JP2012033962A - 半導体デバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に直接にまたは絶縁体膜を介してバリア金属膜を形成する工程と、該バリア金属膜上にCVD法によって銅膜を形成する工程とを含む半導体デバイス製造方法において、該バリア金属膜を形成する工程と該銅膜を形成する工程との間に、加熱条件下アンモニア、水素、またはシランのうちの少なくともいずれか1つを含む第1の還元性ガスに暴露する工程と、該銅膜を形成する工程の後に、加熱条件下第2の還元性ガスに暴露する工程と、を有することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
該バリア金属膜を形成する工程と該銅膜を形成する工程との間に、加熱条件下アンモニア、水素、またはシランのうちの少なくともいずれか1つを含む第1の還元性ガスに暴露する工程と、
該銅膜を形成する工程の後に、加熱条件下第2の還元性ガスに暴露する工程と、
を有することを特徴とする。
12、12a〜12c 絶縁層
14a ビア孔
14b 配線溝
22、30 バリア金属膜
24、32 金属導体膜
26、34 金属導体部
28、36 ビア
29、37 配線層
40 スペース
41 搬送アーム
42 前処理室
43 ロードロック室
44 金属導体膜形成室
46 後処理室
48、50、52、54 室
Claims (5)
- 基板上に直接にまたは絶縁体膜を介してバリア金属膜を形成する工程と、該バリア金属膜上にCVD法によって銅膜を形成する工程とを含む半導体デバイス製造方法において、
該バリア金属膜を形成する工程と該銅膜を形成する工程との間に、加熱条件下アンモニア、水素、またはシランのうちの少なくともいずれか1つを含む第1の還元性ガスに暴露する工程と、
該銅膜を形成する工程の後に、加熱条件下第2の還元性ガスに暴露する工程と、
を有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。 - 前記第2の還元性ガスは、アンモニアまたは水素のうちの少なくともいずれか1つであることを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス製造方法。
- 前記バリア金属膜は窒化タングステンまたは窒化タンタルにより形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体デバイス製造方法。
- 前記第1の還元性ガスに暴露する工程は、250〜500℃の温度で行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の半導体デバイス製造方法。
- 前記第2の還元性ガスに暴露する工程は、250〜500℃の温度で行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の半導体デバイス製造方法。
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