TW201821789A - 同時多方向雷射晶圓檢測 - Google Patents

同時多方向雷射晶圓檢測 Download PDF

Info

Publication number
TW201821789A
TW201821789A TW106131759A TW106131759A TW201821789A TW 201821789 A TW201821789 A TW 201821789A TW 106131759 A TW106131759 A TW 106131759A TW 106131759 A TW106131759 A TW 106131759A TW 201821789 A TW201821789 A TW 201821789A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
field
illumination
sample
optics
angles
Prior art date
Application number
TW106131759A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI757339B (zh
Inventor
國衡 趙
劉晟
本明 班傑明 蔡
Original Assignee
美商克萊譚克公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商克萊譚克公司 filed Critical 美商克萊譚克公司
Publication of TW201821789A publication Critical patent/TW201821789A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI757339B publication Critical patent/TWI757339B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806Specially adapted optical and illumination features
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • G06T7/001Industrial image inspection using an image reference approach
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806Specially adapted optical and illumination features
    • G01N2021/8822Dark field detection
    • G01N2021/8825Separate detection of dark field and bright field
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806Specially adapted optical and illumination features
    • G01N2021/8848Polarisation of light
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06Illumination; Optics
    • G01N2201/068Optics, miscellaneous
    • G01N2201/0683Brewster plate; polarisation controlling elements
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10Image acquisition modality
    • G06T2207/10141Special mode during image acquisition
    • G06T2207/10152Varying illumination
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/20Special algorithmic details
    • G06T2207/20212Image combination
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/56Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof provided with illuminating means
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/70Circuitry for compensating brightness variation in the scene
    • H04N23/74Circuitry for compensating brightness variation in the scene by influencing the scene brightness using illuminating means
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/80Camera processing pipelines; Components thereof

Abstract

本發明揭示用於檢測一樣本之設備。該設備包含:照明光學器件,用於同時將複數個方位角處的複數個入射光束引導朝向一樣本;及集光光學器件,用於將來自複數個角度之兩者或兩者以上之輸出光的複數個場部分引導朝向兩個或兩個以上對應感測器。該兩個或兩個以上感測器經配置以用於接收對應於兩個或兩個以上角度之場部分,且產生兩個或兩個以上對應影像。該設備進一步包括用於分析該兩個或兩個以上影像以偵測該樣本上之缺陷之一處理器。

Description

同時多方向雷射晶圓檢測
本發明大體上係關於半導體檢測系統之領域。更特定言之,本發明係關於具有暗場模式之將雷射用作為光源之晶圓檢測系統。
一般而言,半導體製造之產業涉及使用層疊且圖案化於一基板上之半導體材料(諸如矽)製作積體電路之高度複雜之技術。一積體電路通常由複數個倍縮光罩製作。倍縮光罩之產生及此等倍縮光罩之後續光學檢測已在半導體生產中成為標準步驟。最初,電路設計者將描述一特定積體電路(IC)設計之電路圖案資料提供至一倍縮光罩生產系統或倍縮光罩繪圖機。 由於大型電路整合及半導體裝置不斷減小之尺寸,倍縮光罩及製作之裝置變得對缺陷越來越敏感。即,引起裝置中之失效之缺陷變得越來越小。該裝置在運輸至終端使用者或客戶之前一般需要為無錯誤的。存在通常可僅被特定檢測模式擷取之各種缺陷類型。例如,習知檢測系統通常需要多個檢測經過來擷取大多數缺陷類型且可由於缺失一些檢測模式而錯失一些缺陷類型。儘管已發展各種檢測系統及方法,但仍然需要改良之檢測系統及方法。
下文呈現本發明之一簡化之[發明內容]以提供對本發明之特定實施例之一基礎理解。此[發明內容]不係本發明之一延伸概述且其不識別本發明之主要/關鍵元件或描述本發明之範疇。其唯一目的係以一簡化形式呈現本文揭示之一些概念作為後文呈現之更詳細闡述之前序。 在一個實施例中,揭示一種用於檢測一樣本之設備。該設備包含:照明光學器件,其等用於同時將複數個方位角處之複數個入射光束引導朝向一樣本;及集光光學器件,其等用於將來自角度之至少兩者或兩者以上之輸出光之複數個場部分引導朝向兩個或兩個以上對應感測器。該等感測器經配置以接收場部分且產生對應影像。該設備進一步包括用於分析該等影像以偵測該樣本上之缺陷之一處理器。在一個態樣中,來自該兩個或兩個以上角度之影像在分析之前經組合。 在一特定實施方案中,入射光束同時照明樣本之複數個不同部分。在另一態樣中,該等照明光學器件經配置以將入射光束塑形而在樣本上形成複數個入射線。在一個實例中,該等照明光學器件經配置以將入射光束塑形而在樣本上形成複數個入射點。在另一實施例中,該等照明光學器件包括用於各入射光束之一偏光器。在又另一態樣中,該等照明光學器件包括用於將八個方位角處之八個入射光束引導朝向樣本之八組照明光學器件。在一替代實例中,該等照明光學器件經配置以引導為具有一5:1間隙與線比率之複數個線之形式之入射光束。 在一特定實施例中,場分離器包括一稜鏡。在另一實施例中,該場分離器包括中繼鏡及面鏡。在另一態樣中,該場分離器包括一繞射光學元件。在另一實施例中,到達感測器之場部分對應於所有方位角。在另一態樣中,到達感測器之場部分之一數目小於方位角之一數目。在又另一實施例中,存在八個或八個以上方位角及到達感測器之兩個至四個場部分。在一進一步態樣中,該場分離器可經組態以將場分離成對應於角度之不同之兩個至四個角度之不同之兩個至四個場部分。 在另一實例中,集光光學器件包括針對各場部分可個別經組態之個別傅立葉(Fourier)濾波器。在另一實施方案中,集光光學器件包括針對各場部分可個別經組態之個別光瞳濾波器。在另一實例中,集光光學器件包括針對各場部分可個別經組態之個別偏光器濾波器。在一替代實施例中,分析兩個或兩個以上影像包含組合該等影像以抵消此組合影像中之雜訊。在又另一實施例中,樣本係一圖案化晶圓,且照明光學器件及設備經組態以使得複數個角度處之入射光束在一光柵圖案中跨該樣本之複數個相同掃描帶掃描。在此態樣中,沿各掃描帶之掃描方向對準場部分。在另一態樣中,樣本係一裸晶圓,且照明光學器件及設備經組態以使得複數個角度處之入射光束在一螺旋圖案中跨該樣本掃描。在此態樣中,未沿掃描方向對準場部分。在另一態樣中,入射光束具有一傾斜入射角。在另一態樣中,照明光學器件及集光光學器件經組態以用於暗場成像。在一進一步態樣中,照明光學器件及集光光學器件進一步經組態以用於亮場成像,且感測器及集光光學器件經組態以除了用於在各對應感測器處接收來自不同角度之場部分之分離通道外亦具有分離暗場及亮場通道。 以下進一步參考圖來描述本發明之此等及其他態樣。
相關申請案之交叉參考 本申請案主張Guoheng Zhao等人於2016年9月15日申請之名稱為Simultaneous Multi-Directional Laser Wafer Inspection之美國臨時專利申請案第62/395,086號之優先權,該案之全文出於所有目的係以引用的方式併入本文中。 在以下描述中,闡述數個特定細節以提供對本發明之一全面瞭解。可在無此等特定細節之部分或全部之情況下實踐本發明。在其他例項中,未詳細描述已知組件或程序操作以無不必要地模糊本發明。儘管結合特定實施例來描述本發明,但將瞭解不意欲將本發明限制於該等實施例。 存在具有影響缺陷偵測之準確度及工作量之各種參數之一些類型的檢測工具。一類普通檢測系統利用一雷射。雷射之高亮度係當前用於暗場晶圓檢測之最有效光源。購自加利福尼亞米爾皮塔斯之KLA-Tencor之晶圓檢測工具(諸如,基於雷射點掃描成像之SP系列及AIT系列及基於雷射線掃描成像之PUMA系列)已在半導體產業中被廣泛使用。一些檢測系統的一個限制係照明係單方向,或過少方向且不獨立的組態。即使存在多個照明角度,但在不同照明角度處循序檢測晶圓,因此減少檢測量。可有效使用運用多個方位角方向照明之晶圓檢測系統來檢測不同類型之缺陷,且所有照明方向之組合可改良有效光學解析度且增強缺陷敏感度。然而,此等系統傾向於使用對一些缺陷類型不係最適宜之一單一經過,或顯著減少檢測速度之循序經過。 本發明之特定實施例提供利用同時多照明通道在不同方位角處產生複數個入射光束以及用於同時將來自不同角度之輸出光引導至分離偵測器之對應分離集光通道之一檢測系統。儘管以下實例性系統實施方案繪示一特定數目個(諸如三個)照明及偵測通道,但可使用任何適合數目個通道。 圖1係根據本發明之一特定實施例之利用同時多照明角之一檢測系統100之一圖解表示。此檢測系統係一暗場檢測系統,儘管其他照明模式可整合至此系統內,如以下進一步描述。 在照明物鏡之光場之一不同部分之一不同方位角處產生入射光束之各者。即,入射光束同時照明樣本之不同部分。在繪示之實例中,系統100包含三組照明光學器件,儘管僅可從此角度看見照明光學器件108a及108b。此等三個照明光學器件經配置以產生且引導三個不同角度處之三個入射光束朝向樣本132。如在增大之掃描區域150中所展示,此等三個入射光束經塑形以形成線109a、109b及109c。在此實施例中,不同照明光學器件在不同角度及位置處經配置且組態以導致三個空間分離之照明線。 在一個實例中,各照明光束可藉由任何適合光學器件(諸如變形光學器件,包含柱面透鏡或面鏡)形成為一窄長線以僅照明光學視域之一窄帶。在美國專利第9,176,072號中進一步描述用於在各種角度處產生一窄照明線之各種實施例,該案之全文以引用之方式併入本文中。圖1B繪示根據本發明之一個實施例之使用用於提供可調整照明線長度之三個柱面透鏡之例示性照明光學器件170。當然,可在替代實施例中採用一單一固定長度。在一個系統實例中,照明光學器件170對應於各方位角處之各組照明光學器件(例如,圖1A之108a及108b)。 在此實施例中,照明光學器件170可包含用於提供初始照明之任何適合之照明光學器件。例如,可使用用於將照明提供至所有照明通道之一單一光源(圖中未展示),諸如一雷射,來產生光,且接著可使用任何適合之光路徑光學器件172 (諸如一光纖及/或任何適合之面鏡)來將光引導朝向各通道。在替代實施例中,可實施多個光源,其中一個光源用於一個照明通道。在繪示之實例中,由光路徑光學器件172引導之光可由一球面準直透鏡173準直且由一光圈174塑形。可由一波板175或任何其他適合之偏光器組件控制偏光之定向。 此時,照明光可藉由柱面透鏡176、177及178之至少兩者形成為一線179。在此實施例中,可使用柱面透鏡176及177判定線長度,而可使用柱面透鏡178聚焦該線(例如,判定其寬度)。在一實際實施方案中,可使用一馬達(例如,圖1A之定位機構131)交換且移動柱面透鏡177,藉此提供用於工作量及敏感度調整之替代線長度。在另一實施方案中,可由允許選擇一預定範圍內之一特定照明線長度之一連續變焦透鏡180替換柱面透鏡176及177。 在一個實施例中,可使用相距大約45°之八個照明方位角。圖1C繪示根據本發明之一特定實施方案之八個不同角度處之八組照明光學器件(例如108a)之一俯視圖。如所展示,各組照明光學器件可包括一起引導且塑形、偏光且引導入射光束朝向樣本131之光束塑形光學器件(例如190)及偏光控制光學器件(例如192)。 在其他實施例中,一單一光源可產生一光束,接著將該光束分離為在不同角度處饋入不同照明光學器件內之多個光源。即,可由一單一雷射或由多個雷射產生多個照明光束。其他適合光源可包含燈、雷射泵浦電漿光源、X光及EUV光源等等。另外,照明光學器件可包含用於調節各照明光束之任何適合之元件類型,包含設置光圈及視場光闌位置及尺寸、調節用於一偏光器之照明光束、操縱光束輪廓、準直、聚光、擴展、減少等等。另外,可在本發明之系統中利用任何適合之波長。 針對具有大約0.5 mm至1 mm之一光學視域之一當前典型高數值孔徑(NA)物鏡,各照明線寬度可為大約10 um寬且使用相當低之NA光學器件(對DUV波長來說<0.05)。亦可使用一5:1間隙與線寬比率,且此比率完全足夠避免照明角度之間之串擾。在一個實例中,一0.5 mm視域可容納達10個照明場。針對一些照明方向,傾斜伸長因數使得線寬度擴展且據此需要光場之一較大部分,使得使用一較少數目個光場。由於照明場被分離為個別場部分且其間具有間隙,所以照明光束之間將存在不可忽略之串擾且亦可使用長相干長度雷射。 返回參考圖1A,物鏡110回應於擊中樣本132之入射光束而形成來自散射及反射輸出光之照明場之一第一中間真實影像。該系統可使用係一有限共軛成像透鏡之一單一總成或一兩片無限校正對之一物鏡。 接著,可由一場分離器將中間場分離為兩個或兩個以上部分。接著,各部分中繼通過不同集光通道(例如,114a、114b及114c)至不同感測器(諸如,感測器124a、124b及124c)上。例如,該等感測器可包含以下一或多者:電荷耦合裝置(CCD)、CCD陣列、時延積分(TDI)感測器、TDI感測器陣列、光線倍增管(PMT)陣列、突崩光二極體陣列及/或其他感測器。 可由任何適合之光學器件組件達成中間場之分離。如伸長區域112中所展示,系統100包含充當為將中間場分離為三個部分之一場分離器之一稜鏡。此稜鏡具有兩側113a及113b,該兩側之各者具有一反射塗層且經定位以反射兩個不同輸出光束場部分。此稜鏡亦具有係透明且經定位以傳輸一第三輸出光束場部分之一第三側113c。以下進一步描述用於分離場之其他配置。該系統可包含用於將場分離為對應於額外角度之額外場之額外稜鏡。 在其中八個平行通道可不具成本效率之特定情況中,集光側中之分離影像場之數目可小於照明通道之數目。例如,可存在4個或更少分離場,且8個照明角度之4者之任何者可在方案設置期間經組態以成為平行通道。類似地,該系統可經組態以具有分離場之2個或3個平行通道以達成一較低成本系統(例如,圖1A之系統100)。當平行集光通道具有少於照明角度個數之一計數時,場分離器可經重新定位以將中間場分離為對應於可選擇角度之不同場部分。替代地,照明光束可利用一面鏡或一光束偏移器控制以選擇性地照明成像於集光通道上之場。 使用多個方位照明角通常可使得傅立葉空間中之集光覆蓋面積擴大大致4倍,如圖2A至圖2C中所繪示。圖2A係自一個方位角擊中樣本132之一單一入射光束202a之一側視圖,此導致自圓頂區域206之反射之鏡面光束202b及散射光(例如,204a、204b、204c)。圖2B繪示相對於一入射光束222及其鏡面光束226之一集光光瞳224之一俯視圖,鏡面光束226亦展示為經偏移而在傅立葉空間(例如,在空間波數Kx及Ky座標系統中)中與零對準。 圖2C繪示相對於一串八個鏡面光束(例如,226a、226b及226c)之光瞳集光空間224及其等在傅立葉空間內之變換。如所展示,鏡面光束偏移至傅立葉空間之原點以及其等對應集光光瞳亦相對偏移至原點。例如,鏡面光束226a對應於變換之光瞳224a;鏡面光束226b對應於光瞳224b;且鏡面光束226c對應於光瞳224c。所有8個變換之光瞳之組合覆蓋為一單一照明光束之光瞳(例如光瞳224a)之大約4倍大。 可以不同方式使用傅立葉空間之額外集光覆蓋來增強缺陷敏感度或偵測更多缺陷類型。在本文描述之實施例之任何者中,各中繼透鏡可經配置以具有其中一傅立葉濾波器及/或偏光器濾波器及/或相位板及/或相位延遲板及/或空間濾波器可被取代且經組態至用於各通道之各種設置之一可取得傅立葉光瞳。例如,如圖1A中所展示,傅立葉濾波器122a、122b及122c可分別定位於中繼光學器件114a、114b及114c內。類似地,偏光濾波器123a、123b及123c可分別定位於中繼光學器件114a、114b及114c內。空間濾波器121a、121b及121c亦可分別定位於中繼光學器件114a、114b及114c內。 換言之,各通道可具有其本身可組態或最佳化傅立葉濾波器、光瞳遮罩及偏光。不同通道之傅立葉濾波器及偏光濾波器可個別經組態,此允許各通道之個別最佳化以進一步增強特定缺陷類型之缺陷敏感度。在不同照明角度處同時使用多個通道允許在不影響檢測量之情況下最佳化缺陷敏感度及缺陷類型兩者。 儘管各通道可分開處理以擷取在一些通道中具有比其他通道更高之敏感度之不同類型之缺陷,但所有通道亦可基於傅立葉疊層衍射(Ptychographic)成像理論而經組合以提供一較高解析度影像,且因此改良晶圓圖案之保真度且改良在所有通道中具有更多或更少相等回應之缺陷之敏感度。在Guoan Zheng於2014年4月《IEEE Photonics Journal》第6卷上之論文Breakthroughs in Photonics 2013:Fourier Ptychographic Imaging中進一步描述一些疊層衍射成像做法,該論文以引用之方式併入本文中。此傅立葉疊層衍射(FP)做法藉由一起迭代地縫合傅立葉空間中之諸多可變照明低解析度強度影像以擴展頻率通帶且恢復一高解析度複雜樣本影像而延伸用於非干涉設置之合成光圈成像之概念。相對於直接量測傳入光場之相位資訊,FP使用一迭代相位復原程序恢復樣本之複雜相位資訊。已展示,在不涉及任何干涉量測及機械掃描之情況下,FP促進顯微成像遠超由物鏡之NA設置之截止頻率。 在各照明角度處記錄樣本之一低解析度強度影像。在薄樣本假定下,將各取得之影像單獨映射至樣本之光譜之一不同通帶。接著,FP演算法藉由迭代地約束其幅值以匹配取得之低解析度影像序列且約束其光譜匹配水平移動之傅立葉約束而恢復一高解析度複雜樣本影像。本質上,相較於在習知疊層衍射做法中使用之平移分集功能,FP引入角度分集功能以恢復高解析度複雜樣本影像。 重建FP程序可開始於對應於由所有照明角覆蓋之擴展之光瞳區域之樣本:之一高解析度光譜估計。接著,可利用低解析度強度量測Imi (下標「m」與量測有關且「i」係來自第i個照明角之第i個低解析度影像)來循序更新此樣本光譜估計。針對各更新步驟,之一小子區域對應於由一個照明角之物鏡光瞳覆蓋之空間頻率範圍,且應用一傅立葉變換來產生一新低解析度目標影像(「1」表示低解析度且「i」表示第i個角度)。接著,可由量測之平方根取代子區域光譜之振幅分量以形成一更新之低解析度目標影像。接著,可使用此影像更新之其對應子區域。可針對所有強度量測重複取代及更新序列,且可迭代地重複以上程序一些次數直至聚集一解決方案,此時轉變為空間域以產生一高解析度複雜樣本影像。接著,可由最新角度判定最終FP重建之可取得解析度。因而,FP能夠繞開習知顯微鏡之設計衝突以達成高解析度寬視域成像能力。 以上描述之光學器件組態實施例可用於圖案化晶圓檢測及裸晶圓檢測兩者,但分離場配置可不同地經最佳化。針對圖案化及裸晶圓檢測兩者,不同照明角度之斑紋雜訊可部分不相關,如圖3中所展示,圖3係相對於其他照明角之一參考零角度照明之斑紋相關性以及三個不同光圈設置:全遮罩、後遮罩及前遮罩之一圖表。如所展示,針對與相同0角度照明之相關性,最高斑紋相關性具有一值1。一斑紋相關值0意謂0角度之雜訊與其他角度照明影像之間存在零斑紋雜訊相關性。另外,不同集光遮罩可達成不同斑紋相關性結果,如針對後遮罩(置於光瞳中之鏡面光束之輸出位置之後,具有比前光圈或全光圈更低之相關值)所展示。 可使用斑紋相關性來組合不同角度之影像以達到來自此等影像之雜訊之一大部分之平均值。例如,影像可經平均化、加總/減去、相乘或一些其他組合以消除/最小化組合之影像中之雜訊。組合多個通道可顯著減少斑紋雜訊且改良粒子偵測敏感度。例如,若一組不同角度影像具有零斑紋相關性,則雜訊中之平均化結果減少。另一方面,高度相關(諸如一相關性1)之影像將導致在平均化程序期間複製之其等雜訊存在。在此實例中,一後集光遮罩導致一組合影像中大多數角度之較少雜訊。對針對不同照明角度具有類似回應之缺陷(諸如裸晶圓上之小粒子)而言,組合平行檢測之多個通道可仍然藉由減少斑紋雜訊而改良敏感度。然而,針對可對不同角度展示極大不同之回應或對不同集光遮罩及角度展示不同最小相關值之其他類型之缺陷或結構則不是此情況。 在一個實施例中,各集光通道可包含在數位影像處理中實施(例如,藉由其後接著一處理器130之成像感測器執行)以進一步減少斑紋雜訊且因此改良SNR之一匹配的濾波器。例如,可使用具有與缺陷影像(針對粒子係環狀線圈形)相同之形狀之一簡單數位影像處理濾波器,而在其他實施例中可使用其他類型之濾波器。應注意,一匹配之濾波器可應用於P (平行於入射平面)偏光照明,而非S (垂直於入射平面)偏光照明。儘管P偏光照明具有比S偏光照明更強之散射,但P偏光可提供具有低霧度之晶圓(諸如,拋光之Si (矽)晶圓及一些光滑多晶矽晶圓)上之最佳敏感度。 在一個實施例中,可利用物鏡與各成像感測器之間之成像路徑中之一徑向偏光器來進一步增強SNR,使得偏光與徑向方向對準。此徑向偏光器可減少晶圓表面散射,且同時通過來自小粒子之大部分散射光。可針對特定缺陷類型使用照明偏光及成像偏光之各種組合。例如,照明光束之偏光可沿相同方向(平行於x或y)對準,且可在集光路徑(平行或垂直於照明偏光)中使用一線性偏光器。此等組態針對其中圖案特徵趨向於與x及y方向對準之圖案化晶圓檢測可係有利的。特定而言,分離雷射允許原本對一單點光源係不可能之照明的徑向或切向偏光。 檢測系統可實施用於檢測樣本之任何適合的掃描圖案。圖案化晶圓檢測通常使用一XY載台及掃描路徑來形成如圖4中展示之一光柵掃描圖案400。在此實例中,照明場沿掃描方向分離為三條掃描線402。沿相同掃描帶掃描特定照明角度處之各線。相鄰掃描線之間存在係光場尺寸之一小分率之一小偏移,此僅稍微增加掃描長度,且因此對檢測量不具有實際影響。 不管照明掃描部分之配置,掃描部分之間將存在可使得樣本之部分未經掃描之一間隙,此取決於特定掃描圖案。在圖4之先前實例中,各照明光束掃描相同晶圓掃描帶,且可由所有光束使用一光柵圖案而輕易掃描整個晶圓。然而,若圖4之掃描線沿垂直方向彼此偏移,則掃描圖案可包含利用入射光束之各者連續收縮相同掃描帶。 裸晶圓檢測趨向於使用主軸載台,且掃描路徑係r-θ螺旋,而非xy光柵。若如圖1A及圖4中所展示之分離場,則將難以正確掃描靠近晶圓中心之區域。例如,光束線之部分將可能錯失晶圓之中心部分。該螺旋圖案可包含在晶圓之外部開始掃描且移動至晶圓內部或反之亦然。沿該內部之加速可必須相對於外部改變。圖1A及圖4之光束線偏移將沿切向方向且將可能導致感測器處之模糊(例如,TDI積體模糊)。為了最小化模糊,可在一不同組態中分離場以允許更佳之掃描覆蓋。當場彼此鄰近且分離時,可使得錯失各場之兩端之一些小部分及/或引入一定程度之串擾。例如,可由圖5之掃描線配置502沿如所展示之一徑向方向分離場。在此實施例中,場部分未沿掃描方向對準,且下一掃描可經組態以填入先前掃描部分之間。如所展示,一第一經過導致正沿路徑504a、504b及504c掃描之三條光束線。在一第二經過中,該三條光束線沿路徑506a、506b及506c掃描以填入先前掃描之未掃描樣本部分。 一般而言,掃描線/點之間之間隙消除感測器平面處之串擾,且線/點及掃描圖案可經組態以使得由後續掃描覆蓋此等間隙。在美國專利第8,194,301號中進一步描述用於交錯掃描區域之一些實例性技術,該專利之全文以引用之方式併入本文中。 本發明之某些實施例提供具有同時及獨立集光之複數個同時照明角度以增強缺陷敏感度,此可為角度相關的。例如,已發現某些類型之缺陷及圖案可經成像而在某些照明角度或角度之組合處具有更佳之對比度及解析度。即,一相同圖案將在不同角度處不同地成像且相同缺陷可在不同照明角度處具有十分不同之信雜比。若自複數個角度組合影像,則該影像將趨向於看起來更類似於真實結構。接著,更靠近真實結構之此等高解析度影像可更易於分類為不同缺陷類型,諸如靠近一特定結構類型(隅角與線)、缺失材料類型缺陷、額外材料缺陷等等。針對圖案化晶圓檢測,缺陷敏感度可極大地取決於由實驗及模擬資料兩者發現之照明方向。同時多方向照明可顯著改良不同缺陷類型之缺陷敏感度及偵測,尤其係針對存在於圖案化缺陷之一大部分中之不對稱缺陷。 可使用各種機構及技術成像來自不同角度(除以上描述之一個外)處之分離照明場之回應。例如,可利用繞射光學元件、稜鏡、中繼鏡及/或遮罩面鏡之各種組合將來自不同角度之輸出光引導朝向不同感測器。 圖6係根據本發明之一替代例之一成像系統600之一圖解表示。如所展示,將來自不同掃描區域之輸出光引導通過物鏡110。該系統600亦可包含複數個面鏡(例如,602a、602b及602c)及經定位以接收且引導來自不同角度或掃描部分之輸出光朝向不同感測器(例如,624a、624b及624c)之中繼鏡(例如,606a及606b)。例如,第一面鏡602a反射來自一第一角度之輸出光。同樣地,中繼鏡606a將來自一第二角度之輸出光中繼朝向一第二面鏡602b,該第二面鏡602b反射來自該第二角度之輸出光。中繼鏡606b將來自一第三角度之輸出光中繼朝向第三面鏡602c,該第三面鏡602c反射來自該第三角度之此輸出光。接著,中繼光學器件(例如,604a、604b及604c)經定位以將來自個別角度之輸出光中繼朝向個別感測器(例如,分別為624a、624b及624c)。 在其他實例性系統中,亦可使用分離照明場來容納亮場及暗場照明模式兩者。圖7係根據本發明之另一實施例之使用同時多角度之分離場照明及亮場及暗場成像兩者之一檢測系統700之一圖解表示。一般而言,通道之一者可經組態以用於亮場,且可同時取得亮場及暗場影像。如所展示,除了經配置以提供如以上描述之不同照明角度之任何適合數目之暗場光照明系統(諸如708a及708b)外,系統700可包含一亮場照明源707。在一個實例中,亮場光由照明光學器件702塑形、由面鏡711反射且由物鏡710聚焦朝向樣本132。 該系統亦包含用於將不同角度處之散射及反射光分別引導朝向個別暗場感測器724a及724c之分離集光光學器件714a及714c。另外,引導反射光經由集光光學器件714b朝向感測器724b。 不同照明角度之暗場影像可經組合以形成類似於保存圖案保真度之不相干暗場影像之一影像。可藉由組合8個方位角照明角度而獲得全特徵圖案,此可實用於圖案識別及缺陷分類。傳統雷射暗場影像通常不具有用於缺陷分類之足夠特徵或界定關注區域之方法設置。 雷射光源歸因於窄帶寬可係較佳的,此通常簡化透鏡設計及製造,且若此雷射光源用於亮場照明則亦可使用斑紋破壞組件(諸如旋轉擴散器或光纖束)。可藉由使用暗場通道之中間場位置處之狹縫光圈來最小化由亮場照明引起之穿過成像物鏡之雜散光。 以上描述之系統亦可包含一控制器(例如,圖1A之130),該控制器包括軟體及硬體之任何適合組合且通常經組態以控制檢測系統之各種組件。例如,該控制器可控制照明源、照明偏光器之選擇性啟動及補償器設置、傅立葉濾波器設置、光瞳濾波器設置、偏光器設置、集光角度選擇、偵測補償器及檢偏鏡設置、照明光圈/快門設置等等。控制器130亦可接收由各感測器產生之信號或影像資料且經組態以分析所得信號或影像或判定缺陷是否存在於樣本上或特性化存在於該樣本上之缺陷。 本文描述之系統亦可包含用於各種可移動組件(諸如,樣本載台、固定光圈/遮罩、快門、偏光器、集光通道光學器件、場分離器、檢偏鏡、補償器等等)旋轉、傾斜及/或平移移動至不同位置之一定位機構(例如,圖1A之131)。舉例而言,定位機構131可包含一或多個馬達機構,諸如一螺桿驅動器及步階馬達、具有反饋位置之線性驅動器、帶致動器及步階馬達等等。 本文描述之各控制器可經組態(例如,具有程式化指令)以提供用於顯示所得影像及其他樣本特性之一使用者介面(例如,在一電腦螢幕上)。該控制器亦可包含用於提供使用者方案輸入(諸如,選擇波長範圍、AOI (入射角)/方位角、入射光或收集光之偏光狀態以及偵測參數)之一或多個輸入裝置(例如,一鍵盤、滑鼠、操縱桿)。該控制器通常具有耦合至輸入/輸出埠之一或多個處理器及經由合適匯流排或其他通信機構之一或多個記憶體。 由於可在一專門經組態之電腦系統上實施此資訊及程式指令,所以此一系統包含用於執行本文描述之可儲存於一電腦可讀媒體上之各種操作之程式指令/電腦編碼。電腦可讀媒體之實例包含(但不限制於):磁性媒體,諸如硬碟、軟碟及磁帶;光學媒體,諸如CD-ROM碟;磁光媒體,諸如光碟;及特別經組態以儲存且執行程式指令之硬體裝置,諸如唯讀記憶體裝置(ROM)及隨機存取記憶體(RAM)。程式指令之實例包含(諸如)由一編譯器產生之機器碼,及含有可由電腦使用一解譯器執行之高階編碼之檔案兩者。 可利用本文描述之系統實施任何適合檢測程序。圖8係根據本發明之一個實施例之繪示一檢測程序800之一流程圖。最初,在操作802中,可產生多個方位角處之照明光且將該照明光引導朝向一樣本。接著,在操作804中,利用照明光束掃描該樣本。另外,在操作804中,亦可偵測不同角度處之來自掃描部分之兩個或兩個以上之輸出光。接著,在操作806中,可基於偵測之輸出光之分析偵測缺陷。舉例而言,可在偵測之多角度影像上分開或組合地實施各種晶粒對晶粒、胞對胞或晶粒對資料庫檢測處理技術。 儘管已為了清楚理解之目的詳細描述以上本發明,但將明白可在隨附申請專利範圍之範疇內實踐特定改變及修改。應注意,存在實施本發明之程序、系統及設備之諸多替代方法。例如,儘管本文描述之系統實施例可應用於半導體裝置之檢測,但可設想此系統可能用於其他類型之應用,諸如其他類型之樣本之檢測或缺陷檢測。據此,本實施例將被視為繪示性的且不具有限制性,且本發明不限制於本文給出之細節。
100‧‧‧檢測系統
108a‧‧‧照明光學器件
108b‧‧‧照明光學器件
109a‧‧‧線
109b‧‧‧線
109c‧‧‧線
110‧‧‧物鏡
112‧‧‧伸長區域
113a‧‧‧側
113b‧‧‧側
113c‧‧‧第三側
114a‧‧‧集光通道/中繼光學器件
114b‧‧‧集光通道/中繼光學器件
114c‧‧‧集光通道/中繼光學器件
121a‧‧‧空間濾波器
121c‧‧‧空間濾波器
122a‧‧‧傅立葉濾波器
122b‧‧‧傅立葉濾波器
122c‧‧‧傅立葉濾波器
123a‧‧‧偏光濾波器
123b‧‧‧偏光濾波器
123c‧‧‧偏光濾波器
124a‧‧‧感測器
124b‧‧‧感測器
124c‧‧‧感測器
130‧‧‧處理器
131‧‧‧樣本
132‧‧‧樣本
150‧‧‧掃描區域
170‧‧‧照明光學器件
172‧‧‧光路徑光學器件
173‧‧‧球面準直透鏡
174‧‧‧光圈
175‧‧‧波板
176‧‧‧柱面透鏡
177‧‧‧柱面透鏡
178‧‧‧柱面透鏡
179‧‧‧線
180‧‧‧連續變焦透鏡
190‧‧‧光束塑形光學器件
192‧‧‧偏光控制光學器件
202a‧‧‧入射光束
202b‧‧‧鏡面光束
204a‧‧‧散射光
204b‧‧‧散射光
204c‧‧‧散射光
206‧‧‧圓頂區域
222‧‧‧入射光束
224‧‧‧集光光瞳
224a‧‧‧光瞳
224b‧‧‧光瞳
224c‧‧‧光瞳
226‧‧‧鏡面光束
226a‧‧‧鏡面光束
226b‧‧‧鏡面光束
226c‧‧‧鏡面光束
400‧‧‧光柵掃描圖案
402‧‧‧掃描線
502‧‧‧掃描線配置
504a‧‧‧路徑
504b‧‧‧路徑
504c‧‧‧路徑
506a‧‧‧路徑
506b‧‧‧路徑
506c‧‧‧路徑
600‧‧‧成像系統
602a‧‧‧第一面鏡
604a‧‧‧中繼光學器件
604b‧‧‧中繼光學器件
604c‧‧‧中繼光學器件
606a‧‧‧中繼鏡
606b‧‧‧中繼鏡
624a‧‧‧感測器
624b‧‧‧感測器
624c‧‧‧感測器
700‧‧‧檢測系統
702‧‧‧照明光學器件
707‧‧‧亮場照明源
708a‧‧‧暗場光照明系統
708b‧‧‧暗場光照明系統
710‧‧‧物鏡
711‧‧‧面鏡
714a‧‧‧集光光學器件
714b‧‧‧集光光學器件
714c‧‧‧集光光學器件
724a‧‧‧暗場感測器
724b‧‧‧感測器
724c‧‧‧暗場感測器
800‧‧‧檢測程序
802‧‧‧操作
804‧‧‧操作
806‧‧‧操作
Kx‧‧‧空間波數
Ky‧‧‧空間波數
圖1A係根據本發明之一特定實施例之利用同時多入射角(AOI)照明之一檢測系統之一圖解表示。 圖1B繪示用於提供一經照明之場線之例示性照明光學器件。 圖1C繪示根據本發明之一特定實施方案之八個不同角度處之八組照明光學器件。 圖2A至圖2C繪示多個方位照明角係如何可使得傅立葉空間中之集光覆蓋面積擴大大致4倍。 圖3係相對於其他照明角之一參考零角度照明之斑紋相關性以及三個不同光圈設置:全遮罩、後遮罩及前遮罩之一圖表。 圖4係使用一XY載台及掃描路徑以形成一光柵掃描圖案之晶圓檢測之一圖解俯視圖。 圖5繪示根據本發明之另一實施例之一徑向分離照明場及螺旋檢測掃描圖案。 圖6係根據本發明之一替代例之一成像系統之一圖解表示。 圖7係根據本發明之另一實施例之使用用於同時多角度之分離場照明及亮場及暗場成像兩者之一檢測系統之一圖解表示。 圖8係根據本發明之一個實施例之繪示一檢測程序800之一流程圖。

Claims (23)

  1. 一種用於檢測一半導體樣本之設備,其包括: 照明光學器件,用於同時將複數個方位角處之複數個入射光束引導朝向一樣本; 集光光學器件,用於將來自該複數個角度之兩者或兩者以上之散射輸出光的複數個場部分引導朝向兩個或兩個以上對應感測器,其中該等集光光學器件包括用於將該輸出光之一中間場分為該複數個場部分之一場分離器; 兩個或兩個以上感測器,用於接收對應於兩個或兩個以上角度之該等場部分,且產生兩個或兩個以上對應影像;及 一處理器,用於分析該兩個或兩個以上影像,以偵測該樣本上之缺陷。
  2. 如請求項1之設備,其中該等入射光束同時照明該樣本之複數個不同部分。
  3. 如請求項1之設備,其中該等照明光學器件經配置以將該等入射光束塑形,而在該樣本上形成複數個入射線。
  4. 如請求項1之設備,其中該等照明光學器件經配置以將該等入射光束塑形,而在該樣本上形成複數個入射點。
  5. 如請求項1之設備,其中該等照明光學器件包括用於各入射光束之一偏光器。
  6. 如請求項1之設備,其中該等照明光學器件包括用於將八個方位角處之八個入射光束引導朝向該樣本之八組照明光學器件。
  7. 如請求項1之設備,其中該等照明光學器件經配置以引導為具有一5:1間隙與線比率之複數個線之形式之該等入射光束。
  8. 如請求項1之設備,其中該場分離器包括一稜鏡。
  9. 如請求項1之設備,其中該場分離器包括複數個中繼鏡及面鏡。
  10. 如請求項1之設備,其中該場分離器包括一繞射光學元件。
  11. 如請求項1之設備,其中到達該等感測器之該等場部分對應於所有方位角。
  12. 如請求項1之設備,其中到達該等感測器之該等場部分之一數目係小於該等方位角之一數目。
  13. 如請求項1之設備,其中存在八個或八個以上方位角,及到達該等感測器之兩個至四個場部分。
  14. 如請求項13之設備,其中該場分離器可經組態以將該場分離成對應於該等角度之不同之兩個至四個角度之不同的兩個至四個場部分。
  15. 如請求項1之設備,其中該等集光光學器件包括針對各場部分可個別經組態之個別傅立葉濾波器。
  16. 如請求項1之設備,其中該等集光光學器件包括針對各場部分可個別經組態之個別光瞳濾波器。
  17. 如請求項1之設備,其中該等集光光學器件包括針對各場部分可個別經組態之個別偏光器濾波器。
  18. 如請求項1之設備,其中分析該兩個或兩個以上影像包含組合該等影像以抵消此組合影像中之雜訊。
  19. 如請求項1之設備,其中該樣本係一圖案化晶圓,且該等照明光學器件及該設備經組態以使得該複數個角度處之該等入射光束在一光柵圖案中跨該樣本之複數個相同掃描帶掃描,其中沿各掃描帶之該掃描方向對準該等場部分。
  20. 如請求項1之設備,其中該樣本係一裸晶圓,且該等照明光學器件及該設備經組態以使得該複數個角度處之該等入射光束在一螺旋圖案中跨該樣本掃描且未沿該掃描方向對準該等場部分。
  21. 如請求項1之設備,其中該等入射光束具有一傾斜入射角。
  22. 如請求項1之設備,其中該等照明光學器件及集光光學器件經組態以用於暗場成像。
  23. 如請求項22之設備,其中該等照明光學器件及集光光學器件進一步經組態以用於亮場成像,且其中該等感測器及集光光學器件經組態以除了用於在各對應感測器處接收來自不同角度之該等場部分的分離通道外,亦具有分離暗場及亮場通道。
TW106131759A 2016-09-15 2017-09-15 用於同時多方向雷射晶圓檢測之設備 TWI757339B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662395086P 2016-09-15 2016-09-15
US62/395,086 2016-09-15
US15/697,386 US10739275B2 (en) 2016-09-15 2017-09-06 Simultaneous multi-directional laser wafer inspection
US15/697,386 2017-09-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201821789A true TW201821789A (zh) 2018-06-16
TWI757339B TWI757339B (zh) 2022-03-11

Family

ID=61559759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106131759A TWI757339B (zh) 2016-09-15 2017-09-15 用於同時多方向雷射晶圓檢測之設備

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10739275B2 (zh)
TW (1) TWI757339B (zh)
WO (1) WO2018053199A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110208284A (zh) * 2019-05-27 2019-09-06 武汉中导光电设备有限公司 一种多通道缺陷合并分析的方法及系统
TWI741515B (zh) * 2019-03-12 2021-10-01 日商日立全球先端科技股份有限公司 缺陷檢測裝置、缺陷檢測方法以及具備其之缺陷觀察裝置
TWI780419B (zh) * 2019-03-20 2022-10-11 美商卡爾蔡司Smt公司 使用一斷層攝影x光顯微鏡以成像一樣品之一關注區域的方法、顯微鏡、系統與電腦程式

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10739275B2 (en) 2016-09-15 2020-08-11 Kla-Tencor Corporation Simultaneous multi-directional laser wafer inspection
US11035790B2 (en) 2018-12-31 2021-06-15 Industrial Cooperation Foundation Chonbuk National University Inspection apparatus and inspection method
CN111340753B (zh) * 2019-12-30 2023-06-02 上海集成电路研发中心有限公司 一种晶圆检测装置、数据处理方法及存储介质
US11035803B1 (en) 2020-02-26 2021-06-15 Applied Materials Israel Ltd. Multi-perspective examination of a specimen
US11733172B2 (en) 2020-05-15 2023-08-22 Kla Corporation Apparatus and method for rotating an optical objective
US11950000B2 (en) * 2022-09-07 2024-04-02 Microsoft Technology Licensing, Llc Resolution enhancement in spatial-frequency space

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5864394A (en) * 1994-06-20 1999-01-26 Kla-Tencor Corporation Surface inspection system
WO1996039619A1 (en) * 1995-06-06 1996-12-12 Kla Instruments Corporation Optical inspection of a specimen using multi-channel responses from the specimen
US5917588A (en) * 1996-11-04 1999-06-29 Kla-Tencor Corporation Automated specimen inspection system for and method of distinguishing features or anomalies under either bright field or dark field illumination
US6608676B1 (en) * 1997-08-01 2003-08-19 Kla-Tencor Corporation System for detecting anomalies and/or features of a surface
US6201601B1 (en) * 1997-09-19 2001-03-13 Kla-Tencor Corporation Sample inspection system
US6369888B1 (en) * 1999-11-17 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for article inspection including speckle reduction
US6628381B1 (en) * 2000-06-20 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Optical inspection method and apparatus utilizing a collection angle design
US6538730B2 (en) * 2001-04-06 2003-03-25 Kla-Tencor Technologies Corporation Defect detection system
US7088443B2 (en) * 2002-02-11 2006-08-08 Kla-Tencor Technologies Corporation System for detecting anomalies and/or features of a surface
US7369233B2 (en) * 2002-11-26 2008-05-06 Kla-Tencor Technologies Corporation Optical system for measuring samples using short wavelength radiation
JP2004177377A (ja) * 2002-11-29 2004-06-24 Hitachi Ltd 検査方法および検査装置
US7110106B2 (en) * 2003-10-29 2006-09-19 Coretech Optical, Inc. Surface inspection system
JP4521240B2 (ja) 2003-10-31 2010-08-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察方法及びその装置
US7471382B2 (en) * 2004-10-04 2008-12-30 Kla-Tencor Technologies Corporation Surface inspection system with improved capabilities
WO2006066207A2 (en) * 2004-12-19 2006-06-22 Ade Corporation System and method for inspecting a workpiece surface using combinations of light collectors
US7414715B2 (en) * 2005-07-14 2008-08-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems, circuits and methods for extending the detection range of an inspection system by avoiding detector saturation
US7221444B1 (en) * 2005-10-14 2007-05-22 3I Systems Inc. Method and system for improved defect sensitivity for inspecting surfaces
JP4988224B2 (ja) 2006-03-01 2012-08-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
US20080297786A1 (en) * 2007-05-31 2008-12-04 Hitachi High-Technologies Corporation Inspecting device and inspecting method
US8148663B2 (en) * 2007-07-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of improving beam shaping and beam homogenization
US8194301B2 (en) 2008-03-04 2012-06-05 Kla-Tencor Corporation Multi-spot scanning system and method
JP5466377B2 (ja) * 2008-05-16 2014-04-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置
US8823935B1 (en) * 2008-09-10 2014-09-02 Kla-Tencor Corporation Detecting and classifying surface defects with multiple radiation collectors
US8169613B1 (en) * 2008-11-21 2012-05-01 Kla-Tencor Corp. Segmented polarizer for optimizing performance of a surface inspection system
US8605275B2 (en) * 2009-01-26 2013-12-10 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US8223327B2 (en) * 2009-01-26 2012-07-17 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for detecting defects on a wafer
CN102473663B (zh) * 2009-07-22 2016-11-09 克拉-坦科股份有限公司 用环形照射的暗场检查系统
JP2011122990A (ja) 2009-12-14 2011-06-23 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
SG190678A1 (en) * 2010-12-16 2013-07-31 Kla Tencor Corp Wafer inspection
US9279774B2 (en) * 2011-07-12 2016-03-08 Kla-Tencor Corp. Wafer inspection
US9194811B1 (en) * 2013-04-01 2015-11-24 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for improving defect detection sensitivity
US9739719B2 (en) * 2014-10-31 2017-08-22 Kla-Tencor Corporation Measurement systems having linked field and pupil signal detection
US10739275B2 (en) 2016-09-15 2020-08-11 Kla-Tencor Corporation Simultaneous multi-directional laser wafer inspection

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI741515B (zh) * 2019-03-12 2021-10-01 日商日立全球先端科技股份有限公司 缺陷檢測裝置、缺陷檢測方法以及具備其之缺陷觀察裝置
TWI780419B (zh) * 2019-03-20 2022-10-11 美商卡爾蔡司Smt公司 使用一斷層攝影x光顯微鏡以成像一樣品之一關注區域的方法、顯微鏡、系統與電腦程式
CN110208284A (zh) * 2019-05-27 2019-09-06 武汉中导光电设备有限公司 一种多通道缺陷合并分析的方法及系统
CN110208284B (zh) * 2019-05-27 2021-09-17 武汉中导光电设备有限公司 一种多通道缺陷合并分析的方法及系统

Also Published As

Publication number Publication date
US11366069B2 (en) 2022-06-21
US20180073993A1 (en) 2018-03-15
US10739275B2 (en) 2020-08-11
WO2018053199A1 (en) 2018-03-22
US20200333262A1 (en) 2020-10-22
TWI757339B (zh) 2022-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI757339B (zh) 用於同時多方向雷射晶圓檢測之設備
CN109075091B (zh) 用于偏光晶片检验的方法及设备
KR102347059B1 (ko) 다수의 파라미터 구성들을 사용한 오버레이 계측
EP2256487B1 (en) Methods for inspection of a specimen using different inspection parameters
US10126251B2 (en) Inspection systems and techniques with enhanced detection
US9970883B2 (en) Multi-spot scanning collection optics
US8885037B2 (en) Defect inspection method and apparatus therefor
WO2015151557A1 (ja) 欠陥検査装置および検査方法
WO2017011226A9 (en) Methods and apparatus for speckle suppression in laser dark-field systems
JP2004264287A (ja) サンプリング不足の画像を再構築するためにディザリングを用いることによって基板表面内の欠陥を識別する方法および装置
JPWO2005040776A1 (ja) 表面検査装置および表面検査方法
CN114450575A (zh) 在扫描及静态模式中的敏感光学计量
JP7219818B2 (ja) 多波長インタフェロメトリによる欠陥分類
TW202203341A (zh) 藉由組合來自多個收集通道之資訊之設計至晶圓影像相關性