TWI780419B - 使用一斷層攝影x光顯微鏡以成像一樣品之一關注區域的方法、顯微鏡、系統與電腦程式 - Google Patents
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Abstract
一種使用斷層攝影X光顯微鏡以成像樣品的關注區域的方法,方法包含以下步驟:記錄樣品的一位置,記錄步驟包含:使用顯微鏡對樣品包含一特徵的一部分進行成像,藉由將該特徵與一預先記錄的特徵進行匹配來識別該特徵,以及決定該特徵相對預先記錄的特徵的相對位置,根據樣品的記錄位置,在關注區域上導引顯微鏡的視場,以及使用顯微鏡成像關注區域。
Description
本發明關於使用一斷層攝影X光顯微鏡以成像一樣品之一關注區域的方法、顯微鏡、系統與電腦程式。
3D X光成像技術(例如X光顯微鏡(XRM)和microCT)已成為既定的故障分析(FA)工具,以橋接故障隔離和物理故障分析(PFA),因為它們可以視覺化缺陷,而無需銷毀待測裝置。此外,這些工具為FA分析人員提供了更好的資訊,以決定針對根本原因分析進行PFA的最佳方法。非損壞性、高解析度成像的XRM優勢使其成為半導體封裝特徵(例如走線、C4凸點、和微凸點等)的常規檢查的極佳選擇。MicroCT也很有價值,儘管當其應用於大尺寸樣品時的解析度低於XRM可實現的解析度。由於XRM和microCT具有明顯的相似性,因此在本文的其餘部分中,這些術語將可互換使用。
XRM的建立和採集時間限制了它在FA和手動量測應用之外的擴散和採用。XRM工作流程的改進提供了實現自動化裝置處理的效率和吞吐量效益的機會,以提高在高解析度、特定地點的檢查、和量測應用中的生產率。
在例如需要針對同一預定義關注區域(ROI)中的特定類型缺陷檢查多個半導體封裝的情況下,特別需要工作流程加速和自動化。這可能是以下情況:當半導體封裝的製造商在某種類型的半導體封裝中遇到相同特徵(例如特定的微凸塊)的反復故障。
在傳統的FA中,操作者將每一半導體封裝都放在樣品保持器中並移動樣品,以使顯微鏡的視場指向操作者所期望的ROI所在的位置。然而,典型的半導體封裝為例如15×10 mm,而顯微鏡的視場約為1×1 mm或更小。由於每一半導體封裝的尺寸都不同,且當安裝在樣品保持器上時,可能於安裝公差而處於不同位置,且即使針對不同的半導體封裝可使用不同公差的樣品保持器,但操作者常常會錯過實際的ROI。然而,操作者只會在完成成像並分析預期物理故障的(錯誤)ROI後才意識到自己錯過了。單獨成像可能需要30分鐘或更長時間。
在此背景下,本發明的一目的為提供一種使用顯微鏡以成像一樣品之一關注區域的改進方法。
因此,提供一種使用一斷層攝影X光顯微鏡以成像一樣品之一關注區域的方法,該方法包含以下步驟:
記錄該樣品的一位置,該記錄步驟包含:
使用該顯微鏡對該樣品包含一特徵的一部分進行成像,藉由將該特徵與一預先記錄的特徵進行匹配來識別該特徵,以及決定該特徵相對該預先記錄的特徵的一相對位置,根據該樣品的該記錄位置,在該關注區域上導引該顯微鏡的一視場,以及 使用該顯微鏡成像該關注區域。
通過此方法,可減少XRM的建立和採集時間,並使自動樣品檢查變得可行。原因為藉由記錄樣品相對於基線樣品的位置(該樣品具有預先記錄的特徵,且在本文中也稱作「第一樣品」),可考慮到樣品對樣品、樣品保持器對樣品、以及保持器對保持器的變化(有時也稱為「公差」)。進而,可簡化導引步驟,因為在導引步驟期間,(基本上)可使用與基線樣品相同的導引路徑。只是,導引需要根據樣品的記錄位置進行調整,以找到所需的關注區域(region of interest,ROI)。
因此,在檢查多個樣品(例如5個、10個、20個或更多個樣品)時,無需人工干預即可使用相同的「配方」。顯微鏡僅需在具有預先記錄的特徵以及ROI的第一樣品上進行調整。可自動地檢查第二個及之後的樣品。
較佳地,在記錄步驟期間,記錄樣品在二維(2D)或三維(3D)中的位置。本文中的「記錄」是指決定並視情況記下樣品的位置。可例如藉由向量運算(加法及/或減法)從第一樣品的位置和所決定的相對位置來導出(例如計算出)記錄位置。
本文中的「成像」可包含顯微鏡的掃描操作。本文的「成像」是指產生樣品的至少一部分的2D或3D數位影像。當使用斷層攝影X光顯微鏡時,初始影像始終為2D(對應於樣品的截面)。然而,使用數學方法,可從相對於樣品以不同角度取得的多個2D影像中計算出3D數位影像。
顯微鏡的視場是可使用顯微鏡進行成像同時將影像失真保持在預定臨界值以下的樣品的最大部分。然而,顯微鏡可組態為允許改變視場,其例如包含視場較大且對應的解析度較低的第一設定以及視場較小且對應的解析度較高的第二設定。
在基於記錄位置而在關注區域上導引顯微鏡的視場的步驟過程中,可相對於樣品移動顯微鏡、或相對於顯微鏡移動樣品。目前後者為較佳。
這些特徵可例如為藉由製造方法有意產生的結構(例如微凸點、拐角、或痕跡)、在樣品上或樣品中無意產生的缺陷或不規則性,其在樣品(或樣品的一部分)的記錄影像中為可見、可偵測、或可辨別的,使得樣品特徵與預先記錄的特徵之間存在一對一的對應關係。特徵也可稱為「定位標記」,而預先記錄的特徵也稱為「預先記錄的定位標記」。
將特徵與預先記錄的特徵進行匹配的步驟包含:將特徵與預先記錄的特徵彼此進行比較,並視情況而定計算代表特徵與預先記錄的特徵的相似性的值。
在具體實施例中,記錄、導引和成像的步驟是自動化的,亦即,它們的執行無需人工干預。
根據一實施例,記錄步驟包含:
使用該顯微鏡對該樣品包含一第一特徵的一第一部分進行成像,藉由將該第一特徵與一預先記錄的第一特徵進行匹配來識別該第一特徵,決定該第一特徵相對該預先記錄的第一特徵的一相對位置,使用該顯微鏡對該樣品包含一第二特徵的一第二部分進行成像,藉由將第二特徵與預先記錄的第二特徵進行匹配來識別第二特徵,以及決定該第二特徵相對預先記錄的第二特徵的相對位置,其中,較佳地,第一部分和第二部分位於彼此相交的平面中。
舉例來說,藉由使用如上所述的第一和第二特徵,可容易地決定在三維中的樣品位置。第一和第二特徵可為樣品的相同結構,但由顯微鏡以不同的角度觀看。
根據一實施例,記錄步驟包含:
使用該顯微鏡對該樣品包含一第一特徵的一第一部分進行成像,藉由將該第一特徵與一預先記錄的第一特徵進行匹配來識別該第一特徵,決定該第一特徵相對該預先記錄的第一特徵的一相對位置,使用該顯微鏡對該樣品包含一第二特徵的相同部分進行成像,藉由將第二特徵與預先記錄的第二特徵進行匹配來識別第二特徵,以及決定該第二特徵相對預先記錄的第二特徵的相對位置。
根據此替代具體實施例,第一和第二特徵可位於樣品的相同部分中。舉例來說,取得包含(足夠)複數個特徵(尤其是第一和第二特徵)的單一影像,且將這些特徵記錄為預先記錄的特徵(尤其是預先記錄的第一和第二特徵)可得到用於導引的3D座標。在這種情況下,對顯微鏡進行充分地校準,以使特徵之間的距離準確地指出到樣品的距離供3D導引。
根據另一具體實施例,在成像第一部分和第二部分之間,將樣品旋轉一預定角度。
藉由旋轉樣品,可容易地對第一部分和第二部分進行成像,使得第一部分和第二部分的相應平面彼此相交。預定角度可用於決定特徵和預先記錄的特徵的相對位置,並因此用於記錄樣品的位置。
根據一具體實施例,預先記錄的特徵是從第一樣品的一部分中選擇的。較佳地,使用計分方法從該部分的複數個特徵中選擇預記錄的特徵。
根據一具體實施例,計分方法包含在複數個特徵之中,將每一特徵與相應的另一特徵進行比較。
另外,計分方法可包含計算代表與各個其他特徵相比之下的特徵的不相似性(或唯一性)的分數。
根據另一具體實施例,從複數個特徵中選擇預先記錄的特徵包含向操作者顯示超過得分臨界值的複數個特徵中的至少兩個或更多特徵,其中操作者選擇至少兩個或更多特徵中的一個作為預先記錄的特徵。
根據另一實施例,從第一樣品的一部分中選擇預先記錄的特徵,並且針對N個樣品(其中N大於1)執行記錄、導引和成像的步驟。
舉例來說,N大於5、10或20。特別地,針對第二樣品執行記錄、導引、和成像步驟,然後對每一連續樣品重複進行。
根據另一具體實施例,顯微鏡包含X光源、包含樣品的樣品台、以及相對X光源配置在樣品後面的X光偵測器。
X光源發出X光束,其穿過樣品並由X光偵測器所偵測。X光偵測器可包含閃爍器及/或電荷耦合裝置(CCD)相機,其偵測在當由X光束(在穿過樣品之後)照射時從閃爍器所發出的光。
X光源和X光偵測器可固定地設置,而樣品台可相對於X光源和X光偵測器可移動地設置。藉由移動樣品台,X光束可掃描樣品。X光偵測器可偵測樣品的部分的相應影像。特別地,可假設樣品台可在垂直方向上移動並可繞垂直方向旋轉。為此,可設置一或多個電動馬達。樣品台可包含用以保持樣品的樣品保持器。
根據另一具體實施例,樣品台包含在記錄、導引和成像的步驟期間保持樣品的樣品保持器。
根據另一具體實施例,首先以低解析度對包含特徵的部分進行成像,並以至少更高的解析度對該部分內包含該特徵的較小部分進行成像。
當使用高解析度影像時,可更準確地記錄樣品的位置。同時,可使用低解析度的影像輕鬆地找到特徵。
根據另一具體實施例,樣品為積體電路封裝。
根據另一具體實施例,提供了:
從輸送器取得樣品並將其放在顯微鏡內,
進行記錄、導引和成像的步驟,以及
將樣品從顯微鏡中移除,並放回輸送器上。
這允許簡單的全自動故障分析。
根據另一樣態,提供一種斷層攝影X光顯微鏡,包含:
一成像單元,用以成像一樣品包含一特徵的一部分,並用以成像該樣品的一關注區域,一記錄單元,用以記錄該樣品的一位置,該記錄單元包含:一識別單元,用以藉由將該特徵與一預先記錄的特徵進行匹配來識別該特徵;以及一決定單元,用以決定該特徵相對該預先記錄的特徵的一相對位置, 一導引單元,用以基於該樣品的該記錄位置,在該關注區域上導引該顯微鏡的一視場。
成像單元可包含X光源和X光偵測器。導引單元可包含樣品台、用於移動樣品台的馬達、以及用於控制馬達以移動樣品台的控制器。
可至少部分地以硬體及/或軟體來實現相應的單元(例如記錄、識別、及/或決定單元)。若該單元以硬體實現,則其可以實施為裝置,例如電腦或處理器或系統(如電腦系統)的一部分。若該單元以軟體實現,則其可實施為電腦程式,例如函數、例程、程式碼或可執行物件。
根據又一態樣,提供了一種如前所述的斷層攝影X光顯微鏡,第一裝置提供了複數個樣品,且第二裝置組態以將複數個樣品中的至少一個樣品裝載到顯微鏡中。
舉例來說,第一裝置可形成為輸送器或料盒,第二裝置可形成為夾持器。第二裝置可組態以同時將至少兩個或三個樣品裝載到顯微鏡中。
根據又一態樣,提供一種電腦程式,用以在被執行時控制一斷層攝影X光顯微鏡執行如前所述的該方法。
電腦程式可實施為記憶卡、USB儲存器、CD-ROM、DVD或可為在網絡上從伺服器下載的文件。舉例來說,可藉由從無線通信網絡傳送包含電腦程式的文件來提供這樣的文件。
參照本發明的方法所描述的具體實施例和特徵在加以必要的修改後適用於本發明的顯微鏡、系統和電腦程式。
本發明的其他可能實現方式或替代解決方案還包含前文或後文關於具體實施例所描述的特徵的組合(在此未明確提及)。熟此技術領域者也可將個別或孤立的態樣和特徵加入至本發明的最基本形式。
圖1顯示根據一具體實施例的方法的流程圖。
在步驟S1和S2中,從第一(基線)樣品的一部分中選擇第一和第二特徵。該特徵將在步驟S5中用於記錄第二樣品的位置。需注意到,包含步驟S2(和S3)是較佳的,但並非必需作為本發明的一部分。
第一和第二樣品以及下文提到的其他樣品可形成為積體電路(IC)封裝,例如倒裝晶片封裝。在圖2A中以透視圖顯示了一個這類的IC封裝,並以元件符號200表示。
圖2以俯視圖顯示了系統202,其示出了更多的IC封裝200。它們分別被保持在樣品保持器300中,其在圖2中示意性地顯示並在圖3和圖4中更詳細地示出。
樣品保持器300包含樣品容座302(見圖3)。樣品容座302由允許X光輻射容易通過的材料所製成。舉例來說,樣品容座302可由例如塑料的聚合物材料形成。樣品容座302固定到支柱304。支柱304附接至夾持器盤306,夾持器盤306又緊固到基板308。
樣品保持器300可包含一或多個樣品接收部分,其每一者係組態以接收樣品200。在示例中,提供了三個樣品接收部分310、312、314。圖4顯示了圖3的平面圖V中的樣品容座302。樣品200顯示為被保持在樣品接收部分312中。
作為示例,在下文中將更詳細地解釋樣品接收部分312,但其同樣適用於樣品接收部分310和314。
樣品接收部分312通常是板狀的且具有樣品放置表面316。在使用樣品保持器300時,樣品放置表面316係垂直地定向。樣品200放置在樣品放置表面316上。樣品接收部分312具有垂直對準部分318和水平對準部分320,對準部分分別形成為凸緣。對準部分318、320配置為彼此垂直。
樣品200可具有包含四個側向邊緣322、324、326、328的矩形形狀(其定義樣品的長度和寬度)。樣品200的厚度可小於其長度和寬度。當將樣品200放置在樣品放置表面316上時,沿著對準部分318、320導引樣品200的兩個側向邊緣324、326,直到樣品200被定位在樣品接收部分312的右下角(見圖4)。因
此,樣品放置表面316使樣品200在z方向上對準(對應於樣品的厚度),垂直對準部分318使樣品200在y方向上對準(垂直方向),且水平對準部分320使樣品200在x方向上對準(x和z方向都為彼此正交的水平方向)。
固定元件330以非永久的方式將樣品200固定到樣品接收部分312。固定元件330可為O形環,其對角地跨在樣品200上,並通過凹口336附接到樣品接收部分312的相對角落332、334。固定元件330由可撓性且輻射穩定的材料製成。舉例來說,固定元件330可由乙烯丙烯二烯亞甲基橡膠(EPDM)製成。固定元件330施加固定力以使樣品200緊靠樣品放置表面316和對準部分318、320。
回到圖2,其顯示了例如在輸送器204上配置了十個以上的樣品保持器300。輸送器204將樣品保持器300傳送到捲取位置P。夾持器206將一個樣品保持器300'裝載到斷層攝影X光顯微鏡210的樣品台208上。
顯微鏡210包含X光源212、X光偵測器214、樣品台208和控制器224。X光源212發出X光束216,其入射在當前藉由樣品保持器300’保持在X光源212的視場218中的樣品200’上。X光束216穿過樣品200'並穿過樣品保持器300'的部分(例如,穿過樣品放置表面316),並由X光偵測器214接收。X光偵測器214產生影像220,其表示例如穿過樣品200'的2D截面。
在圖2中,樣品台208將樣品200'保持在圍繞y軸的第一旋轉位置,也參見圖2A和4。舉例來說,此第一旋轉位置對應樣品200'的一位置,其中樣品200'的兩個主面之一(一個這樣的面在圖2A中標記為222)相對於X光束216(即,其中心線)以(基本上)直角定向,即α=90°。
在產生影像220(圖1中的步驟S1-1)之後,在樣品的一部分中識別出一特徵(在此也稱作「第一特徵」),其作為空間參考(在此也稱作「預先記錄的特徵」),將在下文中作更詳細地說明。為此,舉例來說,使用計分方法來分析影像220(圖1中的步驟S1-2)。舉例來說,分析和計分的步驟可在控制器224上執行,控制器224可包含微處理器和相關聯的記憶體。控制器224從X光偵測器214讀取影像220並識別多個特徵。這些特徵可包含藉由製造方法有意產生的結構(例如微凸塊、拐角或軌跡)或在樣品200'上無意產生的缺陷或不規則性。所識別的特徵彼此比較,且較佳地計算代表每個特徵的唯一性的值。若該值(分數)根據標準高於(或低於)某一臨界值,則在螢幕500上對操作者顯示對應的特徵(對應於圖1中的步驟S1-3),如圖5所示。
在圖5的示例中,已經在影像220中識別出超過所定義的臨界值的兩個特徵502、504。現在,操作者根據經驗在步驟S1-4中(見圖1)選擇兩個特徵502、504中的一個作為空間參考。所選的特徵(在此情況下是特徵502)被儲存在控制器224的記憶體中(步驟S1-5)。此資料也包含特徵502相對樣品台208的運動學的原點O(見圖6)的位置。運動學尤其包含樣品台208的電動馬達、軸承和阻尼器。特別地,X光源212和X光偵測器214相對於原點O固定地(不可移動地)配置。特徵502相對原點O的位置可由向量j(在此也稱作「位置向量」)表示。
現在,回到圖2,包含樣品保持器300'和樣品200'的樣品台208藉由例如電動馬達而旋轉到第二旋轉位置。在第二旋轉位置處,α例如為125°,如圖7所示,圖7僅顯示了圖2的某些組件。任何其他合適的角度α都可使用作為第一旋轉位置和第二旋轉位置。
在下文中,在從樣品200'的第二旋轉位置處獲取的影像700中識別另一特徵(在本文中也稱為「第二特徵」)(圖1中的步驟S2)。由於旋轉,第一特徵和第二特徵被包含在樣品200'位於彼此相交的不同平面E1、E2中的部分中。針對影像700相應地重複步驟S1-1至S1-5。因此,獲得包含其位置向量的第二特徵,並將其儲存到控制器224的記憶體中。第一特徵和第二特徵可描述相同的結構(在下文中出於簡化的原因而假設為是這種情況,但並不限制本發明),但以不同的角度觀看(比較影像220和700)。
在步驟S3中,結合第一和第二特徵的位置向量(2D),以獲得定義特徵502在3D中相對於原點O的位置的向量(為簡化起見,結合向量在圖6中也標示為「j」)。這種結合過程可考慮旋轉角度α。
接下來,將顯微鏡210的視場218指向圖6中的關注區域600(步驟S4)。舉例來說,這是藉由相對於視場218移動樣品200'來完成的。根據具體實施例,樣品台208組態為,在產生樣品200'繞y軸旋轉的情況下,沿y軸移動包含樣品200'的樣品保持器(向上和向下),其例如藉由電動線性馬達。以此方式,視場218可在垂直方向上掃描樣品200'。藉由依次或同時地繞y軸旋轉樣品200',可掃描整個樣品200',亦即,可分析包含關注區域的任何部分。關注區域600可例如包含懷疑的物理缺陷,例如有缺陷的微凸塊。當樣品200對應於某種類型的裝置,例如某種類型的IC晶片時,對於所有樣品200而言,關注區域600通常是相同的。在一示例中,晶片製造商將讓操作者知道在哪裡尋找對應關注區域600的缺陷。
一旦操作者找到了關注區域600(通常是手動),就可在3D中決定視場218相對於特徵502需要採取的路徑,並例如在控制器224的記憶體中將其儲存為向量k。
現在,可例如藉由應用以下說明的方法步驟,以簡單且全自動的方式來分析在輸送器204上等待的第二和連續的樣品200。
首先,使用夾持器206將第二樣品200(以下的解釋同樣適用於連續樣品)從輸送器204上取下,並在其樣品保持器300中被放置在樣品台208上。
然後,在步驟S5中,記錄第二樣品200’在3D(三維,x、y、z)中相對於原點O的位置(參見圖6)。為此,影像220和700係取自第二樣品200的相應部分,其如先前關於第一樣品200'所描述而產生(圖1中的步驟S5-1)。
在步驟S5-2中,使用控制器224在影像220和700中識別出第一和第二特徵502’(參見圖6,為了簡化起見,再次僅給出一個參考標號)並且與預先記錄的特徵502匹配(參見圖5)。將特徵502'與預先記錄的特徵502進行匹配的步驟包含將特徵502'和預先記錄的特徵502彼此進行比較,並計算表示相似度的數值。當計算出的數值分別超過某個臨界值時,控制器224決定匹配已經成功(否則例程無法繼續)。較佳地,首先以低解析度對包含第一和第二特徵502'的樣品200的一部分進行成像,並至少以一更高的解析度對在該部分內的一較小部分(其包含該特徵)進行成像。
在步驟S5-3中,較佳地,控制器224藉由計算向量r來決定第二樣品200的第一和第二特徵502'相對於第一樣品200'的第一和第二特徵502的相對位置(參見圖6)。
由於已預先決定了向量k,視場218需沿著其導引以到達關注區域600的路徑可計算為:
t = k - r
在步驟S6中,控制器224使用樣品台208沿著向量t導引視場218,向量t因此被定位在關注區域600處。
在步驟S7中,顯微鏡210(即X光源212和X光偵測器214)取得關注區域600的影像,然後可對其進行進一步處理以進行故障分析。
然後,夾持器206將第二樣品200從顯微鏡210中移出,並在位置P處將其放回輸送器204上。代替輸送器204,可使用料盒或類似物等。
可針對需要被分析的許多連續樣品200重複執行步驟S5至S7,以了解在相應關注區域600的可能故障。
儘管已經根據較佳具體實施例描述了本發明,但是對熟習本技術領域者而言顯而易見的是,在所有的具體實施例中都可能進行修改。
200:樣品
200’:樣品
202:系統
204:輸送器
206:夾持器
208:樣品台
210:顯微鏡
212:X光源
214:X光偵測器
216:X光束
218:視場
220:影像
222:主面
224:控制器
300:樣品保持器
300’:樣品保持器
302:樣品容座
304:支柱
306:夾持器盤
308:基板
310:樣品接收部分
312:樣品接收部分
314:樣品接收部分
316:樣品放置表面
318:對準部分
320:對準部分
322:側向邊緣
324:側向邊緣
326:側向邊緣
328:側向邊緣
330:固定元件
332:相對角落
334:相對角落
336:凹口
500:螢幕
502:特徵
502’:特徵
504:特徵
600:關注區域
700:影像
α:角度
E1:平面
E2:平面
j:向量
k:向量
p:位置
r:向量
t:向量
V:平面圖
根據隨後的詳細描述和附屬權利項並結合附圖,將更清楚本發明的其他具體實施例、特徵和優點,其中:
圖1顯示根據一具體實施例的方法的流程圖。
圖2以俯視圖根據一具體實施例顯示了系統。
圖2A中以透視圖顯示了一積體電路封裝。
圖3中以透視圖根據一具體實施例顯示了一樣品保持器。
圖4顯示了圖3的視圖V中的樣品容座。
圖5顯示了一螢幕,其顯示了一樣品的影像。
圖6顯示了在圖2之系統內的一座標。
圖7顯示了圖2的構件,其中一樣品已被旋轉。
在附圖中,除非另有指出,否則相同的元件符號表示類似或功能上等效的元件。
Claims (15)
- 一種使用一斷層攝影X光顯微鏡以成像一樣品之一關注區域的方法,該方法包含以下步驟:記錄該樣品的一位置,該記錄步驟包含:使用該顯微鏡對該樣品包含一特徵的一部分進行成像,上述成像包含沿著一2D影像平面產生一數位影像,該2D影像平面是對應於穿過該樣品之一截面,藉由將該特徵與一預先記錄的特徵進行匹配來識別該特徵,以及決定該特徵相對該預先記錄的特徵的一相對位置,根據該樣品的該記錄位置,在該關注區域上導引該顯微鏡的一視場,以及使用該顯微鏡成像該關注區域。
- 如請求項1之方法,其中該記錄步驟包含:使用該顯微鏡對該樣品包含一第一特徵的一第一部分進行成像,藉由將該第一特徵與一預先記錄的第一特徵進行匹配來識別該第一特徵,決定該第一特徵相對該預先記錄的第一特徵的一相對位置,使用該顯微鏡對該樣品包含一第二特徵的一第二部分進行成像,藉由將該第二特徵與一預先記錄的第二特徵進行匹配來識別該第二特徵,以及決定該第二特徵相對該預先記錄的第二特徵的一相對位置,其中該第一部分和該第二部分位於彼此相交的多個2D影像平面中。
- 如請求項2之方法,其中該樣品在成像該第一部分和該第二部分之間旋轉一預定角度。
- 如請求項1之方法,其中該預先記錄的特徵係選自一第一樣品的一部分,並使用一計分方法選自該部分中的複數個特徵。
- 如請求項4之方法,其中該計分方法包含在該複數個特徵中將每一特徵與相應的另一特徵進行比較。
- 如請求項4之方法,其中從該複數個特徵中選擇該預先記錄的特徵包含向一操作者顯示該複數個特徵中超過一得分臨界值的至少兩個或更多個特徵,其中該操作者選擇該至少兩個或更多個特徵的其中一者作為該預先記錄的特徵。
- 如請求項1之方法,其中從一第一樣品的一部分中選擇該預先記錄的特徵,並對N個樣品執行該記錄、導引和成像步驟,其中N大於1。
- 如請求項1之方法,其中該顯微鏡包含一X光源、包含該樣品的一樣品台、以及相對於該X光源配置在該樣品後面的一X光偵測器。
- 如請求項8之方法,其中該樣品台包含在該記錄、導引、及成像步驟的過程中保持該樣品的一樣品保持器。
- 如請求項1之方法,其中首先,以一低解析度對包含該特徵的該部分進行成像,並以至少一較高解析度對該部分內包含該特徵的一較小部分進行成像。
- 如請求項1之方法,其中該樣品為一積體電路封裝。
- 如請求項1之方法,其中,從一輸送器取得該樣品並將其放置在該顯微鏡下,執行該記錄、導引、及成像的步驟,以及將該樣品從該顯微鏡移除,並放回該輸送器上。
- 一種斷層攝影X光顯微鏡,包含:一成像單元,用以成像一樣品包含一特徵的一部分,並用以成像該樣品的一關注區域,一記錄單元,用以記錄該樣品的一位置,該記錄單元包含:一識別單元,用以藉由將該特徵與一預先記錄的特徵進行匹配來識別該特徵;以及一決定單元,用以決定該特徵相對該預先記錄的特徵的一相對位置,一導引單元,用以基於該樣品的該記錄位置,在該關注區域上導引該顯微鏡的一視場。
- 一種使用一斷層攝影X光顯微鏡以成像一樣品之一關注區域的系統,包含:如請求項13所述的該斷層攝影X光顯微鏡,提供複數個樣品的一第一裝置,以及 一第二裝置,組態以將該複數個樣品中的至少一樣品裝載到該顯微鏡。
- 一種電腦程式,用以在被執行時控制一斷層攝影X光顯微鏡執行如請求項1所述的該方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201962820989P | 2019-03-20 | 2019-03-20 | |
US62/820,989 | 2019-03-20 | ||
DE102019120169.1 | 2019-07-25 | ||
DE102019120169 | 2019-07-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202042751A TW202042751A (zh) | 2020-12-01 |
TWI780419B true TWI780419B (zh) | 2022-10-11 |
Family
ID=70285934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109109387A TWI780419B (zh) | 2019-03-20 | 2020-03-20 | 使用一斷層攝影x光顯微鏡以成像一樣品之一關注區域的方法、顯微鏡、系統與電腦程式 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12056894B2 (zh) |
TW (1) | TWI780419B (zh) |
WO (1) | WO2020191121A1 (zh) |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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