JP2010040803A - 電子ビームを用いた半導体検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電子ビームの高精度な偏向制御と高速動作を可能とした電子ビームを用いた半導体検査装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハに形成された回路パターンを有する試料に細く絞った電子ビームを照射し、照射期間中に前記試料から発生する二次信号を検出し、照射期間と振り戻し期間とを繰り返す偏向制御により前記試料を走査し、検出した前記二次信号から画像を生成して前記試料の欠陥を検査する電子ビームを用いた半導体検査装置において、電子ビームの照射期間中の偏向制御電圧を、照射期間中の開始電圧の値と最終電圧の値のみ設定し、その間を連続的に変化させ、これを走査の１ライン分として繰り返すことで、複数のラインを走査するように、電子ビームの偏向を制御する。
【選択図】なし

Description

本発明は、電子顕微鏡を半導体ウェハの検査に応用した電子ビームを用いた半導体検査装置に関する。

半導体ウェハに形成される半導体デバイスの回路パターンの微細化にともなって、従来の光を用いたパターン検査装置とともに、電子顕微鏡の技術を応用した電子ビームを用いた半導体検査装置が広く普及しはじめている。この検査装置は、半導体ウェハに細い電子ビームを走査して発生する二次電子や反射電子等の二次信号を検出して画像化し、正常なパターンを有する参照画像と比較して欠陥を検出する装置である。電子ビームの照射の制御は、電子ビームの偏向位置を演算する制御装置から送られたディジタルの偏向位置信号を、ディジタル・トゥ・アナログ・コンバータ（以下、ＤＡＣとよぶ）を用いて、アナログ信号に変換して、偏向器へ偏向出力電圧を与えている。このとき、ＤＡＣでは、偏向データ更新タイミングが画像検出タイミングで決定されるため、印加電圧が鋸波形状になっており、この印加電圧で電子ビームが偏向されている。

図６は、従来における、ＤＡＣ方式偏向制御回路の概略構成図である。電子ビームの偏向をなめらかな動きにするために、ＤＡＣの分解能を高めることが求められるが、現状入手可能な高速変換ＤＡＣを用いても、ＤＡＣの分解能が不十分で、微細な電圧変化が行えない。そこで、図６に示すような回路構成が採用されている。電子ビームの走査のための偏向制御データは、上位データ６０１と下位データ６０２とに分けられて供給され、それぞれのデータを上位ＤＡＣ６０３と、下位ＤＡＣ６０４により出力変換させる。ここで、下位データ６０２側のみ下位ＤＡＣ６０４出力をゲイン調整回路６０５により電圧減衰する。それから、上位ＤＡＣ６０３の出力と、ゲイン調整回路６０５の出力を、加算回路６０６にて加算し出力する。このように、２つあるうちの片側のＤＡＣ出力電圧をゲイン調整回路６０５で減衰させて加算を行うことで、分解能向上をはかっている。このようなＤＡＣ方式による出力波形は、高分解能がはかられてはいるが、偏向データ更新のタイミングは連続的ではないため、一定の期間毎に出力電圧が変化して階段状の波形となる。

図７は、従来における、ＤＡＣ方式偏向制御出力と画像検出の関係を表すタイムチャートである。検出画像取込み信号７０５が示す画像検出タイミング７０６の期間に対応する偏向動作期間７０４の間、偏向出力電圧７０１は、偏向データ更新タイミング７０２に従って階段状に変化する。電子ビームが偏向制御されない期間の偏向出力波形７０３は、始点値と終点値が設定されるだけなので、その間は直線的に印加電圧が変化するだけである。

検出精度を落とさずに画像取得を行うために、電子ビームの照射位置の制御を行う偏向制御データ更新タイミング７０２の周期と、二次電子検出を行う画像検出タイミング７０６の周期と、試料を移動させるステージ制御の周期とを一致させる。これにより、ハードウェア実動作性能に合った画像取得を行うことが出来る。

ステージ制御の周期，偏向制御データ更新タイミング７０２の制御の周期，二次電子検出を行う画像検出タイミング７０６の周期の中で、最も遅いタイミング周波数で動作するのは、偏向制御データ更新タイミング７０２の制御であり、最も早いタイミング周波数で動作するのは、二次電子検出を行う画像検出タイミング７０６の制御である。これらの３つの周期を一致させるとき、早い画像検出タイミング周波数に合わせた場合には、偏向制御部のデジタル階段波形による影響が実画像の精度を落としてしまう。また、遅い偏向制御データ更新タイミング周波数に合わせた場合には、正確な画像取得を行うことができるが、高速性に欠けるので装置全体のスループット低下に繋がってしまう。

また、画像検出タイミング７０６と、偏向データ更新タイミング７０２とがずれた場合、電子ビームの走査は、偏向データ更新タイミング７０２で動作するように予め設定されているため、画像検出タイミング７０６に一致しなくなり、同一照射位置で複数の画像検出を行う結果となり、画像検出精度を落とすことに繋がってしまう。

したがって、偏向制御部のデータ更新タイミング周波数を上げることが求められているが、使用しているＤＡＣにおける高分解能と高速性が逆比例関係であるため、解決策が見出せない状況である。

偏向データ更新を、ディジタル信号で、画像検出タイミングよりも小さなタイミングで実行し、かつタイミングのずれの補正もディジタル信号で行い、偏向器への最終的な制御信号のみをアナログに変換する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この技術においても、偏向器へ印加される電圧は階段状であり、電子ビームの高精度な位置制御と滑らかな偏向制御との両立が課題として残っている。

特開２０００−１００３６２号公報

本発明は、電子ビームの高精度な偏向制御と高速動作を可能とした電子ビームを用いた半導体検査装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の実施態様は、半導体ウェハに形成された回路パターンを有する試料に細く絞った電子ビームを照射し、照射期間中に前記試料から発生する二次信号を検出し、照射期間と振り戻し期間とを繰り返す偏向制御により前記試料を走査し、検出した前記二次信号から画像を生成して前記試料の欠陥を検査する電子ビームを用いた半導体検査装置において、電子ビームの照射期間中の偏向制御電圧を、照射期間中の開始電圧の値と最終電圧の値のみ設定し、その間を連続的に変化させ、これを走査の１ライン分として繰り返すことで、複数のラインを走査するように、電子ビームの偏向を制御する構成としたものである。

本発明によれば、電子ビームの高精度な偏向制御と高速動作を可能とした電子ビームを用いた半導体検査装置を提供することができる。

以下、図面を用いて、本発明の実施態様を説明する。

図１は、電子ビームを用いた半導体検査装置の概略構成を示す縦断面図である。半導体検査装置１は、大別して、電子光学系カラム２，試料室３から構成されている。電子光学系カラム３は、その内部が真空に保たれ、電子銃１３で発生した一次電子ビーム１５を引出し電極１４で引出し、焦点コイル１９と動焦点コイル２０で試料２３へ収束させ、試料２３で発生する二次電子や反射電子等の二次信号をＥ×Ｂ偏向器２１で検出器２２の方向へ曲げ、検出器２２で検出する構成を有している。一次電子ビーム１５は細く絞られているので、試料２３の広い領域を照射するために、偏向器１８で偏向され、試料２３が走査される。走査には試料２３上を往復する場合と、一方向のみ走査する場合とがあり、後者の場合に試料２３上を走査しない帰線期間中に試料２３へ照射されないように、一次電子ビームを大きく偏向させて絞り１７で遮断するブランキング電極１６が設けられている。試料室３の中の試料２３は、試料台２５の上に設けられたＸ方向およびＹ方向へ移動可能なＸＹステージ２４に載せられる。

電子銃１３から放出される電子のエネルギや、焦点コイル１９のレンズ強度は、電子光学制御部８で生成されたアナログ制御信号である電圧が印加されることで、制御される。偏向器１８による一次電子ビーム１５の偏向、ブランキング電極１６によるブランキング、動焦点コイル２０による一次電子ビーム１５の焦点補正は、偏向制御部１０で生成されたアナログ制御信号である電圧が印加されることで、制御される。

試料室３には、試料２３の高さを検出するＺセンサ２６が設けられ、Ｚセンサ部１１で高さデータが生成され、偏向制御部１０へ送られて、動焦点コイル２０による一次電子ビーム１５の焦点補正の演算に使用される。

ＸＹステージ２４の位置の計測と駆動がステージ制御部１２で行われ、ＸＹステージ２４の位置データは、偏向制御部１０へ送られて、偏向器１８による一次電子ビーム１５の偏向位置の演算に使用される。

検出器２２で検出された試料２３の情報は、画像処理部９でディジタル画像に変換され、図示しないディスプレイに表示される。

電子光学制御部８，画像処理部９，偏向制御部１０，Ｚセンサ部１１，ステージ制御部１２は、例えばＶＭＥ（登録商標）バスなどのバス７を介して相互に、そして、上位制御ＣＰＵ５と接続され、構成機器間のデータの授受を行っている。また、上位制御ＣＰＵ５は、通信網６を介してシステム制御ＣＰＵ４，画像処理部９，ステージ制御部１２と接続され、優先的な制御のためのデータの授受を行っている。

図２は、ＭＵＸ方式偏向制御回路の概略構成を示す構成図である。ＭＵＸは、マルチプレクサの略である。ＭＵＸ方式は、＋傾きＤＡＣ２０１，固定ＤＡＣ２０２，−傾きＤＡＣ２０３，開始ＤＡＣ２０４，最終ＤＡＣ２０５，誤差検出ＡＤＣ２０６，出力電圧切替高速４対１ＭＵＸ２０７，フィードバック電圧切替高速２対１ＭＵＸ２０８，ＡＤＣ入力電圧切替高速２対１ＭＵＸ２０９，アナログ積分回路２１０，フィードバック差動回路２１１，ＡＤＣ入力差動回路２１２から構成される。

図２に示すＭＵＸ方式の動作の概略を説明する。一次電子ビームの偏向制御の前に、偏向制御の始点を示す初期値として、各ＤＡＣへ電圧を設定する。そして、出力電圧切替高速４対１ＭＵＸ２０７へ送られるＭＵＸセレクト信号２１４とＭＵＸセレクト信号２１５の２ビットにて、アナログ積分回路２１０への供給電圧を切り替えることで、偏向制御出力波形を生成する。さらに詳細な動作は、図５の説明で後述する。

図３は、ＭＵＸ方式における偏向制御条件を入力するインターフェースの画面図である。画面には、試料である半導体ウェハを模擬したマップ表示領域３０１，検査装置で撮像した画像を表示する画像表示部３０２，偏向動作条件入力部３０３が配置されている。偏向動作条件入力部３０３には、複数のモードをオペレータが指定する領域が設けられており、偏向方向を指定する検査モード領域３０４，走査１ライン当りの偏向時間、及び、偏向電圧の算出を行うための画素ピッチの指定領域３０５，画素数の指定領域３０６，偏向終了待ち時間指定領域３０７，振り戻し時間指定領域３０８，偏向開始待ち時間指定領域３０９が一例としてあげられる。

図４は、ＭＵＸ方式の偏向制御信号発生の手順を示すフローチャートである。はじめに、図３に示す偏向動作条件入力部３０３で、各条件を入力し（ステップ４０１）、シーケンスを実行させて（ステップ４０２）、図２に示す各ＤＡＣの設定電圧、各動作時間の算出を行わせ、各ＤＡＣへ電圧が設定されたら（ステップ４０３）、偏向目標位置が許容範囲に入るまで、ＸＹステージ２４を移動させる（ステップ４０４）。ＸＹステージ２４が偏向目標位置へ到達した時点で、偏向動作を開始し（ステップ４０５）、対象領域へ電子ビームを照射し画像を検出して、偏向動作が終了する（ステップ４０６）。以上が走査の１ラインの偏向動作である。偏向器１８への制御電圧と、目標位置との間に誤差があった場合は、偏向対象指示が出されるので（ステップ４０７）、偏向動作停止時の誤差検出を行い、次のラインの電圧設定時に補正を行うとともに、一次電子ビームの振り戻し動作を行い（ステップ４０９）、電圧設定のステップ４０３から偏向動作終了のステップ４０６までを実行する。そして、偏向対象指示が無かった場合には、偏向制御系の全動作が終了する（ステップ４１０）。

図５は、ＭＵＸ方式偏向制御による出力波形を示すタイムチャートである。縦軸に、偏向動作信号５１８，検出画像取込み信号５１６，偏向開始のタイミング信号５２１，偏向終了のタイミング信号５２２，振り戻し終了のタイミング信号５２３，振り戻し開始のタイミング信号５２４，偏向開始電圧５０３，偏向出力電圧５０１，偏向最終電圧５０４，誤差検出ＡＤＣの読み込みタイミング信号５１０を示してある。これらの偏向動作の各タイミングは、予め決められた偏向タイミング５０２に合わせて生成される。

図１に示した偏向制御部１０は、図２に示したＭＵＸ方式偏向制御回路により、偏向出力電圧５０１で示される偏向出力波形５０６が生成される。偏向出力波形５０６は、下記４工程をひとつのサイクルとして、偏向器への走査１ライン分の出力を示している。（１）偏向開始電圧５０３の出力。（２）偏向最終電圧５０４の値を目標とした電子ビームの偏向動作５０７の期間、リニアな電圧変化の出力。（３）偏向最終電圧５０４の値を目標とする固定電圧５０５の出力。（４）次の走査ラインの偏向開始電圧５０３の値を目標とした振り戻し動作のための出力。以上の出力を繰り返すことにより、偏向器が一次電子ビームの走査を繰り返す。図７に示した従来技術では、偏向出力電圧７０１が偏向データ更新タイミング７０２に従ってその電圧値を階段状に変化させ、この電圧値が偏向器へ送られるのに対して、図５に示す本発明の実施例では、偏向動作期間の出力電圧の値は、最初と最後の値が決められるだけで、偏向動作期間中の値は連続的でリニアであり、この電圧値が偏向器へ送られる。このように、本発明の実施例によれば、偏向期間中の一次電子ビームの動作の連続性とリニアリティーを確保することができる。また、一次電子ビームの位置を決める偏向データの更新がなくなり、一次電子ビームの位置と二次信号の検出とのタイミング合せの制約がなくなるので、画像検出誤差をなくすことができる。さらに、偏向期間中のＤＡＣの動作速度の制約がなくなることから、二次信号検出のタイミングを速くすることができるので、高速に画像を検出することが可能となり、装置のスループットを向上させることができる。

図２に戻って、ＭＵＸ方式偏向制御回路の動作を説明する。図３に示した画面で入力された偏向制御条件に基づいて、ＭＵＸセレクト信号２１３，２１４，２１５，２１６が変化し、ＭＵＸ方式偏向制御回路からの出力により、図５に示す偏向開始５１２，偏向終了５１３，振り戻し開始５１４，振り戻し終了５１５の各タイミングが生成される。

画像検出タイミング５１７の開始は、偏向開始５１２のタイミングで、終了は、偏向終了５１３のタイミングで決定され、画像検出期間中は、偏向タイミング５０２とは無関係な検出画像取込み信号５１６で、二次信号の検出が行われる。

開始電圧５０３が出力されているときは、出力電圧切替高速４対１ＭＵＸ２０７へ入力されるＭＵＸセレクト信号２１４，２１５の２ビットを共に“Ｈ”とし、フィードバック電圧切替高速２対１ＭＵＸ２０８へ入力されるＭＵＸセレクト信号２１３を“Ｈ”とすることにより、アナログ積分回路２１０出力をフィードバック差動回路２１１へ入力し、開始ＤＡＣ２０４出力との差分が“０Ｖ”となるよう動作することにより、アナログ積分回路２１０出力を開始ＤＡＣ２０４の設定電圧出力とすることを可能とする。

開始電圧５０３の非出力時には、フィードバック差動回路２１１の出力の飽和防止のため、フィードバック電圧切替高速２対１ＭＵＸ２０８のＭＵＸセレクト信号２１３を“Ｌ”とすることにより、フィードバック差動回路２１１への入力は、２入力とも開始ＤＡＣ２０４の出力とすることで、フィードバック差動回路２１１の出力の飽和防止を行うものとする。

図１に示したＸＹステージ２４が、一次電子ビーム照射の目標位置へ到達すると、ステージ制御部１２が偏向制御部１０へ送っている偏向動作信号５１８を立ち下げる。この立ち下げタイミングで検出画像取込み信号５１６は、予め決められたタイミングで二次信号の検出を開始する。同時に、偏向開始のタイミング信号５２１，偏向終了のタイミング信号５２２，振り戻し終了のタイミング信号５２３が立ち下がり、偏向開始のタイミング信号５２１の立ち下がりをトリガとして、偏向出力電圧５０１が開始電圧５０３から減少しはじめる。

開始電圧５０３を更新する必要がある場合は、次の開始電圧５０３が必要とされるまでの開始電圧更新領域５０８の期間に更新する。

偏向開始５１２のタイミングでは、出力電圧切替高速４対１ＭＵＸ２０７のＭＵＸセレクト信号２１４，２１５の２ビットを共に“Ｌ”とすることで、＋傾きＤＡＣ２０１の出力をアナログ積分回路２１０へ入力し、積分定数と入力電圧により、開始電圧５０３の値を始点とし、最終電圧５０４を終点としたアナログ電圧のリニア変化出力を可能とする。このリニアに変化する偏向出力電圧５０１は、偏向動作５０７の期間中に出力される。

偏向終了５１３のタイミングでは、偏向終了のタイミング信号５２２，振り戻し開始のタイミング信号５２４が立ち上がり，偏向終了のタイミング信号５２２により、偏向出力電圧５０１が固定電圧５０５の一定の値になる。

偏向終了５１３のタイミングでは、出力電圧切替高速４対１ＭＵＸ２０７のＭＵＸセレクト信号２１４を“Ｌ”、ＭＵＸセレクト信号２１５を“Ｈ”とすることで、固定ＤＡＣ２０２の出力をアナログ積分回路２１０へ入力し、アナログ積分回路２１０の入力端子電流を“０Ａ”とすることで、積分動作による傾斜変化途中の動作電圧を保持し、固定電圧５０５の出力を可能とする。

固定電圧５０５の絶対電位は、最終電圧５０４を目標としているので、振り戻し開始５１４までに、両者の間の誤差５１１を検出し、ＡＤＣ入力電圧切替高速２対１ＭＵＸ２０９へ入力されるＭＵＸセレクト信号２１６を“Ｈ”とすることにより、アナログ積分回路２１０の出力をＡＤＣ入力差動回路２１２へ入力し、最終ＤＡＣ２０５の出力との差分を誤差検出ＡＤＣ２０６に取込み、誤差検出ＡＤＣの読み込みタイミング信号５１０のタイミングでデータ変換される。検出された誤差５１１は、次の走査ラインの一次電子ビームの偏向動作に反映させるため、＋傾きＤＡＣ２０１の設定データに誤差５１１の補正を行い、偏向出力波形５０６の偏向動作５０７期間中の傾斜精度を維持させる。

最終電圧５０４の設定値の更新は、振り戻し開始５１４のタイミングから偏向終了５１３のタイミングの間の最終電圧更新領域５０９の期間に行われる。

振り戻し開始５１４のタイミングでは、偏向開始のタイミング信号５２１が立ち上がり、偏向終了のタイミング信号５２２が立ち下がり、振り戻し開始のタイミング信号５２４が立ち下がり、振り戻し開始のタイミング信号５２４の立ち下がりによって、一次電子ビームの振り戻し動作が開始される。

振り戻し開始５１４のタイミングでは、出力電圧切替高速４対１ＭＵＸ２０７のＭＵＸセレクト信号２１４を“Ｈ”、ＭＵＸセレクト信号２１５を“Ｌ”とすることで、＋傾きＤＡＣ２０１の逆極性電圧が設定された−傾きＤＡＣ２０３の出力をアナログ積分回路２１０へ入力し、積分定数と入力電圧により、固定電圧５０５を始点とする積分動作によるアナログ電圧のリニア変化出力を可能とする。

振り戻し終了５１５のタイミングでは、偏向終了のタイミング信号５２２が立ち上がり、振り戻し終了のタイミング信号５２３が立ち上がり、振り戻し終了のタイミング信号５２３の立ち上がりに基づいて、偏向出力電圧５０１が開始電圧５０３の一定値になり、それを維持する。

以上のサイクルが、一次電子ビームの走査１ライン分の偏向動作であり、これを繰り返すことで、複数の走査ライン分の画像を取得することができる。

振り戻し開始５１４から振り戻し終了５１５までの間も、偏向動作５０７の期間と同じく、偏向出力電圧５０１がリニアに変化するので、この間に画像検出タイミングを設けることで、往復走査による画像取得を可能とすることができる。

上記のように、本発明の実施例によれば、偏向期間中の一次電子ビームの動作の連続性とリニアリティーを確保することができる。また、一次電子ビームの位置を決める偏向データの更新がなくなり、一次電子ビームの位置と二次信号の検出とのタイミング合せの制約がなくなるので、画像検出誤差をなくすことができる。さらに、偏向期間中のＤＡＣの動作速度の制約がなくなることから、二次信号検出のタイミングを速くすることができるので、高速に画像を検出することが可能となり、装置のスループットを向上させることができる。

電子ビームを用いた半導体検査装置の概略構成を示す縦断面図。 ＭＵＸ方式偏向制御回路の概略構成を示す構成図。 ＭＵＸ方式における偏向制御条件を入力するインターフェースの画面図。 ＭＵＸ方式の偏向制御信号発生の手順を示すフローチャート。 ＭＵＸ方式偏向制御による出力波形を示すタイムチャート。 従来における、ＤＡＣ方式偏向制御回路の概略構成図。 従来における、ＤＡＣ方式偏向制御出力と画像検出の関係を表すタイムチャート。

符号の説明

１ 半導体検査装置
２ 電子光学系カラム
４ システム制御ＣＰＵ
５ 上位制御ＣＰＵ
６ 通信網
７ バス
８ 電子光学制御部
９ 画像処理部
１０ 偏向制御部
１２ ステージ制御部
１５ 一次電子ビーム
１８ 偏向器
２２ 検出器
２３ 試料
２４ ＸＹステージ
２０１ ＋傾きＤＡＣ
２０２ 固定ＤＡＣ
２０３ −傾きＤＡＣ
２０４ 開始ＤＡＣ
２０５ 最終ＤＡＣ
２０６ 誤差検出ＡＤＣ
２０７ 出力電圧切替高速４体１ＭＵＸ
２０８ フィードバック電圧切替高速２体１ＭＵＸ
２０９ ＡＤＣ入力電圧切替高速２対１ＭＵＸ
２１０ アナログ積分回路
２１１ フィードバック差動回路
２１２ ＡＤＣ入力差動回路
３０１ マップ表示領域
３０２ 画像表示部
３０３ 偏向動作条件入力部
５０１ 偏向出力電圧
５０２ 偏向タイミング
５０３ 開始電圧
５０４ 最終電圧
５０５ 固定電圧
５０６ 偏向出力波形
５０７ 偏向動作
５０８ 開始電圧更新領域
５０９ 最終電圧更新領域
５１０ 読み込みタイミング信号
５１１ 誤差
５１２ 偏向開始
５１３ 偏向終了
５１４ 振り戻し開始
５１５ 振り戻し終了
５１６ 検出画像取込み信号
５１７ 画像検出タイミング
５１８ 偏向動作信号
５２１ 偏向開始のタイミング信号
５２２ 偏向終了のタイミング信号
５２３ 振り戻し終了のタイミング信号
５２４ 振り戻し開始のタイミング信号

Claims (6)

1. 半導体ウェハに形成された回路パターンを有する試料に細く絞った電子ビームを照射し、照射期間中に前記試料から発生する二次信号を検出し、照射期間と振り戻し期間とを繰り返す偏向制御により前記試料を走査し、検出した前記二次信号から画像を生成して前記試料の欠陥を検査する電子ビームを用いた半導体検査装置において、
   前記電子ビームの前記照射期間中の偏向制御電圧が、前記照射期間中の開始電圧の値と最終電圧の値のみ設定され、その間を連続的に変化させ、これを前記走査の１ライン分として繰り返すことで、複数のラインを走査するように前記電子ビームの偏向を制御する偏向制御部を備えたことを特徴とする電子ビームを用いた半導体検査装置。
2. 請求項１の記載において、前記偏向制御部は、前記照射期間中の偏向制御電圧を連続的に変化させるアナログ積分回路を有することを特徴とする電子ビームを用いた半導体検査装置。
3. 請求項１の記載において、前記偏向制御部は、前記照射期間の開始タイミングと終了タイミングを発生させるマルチプレクサを有することを特徴とする電子ビームを用いた半導体検査装置。
4. 半導体ウェハに形成された回路パターンを有する試料に照射される電子ビームを細く絞る焦点コイルと、
   照射期間中に前記試料から発生する二次信号を検出する検出器と、
   照射期間と振り戻し期間とを繰り返すように前記電子ビームを偏向させる偏向器と、
   前記電子ビームの前記照射期間中の偏向制御電圧が、前記照射期間中の開始電圧の値と最終電圧の値のみ設定され、その間を連続的に変化させ、これを前記走査の１ライン分として繰り返すことで、複数のラインを走査するように前記電子ビームの偏向を制御する偏向制御部と、
   前記偏向器により前記試料が走査されて、検出された前記二次信号から画像を生成し、前記試料の欠陥を検査する画像処理部と
   を備えたことを特徴とする電子ビームを用いた半導体検査装置。
5. 請求項４の記載において、前記偏向制御部は、前記照射期間中の偏向制御電圧を連続的に変化させるアナログ積分回路を有することを特徴とする電子ビームを用いた半導体検査装置。
6. 請求項４の記載において、前記偏向制御部は、前記照射期間の開始タイミングと終了タイミングを発生させるマルチプレクサを有することを特徴とする電子ビームを用いた半導体検査装置。

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