JP2012021994A - 表面の異常および/または特徴を検出する光学システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サンプル18の表面上の照明される領域に対して或る入射角度で放射光線を焦点の合った光線へと焦点を合わせる第1の光学機器12と、第1の検出器アレイ32と、第1の光線16から生じ、サンプル表面上の照明される領域20から散乱される放射線を集光すると共に前記照明される領域の一部分から集光された散乱される放射線を前記第1のアレイにおける対応する検出器へと焦点を合わせる集光光学機器30と、を備え、前記第1の光学機器が光線をサンプルの表面に反射する集光光学機器の集光開口に反射器106を有し、前記反射器が集光光学機器の集光開口の妨害を低減する細長い形状を有する光学装置。
【選択図】図2
Description
図1は、関連出願の発明の好ましい実施形態を例示するための表面検査システムの斜視図である。システム10は、検査される表面18上のライン20の形状の領域を照明するために、好ましくは視準された光線14を焦点の合った光線16へと焦点を合わせるために円筒レンズ12などの円筒対物レンズを有する。光線14と、かくしてさらに焦点の合った光線16とは、表面18に斜めの入射角度で導かれる。ライン20はほぼ入射面または焦点の合った光線16の入射面に存在する。この情況では、光線16の入射面は、光線16と表面18に垂直な方向22などの垂直方向とを含むと共に光線16を通る共通面によって規定される。被照明ライン20がレンズ12の焦点面に存在するために(即ち、ライン20におけるほぼ全ての点がレンズ12に対して焦点に入っている)、円筒レンズ12は、その主面が表面18にほぼ平行となるように向けられている。ラインの画像は、CCD32の直線状アレイなどの検出器アレイへと作像サブシステム30によって焦点が合わされる。直線状アレイ32は、好ましくはライン20に平行である。レンズ12の焦点倍率は入射面にほぼ垂直な方向にのみ機能するものであり、他の方向では、レンズ12によって殆どまたは何ら焦点合わせが行われない。屈折レンズ12を使用する代わりに、屈折対物レンズが代わりに使用されてもよいが、このような変更や他の変更は本発明の技術範囲内にある。
Claims (5)
- サンプルの異常を検出する光学装置であって、
サンプルの表面上の照明される領域に対して或る入射角度で放射光線を焦点の合った光線へと焦点を合わせる第1の光学機器と、
第1の検出器アレイと、
第1の光線から生じ、サンプル表面上の照明される領域から散乱される放射線を集光すると共に前記照明される領域の一部分から集光された散乱される放射線を前記第1のアレイにおける対応する検出器へと焦点を合わせる集光光学機器と、を備え、
前記第1の光学機器が光線をサンプルの表面に反射する集光光学機器の集光開口に反射器を有し、前記反射器が集光光学機器の集光開口の妨害を低減する細長い形状を有する光学装置。 - サンプルの異常を検出する光学方法であって、
サンプルの表面上で焦点の合った第1のラインに対して斜めの第1の入射角度で放射光線を第1の焦点の合った光線へと焦点を合わせるステップであって、前記第1の焦点の合った光線と前記第1の焦点の合った光線を通ると共に前記表面に垂直な方向とが前記第1の焦点の合った光線の入射面を規定し、前記第1のラインが前記第1の焦点の合った光線の入射面に実質的に存在する、焦点を合わせるステップと、
サンプルの表面上の照明される領域に対して垂直方向または略垂直方向の第2の入射角度で放射光線を第2の焦点の合った光線へと焦点を合わせるステップであって、前記第2の入射角度が前記第1の入射角度とは異なる、焦点を合わせるステップと、
前記第1および/または第2の焦点の合った光線から生じ、サンプル表面上の第1のラインおよび/または照明される領域から散乱または反射される放射線を集光すると共に前記ラインおよび/または前記照明される領域の一部分から集光される放射線を複数の検出器アレイの各々における対応する検出器へと焦点を合わせるステップであって、前記複数の検出器アレイのうちの1つが前記照明される領域の垂直または略垂直角度の暗視野での作像を検出するように配置され、前記複数の検出器アレイのうちの他のものが二重暗視野検出での検出器アレイである、焦点を合わせるステップと、
を含む光学方法。 - サンプルの異常を検出する光学方法であって、
サンプルの表面上で焦点が合った第1のラインに対して斜めの第1の入射角度で放射光線を第1の焦点の合った光線へと焦点を合わせるステップと、
サンプルの表面上の照明される領域に対して垂直方向または略垂直方向の第2の入射角度で放射光線を第2の焦点の合った光線へと焦点を合わせるステップであって、前記第2の入射角度が前記第1の入射角度とは異なる、焦点を合わせるステップと、
前記第1および/または第2の焦点の合った光線から生じ、サンプル表面上の第1のラインおよび/または照明される領域から散乱される放射線を集光すると共に前記ラインおよび/または前記照明される領域の一部分から集光された散乱される放射線を複数のアレイの各々における対応する検出器へと焦点を合わせるステップであって、前記焦点を合わせるステップが一つ以上の空間周波数で散乱される放射線を瀘過する空間フィルタに前記集光された放射線を通過させるようにし、前記複数のアレイのうちの1つが前記照明される領域の垂直または略垂直角度の暗視野での作像を検出するように配置され、前記複数のアレイのうちの他のものが二重暗視野検出での検出器アレイである、焦点を合わせるステップと、
を含む光学方法。 - 請求項2または3記載の方法において、
前記第1および第2の焦点の合った光線が、少なくとも一つの紫外線または深紫外線の波長を有する方法。 - サンプルの異常を検出する光学方法であって、
サンプルの表面上の照明される領域に対して或る入射角度で放射光線を焦点の合った光線へと焦点を合わせるステップと、
第1の光線から生じ、サンプル表面上の照明される領域から散乱される放射線を集光光学機器によって集光すると共に前記照明される領域の一部分から集光された散乱される放射線を第1の検出器アレイにおける対応する検出器へと焦点を合わせるステップと、を含み、
前記焦点を合わせるステップが光線をサンプルの表面に反射する集光光学機器の集光開口に反射器を用い、前記反射器が前記集光光学機器の集光開口の妨害を低減する細長い形状を有する光学方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US48253903P | 2003-06-24 | 2003-06-24 | |
US60/482,539 | 2003-06-24 | ||
US10/874,861 | 2004-06-22 | ||
US10/874,861 US7365834B2 (en) | 2003-06-24 | 2004-06-22 | Optical system for detecting anomalies and/or features of surfaces |
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JP2006517681A Division JP4838122B2 (ja) | 2003-06-24 | 2004-06-24 | 表面の異常および/または特徴を検出する光学システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012021994A true JP2012021994A (ja) | 2012-02-02 |
Family
ID=33567651
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006517681A Expired - Lifetime JP4838122B2 (ja) | 2003-06-24 | 2004-06-24 | 表面の異常および/または特徴を検出する光学システム |
JP2011166568A Pending JP2012021994A (ja) | 2003-06-24 | 2011-07-29 | 表面の異常および/または特徴を検出する光学システム |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006517681A Expired - Lifetime JP4838122B2 (ja) | 2003-06-24 | 2004-06-24 | 表面の異常および/または特徴を検出する光学システム |
Country Status (7)
Country | Link |
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US (2) | US7365834B2 (ja) |
EP (1) | EP1636573B1 (ja) |
JP (2) | JP4838122B2 (ja) |
KR (1) | KR101128717B1 (ja) |
AT (1) | ATE463736T1 (ja) |
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ATE463736T1 (de) | 2010-04-15 |
WO2005003746A1 (en) | 2005-01-13 |
EP1636573B1 (en) | 2010-04-07 |
DE602004026442D1 (de) | 2010-05-20 |
US20080165343A1 (en) | 2008-07-10 |
US7365834B2 (en) | 2008-04-29 |
EP1636573A1 (en) | 2006-03-22 |
US7679735B2 (en) | 2010-03-16 |
US20050052644A1 (en) | 2005-03-10 |
JP4838122B2 (ja) | 2011-12-14 |
JP2007524832A (ja) | 2007-08-30 |
KR101128717B1 (ko) | 2012-03-23 |
KR20060052712A (ko) | 2006-05-19 |
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Legal Events
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141201 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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