10818785B2 (en) | Sensing device for sensing minor charge variations | |
Nishiguchi et al. | Self-aligned double-gate single-electron transistor derived from 0.12-μm-scale electron-beam lithography | |
Ucurum et al. | Quasi-static capacitance–voltage characteristics of pentacene-based metal–oxide–semiconductor structures | |
WO2024195106A1 (ja) | 電流検出装置 | |
CN104935334B (zh) | 硅基低漏电流双固支梁可动栅nmos相位检测器 | |
KR20100123661A (ko) | 유기 전계 효과 트랜지스터 | |
CN105116222B (zh) | 双悬臂梁开关砷化镓基低漏电流微波相位检测器 | |
JPS62154668A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120831 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130813 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130815 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5345985 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |