JP2012036030A - 半導体ウェハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制できる半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、シリコンからなり且つ中央領域と外周領域とを有する半導体基板1と、前記半導体基板1上に形成された窒化物系化合物半導体からなる化合物半導体層5と、を備える半導体ウェハの製造方法であって、
前記半導体基板1の前記外周領域に設けられたテーパ部12の上に前記化合物半導体層5が成長することを阻止する成長阻止層4を形成するステップと、
前記成長阻止層4が形成された前記半導体基板の少なくとも前記中央領域上に前記化合物半導体層5を成長させるステップと、を備えることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、シリコンからなり且つ中央領域と外周領域とを有する半導体基板1と、前記半導体基板1上に形成された窒化物系化合物半導体からなる化合物半導体層5と、を備える半導体ウェハの製造方法であって、
前記半導体基板1の前記外周領域に設けられたテーパ部12の上に前記化合物半導体層5が成長することを阻止する成長阻止層4を形成するステップと、
前記成長阻止層4が形成された前記半導体基板の少なくとも前記中央領域上に前記化合物半導体層5を成長させるステップと、を備えることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、シリコン基板上に形成された化合物半導体層を備える半導体ウェハの製造方法に関する。
下記特許文献1は、結晶欠陥の少ない半導体層を形成するために、シリコンからなる半導体結晶成長用基板の少なくとも外周側面に膜厚が100nmの窒化シリコンからなる保護膜を形成し、半導体結晶成長用基板の表面のうち保護膜が形成されていない領域上に窒化アルミニウムからなるバッファ層を形成し、バッファ層上に窒化ガリウムからなる半導体層を形成してなる半導体ウェハの製造方法を開示する。
特許文献1に記載される従来の半導体ウェハの製造方法によれば、バッファ層及び半導体層の結晶成長ステップにおいて、歪みによる応力集中によって半導体結晶成長用基板の外周領域にクラックが発生し、半導体結晶成長用基板内にガリウムが侵入することを抑制することができる。
しかしながら、従来の半導体ウェハの製造方法は、半導体結晶成長用基板及び半導体層に発生する応力を緩和することを目的としていないため、特に半導体ウェハの外周領域において応力に起因するクラックが発生することがあった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制できる半導体ウェハの製造方法を提供することを目的とする。
本願発明者は、半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制できる半導体ウェハの製造方法について検討し、半導体ウェハの外周領域に設けられたテーパ部に成長する化合物半導体層によりクラックが発生していることを解明した。そして、本願発明者は、テーパ部の上に化合物半導体層が成長することを阻止する成長阻止層を形成することで、ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制できることを見出して本願発明を完成させた。
上記課題を解決するために本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、シリコンからなり且つ中央領域と外周領域とを有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された窒化物系化合物半導体からなる化合物半導体層と、を備える半導体ウェハの製造方法であって、
前記半導体基板の前記外周領域に設けられたテーパ部の上に前記化合物半導体層が成長することを阻止する成長阻止層を形成するステップと、
前記成長阻止層が形成された前記半導体基板の少なくとも前記中央領域上に前記化合物半導体層を成長させるステップと、を備えることを特徴とする。
前記半導体基板の前記外周領域に設けられたテーパ部の上に前記化合物半導体層が成長することを阻止する成長阻止層を形成するステップと、
前記成長阻止層が形成された前記半導体基板の少なくとも前記中央領域上に前記化合物半導体層を成長させるステップと、を備えることを特徴とする。
また、本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、前記成長阻止層を形成するステップにおいて、前記成長阻止層は、前記半導体基板の前記外周領域におけるテーパ部から平坦部に向かって延伸して形成されることを特徴とする。
また、本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、前記成長阻止層を形成するステップにおいて、前記成長阻止層は、その内周の少なくとも一部が前記半導体基板の外周と平行にならないように形成されることを特徴とする。
また、本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、前記成長阻止層を形成するステップにおいて、前記成長阻止層は、その内周が略円形になるように形成されることを特徴とする。
本発明によれば、半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制できる半導体ウェハの製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態に係る半導体ウェハの製造方法を、図面を参照しながら詳細に説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
図面を参照して本発明の実施例に係る半導体ウェハ及びその製造方法について説明する。
図1は、本発明の実施例1に係る半導体ウェハの製造方法を示す工程断面図である。本実施例に係る半導体ウェハは半導体基板1と、半導体基板1のテーパ部12の上に形成された成長阻止層3と、半導体基板1の上に形成された化合物半導体層5と、を備える。また、本実施例に係る半導体ウェハの製造方法は、半導体基板1の外周領域に設けられたテーパ部12の上に成長阻止層3を形成するステップと、成長阻止層3が形成された半導体基板1の上に化合物半導体層5を成長させるステップと、を備える。
図1は、本発明の実施例1に係る半導体ウェハの製造方法を示す工程断面図である。本実施例に係る半導体ウェハは半導体基板1と、半導体基板1のテーパ部12の上に形成された成長阻止層3と、半導体基板1の上に形成された化合物半導体層5と、を備える。また、本実施例に係る半導体ウェハの製造方法は、半導体基板1の外周領域に設けられたテーパ部12の上に成長阻止層3を形成するステップと、成長阻止層3が形成された半導体基板1の上に化合物半導体層5を成長させるステップと、を備える。
図1を参照して本実施例に係る半導体ウェハの製造方法について説明する。
まず、図1(a)に示すように、半導体基板1を準備し、半導体基板1の中央領域及び外周領域における平坦部(主面)11とテーパ部12との表面上に保護膜2を形成する。半導体基板1は、シリコン(Si)からなる。半導体基板1は、平面的に見て鏡面加工され半導体素子が形成される中央領域及び平坦部11と、搬送時の保持部として設けられる外周領域及びテーパ部12と、を有する。テーパ部12は、平坦部11に対して所定の角度を有して形成される。保護膜2は、保護膜2の上に化合物半導体が成長されない材料からなり、例えば酸化シリコン(SiOx)、窒化シリコン(SiNx)等の材料から選択され、SOG(スピン・オン・グラス)、化学気相成長法(CVD)、蒸着及び熱酸化等の方法により形成されるが、本実施例においてはSiOxからなり、熱酸化によって形成される。保護膜2は、半導体基板1の平坦部11及びテーパ部12の表面上に形成され、数十〜数百μmの厚みに形成される。
まず、図1(a)に示すように、半導体基板1を準備し、半導体基板1の中央領域及び外周領域における平坦部(主面)11とテーパ部12との表面上に保護膜2を形成する。半導体基板1は、シリコン(Si)からなる。半導体基板1は、平面的に見て鏡面加工され半導体素子が形成される中央領域及び平坦部11と、搬送時の保持部として設けられる外周領域及びテーパ部12と、を有する。テーパ部12は、平坦部11に対して所定の角度を有して形成される。保護膜2は、保護膜2の上に化合物半導体が成長されない材料からなり、例えば酸化シリコン(SiOx)、窒化シリコン(SiNx)等の材料から選択され、SOG(スピン・オン・グラス)、化学気相成長法(CVD)、蒸着及び熱酸化等の方法により形成されるが、本実施例においてはSiOxからなり、熱酸化によって形成される。保護膜2は、半導体基板1の平坦部11及びテーパ部12の表面上に形成され、数十〜数百μmの厚みに形成される。
次に、図1(b)に示すように、半導体基板1の外周領域における保護膜2の上にマスク3を形成する。マスク3はフォトレジスト材料からなり、周知のフォトリソグラフィ法によって形成される。マスク3は、成長阻止層4が形成される位置に設けられ、少なくとも半導体基板1のテーパ部12を覆うように形成される。
次に、図1(c)に示すように、半導体基板1の外周領域に成長阻止層4を形成する。成長阻止層4は、マスク3が形成された保護膜2を周知のウェットエッチング又はドライエッチングによってパターニングし、マスク3を除去することで形成される。成長阻止層4は、半導体基板1の外周端から中央領域に向かって所定の幅を有し、少なくとも半導体基板1のテーパ部12の表面上を全て覆うように形成され、さらに半導体基板1の平坦部11の一部を覆うように形成されても良い。
次に、図1(d)に示すように、成長阻止層3が形成された半導体基板1の上に化合物半導体層5を成長する。化合物半導体層5は、窒化ガリウム(GaN)、アルミ窒化ガリウム(AlGaN)及び窒化インジウム(InN)等又はこれらの混晶を含むIII−V族化合物半導体からなり、本実施例においてはAlxGa1−xN(0≦x≦1)で表わされる単層又は多層構造からなる。化合物半導体層5は、CVDや分子線エピタキシー法(MBE)によって少なくとも半導体基板1の中央領域における平坦部11の上に形成される。化合物半導体層5を成長するステップにおいて、化合物半導体層5が膜厚方向(図1(d)における垂直方向)だけでなく幅方向(図1(d)における水平方向)にも成長して成長阻止層4の上に形成されても良い。
従来の半導体ウェハの製造方法においては、テーパ部12の結晶方位と平坦部11の結晶方位とは互いに異なるため、半導体基板1上には、平坦部11の結晶方位に基づいた化合物半導体層とテーパ部12の結晶方位に基づいた化合物半導体層とが成長される。テーパ部12上に形成される化合物半導体層は、結晶方位、結晶性及び成長レート等が平坦部11上のそれらと異なるため、テーパ部12の付近において応力が発生しやすかった。あるいは、平坦部11上の化合物半導体層とテーパ部上の化合物半導体層との界面において応力が発生しやすく、半導体ウェハの外周領域においてクラックが生じる要因になっていたと考えられる。
一方、本実施例に係る半導体ウェハの製造方法によれば、少なくとも半導体基板1のテーパ部12上の表面上を除いて化合物半導体層5が形成される。これによって半導体基板1上には、平坦部11の結晶方位(例えば(111)面)に基づいた均質な化合物半導体層5が成長されるため、半導体ウェハの外周領域には応力が発生しにくい。従って、半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生を抑制することができる。
図2は、本発明の実施例2に係る半導体ウェハの構造を示す断面図である。本実施例に係る半導体ウェハは、成長阻止層4aの内周が円形になるように形成される点で実施例1に係る半導体ウェハと異なり、それ以外は実質的に同一に構成される。なお、図2(a)は、本実施例に係る半導体ウェハの平面図であり、図2(b)は図2(a)のB−B断面図であり、図2(c)は図2(a)のC−C断面図である。
図2(a)に示すように、半導体基板1はオリエンテーション・フラット(OF)部と呼ばれる形状を有し、外周端の形状は円形ではない。一方、本実施例に係る成長阻止層4aは、その内周の一部が半導体基板1の外周端と並行ではなく、OF部と対向する部分を含めて円形になるように形成される。詳細には、図2(b)及び(c)に示すように、OF部近傍における成長阻止層4cの幅とそれ以外の部分における成長阻止層4bの幅とは互いに異なり、OF部近傍の成長阻止層4cは、テーパ部12の表面上を覆い且つ成長阻止層4bの幅よりも狭幅に形成される。
本実施例に係る半導体ウェハの製造方法によれば、実施例1に係る半導体ウェハの製造方法と同一の効果が得られる。さらに、化合物半導体層5が平面的に見て円形に成長されるため、半導体ウェハの外周に発生する応力が外周に沿って均一化される。従って、半導体ウェハの外周領域におけるクラック発生及び半導体ウェハの反りを抑制することができる。
以上、本発明の実施例の一例について説明したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
1 半導体基板
2 保護膜
3 マスク
4、4a、4b、4c 成長阻止層
5 化合物半導体層
11 平坦部
12 テーパ部
2 保護膜
3 マスク
4、4a、4b、4c 成長阻止層
5 化合物半導体層
11 平坦部
12 テーパ部
Claims (4)
- シリコンからなり且つ中央領域と外周領域とを有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された窒化物系化合物半導体からなる化合物半導体層と、を備える半導体ウェハの製造方法であって、
前記半導体基板の前記外周領域に設けられたテーパ部の上に前記化合物半導体層が成長することを阻止する成長阻止層を形成するステップと、
前記成長阻止層が形成された前記半導体基板の少なくとも前記中央領域上に前記化合物半導体層を成長させるステップと、を備えることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。 - 前記成長阻止層を形成するステップにおいて、前記成長阻止層は、前記半導体基板の前記外周領域におけるテーパ部から平坦部に向かって延伸して形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハの製造方法。
- 前記成長阻止層を形成するステップにおいて、前記成長阻止層は、その内周の少なくとも一部が前記半導体基板の外周と平行にならないように形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体ウェハの製造方法。
- 前記成長阻止層を形成するステップにおいて、前記成長阻止層は、その内周が略円形になるように形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体ウェハの製造方法。
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