JP2012041208A - 種結晶、その種結晶の製造方法及び、その種結晶を用いた炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】製造時間及び製造コストを増大させることなく、マイクロパイプ欠陥や螺旋転位の発生が抑制された高品質の炭化珪素単結晶を製造できる種結晶、その種結晶の製造方法及び、その種結晶を用いた炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶200を製造するために用いられ、単結晶200が成長を開始する面である成長面20aを有する種結晶1A及び種結晶1Bであって、種結晶1A及び種結晶1Bは、炭化珪素単結晶からなる基板10と成長面20aを有する遮断膜20とを有し、基板表面10aは、遮断膜20で覆われており、遮断膜20のX線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒以下である。
【選択図】図1
【解決手段】単結晶200を製造するために用いられ、単結晶200が成長を開始する面である成長面20aを有する種結晶1A及び種結晶1Bであって、種結晶1A及び種結晶1Bは、炭化珪素単結晶からなる基板10と成長面20aを有する遮断膜20とを有し、基板表面10aは、遮断膜20で覆われており、遮断膜20のX線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒以下である。
【選択図】図1
Description
本発明は、炭化珪素単結晶を製造するために用いられる種結晶、その種結晶の製造方法及び、その種結晶を用いた炭化珪素単結晶の製造方法に関する。
従来、坩堝に種結晶を配置し、坩堝に入れられた昇華用原料を昇華させて、種結晶を基にして炭化珪素単結晶(以下、単結晶と適宜省略する)を成長させる方法が知られている。種結晶として、マイクロパイプ欠陥や螺旋転位が存在する炭化珪素単結晶を用いた場合、結晶欠陥に起因して、製造された単結晶にも結晶欠陥が形成される。単結晶に結晶欠陥が存在すると、デバイスの性能及び信頼性の低下の原因となる。従って、単結晶に存在する結晶欠陥を低減させるために、例えば、特許文献1の製造方法が知られている。
特許文献1の製造方法では、3回以上の成長工程を行うことにより、単結晶に存在する結晶欠陥を低減させている。具体的には、第1回目の成長工程においては,いわゆるa面成長させた単結晶を作成する。次に、得られた単結晶を種結晶として、略a面成長させた単結晶を作成し、この単結晶を種結晶として、略a面成長させた単結晶を作成するという工程を繰り返す。最後に、得られた単結晶を種結晶として、略c面成長させた単結晶を作成する。この方法によれば、マイクロパイプ欠陥や螺旋転位がほとんど存在しない高品質の炭化珪素単結晶が製造できる。
坩堝に種結晶を配置してから、単結晶を成長させ、成長した単結晶を取り出すという一連の工程は、一般的に50時間から300時間程度かかる。特許文献1の製造方法では、この一連の工程を最低でも3回以上繰り返す必要がある。このため、特許文献1の製造方法では、デバイスとして用いられる単結晶を製造するのに著しく時間がかかるという問題が生じていた。また、2000℃以上の温度で昇華用原料を加熱し、昇華用原料を昇華させて単結晶を成長させるため、デバイスとして用いられる単結晶を製造するためにかかる製造コストも増大するという問題も生じてしまう。
そこで、本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、製造時間及び製造コストを増大させることなく、マイクロパイプ欠陥や螺旋転位の発生が抑制された高品質の炭化珪素単結晶を製造できる種結晶、その種結晶の製造方法及び、その種結晶を用いた炭化珪素単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決するため、本発明者らは、鋭意検討した結果、種結晶に所定の膜を形成することにより、結晶欠陥の発生が抑制できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、次のような特徴を有している。本発明の特徴は、炭化珪素単結晶(単結晶200)を製造するために用いられ、前記炭化珪素単結晶が成長を開始する面である成長面(成長面20a)を有する種結晶(種結晶1A,種結晶1B)であって、前記種結晶は、炭化珪素単結晶からなる基板(基板10)と、前記成長面を有する遮断膜(遮断膜20)とを有し、前記基板の前記成長面側の表面(基板表面10a)は、前記遮断膜で覆われており、前記遮断膜のX線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒以下であることを要旨とする。
本発明の特徴によれば、種結晶は、炭化珪素単結晶からなる基板と成長面を有する遮断膜とを有し、基板の成長面側の表面は、遮断膜で覆われており、遮断膜のX線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒以下である。これにより、基板に結晶欠陥が存在しても、遮断膜によって結晶欠陥の伝播が抑制されるため、製造された炭化珪素単結晶に結晶欠陥が発生することを抑制できる。従って、従来よりも結晶欠陥が抑えられた炭化珪素単結晶を製造できる。成長工程を複数回繰り返さなくても良いため、製造時間及び製造コストを増大させることもない。
本発明の他の特徴は、前記遮断膜に覆われている前記基板の前記成長面側の表面は、{000−1}面であることを要旨とする。
本発明の他の特徴は、前記遮断膜は、成長方向が異なる膜が積層されて構成されることを要旨とする。
本発明の他の特徴は、前記遮断膜は、第1遮断膜(第1遮断膜22)、第2遮断膜(第2遮断膜24)及び第3遮断膜(第3遮断膜26)とからなり、前記基板の前記成長面側の表面に前記第1遮断膜、前記第2遮断膜、前記第3遮断膜の順に積層されており、前記遮断膜は、炭化珪素からなり、前記第2遮断膜は、原料ガスの比が、前記第1遮断膜及び前記第3遮断膜と異なり、前記第3遮断膜の表面が前記成長面となることを要旨とする。
本発明の他の特徴は、前記第1遮断膜及び前記第2遮断膜の平均膜厚は、0.5μm以上であり、前記第3遮断膜の平均膜厚は、5μm以上であることを要旨とする。
本発明の他の特徴は、前記種結晶は、前記基板の前記成長面と反対側の表面(基板裏面10b)を覆う裏面遮断膜(裏面遮断膜30)を有し、前記基板の前記成長面と反対側の表面は、{0001}面であり、前記裏面遮断膜のX線ロッキングカーブの半値幅は、20アーク秒以下であることを要旨とする。
本発明の他の特徴は、炭化珪素単結晶を製造するために用いられ、前記炭化珪素単結晶が成長を開始する面である成長面を有する種結晶の製造方法であって、炭化珪素単結晶からなる基板を準備する工程(基板準備工程S1)と、前記基板の前記成長面側の表面を、前記成長面を有する遮断膜で覆う被覆工程(遮断膜被覆工程S2)とを備え、前記被覆工程では、X線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒以下である前記遮断膜を形成することにより、前記基板の前記成長面側の表面を覆うことを要旨とする。
本発明の他の特徴は、前記被覆工程では、成長方向が異なる複数の膜を形成することを要旨とする。
本発明の他の特徴は、炭化珪素単結晶の原料となる昇華用原料(昇華用原料70)が入れられる坩堝(坩堝50)に、前記炭化珪素単結晶が成長を開始する面である成長面を有する種結晶を配置する種結晶配置工程(種結晶配置工程S30)と、前記昇華用原料を昇華させて、前記炭化珪素単結晶を成長させる単結晶成長工程(単結晶成長工程S40)とを有する炭化珪素単結晶の製造方法であって、前記種結晶は、炭化珪素単結晶からなる基板と、前記成長面を有する遮断膜とを有し、前記基板の前記成長面側の表面は、前記遮断膜で覆われており、前記遮断膜のX線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒以下であり、前記種結晶配置工程では、前記成長面が前記昇華用原料と対向するように前記種結晶を配置することを要旨とする。
なお、本発明において、{000−1}及び{0001}は、いわゆる結晶面の面指数を表している。上記面指数において、「−」記号は、数字の上に通常付されるが、書類作成の便宜上のため、数字の左側に付してある。
本発明に係る種結晶、その種結晶の製造方法及び、その種結晶を用いた炭化珪素単結晶の製造方法によれば、製造時間及び製造コストを増大させることなく、マイクロパイプ欠陥や螺旋転位の発生が抑制された高品質の炭化珪素単結晶を製造できる。
本発明に係る種結晶、その種結晶の製造方法及び、その種結晶を用いた炭化珪素単結晶の製造方法の一例について、図面を参照しながら説明する。具体的には、(1)種結晶の概略構成、(2)種結晶の製造方法、(3)炭化珪素単結晶の製造装置100の概略構成、(4)炭化珪素単結晶200の製造方法、(5)作用効果、(6)実施例、(7)その他の実施形態、について説明する。
以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。図面は模式的なのものであり、各寸法の比率などは現実のものとは異なることを留意すべきである。従って、具体的な寸法などは以下の説明を参酌して判断すべきものである。図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
(1)種結晶の概略構成
本実施形態に係る種結晶の概略構成について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る種結晶1Aの概略断面図である。図2は、本実施形態に係る種結晶1Bの概略断面図である。
本実施形態に係る種結晶の概略構成について、図1及び図2を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る種結晶1Aの概略断面図である。図2は、本実施形態に係る種結晶1Bの概略断面図である。
(1.1)種結晶1A
種結晶1Aは、炭化珪素単結晶200(以下、単結晶200と適宜省略する)を製造するために用いられる。種結晶1Aは、単結晶200が成長を開始する面である成長面20aを有する。図1に示されるように、種結晶1Aは、基板10と遮断膜20とを有する。基板10は、炭化珪素単結晶からなる。基板10は、基板表面10aと基板裏面10bとを有する。基板表面10aは、成長面20a側の表面である。基板裏面10bは、成長面20aと反対側の表面である。基板表面10aは、{000−1}面である。基板表面10aは、遮断膜20で覆われている。
種結晶1Aは、炭化珪素単結晶200(以下、単結晶200と適宜省略する)を製造するために用いられる。種結晶1Aは、単結晶200が成長を開始する面である成長面20aを有する。図1に示されるように、種結晶1Aは、基板10と遮断膜20とを有する。基板10は、炭化珪素単結晶からなる。基板10は、基板表面10aと基板裏面10bとを有する。基板表面10aは、成長面20a側の表面である。基板裏面10bは、成長面20aと反対側の表面である。基板表面10aは、{000−1}面である。基板表面10aは、遮断膜20で覆われている。
遮断膜20は、基板表面10aを覆っている。このため、基板表面10aと接している面とは反対側の遮断膜20の表面が成長面20aとなる。種結晶1Aにおいて、成長面20aは、{000−1}面である。この遮断膜20の成長面20aから単結晶200が成長を開始する(図4参照)。
遮断膜20のX線ロッキングカーブの半値幅は、20アーク秒以下である。この半値幅は、成長面20a、すなわち、{000−1}面についての値である。また、遮断膜20の平均膜厚は、5μm以上である。
なお、X線ロッキングカーブは、所与の結晶のX線回折ピーク幅を示している。半値幅(又はピーク幅)が広くなるほど、結晶に照射されたX線の回折の散乱が高くなるため、結晶性が低くなる。一方、半値幅(又はピーク幅)が狭くなるほど、単一の入射波長しか回折しないため、結晶性が高くなる。なお、半値幅とは、半値全幅(FWHM:full width at half maximum)であり、ピーク値の50%の角度幅である。
(1.2)種結晶1B
以下の説明において、種結晶1Aと同様の部分は、適宜省略する。
以下の説明において、種結晶1Aと同様の部分は、適宜省略する。
図2に示されるように、種結晶1Bは、基板10と遮断膜20とを有する。遮断膜20は、成長方向の異なる膜が積層されて構成されている。具体的には、遮断膜20は、第1遮断膜22、第2遮断膜24及び第3遮断膜26からなる。第1遮断膜22、第2遮断膜24及び第3遮断膜26は、基板表面10aに第1遮断膜22、第2遮断膜24及び第3遮断膜26の順に積層されている。従って、第1遮断膜22は、基板表面10aと接している。また、第3遮断膜26の第2遮断膜24と接している面と反対側の面は、成長面20aとなる。従って、第3遮断膜26の成長面20aから単結晶200が成長を開始する。
第1遮断膜22、第2遮断膜24及び第3遮断膜26のいずれのX線ロッキングカーブの半値幅も、20アーク秒以下である。この半値幅は、いずれも{000−1}面についての値である。また、第1遮断膜22、第2遮断膜24及び第3遮断膜26は、炭化珪素(SiC)からなる。
第1遮断膜22及び第2遮断膜24の平均膜厚は、0.5μm以上が好ましい。膜厚を0.5μm以上にすることにより、基板10に存在するマイクロパイプ欠陥や螺旋転位が、単結晶200に発生するのをより抑制できる。製造時間及び製造コストを抑えるため、第1遮断膜22及び第2遮断膜24の平均膜厚は、2μm以下が好ましい。第3遮断膜26の平均膜厚は、5μm以上が好ましい。単結晶200と接する第3遮断膜26の膜厚を厚くすることにより、単結晶200に結晶欠陥が発生するのをより抑制できる。製造時間及び製造コストを抑えるため、第3遮断膜26の平均膜厚は、100μm以下が好ましい。
後述するように、第1遮断膜22、第2遮断膜24及び第3遮断膜26の成長方向は、異なっている。
図2に示されるように、種結晶1Bは、遮断膜20に加えて、裏面遮断膜30を有する。裏面遮断膜30のX線ロッキングカーブの半値幅は、20アーク秒以下である。この半値幅は、{0001}面についての値である。{0001}面である基板裏面10bは、裏面遮断膜30で覆われている。裏面遮断膜30は、基板裏面10bから昇華用原料70が透過するのを抑制する。この効果をより得るため、裏面遮断膜30は、5μm以上が好ましい。製造時間及び製造コストを抑えるため、裏面遮断膜30は、100μm以下であることが好ましい。
(2)種結晶の製造方法
本実施形態に係る種結晶(種結晶1A、種結晶1B)の製造方法について、図3を参照しながら説明する。図3は、本実施形態に係る種結晶の製造方法を示すフローチャートである。図3に示すように、本実施形態に係る種結晶の製造方法は、工程S1及び工程S2を備える。
本実施形態に係る種結晶(種結晶1A、種結晶1B)の製造方法について、図3を参照しながら説明する。図3は、本実施形態に係る種結晶の製造方法を示すフローチャートである。図3に示すように、本実施形態に係る種結晶の製造方法は、工程S1及び工程S2を備える。
(2.1)基板準備工程S1
工程S1は、基板10を準備する基板準備工程S1である。基板準備工程S1では、炭化珪素単結晶を所定の形状に加工された基板10が準備される。4H−SiCの単結晶200を成長させる場合、単結晶200は、{000−1}面から結晶成長できる。従って、基板表面10aが、{000−1}面である基板10が準備される。基板裏面10bから結晶が成長するのを抑制するために、基板裏面10bが{0001}面である基板10が準備される。
工程S1は、基板10を準備する基板準備工程S1である。基板準備工程S1では、炭化珪素単結晶を所定の形状に加工された基板10が準備される。4H−SiCの単結晶200を成長させる場合、単結晶200は、{000−1}面から結晶成長できる。従って、基板表面10aが、{000−1}面である基板10が準備される。基板裏面10bから結晶が成長するのを抑制するために、基板裏面10bが{0001}面である基板10が準備される。
(2.2)遮断膜被覆工程S2
工程S2は、基板表面10aを遮断膜20で覆う遮断膜被覆工程S2である。具体的には、基板表面10a上に遮断膜20を形成する。これにより、基板表面10aの全面が遮断膜20により覆われる。遮断膜20の形成方法としては、例えば、化学気相蒸着法(CVD法)又は分子線エピタキシー法(MBE法)が挙げられる。これらの方法を用いて、基板表面10a上にX線ロッキングカーブの半値幅が20アーク秒以下である遮断膜20を形成する。製造時間を考慮すると、MBE法よりもCVD法を用いて遮断膜20を形成するのが好ましい。
工程S2は、基板表面10aを遮断膜20で覆う遮断膜被覆工程S2である。具体的には、基板表面10a上に遮断膜20を形成する。これにより、基板表面10aの全面が遮断膜20により覆われる。遮断膜20の形成方法としては、例えば、化学気相蒸着法(CVD法)又は分子線エピタキシー法(MBE法)が挙げられる。これらの方法を用いて、基板表面10a上にX線ロッキングカーブの半値幅が20アーク秒以下である遮断膜20を形成する。製造時間を考慮すると、MBE法よりもCVD法を用いて遮断膜20を形成するのが好ましい。
種結晶1Bは、種結晶1Aと異なり、複数の膜が積層されて構成される遮断膜20を有する。従って、種結晶1Bを製造する場合は、複数の膜を形成する。具体的には、基板表面10a上に第1遮断膜22を形成し、第1遮断膜22上に第2遮断膜24を形成し、第2遮断膜24上に第3遮断膜26を形成する。第1遮断膜22、第2遮断膜24及び第3遮断膜26は、成長方向が異なる。成長方向は、形成条件を変えることによって、異ならせることができる。形成条件とは、具体的には、原料ガス又は原料ガスの比、膜成長速度、圧力及びキャリアガス流量である。第1遮断膜22、第2遮断膜24及び第3遮断膜26は、炭化珪素からなるため、原料ガスは、モノシラン(SiH4)とプロパン(C3H8)である。第2遮断膜24と第1遮断膜22及び第3遮断膜26とは、炭化珪素からなるが、原料ガスの比(SiH4とC3H8との比であるC/Si)が異なる。このように、基板表面10a上に積層されて形成される遮断膜20は、上記形成条件の少なくとも1以上が異ならせることにより、成長方向が異なっている。特に、原料ガスの比を異ならせることにより、成長方向を異ならせることができる。
例えば、まず、基板表面10a上に第1遮断膜22を形成する場合、第1遮断膜22をa軸成長(Step flow成長)させて形成する。なお、a軸方向とは、基板表面10aに平行は方向である。マイクロパイプ及び螺旋転位の進行方向は、c軸方向(すなわち、基板表面10aに垂直な方向)であるため、マイクロパイプ及び螺旋転位の伝播がさらに抑制される。次に、第1遮断膜22上に第2遮断膜24を形成する場合、第2遮断膜24をc軸成長(Spiral成長)させて形成する。さらに、第2遮断膜24上に第3遮断膜26を形成する場合、第3遮断膜26をa軸成長(Step flow成長)させて形成する。このように、成長方向を異ならせることによって、マイクロパイプ及び螺旋転位の伝播を効率よく抑制できる。
種結晶1Bは、遮断膜20に加えて、裏面遮断膜30を有する。裏面遮断膜30は、遮断膜20と同様に、例えば、化学気相蒸着法(CVD法)又は分子線エピタキシー法(MBE法)を用いて形成することができる。裏面遮断膜30は、遮断膜20を形成した後に形成しても良いし、遮断膜20を形成する前に形成しても良い。裏面遮断膜30は、基板10と同一材料である炭化珪素を用いる。
(3)炭化珪素単結晶の製造装置100の概略構成
本実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法に用いられる製造装置100の概略構成について、図4を参照しながら説明する。図4は、本実施形態に係る炭化珪素単結晶200の製造方法に用いられる製造装置100の概略断面図である。
本実施形態に係る炭化珪素単結晶の製造方法に用いられる製造装置100の概略構成について、図4を参照しながら説明する。図4は、本実施形態に係る炭化珪素単結晶200の製造方法に用いられる製造装置100の概略断面図である。
図4に示すように、製造装置100は、坩堝50を備えている。坩堝50は、坩堝本体50aと坩堝蓋体50bとを有する。坩堝本体50aには、単結晶200の成長範囲を規制するガイド部材60が取り付けられる。坩堝本体50aには、炭化珪素単結晶200の原料となる昇華用原料70が入れられる。
種結晶1Aは、昇華用原料70と対向する位置に配置される。具体的には、ガイド部材60によって保持することにより、昇華用原料70と対向する位置に配置される。種結晶1Aは、ガイド部材60の上部に載置しても良いし、ガイド部材60に狭持されても良い。他にも、種結晶1Aは、坩堝蓋体50bに固定されても良い。具体的には、坩堝蓋体50bが備える種結晶台座に、種結晶1Aの成長面20aと反対側の基板裏面10bを、例えば、接着材によって固定しても良い。
製造装置100は、坩堝50の他に、坩堝50の少なくとも側面を覆う石英管80とを有している。坩堝50は、支持棒85を介して石英管80の内部に設置されている。
石英管80の外周には、坩堝50を加熱する加熱コイル90が設けられている。坩堝50は、断熱材で覆われている。
(4)炭化珪素単結晶200の製造方法
次に、本実施形態に係る炭化珪素単結晶200の製造方法について、図4及び図5を参照しながら説明する。図5は、本実施形態に係る炭化珪素単結晶200の製造方法を示すフローチャートである。図5に示すように、本実施形態に係る炭化珪素単結晶200の製造方法は、工程S10から工程S40を備える。
次に、本実施形態に係る炭化珪素単結晶200の製造方法について、図4及び図5を参照しながら説明する。図5は、本実施形態に係る炭化珪素単結晶200の製造方法を示すフローチャートである。図5に示すように、本実施形態に係る炭化珪素単結晶200の製造方法は、工程S10から工程S40を備える。
(4.1)準備工程S10
工程S1は、種結晶1A及び昇華用原料70が準備される工程である準備工程S10である。種結晶1Aは、上述した通りに製造された種結晶を用いる。ここでは、種結晶1Aを用いているが、種結晶1Bといった本発明に係る種結晶であれば良い。
工程S1は、種結晶1A及び昇華用原料70が準備される工程である準備工程S10である。種結晶1Aは、上述した通りに製造された種結晶を用いる。ここでは、種結晶1Aを用いているが、種結晶1Bといった本発明に係る種結晶であれば良い。
昇華用原料70は、どのような製造方法で製造されたものを準備しても構わない。例えば、化学気相成長法(CVD法)で製造された炭化珪素を昇華用原料70としてもよいし、珪素含有原料と炭素含有原料とから炭化珪素前駆体を生成し、生成された炭化珪素前駆体を焼成することで得られる炭化珪素を昇華用原料70としてもよい。
(4.2)原料配置工程S20
工程S2は、製造装置100の内部に設置された坩堝50に昇華用原料70を配置する原料配置工程S20である。準備工程S10で準備された昇華用原料70を坩堝本体50aに配置する。
工程S2は、製造装置100の内部に設置された坩堝50に昇華用原料70を配置する原料配置工程S20である。準備工程S10で準備された昇華用原料70を坩堝本体50aに配置する。
(4.3)種結晶配置工程S30
工程S3は、坩堝50に種結晶1Aを配置する種結晶配置工程S30である。図4に示されるように、ガイド部材60によって種結晶1Aを保持する。種結晶1Aの成長面20aが昇華用原料70と対向する位置に配置する。従って、遮断膜20は、昇華用原料70と対向する。基板裏面10bは、坩堝蓋体50bと対向する。なお、種結晶1Bであれば、裏面遮断膜30が坩堝蓋体50bと対向する。
工程S3は、坩堝50に種結晶1Aを配置する種結晶配置工程S30である。図4に示されるように、ガイド部材60によって種結晶1Aを保持する。種結晶1Aの成長面20aが昇華用原料70と対向する位置に配置する。従って、遮断膜20は、昇華用原料70と対向する。基板裏面10bは、坩堝蓋体50bと対向する。なお、種結晶1Bであれば、裏面遮断膜30が坩堝蓋体50bと対向する。
種結晶1Aを坩堝蓋体50bに固定して、坩堝50に種結晶1Aを配置する場合は、基板裏面10b側が坩堝蓋体50bに固定される。これにより、坩堝蓋体50bを坩堝本体50aに取り付けられると、遮断膜20は、昇華用原料70と対向する。
(4.4)単結晶成長工程S40
工程S4は、昇華用原料70を昇華させて、単結晶200を成長させる単結晶成長工程S40である。加熱コイル90に電流を通電させて、昇華用原料70を加熱する。一般的に、加熱温度は、2000℃から2500℃である。昇華用原料70に比べて、種結晶1Aの温度がやや低温となるように加熱するのが好ましい。このようにして加熱された昇華用原料70は、昇華する。昇華した昇華用原料70は、種結晶1Aの成長面20a上に再結晶する。これにより、単結晶200が成長を開始する。所望の大きさの単結晶200が得られるまで、単結晶200を成長させる。種結晶1Aを用いることにより、結晶欠陥の発生が抑制された高品質の単結晶200が製造できる。
工程S4は、昇華用原料70を昇華させて、単結晶200を成長させる単結晶成長工程S40である。加熱コイル90に電流を通電させて、昇華用原料70を加熱する。一般的に、加熱温度は、2000℃から2500℃である。昇華用原料70に比べて、種結晶1Aの温度がやや低温となるように加熱するのが好ましい。このようにして加熱された昇華用原料70は、昇華する。昇華した昇華用原料70は、種結晶1Aの成長面20a上に再結晶する。これにより、単結晶200が成長を開始する。所望の大きさの単結晶200が得られるまで、単結晶200を成長させる。種結晶1Aを用いることにより、結晶欠陥の発生が抑制された高品質の単結晶200が製造できる。
(5)作用効果
種結晶1A及び種結晶1Bにおいて、種結晶1A及び種結晶1Bは、炭化珪素単結晶からなる基板10と成長面20aを有する遮断膜20とを有し、基板表面10aは、遮断膜20で覆われており、遮断膜20のX線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒以下である。遮断膜20のX線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒以下であるため、遮断膜20は、結晶性が高い。結晶性の高い遮断膜20には、基板10に存在する結晶欠陥が伝播しにくい。従って、遮断膜20のX線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒以下であり、結晶性の高い遮断膜20が基板表面10aを覆っているため、単結晶200への結晶欠陥の伝播が抑制される。これにより、高品質な単結晶200を製造できる。単結晶200の成長工程を複数回繰り返さなくても良いため、製造時間及び製造コストを増大させることもない。
種結晶1A及び種結晶1Bにおいて、種結晶1A及び種結晶1Bは、炭化珪素単結晶からなる基板10と成長面20aを有する遮断膜20とを有し、基板表面10aは、遮断膜20で覆われており、遮断膜20のX線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒以下である。遮断膜20のX線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒以下であるため、遮断膜20は、結晶性が高い。結晶性の高い遮断膜20には、基板10に存在する結晶欠陥が伝播しにくい。従って、遮断膜20のX線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒以下であり、結晶性の高い遮断膜20が基板表面10aを覆っているため、単結晶200への結晶欠陥の伝播が抑制される。これにより、高品質な単結晶200を製造できる。単結晶200の成長工程を複数回繰り返さなくても良いため、製造時間及び製造コストを増大させることもない。
種結晶1A及び種結晶1Bにおいて、遮断膜20に覆われている基板表面10aは、{000−1}面である。螺旋転位及びマイクロパイプは、{000−1}面に発生する。この{000−1}面を遮断膜20で覆うことにより、基板10に螺旋転位及びマイクロパイプが存在していても、螺旋転位及びマイクロパイプが単結晶200へ伝播することを抑制できる。従って、高品質な単結晶200を製造できる。
種結晶1Bにおいて、遮断膜20は、成長方向が異なる第1遮断膜22、第2遮断膜24及び第3遮断膜26が積層されて構成される。1層の遮断膜20に比べて、成長方向が異なる複数の膜を積層させることにより、基板10から単結晶200への結晶欠陥の伝播がより抑制される。
種結晶1Bにおいて、第1遮断膜22及び第2遮断膜24の平均膜厚は、0.5μm以上であり、第3遮断膜26の平均膜厚は、5μm以上である。これにより、結晶欠陥の伝播をより抑制できる。
種結晶1Bにおいて、種結晶1Bは、X線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒以下である裏面遮断膜30を有し、{0001}面である基板裏面10bは、裏面遮断膜30で覆われている。単結晶成長工程S40において昇華した昇華用原料70は、{0001}面である基板裏面10bから透過して基板表面10aに影響を与えるため、単結晶200に結晶欠陥が伝播しやすくなる。{0001}面である基板裏面10bを裏面遮断膜30で覆うことにより、昇華用原料70が基板裏面10bから透過することを抑制する。その結果、単結晶200に結晶欠陥が伝播することを抑制できる。さらに、裏面遮断膜30によって、種結晶1Bに新たなマイクロパイプ及び螺旋転位の発生を抑制できる。
本実施形態に係る種結晶1Bの製造方法において、成長方向の異なる複数の膜を形成する。成長方向を異ならせることによって、マイクロパイプ及び螺旋転位の伝播を効率よく抑制できる。このため、1層の遮断膜20に比べて、基板10から単結晶200への結晶欠陥の伝播がより抑制される。
(6)実施例
本発明の効果を確かめるために、種結晶1Aを製造して単結晶200を製造した。
本発明の効果を確かめるために、種結晶1Aを製造して単結晶200を製造した。
種結晶1Aの製造において、基板10には、4H−SiCを用いた。原料ガスには、SiH4とC3H8を用いて、C/Siは、0.5〜2.0とした。膜成長速度は2〜10μm/hr、圧力は130mbar、キャリアガス流量は0〜0.8、反応温度は1500〜1600℃として、CVD法を行った。これにより、遮断膜20の膜厚が20μmから50μmの種結晶1Aが得られた。遮断膜20のX線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒であった。
得られた種結晶1Aを用いて、単結晶200を製造した。製造した単結晶200を用いて、光学顕微鏡により、観察を行った。結果を図6に示す。図6は、単結晶200が形成された種結晶1Aの遮断膜20付近の断面を示す図である。
図6に示されるように、種結晶1Aには、マイクロパイプ欠陥Mが存在している。しかしながら、単結晶200には、マイクロパイプ欠陥Mは存在していない。遮断膜20によって、マイクロパイプ欠陥Mの伝播が抑制されているのが分かった。従って、遮断膜20を用いる種結晶1Aにより、高品質な単結晶200が製造されていることが分かった。
(7)その他の実施形態
本発明の実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。
本発明の実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。
例えば、種結晶1Bにおいて、遮断膜20は、3層構造からなっていたが、これに限られない。遮断膜20は、2層構造であっても良いし、4層以上の構造であっても良い。形成条件の異なる複数の膜を積層させることにより、基板10から単結晶200への結晶欠陥の伝播がより抑制される。
本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
1A,1B…種結晶、 10…基板、 10a…基板表面、 10b…基板裏面、 20…遮断膜、 20a…成長面、 22…第1遮断膜、 24…第2遮断膜、 26…第3遮断膜、 30…裏面遮断膜、 50…坩堝、 50a…坩堝本体、 50b…坩堝蓋体、 60…ガイド部材、 70…昇華用原料、 80…石英管、 85…支持棒、 90…加熱コイル、 100…製造装置、 200…単結晶、 M…マイクロパイプ欠陥
Claims (9)
- 炭化珪素単結晶を製造するために用いられ、前記炭化珪素単結晶が成長を開始する面である成長面を有する種結晶であって、
前記種結晶は、炭化珪素単結晶からなる基板と、前記成長面を有する遮断膜とを有し、
前記基板の前記成長面側の表面は、前記遮断膜で覆われており、
前記遮断膜のX線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒以下である種結晶。 - 前記遮断膜に覆われている前記基板の前記成長面側の表面は、{000−1}面である請求項1に記載の種結晶。
- 前記遮断膜は、成長方向が異なる膜が積層されて構成される請求項1又は2に記載の種結晶。
- 前記遮断膜は、第1遮断膜、第2遮断膜及び第3遮断膜とからなり、
前記基板の前記成長面側の表面に前記第1遮断膜、前記第2遮断膜、前記第3遮断膜の順に積層されており、
前記遮断膜は、炭化珪素からなり、
前記第2遮断膜は、原料ガスの比が、前記第1遮断膜及び前記第3遮断膜と異なり、
前記第3遮断膜の表面が前記成長面となる請求項3に記載の種結晶。 - 前記第1遮断膜及び前記第2遮断膜の平均膜厚は、0.5μm以上であり、前記第3遮断膜の平均膜厚は、5μm以上である請求項4に記載の種結晶。
- 前記種結晶は、前記基板の前記成長面と反対側の表面を覆う裏面遮断膜を有し、
前記基板の前記成長面と反対側の表面は、{0001}面であり、
前記裏面遮断膜のX線ロッキングカーブの半値幅は、20アーク秒以下である請求項1から5の何れか1項に記載の記載の種結晶。 - 炭化珪素単結晶を製造するために用いられ、前記炭化珪素単結晶が成長を開始する面である成長面を有する種結晶の製造方法であって、
炭化珪素単結晶からなる基板を準備する工程と、
前記基板の前記成長面側の表面を、前記成長面を有する遮断膜で覆う被覆工程とを備え、
前記被覆工程では、X線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒以下である前記遮断膜を形成することにより、前記基板の前記成長面側の表面を覆う種結晶の製造方法。 - 前記被覆工程では、成長方向が異なる複数の膜を形成する請求項7に記載の種結晶の製造方法。
- 炭化珪素単結晶の原料となる昇華用原料が入れられる坩堝に、前記炭化珪素単結晶が成長を開始する面である成長面を有する種結晶を配置する種結晶配置工程と、
前記昇華用原料を昇華させて、前記炭化珪素単結晶を成長させる単結晶成長工程とを有する炭化珪素単結晶の製造方法であって、
前記種結晶は、炭化珪素単結晶からなる基板と、前記成長面を有する遮断膜とを有し、前記基板の前記成長面側の表面は、前記遮断膜で覆われており、前記遮断膜のX線ロッキングカーブの半値幅が、20アーク秒以下であり、
前記種結晶配置工程では、前記成長面が前記昇華用原料と対向するように前記種結晶を配置する炭化珪素単結晶の製造方法。
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JP2010181419A JP2012041208A (ja) | 2010-08-13 | 2010-08-13 | 種結晶、その種結晶の製造方法及び、その種結晶を用いた炭化珪素単結晶の製造方法 |
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JP7463699B2 (ja) | 2019-11-11 | 2024-04-09 | 株式会社レゾナック | SiCシード及びSiC単結晶インゴットの製造方法 |
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2010
- 2010-08-13 JP JP2010181419A patent/JP2012041208A/ja active Pending
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