JP2012028279A - 荷電粒子線装置 - Google Patents
荷電粒子線装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012028279A JP2012028279A JP2010168771A JP2010168771A JP2012028279A JP 2012028279 A JP2012028279 A JP 2012028279A JP 2010168771 A JP2010168771 A JP 2010168771A JP 2010168771 A JP2010168771 A JP 2010168771A JP 2012028279 A JP2012028279 A JP 2012028279A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- scan
- line
- charged particle
- particle beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 60
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 14
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 46
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 9
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 65
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000009469 supplementation Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
【解決手段】入力される走査条件に基づいて、ビーム走査をスケジューリングするビーム走査スケジューリング手段と、ビーム走査スケジューリング手段によって生成されたビーム走査スケジュールに従って、ビーム走査制御を行うプログラマブルシーケンサとを備える。走査スケジューリング手段は、走査条件に基づいて、走査ライン単位での走査ライン基準座標を算出し、走査周期トリガを発行する。プログラマブルシーケンサは、ライン走査手順情報及び走査スケジューリング手段から与えられる走査周期トリガに基づいて、走査ライン基準座標の供給のタイミング及びライン内画素単位での走査位置を制御する。
【選択図】 図3
Description
本実施例では、走査電子顕微鏡を応用した検査装置の実施例について説明する。図2は、本実施例の検査装置の構成を示す縦断面図である。この検査装置は電子銃10と、電子線走査部15と、レンズ部16と、被検出物(観察物)である試料9と、ステージ31と、ステージ制御部1と、検出部20と、画像処理部7と、走査制御部43と、装置制御部6と、モニタ50から構成されている。
次に、図3(a)に示す機能ブロック図を用いて走査制御部43の詳細について説明する。走査制御部43は、走査位置演算部118と走査制御部120とプログラマブルシーケンサ109と同期信号生成部119に大別される。
まず、走査位置演算部118について説明する。走査位置演算部118は、ステージ31からの試料の搭載されたステージの位置情報(X,Yの座標値)200を受信し、位置情報200に基づいて電子線走査部15への制御信号である偏向量213を算出し、出力する。
次に走査制御部120について説明する。走査制御部120は、本実施例におけるビーム走査スケジューリング手段である。走査制御部120は、前述の走査位置演算部118や、後述の同期信号生成部119,プログラマブルシーケンサ109を制御する部位である(例えば、走査位置演算部118に対しては、走査ラインの基準座標203を順次伝達することにより、電子ビーム走査のスケジュールを通知する)。より具体的には、走査制御部120は、ライン単位(或いは複数ラインの組合せ単位)での走査ライン基準座標203の算出、ライン単位同期信号214の生成を行うと共に、電子線19の走査周期の調整を行う。なお、走査制御部120は、様々な制御を実行するために、装置制御部(ホストコンピュータ)6から、どのようなスケジュール(電子線走査条件231)で電子ビームの走査を実行するかについての情報(パラメータ)を受け取る。ここで、走査周期とは、走査偏向信号波形の1周期と、波形間の電子ビーム照射しない待ち時間との和である。例えば、図1に示す鋸波波形の偏向信号で言えば、T1=T3+T4あるいはT2=T3+T5などである。
次にプログラマブルシーケンサ109について説明する。プログラマブルシーケンサ109は、走査制御部120により調整される走査周期に基づいて、1走査ライン内で変化する画素座標,同期信号等の各種制御を、走査ライン単位(或いは複数走査ラインの組合せ単位)で行う。プログラマブルシーケンサ109には、インストラクションメモリ117,画素座標生成部113が付随する。
続いて、同期信号生成部119について説明する。同期信号生成部119は、走査制御部120によって生成されるライン単位同期信号214と、プログラマブルシーケンサ109によって生成される画素単位同期信号216の選択を行う手段である。
以上、本実施例の検査装置の全体構成と、走査制御部43の構成について説明してきたが、以下では走査制御部43が実行する走査制御の具体例の一つとして、ラスタ走査およびその変形例としてのインターバル可変走査について説明する。なお、以下で参照する図4乃至図15において、実線の矢印は走査時のビーム移動方向を示し、破線の矢印はプリチャージ時あるいはディスチャージ時のビーム移動方向を示している。ここで、電子線ビーム照射による「ディスチャージ」とは、被検査試料が正に帯電している場合に電子線ビーム(電荷:負)照射により正帯電を除電することをいう。逆に、電子線ビーム照射による「プリチャージ」とは、被検査試料の帯電がゼロ又は負の場合に電子線ビーム(電荷:負)照射により負帯電状態にする、若しくは負帯電を強めることをいうものとする。
本実施例では、マイクロプログラムの書き換えにより、実現可能となる走査シーケンスの例として、振り戻し走査,振り戻しプリチャージ走査について説明する。装置の全体構成は実施例1で説明した図2および図3(a)(b)と同様であるので説明は省略する。
ップS801乃至S803の処理と同じなので説明は省略する。
本実施例では黒帯走査について説明する。走査方法の形態として、走査ラインの開始点あるいは終了点のいずれか一方あるいは両方に電子線の非照射領域を設ける走査方法があり、本実施例では黒帯走査と称する。なお実施例2と同様、装置の全体構成は実施例1で説明した図2および図3(a)(b)と同様であるので説明は省略する。
本実施例では、実施例1から3で説明した荷電粒子線装置で共通に使用される操作画面GUI(Graphical User Interface)の構成例について説明する。
6 装置制御部
7 画像処理部
9 被検査試料
10 電子銃
15 電子線走査部
16 レンズ部
20 検出部
31 ステージ
43 走査制御部
53 同期信号
54 ブランキング信号
109 プログラマブルシーケンサ
110 トリガ生成タイマ
111 同期信号セレクタ
113 画素座標生成部
117 インストラクションメモリ
118 走査位置演算部
119 同期信号生成部
120 走査制御部
200 位置情報
202 残留変位
203 走査ライン基準座標
207 周期トリガ
209 分岐フラグ
211 周期更新命令
212 画素座標
213 偏向量
214 ライン単位同期信号
215 ライン更新命令
216 画素単位同期信号
219 画素座標命令
225 メモリ書き換え
231 走査条件
300 検査ストライプ
301 ラインピッチ
302,303,304,305 往路走査
306,307,308,309 復路走査
310,311,312,313 プリチャージ走査
316 先頭ブランクエリア(区間1)
317 ビームONエリア(区間2)
318 末尾ブランクエリア(区間3)
320,321,322,323 振り戻し走査
350 時間ばらつき
351 周期調整
500 表示手段
510,530,540 入力手段
550 レシピ作成モード
560 走査表示
570 検査指標表示
580 カスタマイズ
600 走査条件カスタマイズ画面
610 変更前ファイル名表示手段
620 変更後ファイル名指定手段
630 更新手段
Claims (9)
- 荷電粒子線を所定の走査条件に従って試料上に走査し、当該走査によって発生する二次荷電粒子を検出する機能を備えた荷電粒子線装置において、
前記走査条件に基づいて、荷電粒子線走査における走査ライン単位での走査を制御する走査スケジューリング手段と、
当該走査スケジューリング手段の指示に従って、前記走査ラインの画素単位の走査制御を実行するプログラマブルシーケンサとを備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記走査スケジューリング手段は、前記走査ライン単位での走査順序を管理する走査スケジュール情報を生成することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2に記載の荷電粒子線装置において、
前記走査スケジューリング手段は、前記荷電粒子線走査における1本あるいは複数本の走査ラインを単位として前記走査スケジュール情報を生成することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項3に記載の荷電粒子線装置において、
前記ライン走査手順情報を格納する記憶手段と、
当該記憶手段の内容を書き換える更新手段とを備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項4に記載の荷電粒子線装置において、
前記ライン走査手順情報は、ライン走査の繰り返し回数,画素ピッチ、及びライン走査方向の情報を含み、
前記プログラマブルシーケンサは、前記ライン走査の繰り返し回数,画素ピッチ、及びライン走査方向を、走査シーケンスごとに切り替えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項5に記載の荷電粒子線装置において、
前記走査スケジューリング手段が周期的に発行するトリガに基づき、前記プログラマブルシーケンサのビーム走査制御を同期させることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項6に記載の荷電粒子線装置において、
前記プログラマブルシーケンサの単一走査ライン、或いは複数走査ラインの組合せのビーム走査完了毎に、前記走査スケジューリング手段がトリガ発行周期を調整することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項7に記載の荷電粒子線装置において、
ビーム走査と試料からの信号を検出する同期手段において、
走査ライン単位の同期信号を生成する手段と、画素単位の同期信号を生成する手段と、走査条件によって各々の同期信号を切り替える選択手段とを備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項8に記載の荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子線走査の走査条件を設定する設定画面が表示される表示手段を備え、
当該設定画面上に、前記走査スケジュール情報の内容と、当該走査スケジュール情報に基づいて実行される走査の内容を示す視覚的情報とが表示されることを特徴とする荷電粒子線装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010168771A JP5174862B2 (ja) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 荷電粒子線装置 |
PCT/JP2011/003553 WO2012014373A1 (ja) | 2010-07-28 | 2011-06-22 | 荷電粒子線装置 |
US13/812,121 US8653458B2 (en) | 2010-07-28 | 2011-06-22 | Charged particle beam device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010168771A JP5174862B2 (ja) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 荷電粒子線装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012028279A true JP2012028279A (ja) | 2012-02-09 |
JP5174862B2 JP5174862B2 (ja) | 2013-04-03 |
Family
ID=45529612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010168771A Expired - Fee Related JP5174862B2 (ja) | 2010-07-28 | 2010-07-28 | 荷電粒子線装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8653458B2 (ja) |
JP (1) | JP5174862B2 (ja) |
WO (1) | WO2012014373A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017195184A (ja) * | 2016-04-20 | 2017-10-26 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 物体を走査するための方法およびシステム |
JP2021022578A (ja) * | 2017-02-16 | 2021-02-18 | 株式会社荏原製作所 | 電子ビームの照射エリア調整方法および同調整システム、電子ビームの照射領域補正方法、ならびに、電子ビーム照射装置 |
JPWO2021100171A1 (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | ||
JP2023506394A (ja) * | 2019-12-20 | 2023-02-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子検査システムのビーム電流調整 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012000650A1 (de) * | 2012-01-16 | 2013-07-18 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum abrastern einer oberfläche eines objekts mit einem teilchenstrahl |
US11035839B2 (en) * | 2015-06-08 | 2021-06-15 | Schlumberger Technology Corporation | Automated method and apparatus for measuring saturate, aromatic, resin, and asphaltene fractions using microfluidics and spectroscopy |
US10470109B2 (en) | 2017-03-24 | 2019-11-05 | Qualcomm Incorporated | Methods for adapting beam scanning frequencies in millimeter wave systems |
US10665421B2 (en) * | 2018-10-10 | 2020-05-26 | Applied Materials, Inc. | In-situ beam profile metrology |
US11062875B2 (en) * | 2019-10-14 | 2021-07-13 | City University Of Hong Kong | Imaging apparatus and related control unit |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0417248A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-22 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム装置及びその画像取得方法 |
JPH10294345A (ja) * | 1996-03-05 | 1998-11-04 | Hitachi Ltd | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
WO2001069643A1 (fr) * | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Hitachi, Ltd. | Dispositif de balayage a faisceau de particules chargees |
JP2004227886A (ja) * | 2003-01-22 | 2004-08-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡 |
JP2005142038A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビーム観察方法 |
WO2010082477A1 (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電ビーム装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6172363B1 (en) | 1996-03-05 | 2001-01-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern |
JP3720178B2 (ja) | 1997-12-01 | 2005-11-24 | 株式会社日立製作所 | デジタル演算処理装置 |
JP4634852B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2011-02-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Sem式外観検査装置および検査方法 |
US7241991B1 (en) * | 2005-08-30 | 2007-07-10 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Region-of-interest based electron beam metrology |
JP5203650B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2013-06-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | レシピ作成システム、及びレシピ作成方法 |
JP4764436B2 (ja) * | 2008-02-14 | 2011-09-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 外観検査方法及び検査装置 |
-
2010
- 2010-07-28 JP JP2010168771A patent/JP5174862B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-22 WO PCT/JP2011/003553 patent/WO2012014373A1/ja active Application Filing
- 2011-06-22 US US13/812,121 patent/US8653458B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0417248A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-22 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム装置及びその画像取得方法 |
JPH10294345A (ja) * | 1996-03-05 | 1998-11-04 | Hitachi Ltd | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
WO2001069643A1 (fr) * | 2000-03-13 | 2001-09-20 | Hitachi, Ltd. | Dispositif de balayage a faisceau de particules chargees |
JP2004227886A (ja) * | 2003-01-22 | 2004-08-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡 |
JP2005142038A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビーム観察方法 |
WO2010082477A1 (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電ビーム装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017195184A (ja) * | 2016-04-20 | 2017-10-26 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 物体を走査するための方法およびシステム |
JP2021022578A (ja) * | 2017-02-16 | 2021-02-18 | 株式会社荏原製作所 | 電子ビームの照射エリア調整方法および同調整システム、電子ビームの照射領域補正方法、ならびに、電子ビーム照射装置 |
JPWO2021100171A1 (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | ||
WO2021100171A1 (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 株式会社日立ハイテク | 走査電子顕微鏡 |
JP7290747B2 (ja) | 2019-11-21 | 2023-06-13 | 株式会社日立ハイテク | 走査電子顕微鏡 |
JP2023506394A (ja) * | 2019-12-20 | 2023-02-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子検査システムのビーム電流調整 |
JP7488898B2 (ja) | 2019-12-20 | 2024-05-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子検査システムのビーム電流調整 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130126732A1 (en) | 2013-05-23 |
JP5174862B2 (ja) | 2013-04-03 |
US8653458B2 (en) | 2014-02-18 |
WO2012014373A1 (ja) | 2012-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5174862B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US8658987B2 (en) | Circuit-pattern inspection device | |
TWI503538B (zh) | Defect inspection method and defect inspection device | |
JP2006048675A (ja) | 画像検査方法および画像検査装置 | |
US20190219903A1 (en) | Display control apparatus, image projection system, and control method | |
JPWO2010013665A1 (ja) | 欠陥レビュー装置および方法、並びにプログラム | |
JP5848135B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画プログラムおよび荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2011003930A (ja) | 半導体ウェーハ検査装置、及びその検査方法 | |
JP2008292472A (ja) | 欠陥観察装置、および欠陥観察方法 | |
KR102654705B1 (ko) | 촬상 장치 및 방법 | |
JP2015152857A (ja) | 表示制御装置、方法およびプログラム | |
JP2008305667A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US9053904B2 (en) | Image quality adjusting method, non-transitory computer-readable recording medium, and electron microscope | |
JPH09330679A (ja) | 走査形顕微鏡 | |
JP4861747B2 (ja) | 座標補正方法および観察装置 | |
US7485880B2 (en) | Charged particle beam scan and irradiation method, charged particle beam apparatus, workpiece observation method and workpiece processing method | |
JP2006106121A (ja) | 映像表示装置 | |
JPS62289783A (ja) | ラスタ−パス発生装置 | |
JP2010040803A (ja) | 電子ビームを用いた半導体検査装置 | |
JP2008135733A (ja) | 半導体ウェーハ検査装置、及びその検査方法 | |
JP2022525980A (ja) | X線装置内のフィラメントデマンドを設定する方法、コントローラ、x線装置、制御プログラム及び記憶媒体 | |
JP6240045B2 (ja) | 異常検出方法及び電子線描画装置 | |
JP7290747B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
KR102589229B1 (ko) | 하전입자선 장치 | |
JP2002176601A (ja) | プロジェクタ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120222 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120517 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5174862 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |