JP2012029166A - パッケージ、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器 - Google Patents

Abstract

【課題】製造工数の削減を図るとともに、貫通電極のオーバーエッチングを防止できるパッケージ、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器を提供する。
【解決手段】互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、圧電振動片を封入可能な圧電振動子であって、ベース基板２を厚さ方向に貫通する貫通孔２４，２５内に配置され、キャビティの内側と外側とを導通させる貫通電極１３，１４を有し、貫通電極１３，１４の露出面１３ａ，１４ａをベース基板２の両面２ａ，２ｂよりも内側に窪んだ位置に配置することを特徴とする。
【選択図】図５

Description

本発明は、パッケージ、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器に関するものである。

近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子（パッケージ）が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その１つとして、表面実装（ＳＭＤ）型の圧電振動子が知られている。表面実装型の圧電振動子は、例えば互いに接合されたガラス材料からなるベース基板及びリッド基板と、両基板の間に形成されたキャビティと、キャビティ内に気密封止された状態で収納された圧電振動片（電子部品）とを備えている。

このような圧電振動子では、ベース基板に形成された貫通孔に貫通電極を形成し、この貫通電極によってキャビティ内の圧電振動片と、キャビティ外の外部電極とを電気的に接続する構成が知られている。

貫通電極を形成する方法としては、ベース基板に形成された貫通孔に、銀ペースト等の導電部材を充填し、焼成する方法がある。
しかしながら、この方法では、焼成により銀ペースト中の樹脂等の有機物が除去されて体積が減少するので、貫通電極の表面に凹部が生じたり、貫通電極に穴が開いたりすることがあった。そして、この貫通電極の凹部や穴がキャビティ内の気密性の低下や、圧電振動片と外部電極との導電性の悪化の原因となることがあった。

そこで、近時では、ベース基板に形成された貫通孔に貫通電極となる線材を溶着させることで、貫通電極を形成する方法が開発されている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、まずベース基板となるガラス材料を加熱して軟化させる。そして、軟化状態のガラス材料に線材の一部分を植設して、ガラス材料を冷却することで、ガラス材料に線材を溶着する。次に、一方のガラス面に突出する線材部分を切断除去した後、ガラス材料を研磨する。この場合、貫通電極（線材）は、その両端面がガラス材料のガラス面に対して面一な状態で、ベース基板から露出している。

特開２００７−６７３８７号公報

しかしながら、上述した特許文献１の構成では、線材の溶着後、ガラス材料のガラス面を研磨することで、ガラス面から露出する線材の端面も研磨される。この際、研磨された線材がガラス面に広がることで、ガラス面が金属汚染されることになる。
この場合、ガラス面に広がった金属を除去するために、研磨後の後処理としてエッチング（例えば、ウェットエッチング）を行う必要があり、製造工数の増加に繋がるという問題がある。また、エッチング時に、線材におけるガラス材料に植設された部分がオーバーエッチングされる虞もある。

そこで本発明は、製造工数の削減を図るとともに、貫通電極のオーバーエッチングを防止できるパッケージ、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器を提供するものである。

上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
本発明に係るパッケージは、互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージであって、前記複数の基板のうち、貫通電極形成基板を厚さ方向に貫通する貫通孔内に配置され、前記キャビティの内側と前記複数の基板の外側とを導通させる貫通電極を有し、前記貫通電極は、両端が前記貫通電極形成基板の表裏面側に露出するとともに、前記貫通電極における前記貫通電極形成基板からの露出部分のうち、少なくとも一端側の前記露出部分が、前記貫通電極形成基板の表裏面よりも内側に配置されていることを特徴としている。

この構成によれば、貫通電極を形成した後、貫通電極形成基板の表裏面を研磨することがあっても、貫通電極の露出面は研磨されないため、貫通電極形成基板が金属汚染されるのを抑制できる。これにより、研磨後における金属汚染解消のためのエッチング工程を削減できるので、製造工数を削減して、製造効率の向上を図ることができる。また、貫通孔内に配置された貫通電極がオーバーエッチングされることもないので、貫通電極を所望の形状に形成して、貫通電極を覆うように形成される電極膜との導通性を確保できる。

また、前記貫通電極は、柱状に形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、貫通電極と同径の線材を切断するだけの簡単な加工により貫通電極を作製できるので、低コスト化を図ることができる。

また、前記貫通電極は、球状に形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、貫通孔内に貫通電極を配置する際に、貫通電極の向きを意識することがなく配置できるので、製造効率をより向上できる。また、貫通電極は、貫通孔内において周面が覆われるように配置されるので、接合強度をより向上させ、貫通孔からの脱落を防止できる。

また、前記貫通電極は、板状に形成され、前記貫通電極の厚さ方向を前記貫通電極形成基板の厚さ方向に一致させた状態で前記貫通孔内に配置されるとともに、前記貫通電極の外周部分が前記貫通電極形成基板内に埋設されていることを特徴としている。
この構成によれば、貫通電極の外周部分を貫通電極形成基板内に埋設することで、貫通電極の接合強度を向上できる。

また、前記貫通電極は、多面体形状に形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、多面体形状の頂部を基準にして貫通孔内に配置することで、貫通電極の位置決めが容易になる。

また、前記貫通孔は、前記貫通電極が配置された貫通電極保持部と、前記貫通電極保持部から前記貫通孔の開口縁に向かうにつれ拡径するテーパ部とを有していることを特徴としている。
この構成によれば、貫通孔に開口縁側に向けて拡径されたテーパ部を形成することで、貫通電極を覆うように形成される電極膜の段切れを抑制できるとともに、例えばドライめっき法により電極膜を簡単に成膜できる。

また、前記貫通孔は、前記貫通電極形成基板の厚さ方向に沿って内径が一様に形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、貫通電極形成基板の両面において、貫通孔の開口面積の増大を抑制できるので、貫通孔が開口するキャビティの小型化を図り、小型のパッケージを提供できる。

また、前記貫通孔の開口縁は、曲面形状に形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、貫通孔の開口縁において、貫通電極を覆うように形成される電極膜の段切れを確実に抑制できる。

また、本発明のパッケージの製造方法は、互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、前記複数の基板のうち、貫通電極形成基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記複数の基板の外側とを導通させる貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、前記貫通電極形成工程では、第１治具及び第２治具のそれぞれの凸部間に前記貫通電極を挟み込んだ状態で、前記貫通電極形成基板を前記貫通電極に溶着させることを特徴としている。
この構成によれば、第１治具及び第２治具の凸部間で貫通電極を挟んだ状態で、貫通電極形成基板を貫通電極に溶着することで、貫通電極の露出部分は貫通電極形成基板の表裏面から内側に窪んだ状態で配置される。そのため、後に貫通電極形成基板の表裏面を研磨することがあっても、貫通電極の露出面は研磨されないため、研磨後の貫通電極形成基板が金属汚染されるのを抑制できる。これにより、研磨後における金属汚染解消のためのエッチング工程を削減できるので、製造工数を削減して、製造効率の向上を図ることができる。また、貫通孔内に配置された貫通電極がオーバーエッチングされることもないので、貫通電極を所望の形状に形成して、貫通電極を覆うように形成される電極膜との導通性を確保できる。
また、貫通電極形成基板と貫通電極の露出面との境界部分に、フィレットを形成できるので、貫通電極の接合強度を向上して、貫通電極の貫通孔からの脱落を防止できる。

また、本発明の圧電振動子は、上記本発明のパッケージの前記キャビティ内に、圧電振動片が気密封止されてなることを特徴としている。
この構成によれば、上記本発明のパッケージを備えているので、圧電振動片と貫通電極との導電性を確保することができる。また、貫通電極形成基板を貫通電極に溶着させているので、キャビティ内の気密性を確保することができる。その結果、信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。

また、本発明に係る発振器は、上記本発明の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴としている。
この構成によれば、圧電振動片と貫通電極との導通性が安定して確保されている圧電振動子を用いているため、信頼性の高い発振器を提供することができる。

本発明に係るパッケージの製造方法及びパッケージによれば、製造工数の削減を図るとともに、貫通電極のオーバーエッチングを防止できる。
また、本発明に係る圧電振動子によれば、上記本発明のパッケージを備えているので、信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
本発明に係る発振器においては、上記本発明の圧電振動子を用いているため、信頼性の高い発振器を提供することができる。

実施形態に係る圧電振動子の外観斜視図である。 図２のＡ−Ａ線に沿う側面断面図である。 圧電振動子のリッド基板を取り外した状態の平面図である。 圧電振動子の分解斜視図である。 図２のＢ部拡大図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。 実施形態に係る圧電振動子の製造方法のフローチャートである。 ウエハ接合体の分解斜視図である。 ベース基板用ウエハの断面図であり、ベース基板用ウエハ作製工程を説明するための工程図である。 貫通電極の他の構成を説明するためのベース基板（ベース基板用ウエハ）の断面図である。 貫通電極の他の構成を説明するためのベース基板（ベース基板用ウエハ）の断面図である。 貫通電極の他の構成を説明するためのベース基板（ベース基板用ウエハ）の断面図である。 （ａ）は貫通電極の他の構成を説明するためのベース基板（ベース基板用ウエハ）の断面図、（ｂ）は平面図である。 貫通孔の他の構成を説明するためのベース基板（ベース基板用ウエハ）の断面図である。 貫通孔の他の構成を説明するためのベース基板（ベース基板用ウエハ）の断面図である。 貫通孔の他の構成を説明するためのベース基板（ベース基板用ウエハ）の断面図である。 貫通孔の他の構成を説明するためのベース基板（ベース基板用ウエハ）の断面図である。 貫通孔の他の構成を説明するためのベース基板（ベース基板用ウエハ）の断面図である。 第２実施形態における貫通電極形成工程を説明するための工程図である。 第３実施形態における貫通電極形成工程を説明するための工程図である。 ベース基板用ウエハの他の構成を示す断面図である。 第４実施形態における貫通電極形成工程を説明するための工程図である。 第４実施形態における貫通電極形成工程を説明するための工程図である。 実施形態に係る発振器の構成図である。

以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。
（第１実施形態）
（圧電振動子）
次に、本発明の第１実施形態に係る圧電振動子を、図面を参照して説明する。図１は、実施形態に係る圧電振動子の外観斜視図である。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図３は、圧電振動子のリッド基板を取り外した状態の平面図である。図４は、圧電振動子の分解斜視図である。
図１〜図４に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板（貫通電極形成基板）２及びリッド基板３が接合膜２３を介して陽極接合されたパッケージ２６と、パッケージ２６のキャビティＣに収納された圧電振動片４と、を備えた表面実装型の圧電振動子１である。

圧電振動片４は、水晶の圧電材料から形成されたＡＴカット型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片４は、平面視略矩形で厚さが均一の板状に加工された水晶板１７と、水晶板１７の両面に対向する位置で配置された一対の励振電極５，６と、励振電極５，６に電気的に接続された引き出し電極１９，２０と、引き出し電極１９，２０に電気的に接続されたマウント電極７，８と、を有している。マウント電極７は、水晶板１７の側面電極１５に電気的に接続され、励振電極６が形成された側の面に形成されたマウント電極７に電気的に接続されている。

励振電極５，６、引き出し電極１９，２０、マウント電極７，８及び側面電極１５は、例えば、金（Ａｕ）の被膜で形成されている。なお、これらの膜は、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）やチタン（Ｔｉ）等の導電性膜の被膜あるいはこれら導電性膜のいくつかを組み合わせた積層膜により形成されていてもよい。

このように構成された圧電振動片４は、金からなるバンプ１１，１２を利用して、ベース基板２の第１面２ａにバンプ接合されている。具体的には、ベース基板２の第１面２ａ（上面側）にパターニングされた後述する引き回し電極９，１０上にバンプ１１，１２が形成され、そのバンプ１１，１２上に、一対のマウント電極７，８がそれぞれ接触した状態でバンプ接合されている。これにより、圧電振動片４は、ベース基板２の第１面２ａからバンプ１１，１２の厚さ分、浮いた状態で支持されるとともに、マウント電極７，８と引き回し電極９，１０とがそれぞれ電気的に接続された状態となっている。

リッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスで形成された基板であり、ベース基板２が接合される接合面側には、圧電振動片４が収まる矩形状の凹部１６が形成されている。この凹部１６は、ベース基板２とリッド基板３とが重ね合わされたときに、圧電振動片４を収容するキャビティＣとなるキャビティ用の凹部１６である。そして、リッド基板３は、この凹部１６をベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して陽極接合されている。

図５は図２のＢ部拡大図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。なお図５においては、圧電振動片４やバンプ１１等の記載を省略する。
図１〜５に示すように、ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスで形成された基板であり、リッド基板３に対して重ね合わせ可能な大きさで略板状に形成されている。
また、ベース基板２には、ベース基板２を貫通する一対の貫通孔２４，２５が形成されている。貫通孔２４，２５の一端は、キャビティＣ内を臨むように形成されている。具体的に、貫通孔２４，２５は、ベース基板２の対角上に位置するように形成され、ベース基板２の厚さ方向に沿って貫通する開口部が円形の貫通孔である。また、貫通孔２４，２５は、ベース基板２の厚さ方向中央部において、厚さ方向に沿って内径が一様に形成された等径部２４ａ，２５ａと、等径部２４ａ，２５ａの両端からベース基板２の両面２ａ，２ｂに向けて内径が漸次拡大するとともに、両面２ａ，２ｂでそれぞれ開口するテーパ部２４ｂ，２５ｂとで形成されている。

そして、一対の貫通孔２４，２５には、貫通孔２４，２５を埋めるように形成された一対の貫通電極１３，１４が形成されている。これら貫通電極１３，１４は、貫通孔２４，２５を閉塞してキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、後述する外部電極２１，２２と引き回し電極９，１０とを導通させる役割を担っている。貫通電極１３，１４は、ベース基板２との溶着によって固定されており、貫通孔２４，２５を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持している。貫通電極１３，１４は、例えば、コバールやＦｅ−Ｎｉ合金（４２アロイ）等の、熱膨張係数がベース基板２のガラス材料と近い（好ましくは同等か低め）材料により導電性の金属芯材であり、貫通電極１３，１４と略同径の線材を切断することで円柱形状に形成されている。なお、貫通電極１３，１４は角柱形状に形成してもよく、また貫通孔２４，２５の開口部の形状を矩形状に形成してもよい。

貫通電極１３，１４は、貫通孔２４，２５における等径部２４ａ，２５ａの中に、軸方向とベース基板２の厚さ方向とが一致するようにして配設され、貫通電極１３，１４を通して安定した電気導通性が確保されている。したがって、貫通電極１３，１４は、テーパ部２４ｂ，２５ｂの底部側でベース基板２の両面２ａ，２ｂから露出しており、貫通電極１３，１４におけるベース基板２からの露出面（露出部分）１３ａ，１４ａは両面２ａ，２ｂよりも内側に窪んだ位置に配置されている。なお、貫通電極１３，１４の外周縁とベース基板２との境界部分には、貫通電極１３，１４の露出面１３ａ，１４ａにおける径方向中央部に向けてガラス材料が濡れ広がったフィレット２７が形成されている。

ベース基板２の第１面２ａ側には、導電性材料（例えば、アルミニウム、シリコン等）により、陽極接合用の接合膜２３と、一対の引き回し電極９，１０とがパターニングされている。このうち接合膜２３は、リッド基板３に形成された凹部１６の周囲を囲むようにベース基板２の周縁に沿って形成されている。なお、本実施形態では、ベース基板２とリッド基板３とを接合膜２３を介して陽極接合しているが、これに限らず、無機材料（例えば、低融点ガラス）や、樹脂材料（例えば、ポリイミド）、金属（例えば、金−錫共晶拡散）を用いて両基板２，３を接合しても構わない。

一対の引き回し電極９，１０は、一対の貫通電極１３，１４のうち、一方の貫通電極１３と圧電振動片４の一方のマウント電極７とを電気的に接続するとともに、他方の貫通電極１４と圧電振動片４の他方のマウント電極８とを電気的に接続するようにパターニングされている。具体的には、一方の引き回し電極９は、圧電振動片４のマウント電極７，８側に位置するように一方の貫通電極１３の真上に形成されている。また、他方の引き回し電極１０は、一方の引き回し電極９に隣接した位置から圧電振動片４に沿って、ベース基板２上の貫通電極１３と対向する側に引き回しされた後、他方の貫通電極１４の真上に位置するように形成されている。この際、引き回し電極９，１０は、貫通孔２４，２５の内面形状に倣ってテーパ部２４ｂ，２５ｂを覆うように形成されるとともに、テーパ部２４ｂ，２５ｂの底部側で各貫通電極１３，１４の第１面２ａ側の露出面１３ａ，１４ａにそれぞれ接続されている。

そして、これら一対の引き回し電極９，１０上にバンプ１１，１２が形成されており、バンプ１１，１２を利用して圧電振動片４がマウントされている。これにより、圧電振動片４の一方のマウント電極７が、一方の引き回し電極９を介して一方の貫通電極１３に導通し、他方のマウント電極８が、他方の引き回し電極１０を介して他方の貫通電極１４に導通するようになっている。

また、ベース基板２の第２面２ｂ（下面側）には、一対の貫通電極１３，１４に対してそれぞれ電気的に接続される外部電極２１，２２が形成されている。つまり、一方の外部電極２１は、一方の貫通電極１３及び一方の引き回し電極９を介して圧電振動片４の第１の励振電極５に電気的に接続されている。また、他方の外部電極２２は、他方の貫通電極１４及び他方の引き回し電極１０を介して圧電振動片４の第２の励振電極６に電気的に接続されている。この際、外部電極２１，２２は、貫通孔２４，２５の内面形状に倣ってテーパ部２４ｂ，２５ｂを覆うように形成されるとともに、テーパ部２４ｂ，２５ｂの底部側で各貫通電極１３，１４の第２面２ｂ側の露出面１３ａ，１４ａにそれぞれ接続されている。

このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極２１，２２に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片４の第１の励振電極５及び第２の励振電極６からなる励振電極に電流を流すことができ、所定の周波数で振動させることができる。そして、振動を利用して、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。

（圧電振動子の製造方法）
次に、上述した圧電振動子の製造方法について説明する。図６は、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法のフローチャートである。図７は、ウエハ接合体の分解斜視図である。以下には、図７に示すように、複数のベース基板２が連なるベース基板用ウエハ４０と、複数のリッド基板３が連なるリッド基板用ウエハ５０との間に複数の圧電振動片４を封入してウエハ接合体７０を形成し、ウエハ接合体７０を切断することにより複数の圧電振動子１を同時に製造する方法について説明する。なお、図７に示す破線Ｍは、切断工程で切断する切断線を図示したものである。
図６に示すように、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法は、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）と、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）と、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）と、を主に有している。そのうち、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）及びベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）は、並行して実施することが可能である。

初めに、圧電振動片作製工程を行って図２〜図４に示す圧電振動片４を作製する（Ｓ１０）。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、ポリッシュ等の鏡面研磨加工を行って、一定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄等の適切な処理を施した後、ウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片４の外形形状にパターニングするとともに、金属膜の成膜及びパターニングを行って、励振電極５，６、引き出し電極１９，２０、マウント電極７，８及び側面電極１５を形成する。これにより、複数の圧電振動片４を作製する。

（リッド基板用ウエハ作製工程）
次に、図７に示すように、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するリッド基板用ウエハ作製工程を行う（Ｓ２０）。まず、ソーダ石灰ガラスからなるリッド基板用ウエハ５０を所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ２１）。次いで、リッド基板用ウエハ５０の接合面に、エッチングや型押し等の方法により行列方向にキャビティ用の凹部１６を複数形成する凹部形成工程を行う（Ｓ２２）。凹部１６を形成したら、後述する接合工程（Ｓ６０）に備えて凹部１６が形成された表面を研磨する。この時点で、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）が終了する。

（ベース基板用ウエハ作製工程）
図８は、ベース基板用ウエハの断面図であり、ベース基板用ウエハ作製工程を説明するための工程図である。
次に、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）と同時、または前後のタイミングで、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を製作するベース基板用ウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。

（貫通電極形成工程）
ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）では、ベース基板用ウエハ４０に貫通電極１３，１４を形成する貫通電極形成工程（Ｓ３０Ａ）を行う。貫通電極形成工程（Ｓ３０Ａ）では、成形型６０に貫通電極１３，１４となる金属芯材（以下、貫通電極１３，１４という）をセットした状態で、成形型６０内に溶融したガラス材料（以下、溶融ガラス６１という）を流し込むことで、貫通電極１３，１４が溶着されたベース基板用ウエハ４０を形成する。

まず図８（ａ）に示すように、成形型６０をセットする成形型セット工程を行う（Ｓ３１）。
成形型６０は、熱膨張係数がガラス材料と同等の材料で、ガラス材料との離型性が良好な材料として、例えばカーボン等により構成されたものであり、間隔を空けて対向配置される第１治具５１及び第２治具５２と、第１治具５１及び第２治具５２の側方を取り囲む側壁（不図示）とを備えている。

第１治具５１は、底壁部５３と、底壁部５３の厚さ方向に向けて突出する複数の凸部５４とを備えている。凸部５４は、貫通孔２４，２５のテーパ部２４ｂ，２５ｂを形成するものであり、ベース基板用ウエハ４０における貫通孔２４，２５の形成位置に合わせて形成されている。具体的に、凸部５４は、略円錐台状に形成されており、基端から先端に向けて先細るテーパ形状に形成されるとともに、先端面５４ａが平坦面に形成されている。

一方、第２治具５２は、第１治具５１と略同形状に形成され、底壁部５５と、底壁部５５の厚さ方向に向けて突出する複数の凸部５６とを備えている。凸部５６は、ベース基板用ウエハ４０における貫通孔２４，２５の形成位置に合わせて形成された略円錐台状のものであり、基端から先端に向けて先細るテーパ状に形成されるとともに、先端面５６ａが平坦面に形成されている。そして、成形型６０は、第１治具５１及び第２治具５２における凸部５４，５６の先端面同士が対向するとともに、これら第１治具５１及び第２治具５２の側方を側壁が取り囲むようにして組み付けられる。なお、成形型６０には、成形型６０内に溶融ガラス６１を注入するための図示しないガラス注入口と、成形型６０内の空気を逃がす図示しない空気抜き孔が形成されている。

成形型セット工程（Ｓ３１）では、第１治具５１及び第２治具５２における各凸部５４，５６の先端面５４ａ，５６ａ間で、貫通電極１３，１４を軸方向で挟持するとともに、第１治具５１及び第２治具５２の厚さ方向に沿って圧力を付与する。
そして、貫通電極１３，１４を挟持した状態で、成形型６０を加熱炉内に搬送し、成形型６０を約１０００℃程度に予備加熱する。

その後、図８（ｂ）に示すように、成形型６０を加熱した状態で、成形型６０内に溶融ガラス６１を充填する（Ｓ３２）。溶融ガラス６１は、ソーダ石灰ガラスを１０００℃程度に加熱して液状に溶融させたものであり、この溶融ガラス６１を成形型６０のガラス注入口から成形型６０内に充填する。なお、成形型６０内に存在した空気は、成形型６０の空気抜き孔から排出される。これにより、成形型６０内に溶融ガラス６１が隙間なく充填される。その後、溶融ガラス６１を徐々に温度を下げながら冷却する（Ｓ３３）。これにより、ガラス材料と貫通電極１３，１４とが一体化されたベース基板用ウエハ４０が形成される。この際、ベース基板用ウエハ４０には、貫通電極１３，１４が配置された等径部２４ａ，２５ａと、等径部２４ａ，２５ａの両端側で成形型６０の凸部５４，５６の形状が転写されてなるテーパ部２４ｂ，２５ｂと、を有する貫通孔２４，２５が形成される。なお、この際、貫通電極１３，１４の外周縁とベース基板用ウエハ４０との境界部分には、ガラス材料が濡れ広がったフィレット２７（図５参照）が形成される。

次に、ベース基板用ウエハ４０を成形型６０から取り出し、ベース基板用ウエハ４０の両面４０ａ，４０ｂを研磨する研磨工程を行う（Ｓ３４）。この際、貫通電極１３，１４の露出面１３ａ，１４ａは、ベース基板用ウエハ４０の両面４０ａ，４０ｂよりも内側に窪んで配置されているため、貫通電極１３，１４は研磨されず、ベース基板用ウエハ４０のみが研磨される。そして、貫通電極１３，１４の露出面１３ａ，１４ａが研磨される前に、研磨を停止する。これにより、ベース基板用ウエハ４０の貫通孔２４，２５（等径部２４ａ、２５ａ）を埋めるように、貫通電極１３，１４が形成されたベース基板用ウエハ４０を製作できる。なお、冷却工程（Ｓ３３）後、成形型６０からベース基板用ウエハ４０を取り出した際に、万が一、貫通電極１３，１４の露出面１３ａ，１４ａにガラス材料が大きく回り込んでいる場合は、研磨工程（Ｓ３４）の前にガラス材料のみをエッチングし、貫通電極１３，１４の露出面１３ａ，１４ａに回り込んだガラス材料を除去しても構わない。

次に、ベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａに導電性材料をパターニングして、接合膜２３を形成する接合膜形成工程を行う（Ｓ３７）とともに、ベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａに導電性材料をパターニングして、引き回し電極形成工程を行う（Ｓ３８）。このようにして、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）が終了する。なお、接合膜２３や引き回し電極９，１０は、スパッタリング法や蒸着法等のドライめっき法で成膜できる。また、引き回し電極９，１０は、導電性材料のパターニングに限らず、湿式めっきや銀ペースト等の導電性材料を印刷等により形成しても構わない。

そして、上述した圧電振動片作製工程（Ｓ１０）で作製した複数の圧電振動片４を、ベース基板用ウエハ４０の各引き回し電極９，１０上に、それぞれ金等のバンプＢを介してマウントする（Ｓ４０）。そして、上述した各基板用ウエハ４０，５０の作製工程で作成されたベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる（Ｓ５０）。これにより、マウントされた圧電振動片４が、リッド基板用ウエハ５０に形成された凹部１６とベース基板用ウエハ４０とで囲まれるキャビティＣ内に収納された状態となる。

両基板用ウエハ４０，５０の重ね合わせ後、重ね合わせた２枚の各基板用ウエハ４０，５０を図示しない陽極接合装置に入れ、図示しない保持機構により各基板用ウエハ４０，５０の外周部分をクランプした状態で、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する（Ｓ６０）。これにより、圧電振動片４をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合したウエハ接合体７０を得ることができる。
その後、ベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂ側に、一対の貫通電極１３，１４にそれぞれ電気的に接続する一対の外部電極２１，２２を形成する（Ｓ７０）。なお、外部電極２１，２２は、スパッタリング法や蒸着法等のドライめっき法で成膜できる。そして、ウエハ接合体７０を切断線Ｍに沿って個片化する切断工程（Ｓ８０）を行い、内部の電気特性検査（Ｓ９０）を行うことで圧電振動片４を収容した圧電振動子１が形成される。

このように、本実施形態では、貫通電極１３，１４の露出面１３ａ，１４ａをベース基板２の両面２ａ，２ｂよりも内側に窪んだ位置に配置する構成とした。
この構成によれば、ベース基板用ウエハ４０の研磨工程（Ｓ３４）において、貫通電極１３，１４が研磨されないので、研磨工程（Ｓ３４）によりベース基板用ウエハ４０の両面４０ａ，４０ｂ上が金属汚染されることがない。これにより、研磨工程（Ｓ３４）後における金属汚染解消のためのエッチング工程を削減できるので、製造工数を削減して、製造効率の向上を図ることができる。また、貫通孔２４，２５（等径部２４ａ，２５ａ）内に配置された貫通電極１３，１４がオーバーエッチングされることもないので、貫通電極１３，１４を所望の形状に形成して、貫通電極１３，１４と電極膜（外部電極２１，２２や引き回し電極９，１０）との導通性を確保できる。また、ベース基板用ウエハ４０を貫通電極１３，１４に溶着させているので、キャビティＣ内の気密性を確保することができる。その結果、信頼性の高い圧電振動子１を提供することができる。

また、本実施形態では、ベース基板用ウエハ４０と貫通電極１３，１４の露出面１３ａ，１４ａとの境界部分に、フィレット２７を形成できるので、貫通電極１３，１４の接合強度を向上して、ベース基板用ウエハ４０から貫通電極１３，１４の脱落を防止できる。
さらに、貫通電極１３，１４に円柱形状の金属芯材を用いることで、貫通電極１３，１４と同径の線材を切断するだけの簡単な加工により貫通電極１３，１４を作製できるので、低コスト化を図ることができる。
また、貫通孔２４，２５にテーパ部２４ｂ，２５ｂを形成することで、テーパ部２４ｂ，２５ｂの内面において、段切れを抑制した上で、ドライめっき法を用いて簡単に外部電極２１，２２や引き回し電極９，１０を成膜できる。

（貫通電極の他の構成）
なお、上述した実施形態では、貫通電極１３，１４を円柱形状（または角柱形状）に形成したが、これに限らず、例えば以下に示すような形状を採用することが可能である。図９〜図１２は、貫通電極の他の構成を説明するためのベース基板（ベース基板用ウエハ）の断面図である。
例えば、図９に示すように、貫通電極１３，１４を球状に形成することが可能である。この構成によれば、上述した成形型セット工程（Ｓ３１）で成形型６０に貫通電極１３，１４をセットする際に、上述した円柱形状の貫通電極１３，１４を用いる場合と異なり、貫通電極１３，１４の向きを意識することなく成形型６０にセットできるので、製造効率をより向上できる。また、貫通電極１３，１４は、ベース基板２の貫通孔２４，２５内で、周面が覆われた状態で保持されるので、接合強度をより向上させ、ベース基板２からの脱落を防止できる。

また、貫通電極１３，１４を、図１０に示す多面体形状（例えば、正八面体）や、図１１に示す円錐形状、角錐形状等に形成しても構わない。この場合、上述した第１治具５１及び第２治具５２における凸部６４，６６の先端面６４ａ，６６ｂに、貫通電極１３，１４の頂部を受け入れる収容部（不図示）を形成することで、成形型セット工程（Ｓ３１）において、頂部を基準にして貫通電極１３，１４を成形型６０に簡単にセットできる。これに伴い、成形型６０内での貫通電極１３，１４の位置決めが容易になる。

さらに、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、貫通電極１３，１４を円板状に形成しても構わない。これについては、後に詳述する。
このように、貫通電極１３，１４は、ベース基板２からの露出面１３ａ，１４ａがベース基板２の少なくとも一方の面よりも内側に窪んでいれば、適宜設計変更が可能である。なお、これら貫通電極１３，１４は、導電性の金属材料をプレス成形したり、研磨したりする等、種々の方法で作製できる。

（貫通孔の他の構成）
また、上述した実施形態では、等径部２４ａ，２５ａ及びテーパ部２４ｂ，２５ｂからなる貫通孔２４，２５を形成する場合について説明したが、これに限らず、例えば以下に示すような形状を採用することが可能である。
例えば、図１３に示すように、等径部２４ａ，２５ａと、等径部２４ａ，２５ａの両端からベース基板２の両面２ａ，２ｂに向けて内径が曲率をもって拡大するとともに、両面２ａ，２ｂでそれぞれ開口する凹部２４ｃ，２５ｃと、を有する貫通孔２４，２５を形成しても構わない。
この構成によれば、凹部２４ｃ，２５ｃが湾曲面に形成されるため、第１実施形態と同様に、外部電極２１，２２や引き回し電極９，１０の段切れを抑制できるとともに、ドライめっき法を用いてテーパ部２４ｂ，２５ｂの内面に外部電極２１，２２や引き回し電極９，１０を簡単に成膜できる。

さらに、図１４に示すように、貫通孔２４，２５を、ベース基板２の厚さ方向に沿って一様な内径に形成しても構わない。
この構成によれば、ベース基板２の両面２ａ，２ｂにおいて、貫通孔２４，２５の開口面積の増大を抑制できる。これにより、貫通孔２４，２５の一端側が臨むキャビティＣの小型化を図ることができるので、小型の圧電振動子１を提供できる。

また、図１５に示すように、貫通孔１２４，１２５を段付形状に形成しても構わない。具体的に、貫通孔１２４，１２５は、ベース基板２の厚さ方向中央部に形成され、貫通電極１３，１４が配置された小径部１２４ａ，１２５ａと、小径部１２４ａ，１２５ａの両端に段差部１２４ｂ，１２５ｂを介して形成され、小径部１２４ａ，１２５ａよりも拡径された状態で、ベース基板２の両面２ａ，２ｂでそれぞれ開口する大径部１２４ｃ，１２５ｃとを有している。

また、図１６に示すように、小径部１２４ａ，１２５ａの深さを貫通電極１３，１４よりも浅く形成し、貫通電極１３，１４の先端が小径部１２４ａ，１２５ａから突出するように形成してもよい。
さらに、図１７に示すように、各貫通孔２４，２５の開口縁を、曲面形状に面取り加工して面取り部２４ｄ，２５ｄを形成することも可能である。これにより、貫通電極１３，１４を覆うように形成される引き回し電極９，１０や外部電極２１，２２の段切れを確実に抑制できる。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態として、ベース基板用ウエハ４０（ベース基板２）の他の製造方法について説明する。なお以下の説明では、図１８に基づいて、上述した図１４に示す貫通電極１３，１４を有するベース基板用ウエハ４０の製造方法について説明する。また、以下の説明では、図６を適宜援用するとともに、上述した実施形態と同様の方法については、説明を省略する。
図１８（ａ）に示すように、まず上述した実施形態と同様に、成形型６０に貫通電極１３，１４をセットする。成形型６０は、上述した実施形態と略同一の構成からなり、第１治具５１及び第２治具５２の底壁部５３，５５にそれぞれ半球状の凸部５４，５６が形成されている。そして、上述した成形型セット工程（Ｓ３１）と同様に、第１治具５１及び第２治具５２における各凸部５４，５６の先端部間で貫通電極１３，１４を軸方向で挟持するとともに、第１治具５１及び第２治具５２の厚さ方向に沿って圧力を付与する。

続いて、図１８（ｂ）に示すように、成形型６０を予備加熱した後、成形型６０内に溶融ガラス６１を充填し（Ｓ３２）、溶融ガラス６１を徐々に温度を下げながら冷却する（Ｓ３３）。この際、ベース基板用ウエハ４０には、貫通電極１３，１４が配置された等径部２４ａ，２５ａと、等径部２４ａ，２５ａの両端側で成形型６０の凸部５４，５６の形状が転写されてなる凹部２４ｅ，２５ｅと、を有する貫通孔２４，２５が形成される。

次に、図１８（ｃ）に示すように、ベース基板用ウエハ４０を成形型６０から取り出し、貫通電極１３，１４のみをエッチングする。これにより、図１８（ｄ）に示すように、等径部２４ａ，２５ａ内の貫通電極１３，１４がエッチングされ、貫通電極１３，１４の露出面１３ａ，１４ａが等径部２４ａ，２５ａの開口縁よりも内側に窪んで配置される。

そして、図１８（ｅ）に示すように、ベース基板用ウエハ４０の両面４０ａ，４０ｂを研磨して、凹部２４ｅ，２５ｅを除去する。
以上により、上述した図１４に示す貫通電極１３，１４を有するベース基板用ウエハ４０（ベース基板２）を作製できる。

この構成によれば、貫通電極１３，１４の露出面１３ａ，１４ａが、ベース基板用ウエハ４０の両面４０ａ，４０ｂよりも内側に配置されたベース基板用ウエハ４０を、貫通電極１３，１４を研磨することなく形成できる。これにより、上述した第１実施形態と同様の効果を奏することができる。

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態として、図１９に基づいて、上述した図１２に示す貫通電極１３，１４を有するベース基板用ウエハ４０の製造方法について説明する。
図１９（ａ）に示すように、まずベース基板用ウエハ４０に段付形状の貫通孔２２４を形成する。具体的には、プレス加工等によりベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａから段付形状の凹部を形成した後、少なくともベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂ側を研磨することで、凹部を貫通させる。これにより、ベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａ側に開口する大径部２２４ａと、段差部２２４ｂを介して形成された大径部２２４ａよりも小径の小径部２２４ｃと、を有する貫通孔２２４を形成する。なお、大径部２２４ａの深さは、小径部２２４ｃの深さよりも深く形成する。

次に、図１９（ｂ）に示すように、ベース基板用ウエハ４０の大径部２２４ａ内に貫通電極１３，１４を配置する。具体的に、貫通電極１３，１４は、円板状のものであり、一方の面の外周部分が段差部２２４ｂに突き当たるように大径部２２４ａ内に配置する。
そして、ベース基板用ウエハ４０を第１実施形態と略同一の構成からなる成形型６０内にセットする（Ｓ３１）。具体的に、第１治具５１は、底壁部５３がベース基板用ウエハ４０の第２面ｂに接するとともに、凸部５４の先端面５４ａがベース基板用ウエハ４０の小径部２２４ｃ内で貫通電極１３，１４の一方の面に接するようにセットする。一方、第２治具５２は、底壁部５５がベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａに接するとともに、凸部５６がベース基板用ウエハ４０の大径部２２４ａ内に配置されるようにセットする。これにより、第２治具５１の凸部５６と貫通電極１３，１４との間に僅かに隙間を空けた状態で、第１治具５１及び第２治具５２によりベース基板用ウエハ４０が厚さ方向で挟持される。なお、第２治具５２は、底壁部５５がベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａに接するとともに、凸部５６が貫通電極１３，１４に接するようにセットしても構わない。

この状態で、まず溶着型６０を加熱炉内に入れて加熱する。そして、加熱炉内に配置されたプレス機等を利用して、ベース基板用ウエハ４０を厚さ方向に沿って、例えば３０〜５０ｇ／ｃｍ²の圧力で加圧する。なお、加熱温度は、ベース基板用ウエハ４０のガラス材料の軟化点（例えば５４５℃）よりも高い温度とし、例えば約１０００℃とする。

そして、ベース基板用ウエハ４０を高温状態で加圧することによって、ベース基板用ウエハ４０が流動して、貫通電極１３，１４と貫通孔２２４との隙間、及び成形型６０の凸部５４，５６と貫通孔２２４との隙間を塞ぐ。これにより、ベース基板用ウエハ４０が貫通電極１３，１４に溶着して、貫通電極１３，１４が貫通孔２２４を塞ぐ状態となる。この際、ベース基板用ウエハ４０が軟化することで、第２治具５２が第１治具５１に向かって移動し、第２治具５２の凸部５６が貫通電極１３，１４の他方の面に突き当たる。これにより、第１治具５１及び第２治具５２の凸部５４，５６間において、貫通電極１３，１４が厚さ方向で挟持された状態で、ベース基板用ウエハ４０が貫通電極１３，１４に溶着される。

その結果、ベース基板用ウエハ４０の貫通孔２４，２５には、第１治具５１及び第２治具５２の凸部５４，５６が転写されてなるテーパ部２４ｂ，２５ｂが形成される。また、貫通電極１３，１４の外周部分がベース基板用ウエハ４０の厚さ方向中間部分で埋設され、テーパ部２４ｂ，２５ｂの底部側から貫通電極１３，１４の露出面１３ａ，１４ａが露出している。

次に、ベース基板用ウエハ４０を徐々に温度を下げながら冷却した後、ベース基板用ウエハ４０を成形型６０から取り出す。
その後、ベース基板用ウエハ４０の両面４０ａ，４０ｂを研磨することで、図１２に示すように、貫通電極１３，１４の露出面１３ａ，１４ａがベース基板用ウエハ４０の両面４０ａ，４０ｂよりも内側に配置されたベース基板用ウエハ４０を作製できる。

この構成によれば、貫通電極１３，１４の外周部分がベース基板用ウエハ４０の内部に埋設されるため、貫通電極１３，１４の接合強度を向上できる。
また、大径部２２４ａ内に貫通電極１３，１４を配置するとともに、成形型６０の凸部５４，５６で挟持した状態で、ベース基板用ウエハ４０及び貫通電極１３，１４を成形型６０内にセットできる。これにより、成形型６０にベース基板用ウエハ４０及び貫通電極１３，１４を簡単にセットできるとともに、成形型６０内での貫通電極１３，１４の位置決めが容易になるため、製造効率を向上できる。
さらに、ベース基板用ウエハ４０の軟化時において、貫通電極１３，１４がベース基板用ウエハ４０とともに流動してしまうのを抑制できるので、貫通電極１３，１４の位置精度も向上できる。その結果、貫通電極１３，１４と電極膜（外部電極２１，２２や引き回し電極９，１０）との導通性を確保できる。

なお、上述した製造方法により、図１１に示す貫通電極１３，１４を有するベース基板２を作製することも可能である。具体的には、図２０に示すように、まずベース基板用ウエハ４０の両面４０ａ，４０ｂからそれぞれ厚さ方向に沿って漸次縮径する貫通孔３２４を形成する。次に、貫通孔３２４内に例えば、円錐形状の貫通電極１３，１４を配置した状態で、ベース基板用ウエハ４０及び貫通電極１３，１４成形型６０にセットし、ベース基板用ウエハ４０と貫通電極１３，１４とを溶着することで、上述した図１１に示すベース基板用ウエハ４０（ベース基板２）を作製できる。

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態として、図２１，図２２に基づいて、上述した図１４に示す貫通電極１３，１４を有するベース基板２の製造方法について説明する。
図２１（ａ）に示すように、まず成形型１６０に平板状のベース基板用ウエハ４０及び貫通電極１３，１４となる金属芯材をセットする。成形型１６０は、例えばカーボン等からなる平板状の第１治具１６１及び第２治具１６２を有している。そして、ベース基板用ウエハ４０は、第２面４０ｂが第１治具１６１に接するように第１治具１６１にセットし、貫通電極１３，１４は、軸方向が第２治具１６２の厚さ方向に一致するように第２治具１６１にセットする。この際、貫通電極１３，１４は、ベース基板用ウエハ４０における貫通電極１３，１４の形成位置に合わせて第２治具１６２にセットする。その後、第１治具１６１と第２治具１６２とを対向させた状態で、加熱炉で加熱する。

図２１（ｂ）に示すように、ベース基板用ウエハ４０を加熱することによって、ベース基板用ウエハ４０が軟化する。この状態で、第２治具１６２を第１治具１６１に向けて押し込むと、第２治具１６２にセットされた貫通電極１３，１４が、ベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａから厚さ方向に沿って入り込む。なお、この際、図２１（ｂ）に示すように、貫通電極１３，１４の先端面がベース基板用ウエハ４０の内部に配置されているが、貫通電極１３，１４の先端面が第１治具１６１に突き当たるまで第２治具１６２を押し込んでも構わない。
そして、ベース基板用ウエハ４０を徐々に温度を下げながら冷却した後、ベース基板用ウエハ４０を成形型１６０から取り出す。

その後、図２１（ｃ）に示すように、貫通電極１３，１４におけるベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａからの突出部分を切除する。
続いて、図２２（ａ）に示すように、ベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａから貫通電極１３，１４を軸方向に沿って切削する。具体的に、貫通電極１３，１４と同径のドリル８０を用い、貫通電極１３，１４の先端面がベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａよりも内側に配置されるまで切削する。
一方、図２２（ｂ）に示すように、ドリル８０を用い、ベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂから貫通電極１３，１４を軸方向に沿って切削する。そして、貫通電極１３，１４の先端面がベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂよりも内側に配置されるまで切削する。

その後、ベース基板用ウエハ４０の両面４０ａ，４０ｂを研磨することで、上述した図１４に示したベース基板用ウエハ４０（ベース基板２）を作製できる。なお、貫通電極１３，１４の径よりも大きいドリル径を有するドリル８０を用いることで、上述した図１５に示すベース基板用ウエハ４０（ベース基板２）を作製することも可能である。なお、ドリル８０以外の切削工具を用いて貫通電極１３，１４を切削しても構わない。

（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図２３を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１００は、図２３に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の上記集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。これら電子部品１０２、集積回路１０１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。

このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、該圧電振動子１内の圧電振動片４が振動する。この振動は、圧電振動片４が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。

上述したように、本実施形態の発振器１００によれば、上述したように圧電振動片４と貫通電極１３，１４との導通性が安定して確保されている圧電振動子１を用いているため、発振器１００自体も同様に導通性が安定して確保され、作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な周波数信号を得ることができる。

なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成等はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
例えば、上述した実施形態では、貫通電極１３，１４の露出面１３ａ，１４ａがベース基板用ウエハ４０の両面４０ａ，４０ｂよりも内側に配置される構成について説明したが、これに限らず、何れか一方の面よりも内側に配置されていれば構わない。
また、上述した実施形態では、パッケージの内部に圧電振動片を封入して圧電振動子を製造したが、パッケージの内部に圧電振動片以外の電子部品を封入して、圧電振動子以外のデバイスを製造することも可能である。
また、上述した実施形態では、本発明のパッケージの製造方法を圧電振動子に適用下場合について説明したが、これに限らず、ＩＣやＬＳＩ、センサ類に適用しても構わない。

さらに、貫通電極や貫通孔の形状等は、適宜設計変更が可能である。
また、上述した実施形態では、ソーダ石灰ガラスからなる基板用ウエハ４０，５０に対して加熱成形する場合について説明したが、これに限らず、ホウケイ酸ガラス（軟化点温度は８２０℃程度）を加熱成形しても構わない。

さらに、上述した実施形態では、本発明を、ＡＴカット型の圧電振動片（厚み滑り振動片）を用いた圧電振動子に採用した場合について説明したが、これに限らず、音叉型の圧電振動片を用いた圧電振動子に採用しても構わない。

１…圧電振動子 ２…ベース基板（貫通電極形成基板） ４…圧電振動片（電子部品） １３，１４…貫通電極 １３ａ，１４ａ…露出面（露出部分） ２４，２５…貫通孔 ２４ａ，２５ａ…等径部（貫通電極保持部） ２４ｂ，２５ｂ…テーパ部 ６１…第１治具 ６２…第２治具 １００…発信器

Claims (11)

1. 互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージであって、
   前記複数の基板のうち、貫通電極形成基板を厚さ方向に貫通する貫通孔内に配置され、前記キャビティの内側と前記複数の基板の外側とを導通させる貫通電極を有し、
   前記貫通電極は、両端が前記貫通電極形成基板の表裏面側に露出するとともに、前記貫通電極における前記貫通電極形成基板からの露出部分のうち、少なくとも一端側の前記露出部分が、前記貫通電極形成基板の表裏面よりも内側に配置されていることを特徴とするパッケージ。
2. 前記貫通電極は、柱状に形成されていることを特徴とする請求項１記載のパッケージ。
3. 前記貫通電極は、球状に形成されていることを特徴とする請求項１記載のパッケージ。
4. 前記貫通電極は、板状に形成され、前記貫通電極の厚さ方向を前記貫通電極形成基板の厚さ方向に一致させた状態で前記貫通孔内に配置されるとともに、前記貫通電極の外周部分が前記貫通電極形成基板内に埋設されていることを特徴とする請求項１記載のパッケージ。
5. 前記貫通電極は、多面体形状に形成されていることを特徴とする請求項１記載のパッケージ。
6. 前記貫通孔は、前記貫通電極が配置された貫通電極保持部と、前記貫通電極保持部から前記貫通孔の開口縁に向かうにつれ拡径するテーパ部とを有していることを特徴とする請求項１ないし請求項５何れか１項に記載のパッケージ。
7. 前記貫通孔は、前記貫通電極形成基板の厚さ方向に沿って内径が一様に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項５の何れか１項に記載のパッケージ。
8. 前記貫通孔の開口縁は、曲面形状に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項７の何れか１項に記載のパッケージ。
9. 互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、
   前記複数の基板のうち、貫通電極形成基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記複数の基板の外側とを導通させる貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、
   前記貫通電極形成工程では、第１治具及び第２治具のそれぞれの凸部間に前記貫通電極を挟み込んだ状態で、前記貫通電極形成基板を前記貫通電極に溶着させることを特徴とするパッケージの製造方法。
10. 請求項１ないし請求項８の何れか１項に記載のパッケージの前記キャビティ内に、圧電振動片が気密封止されてなることを特徴とする圧電振動子。
11. 請求項１０記載の前記圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。

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