JP2008047845A5 - - Google Patents

Description

半導体素子及び各種部品をレーザー昇温し加工調整する装置。

本考案は、短時間で半導体素子、及び各種部品（被測定物）を温め、高温状態での試験を可能にし特性の良いものを選択し加工調整させ、且つ、従来の恒温槽式高温装置を不要とする為の技術に関するものである。

従来用いられていた恒温槽で半導体素子、及び各種部品（被測定物）を温める方式では、ワークが暖まる迄にある程度の時間を要し、又機構が複雑であった為、ワークの製造コストが高くなることが問題になっている。

半導体素子、各種部品（被測定物）を簡便な機構、且つ短い時間に設定温度まで暖めることができる機械装置が無い為、検査・試験のコストが高くなっている。

レーザーを半導体素子及び各種部品（被測定物）に的を絞り照射し、設定温度まで暖める。

半導体素子及び各種部品の場合は、温度センサーを部品内に設置する。
半導体素子の場合はサーミスターを半導体回路に作り込み、又半導体以外の部品は温度センサーを組み付け、温度を計測、確認する。

熱感知センサー（非接触タイプ）で半導体素子及び各種部品の温度を外部から計測、確認する。

半導体素子、各種部品（被測定物）を簡便な機構で短い時間に設定温度まで暖めることができ、また温度を維持した状態での検査・試験が可能になる為、ワークの製造コスト低減が可能となる。

（イ）温めようとする半導体素子、及び各種部品のみにレーザーを照射する。
（ロ）設定温度まで上昇したら照射を中止する。
（ハ）半導体素子、及び各種部品の性能を試験・評価する。
（ニ）特性の良いものを選択しレーザー加工し調整する。

温度センサーとしてサーミスタや温度センサーを使用した場合の説明。 温度センサーとして非接触型温度センサーを使用した場合の説明。

１ 試験装置からのテストスタート信号がコントロールユニット経由でレーザー装置に指令を出し、半導体素子、及び各種部品（被測定物）にレーザー照射を開始する。
２ 半導体素子、及び各種部品の温度センサー（サーミスタ）から信号をコントロールユニットが連続判定し、設定温度に達したら、レーザー照射を中止させる。
３ 同時に試験装置にテスト開始の指令を出し、半導体素子、及び各種部品の試験を行い良否判定と分類信号を選別機に送信する。

Claims (2)

1. パッケージングされている 完成した半導体素子、及び各種部品（被測定物）を設定温度までレーザーを照射して短時間で温め、試験・評価を実行した時に電気的特性のより良いものを選択し加工調整する。特性のでていないものは電圧をかけヒューズトリミングを行い特性の良いものに変化・調整させることを特徴とするレーザー昇温調整装置。
2. 半導体素子、及び各種部品（被測定物）の温度確認方法は、下記の４通りである。
   １．半導体素子の場合、温度センサーとしてのサーミスターを半導体回路内に作り込み、温度を計測、確認する。
   ２．半導体素子、及び各種部品の場合、温度センサーを素子及び部品内に設置し、温度を計測、確認する。
   ３．半導体素子の場合、半導体のＰＮ接合部の温度変化による電圧の変化から内部温度を確認する。
   ４．半導体素子、及び各種部品の場合、熱感知センサーで素子及び部品の表面温度を非接触で計測確認する。