JP2008047845A - 半導体素子及び各種部品のレーザー昇温装置。 - Google Patents
半導体素子及び各種部品のレーザー昇温装置。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008047845A JP2008047845A JP2006247315A JP2006247315A JP2008047845A JP 2008047845 A JP2008047845 A JP 2008047845A JP 2006247315 A JP2006247315 A JP 2006247315A JP 2006247315 A JP2006247315 A JP 2006247315A JP 2008047845 A JP2008047845 A JP 2008047845A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- temperature
- semiconductor element
- various components
- test
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【課題】 本考案は、ワーク(半導体素子及び各種部品)を短時間で設定温度まで昇温させ、ワーク自身の温度を確認後、高温状態での試験・評価を可能とした装置である。
【解決手段】 昇温させたいワークのみにレーザーを照射し、ワーク内のセンサー(サーミスター等)からの信号を計算し、ワークの内部温度を確認し、設定温度に達したら、レーザー照射を中止する。と同時にワークの試験・評価を実行する。
又、ワーク温度の確認方法として、非接触型センサーを利用してワーク温度の確認を行うことにより、短時間でワークの高温試験・評価が可能となり、高価で大型の恒温槽を必要としなくなる。
【選択図】図1
【解決手段】 昇温させたいワークのみにレーザーを照射し、ワーク内のセンサー(サーミスター等)からの信号を計算し、ワークの内部温度を確認し、設定温度に達したら、レーザー照射を中止する。と同時にワークの試験・評価を実行する。
又、ワーク温度の確認方法として、非接触型センサーを利用してワーク温度の確認を行うことにより、短時間でワークの高温試験・評価が可能となり、高価で大型の恒温槽を必要としなくなる。
【選択図】図1
Description
本考案は、短時間でワークを暖め、高温状態での試験を可能にし、且つ、従来の恒温槽式高温装置を不要とする為の技術に関する。
従来用いられていた恒温槽でワークを暖める方式では、ワークが暖まる迄にある程度の時間を要し、又機構が複雑であった為、ワークの製造コストが高くなることが問題になっている。
ワーク(半導体素子、各種部品))を簡便な機構、且つ短い時間に設定温度まで暖めることができる機械装置が無い為、検査・試験のコストが高くなっている。
レーザーをワーク(半導体素子及び各種部品)部分に的を絞り照射し、設定温度まで暖める。
温度センサーをワーク内に設置する。半導体の場合はサーミスターを半導体回路に作り込み、又半導体以外のワークは温度センサーを組み付け、温度を計測、確認する。
熱感知センサーでワークの温度を外部から計測、確認する。
ワーク(半導体素子、各種部品))を簡便な機構で短い時間に設定温度まで暖めることができ、検査・試験が可能になる為、ワークの製造コスト低減が可能となる。
(イ)暖めようとするワークのみにレーザーを照射する。
(ロ)設定温度まで上昇したら照射を中止する。
(ハ)ワークの性能を試験・評価する。
(ロ)設定温度まで上昇したら照射を中止する。
(ハ)ワークの性能を試験・評価する。
1 試験装置からのテストスタート信号がコントロールユニット経由でレーザー装置に指令を出し、ワーク(被測定物)にレーザー照射を開始する。
3 ワークの温度センサー(サーミスタ)から信号をコントロールユニットが連続判定し、設定温度に達したら、レーザー照射を中止させる。
4 同時に試験装置にテスト開始の指令を出し、ワークの試験を行い良否判定と分類信号を選別機に送信する。
〔符号の説明〕
1 試験装置からのテストスタート信号がコントロールユニット経由でレーザー装置に指令を出し、ワーク(被測定物)にレーザー照射を開始する。
3 ワークの温度は非接触型温度センサーから信号をコントロールユニットが連続判定し、設定温度に達したら、レーザー照射を中止させる。
4 同時に試験装置にテスト開始の指令を出し、ワークの試験を行い良否判定と分類信号を選別機に送信する。
3 ワークの温度センサー(サーミスタ)から信号をコントロールユニットが連続判定し、設定温度に達したら、レーザー照射を中止させる。
4 同時に試験装置にテスト開始の指令を出し、ワークの試験を行い良否判定と分類信号を選別機に送信する。
〔符号の説明〕
1 試験装置からのテストスタート信号がコントロールユニット経由でレーザー装置に指令を出し、ワーク(被測定物)にレーザー照射を開始する。
3 ワークの温度は非接触型温度センサーから信号をコントロールユニットが連続判定し、設定温度に達したら、レーザー照射を中止させる。
4 同時に試験装置にテスト開始の指令を出し、ワークの試験を行い良否判定と分類信号を選別機に送信する。
Claims (2)
- ウエハー上にあるチップ(半導体素子)及びパッケージングされている、完成した半導体素子、及び各種部品を設定温度までレーザを照射して短時間で暖める機械装置。
- ワーク自身の温度確認方法は、下記の3通りである。
1.温度センサーとしてのサーミスターを半導体回路内に作り込み、温度を計測、確認する。
2.温度センサーをワーク内に設置し、温度を計測、確認する。
3.熱感知センサーでワークの温度を非接触で計測確認する。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006247315A JP2008047845A (ja) | 2006-08-17 | 2006-08-17 | 半導体素子及び各種部品のレーザー昇温装置。 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006247315A JP2008047845A (ja) | 2006-08-17 | 2006-08-17 | 半導体素子及び各種部品のレーザー昇温装置。 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008047845A true JP2008047845A (ja) | 2008-02-28 |
JP2008047845A5 JP2008047845A5 (ja) | 2010-01-21 |
Family
ID=39181256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006247315A Pending JP2008047845A (ja) | 2006-08-17 | 2006-08-17 | 半導体素子及び各種部品のレーザー昇温装置。 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008047845A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012017862A1 (ja) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | 住友電気工業株式会社 | 昇温装置及び昇温試験方法 |
JP2014535175A (ja) * | 2011-11-14 | 2014-12-25 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 高輝度発光ダイオードのための高スループット高温試験方法およびシステム |
JP2016177310A (ja) * | 2008-09-25 | 2016-10-06 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 調整機能を最適化した投影露光装置 |
-
2006
- 2006-08-17 JP JP2006247315A patent/JP2008047845A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016177310A (ja) * | 2008-09-25 | 2016-10-06 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 調整機能を最適化した投影露光装置 |
US10054860B2 (en) | 2008-09-25 | 2018-08-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure apparatus with optimized adjustment possibility |
WO2012017862A1 (ja) * | 2010-08-04 | 2012-02-09 | 住友電気工業株式会社 | 昇温装置及び昇温試験方法 |
JP2012037277A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-02-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 昇温装置及び昇温試験方法 |
JP2014535175A (ja) * | 2011-11-14 | 2014-12-25 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 高輝度発光ダイオードのための高スループット高温試験方法およびシステム |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI797267B (zh) | 檢查裝置 | |
US11385280B2 (en) | Inspection apparatus and temperature control meihod | |
TW200720681A (en) | Electronic component test apparatus and temperature control method in electronic component test apparatus | |
JP2007311389A (ja) | プローバ及びプローブ接触方法 | |
JP2011191232A (ja) | 微小径ワイヤボンディングの良否判定方法及び判定装置 | |
JP2013104667A (ja) | 半導体装置の検査装置及び検査方法 | |
JP2008047845A (ja) | 半導体素子及び各種部品のレーザー昇温装置。 | |
US20080272795A1 (en) | Prober Apparatus and Operating Method Therefor | |
JP4999775B2 (ja) | プローバ | |
JP5546528B2 (ja) | 半導体モジュールの絶縁欠陥検査装置および検査方法 | |
CN108593144A (zh) | 一种温度传感器质量检测系统 | |
JP2008047845A5 (ja) | ||
TW202340737A (zh) | 用於最終測試的半導體測試裝置 | |
JP2007240263A (ja) | 半導体集積回路及び動作試験方法 | |
CN201004454Y (zh) | 一种用于半导体可靠性测试的带温度控制功能的加热装置 | |
TWI820255B (zh) | 試驗用晶圓及其製造方法 | |
US10088522B2 (en) | Apparatus and method for detecting faults in multilayer semiconductors | |
JP2009150868A (ja) | 半導体素子のバーンイン装置およびそのバーンイン方法 | |
KR102066155B1 (ko) | 프로빙 방법, 이를 수행하기 위한 프로브 카드 및 프로브 카드를 포함하는 프로빙 장치 | |
CN205103370U (zh) | 一种通用集成电路测试装置 | |
US20210343360A1 (en) | Apparatus for testing semiconductor device and method of testing thereof | |
JP2005228788A (ja) | ウエーハとプローブカードとの位置合わせ方法、プローブ検査方法及びプローブ検査装置 | |
JP2007234645A5 (ja) | ||
JP4902986B2 (ja) | プローバ、及び、プローバのウェハステージ加熱、又は、冷却方法 | |
JP2007234645A (ja) | プローバ温度制御装置、及び、方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20090811 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20090811 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20091023 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A072 | Dismissal of procedure |
Effective date: 20110920 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A073 |