JP2012037277A - 昇温装置及び昇温試験方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】炭化珪素(SiC)からなるMOSFET10のドレイン電極に外部の直流電源2から電源電圧が印加され、印加された電源電圧から生成された可変のバイアス電圧がゲート電極13に印加されることにより、MOSFET10が昇温する。電源電圧を抵抗器R3,R4で分圧した電圧に対して、電源電圧を抵抗器R1,R2で分圧した電圧の変化分をMOSFET20にて所定の負の増幅率で増幅してドレイン電極21で加算することにより、ドレイン電極21の電圧が一定となり、前記バイアス電圧が一定に保たれる。
【選択図】図1
Description
これにより、単一の外部電源を用いた動作が可能であり、比較的小さな電力に基づいてドレイン電流が可変に制御される。このため、バイアス電圧が例えば人の操作によって簡便に変更され、バイアス電圧の高低に応じた大きさのドレイン電流が外部電源から流入することにより、外部電源の電圧及びドレイン電流の積の大きさに応じたジュール熱が発生してドレイン電極及び放熱片の昇温の程度が変化する。また、ドレイン電極及び放熱片の温度がシリコンからなる半導体の耐熱温度を超える場合であっても、MOSFETを構成するワイドバンドギャップ半導体の限界温度近くまで安定に動作する。
これにより、大きさが一定の電圧からバイアス電圧が生成されるため、外部電源の出力電圧の変化に関わらず、一定のバイアス電圧がゲート電極に印加される。
これにより、昇温装置が発生させた熱が、被試験半導体装置に効率よく伝達される。また、外部電源の出力電圧及び/又はバイアス電圧を大/小に変化させた場合は、MOSFETのドレイン電極にて発生するジュール熱の熱量が大/小に変化し、放熱片同士を介して被試験半導体装置が昇温される程度が大/小に変化する。
これにより、MOSFET及び被試験半導体装置が密に接合されると共に、MOSFETにて発生したジュール熱のうち、外部の空気に放散する熱の割合を低減して、昇温効果を向上させる。
これにより、単一の外部電源を用いた動作が可能であり、比較的小さな電力に基づいてドレイン電流が可変に制御される。このため、バイアス電圧が例えば人の操作によって簡便に変更され、バイアス電圧の高低に応じた大きさのドレイン電流が外部電源から流入することにより、外部電源の電圧及びドレイン電流の積の大きさに応じたジュール熱が発生してドレイン電極及び放熱片の昇温の程度が変化する。また、ドレイン電極及び放熱片の温度がシリコンからなる半導体の耐熱温度を超える場合であっても、MOSFETを構成するワイドバンドギャップ半導体の限界温度近くまで安定に動作する。
従って、小型且つ安価で温度制御が容易であり、加えて、シリコンからなる半導体デバイスの温度限界を越える高温での昇温試験に適用することが可能となる。
図1は、本発明の実施の形態に係る昇温装置の回路図である。図中1は昇温装置であり、昇温装置1は、外部の直流電源2から可変の電圧がドレイン電極(D)11及びソース電極(S)12間に印加されるMOSFET10を備える。MOSFET10は、Nチャネルのエンハンスメント型であり、半導体材料が炭化珪素(SiC)からなる。昇温装置1は、また、ドレイン電極11及びソース電極12間に印加される電圧(以下、電源電圧Vddという)から生成したバイアス電圧を、MOSFET10のゲート電極(G)13に印可するバイアス回路100を備える。
尚、MOSFET10の半導体材料は、炭化珪素に限定されず、いわゆるワイドバンドギャップ半導体であれば、標準的な安価な半導体でよいが、昇温可能な温度の上限を高める必要性から、炭化珪素とすることが好ましい。
Rd=R3×R4/(R3+R4)・・・・・・・・・・(3)
ΔVds(OFF)=Rd×ΔId・・・・・・・・・・(6)
ΔVdd=R3×ΔId・・・・・・・・・・・・・・・(8)
ΔVdd=R3×gm×ΔVgs・・・・・・・・・・・(10)
1=R3×gm×R2/(R1+R2)・・・・・・・・(11)
図2A及び図2Bの夫々は、MOSFET20の伝達特性及び出力特性を模式的に示す特性図である。図2Aにおいて、横軸はゲート電圧Vgsを表し、縦軸はドレイン電流Idを表す。また、図2Bにおいて、横軸はドレイン電圧Vdsを表し、縦軸はドレイン電流Idを表す。
図3は、MOSFET10の出力特性を例示する特性図であり、図4は、MOSFET10の閾値電圧の温度依存性を模式的に示す説明図である。図3において、横軸はドレイン電圧Vdsを表し、縦軸はドレイン電流Idを表す。また、図4において、横軸はチャネル温度を表し、縦軸は閾値電圧Vthを表す。図1に示すように、ドレイン電圧Vdsは、電源電圧Vddと一致している。
図5Aは、MOSFET10の外観を略示する正面図であり、図5Bは、同じくその右側面図である。MOSFET10は、縦長の直方体状の絶縁樹脂からなる封止体15を有しており、封止体15の下部からはゲート電極(G)13、ドレイン電極(D)11及びソース電極(S)12の夫々に接続されたリード線(図では、夫々G,D,Sと表記する。以下同様)が下方に突出している。封止体15の上部からは、その中央部に取付孔が穿設された矩形平板状の放熱片14が、封止体15の背面に沿って上方に延出している。放熱片14は、ドレイン電極11と熱的に密に結合しており、更に、封止体15と共に絶縁樹脂によって封止されていない場合は、ドレイン電極11と電気的に接続されている。
図7Aでは、MOSFET10の放熱片14及び封止体15が、前記絶縁樹脂によって一体に封止されている場合の接合方法を示す。MOSFET10及び被試験半導体装置3は、互いの背面を突き合わせてあり、放熱片14,34の取付孔に挿通されたビス41が、ナット42に螺嵌されている。これにより、放熱片14,34が、ビス41及びナット42で締結されて、熱的に密に結合される。従って、MOSFET10が昇温した場合に、被試験半導体装置3が効率よく加熱される。
尚、熱収縮性チューブ6が、放熱片14,34の全体を囲繞してもよいし、例えば他の断熱材料でMOSFET10及び被試験半導体装置3の全体を囲繞するようにしてもよい。また、ビス41及びナット42を用いずに熱収縮性チューブ6の収縮力のみによって、MOSFET10及び被試験半導体装置3を接合させてもよい。
MOSFET10は、半導体材料が炭化珪素からなるため、チャネル温度が400℃を越えても動作が可能である。本実施の形態においても、MOSFET10は、300℃以上の高温まで昇温して、被試験半導体装置3を昇温させる。被試験半導体装置3の温度は、図示しない温度センサで検出されて表示されるようになっており、作業者はその表示を参照しながら、抵抗器4の摺動子、又は直流電源2の電源電圧Vddを調整するつまみを回動させることによって、被試験半導体装置3が温度を所定の温度となるように調整することができる。
これにより、単一の外部電源を用いた動作が可能であり、比較的小さな電力に基づいてドレイン電流が可変に制御される。このため、バイアス電圧が人の操作によって簡便に変更され、バイアス電圧の高低に応じた大きさのドレイン電流が外部電源から流入することにより、外部電源の電源電圧及びドレイン電流の積の大きさに応じたジュール熱が発生してドレイン電極及び放熱片が昇温する。また、ドレイン電極及び放熱片の温度がシリコンからなる半導体の耐熱温度を超える場合であっても、MOSFETを構成する炭化珪素の限界温度近くまで安定に動作する。従って、小型且つ安価で温度制御が容易であり、加えて、シリコンからなる半導体デバイスの温度限界を越える高温での昇温試験に適用することが可能となる。
従って、大きさが一定のドレイン電圧(式(4)及び図2BのVds(ON))からバイアス電圧が生成されるため、外部電源の電源電圧の変化に関わらず、一定のバイアス電圧をゲート電極に印加することが可能となる。
従って、昇温装置が発生させた熱を、被試験半導体装置に効率よく伝達することが可能となる。また、外部電源の電源電圧及び/又はバイアス電圧を大/小に変化させることにより、MOSFETのドレイン電極にて発生するジュール熱の熱量を大/小に変化させ、放熱片同士を介して被試験半導体装置が昇温される程度を大/小に変化させることが可能となる。
従って、MOSFET及び被試験半導体装置が密に接合されると共に、MOSFETにて発生したジュール熱のうち、外部の空気に放散する熱の割合を低減して、昇温効果を向上させることが可能となる。
10 MOSFET
11 ドレイン電極
13 ゲート電極
14 放熱片
100 バイアス回路
20 MOSFET
21 ドレイン電極
23 ゲート電極
R1、R2、R3、R4 抵抗器
2 直流電源
3 被試験半導体装置
34 放熱片
41 ビス
42 ナット
51 絶縁ワッシャ
52 絶縁片
6 熱収縮性チューブ
Claims (7)
- 外部の直流電源から電圧が印加されるべきドレイン電極に放熱片を有するMOSFETと、該MOSFETのゲート電極にバイアス電圧を印加するバイアス回路とを備える昇温装置であって、
前記MOSFETは、バンドギャップがシリコンより大きい半導体材料からなり、
前記バイアス回路は、前記ドレイン電極に印加されるべき電圧から、可変のバイアス電圧を生成するようにしてあること
を特徴とする昇温装置。 - 前記直流電源は、出力電圧を可変にしてあり、
前記バイアス回路は、前記出力電圧の変化に応じた電圧に、該電圧の変化を相殺する電圧を加算した電圧から、前記バイアス電圧を生成するようにしてあること
を特徴とする請求項1に記載の昇温装置。 - 前記MOSFETは、飽和領域で動作するようにしてあることを特徴とする請求項2に記載の昇温装置。
- 前記放熱片は、樹脂モールドされていることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の昇温装置。
- 前記放熱片を電気的に絶縁する絶縁片を備えることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の昇温装置。
- 請求項1から5の何れか1項に記載の昇温装置と、出力電圧可変の直流電源とを用いて、放熱片を有する半導体装置の昇温試験を行う方法であって、
前記昇温装置を構成するMOSFETのドレイン電極に前記直流電源の出力電圧を印加し、
前記MOSFET及び半導体装置の放熱片同士を接合し、
前記出力電圧及び/又は前記MOSFETのゲート電極に印加するバイアス電圧を変化させること
を特徴する昇温試験方法。 - 前記MOSFET及び半導体装置を熱収縮性チューブにて囲繞することを特徴とする請求項6に記載の昇温試験方法。
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