JP2012020377A - 研磨液及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 - Google Patents

研磨液及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】酸化セリウム砥粒を用いる研磨工程に由来する(1)最終研磨での研磨量が多く、材料ロスが大きくなること、(2)洗浄コストが高いこと、(3)砥粒が高価であること、等の問題を解消するとともに、ロールオフが小さく、高研磨レートで研磨できる方法、並びに研磨液を提供する。
【解決手段】磁気ディスク用ガラス基板を製造する際に、最終研磨工程よりも前の研磨工程で使用される研磨液であって、BET粒径が60nm以上100nm以下であるコロイダルシリカ砥粒と、ノニオン界面活性剤と、水とを含有し、好ましくは更に10ミリモル/リットル以上120ミリモル/リットル以下の無機電解質を含有し、表面張力が25mN/m以上50mN/m以下である研磨液を用いて研磨する。
【選択図】図1

Description

本発明は、磁気ディスク用ガラス基板の主表面の研磨に使用される研磨液、並びに前記研磨液を用いて研磨する方法に関する。
近年、ハードディスクは記憶密度向上のため、さまざまな開発が行われている。その中で、基板として使用されているガラス基板に関しては、最外周まで使用できるように端部形状を如何にコントロールするかが、開発課題の一つになっている。
主表面の平坦性を高め、端部のダレ(ロールオフ)を小さくする有効な方法として、ガラス平板から切り出したガラス円板の主表面を、先ず酸化セリウム砥粒を用いて研磨する予備研磨を行った後、予備研磨で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細(小径)な酸化セリウム砥粒を用いて研磨する中間研磨を行い、その後に微細なコロイダルシリカ砥粒を用いて研磨する最終研磨を行うことが提案されている(特許文献1参照)。この研磨工程では、予備研磨によりガラス円板の主表面の平坦性を確保し、中間研磨で表面粗さを低減し、最終研磨で端面のダレ(ロールオフ)を少なくし、平面性状を更に向上させている。
国際公開第2010/038706号パンフレット
しかしながら、中間研磨で用いる酸化セリウム砥粒は、予備研磨で用いた酸化セリウム砥粒より微細であるものの、尖った粒形状を呈するため主表面に傷が残ってしまい、最終研磨での研磨量を多くしなければならず、材料ロスが大きくなる。また、酸化セリウム砥粒が残るため研磨後に洗浄が行われるが、洗浄プロセスとして加熱した硫酸と過酸化水素水の混合液や、強酸(塩酸、硝酸、硫酸など)とアスコルビン酸の混合液を用いたディップ洗浄を行って洗浄率を高めており、高コストになっている。
そこで本発明は、酸化セリウム砥粒を用いる研磨工程に由来する(1)最終研磨での研磨量が多く、材料ロスが大きくなること、(2)洗浄コストが高いこと、(3)砥粒が高価であること、等の問題を解消するとともに、ロールオフが小さく、高研磨レートで研磨できる方法、並びに研磨液を提供することを目的とする。
本発明者は、上記課題を解決するために、先ずコロイダルシリカによる最終研磨工程の前の中間研磨工程において、酸化セリウム砥粒に代えてコロイダルシリカ砥粒を用いることを検討した。これは、コロイダルシリカ砥粒は、丸みを呈する粒形状であり、酸化セリウム砥粒よりもガラスの損傷を抑えられるためである。しかし、一般的なコロイダルシリカ砥粒は、その粒径が20〜30nm程度であり、そのまま用いると研磨レートが低く、ロールオフも目的とする範囲に収まらないことがわかった。
本発明者は、界面活性剤を添加して研磨液の表面張力を特定の範囲に調整してコロイダルシリカ砥粒をガラス円板の端部まで十分に作用させることによりロールオフを小さくでき、しかも研磨レートを高くできることを見出した。
即ち、本発明は下記の研磨液及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。
(1)磁気ディスク用ガラス基板を製造する際に、最終研磨工程よりも前の研磨工程で使用される研磨液であって、
BET粒径が60nm以上100nm以下であるコロイダルシリカ砥粒と、ノニオン界面活性剤と、水とを含有し、かつ、表面張力が25mN/m以上50mN/m以下であることを特徴とする研磨液。
(2)前記ノニオン界面活性剤が、HLB8以下で、アセチレンジオールまたはアセチレンジオールのアルキレンオキサイド付加物であり、研磨液の0.0005質量%以上の量含有されていることを特徴とする上記(1)記載の研磨液。
(3)前記無機電解質が塩酸、硝酸及び硫酸から選ばれる酸のナトリウム塩またはカリウム塩から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする上記(1)または(2)記載の研磨液。
(4)無機電解質を含有し、その濃度が10ミリモル/リットル以上120ミリモル/リットル以下であることを特徴とする上記(1)、(2)または(3)記載の研磨液。
(5)pHが9以上12以下であることを特徴とする上記(1)〜(4)の何れか1項に記載の研磨液。
(6)ガラス平板から切り出したガラス円板の主表面を、酸性コロイダルシリカ砥粒を含有する研磨液を用いて研磨する最終研磨工程の前に、
BET粒径が60nm以上100nm以下であるコロイダルシリカ砥粒と、ノニオン界面活性剤と、水とを含有し、かつ、表面張力が25mN/m以上50mN/m以下である研磨液を用いて研磨する工程を有することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
(7)前記研磨液が、前記ノニオン界面活性剤として、HLB8以下で、アセチレンジオールまたはアセチレンジオールのアルキレンオキサイド付加物を、該研磨液の0.0005質量%以上0.1質量%以下の量含有することを特徴とする上記(6)記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
(8)前記研磨液が、前記無機電解質として塩酸、硝酸及び硫酸から選ばれる酸のナトリウム塩またはカリウム塩から選ばれる少なくとも1種を含有することを特徴とする上記(6)または(7)記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
(9)無機電解質を含有し、その濃度が10ミリモル/リットル以上120ミリモル/リットル以下であることを特徴とする上記(6)、(7)または(8)記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
(10)前記研磨液のpHが9以上12以下であることを特徴とする上記(6)〜(9)の何れか1項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法研磨液。
本発明によれば、コロイダルシリカ砥粒による最終研磨工程における研磨量が少なく、洗浄コストも低く、更にはロールオフが小さく、高研磨レートで研磨することができる。
ロールオフを説明するための模式図である。
以下、本発明に関して詳細に説明する。
先ず、ガラス平板からガラス円板を切り出す。ガラス組成には制限はないが、例えば、ケイ酸塩ガラスや石英ガラス等のハードディスク用ガラス基板として一般的に使用されているものを用いることができる。
次いで、ガラス円板の中央に円孔を開け、面取り、主表面ラッピング、端面鏡面研磨を順次行う。尚、主表面ラッピング工程を粗ラッピング工程と精ラッピング工程とに分け、それらの間に形状加工工程(円形ガラス板中央の孔開け、面取り、端面研磨)を設けてもよい。また、端面鏡面研磨は、ガラス円板を積層して内周端面を酸化セリウム砥粒を用いたブラシ研磨を行い、エッチング処理をしてもよいし、内周端面のブラシ研磨の代わりにそのエッチング処理された内周端面に例えばポリシラザン化合物含有液をスプレー法等によって塗布し、焼成して内周端面に被膜(保護被膜)形成を行ってもよい。主表面ラッピングは通常、平均粒径が6〜8μmである酸化アルミニウム砥粒または酸化アルミニウム質の砥粒を用いて行う。ラッピングされた主表面は通常、30〜40μm研磨される。
これらの加工において、中央に円孔を有さないガラス基板を製造する場合には当然、ガラス円板中央の孔開け及び内周端面の鏡面研磨は不要である。
その後、ガラス円板の主表面を、粒径数μmの酸化セリウム砥粒を含む研磨液を用いて研磨する(予備研磨工程)。この予備研磨工程は、ウレタン製研磨パッドを用いて行い、例えば、Raを0.4〜0.6nm、三次元表面構造解析顕微鏡(例えばZygo社製NV200)を用いて波長領域がλ≦0.25mmの条件で1mm×0.7mmの範囲で測定された微小うねり(Wa)を例えば1nm以下とする。この研磨における板厚の減少量(研磨量)は、典型的には20〜50μmである。
次に、酸化セリウム砥粒を除去するために、ガラス円板の洗浄を行う。この洗浄工程では、純水を用いてもよいが、硫酸と過酸化水素水とを混合して加熱した洗浄液を用いて洗浄効率を高めることができる。
洗浄液における硫酸濃度は20質量%以上80質量%以下、過酸化水素濃度は1質量%以上10質量%意下とすることができ、硫酸濃度を50質量%以上80質量%以下、過酸化水素濃度を3質量%以上10質量%以下とすることが好ましい。硫酸及び過酸化水素の濃度がこれより低い場合には、酸化セリウム砥粒が溶解されずに残留しやすくなり好ましくない。硫酸及び過酸化水素の濃度がこれより高い場合は、ガラスが溶解しやすく面荒れが起こりやすくなるとともに、汎用的に使用される樹脂製のガラス冶具が酸化・分解してしまうことから好ましくない。また、同様な理由から、洗浄液の液温は50℃以上100℃以下で、浸漬時間は5分以上30分以下とすることが好ましい。洗浄液による洗浄後、純水でリンスする。
洗浄後に、本発明の研磨液を用いて中間研磨を行う。研磨液は、コロイダルシリカ砥粒と、ノニオン界面活性剤と、水とを含有する。必須ではないが無機電解質を含有してもよい。
コロイダルシリカ砥粒は、BET粒径が60nm以上100nm以下のものを用いる。尚、BET粒径とは、BET比表面積から得られる換算径である。BET粒径が60nm未満だと、研磨レートが小さく、研磨効率が悪くなる。また、BET粒径が100nm超では、コロイダルシリカ砥粒の製造コストが高く、経済的に不利である。また、研磨液中のコロイダルシリカ砥粒の含有量は、典型的には5〜40質量%であり、10〜15質量%が好ましい。
また、コロイダルシリカの種類は限定されないが、水ガラス法で作られたものが一般的である。
無機電解質としては、塩酸、硝酸及び硫酸から選ばれる酸のナトリウム塩またはカリウム塩が好ましく、これらを単独で、あるいは混合して使用する。無機電解質はコロイダル粒子をガラス基板と接触しやすくする事で研磨レートを高める作用があり、無機電解質を使用する場合その濃度は10ミリモル/リットル以上120ミリモル/リットル以下とする。無機電解質濃度が10ミリモル/リットル未満では研磨レートを高める効果が少なく、120ミリモル/リットルを超える場合はスラリーが凝集しやすくなり好ましくない。好ましい無機電解質濃度は、50ミリモル/リットル以上100ミリモル/リットル以下である。
ノニオン界面活性剤は、HLBが8以下のものが好ましい。HLBが8超であれば、発泡性が高くなり、すなわち泡立ちが激しくなって研磨液が流れにくくなるため好ましくない。好ましいノニオン界面活性剤としてはアセチレンジオール、またはアセチレンジオールのアルキレンオキサイド付加物を挙げることができる。尚、「HLB」はHydrophile-Lipophile Balanceの頭文字を取ったものであり、親水親油バランスとも言われ、次の式で定義される。
HLB=20〈MH/M〉
(MHは親水基部分の分子量、Mは界面活性剤の分子量である)
また、ロールオフを小さくするためには、コロイダルシリカ砥粒がガラス円板の端部にまで十分に行き渡ることが必要であり、本発明では研磨液の表面張力として25mN以上50mN以下にする。従って、ノニオン界面活性剤の添加量は、この表面張力範囲になるように、0.0005質量%以上の範囲で調整することが好ましい。添加量は典型的には0.005質量%以上である。また、ノニオン界面活性剤を過剰に添加しても表面張力低下効果は飽和してくる。添加量は典型的には0.1質量%以下である。
表面張力を25mN未満にするまでノニオン界面活性剤を加えると、発泡性が高くなり、研磨液が流れにくくなるため好ましくない。好ましくは30mN以上である。また、表面張力が50mN超になると、ガラス円板の前面に研磨液が十分に行き渡らなくなる。より好ましい表面張力は35〜45mNである。
また、研磨液は、コロイダルシリカ砥粒の凝集を抑えるために、pH9以上であることが好ましい。但し、pHが12超になると、研磨パッドがウレタン製である場合に研磨パッドが侵食されやすくなる。pH調整剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、アンモニア、アミン等を用いることができる。
使用される研磨パッドとしては、ショアD硬度が45〜75、圧縮率が0.1〜10%かつ密度が0.5〜1.5g/cmである発泡ウレタン樹脂、ショアA硬度が30〜99、圧縮率が0.5〜10%かつ密度が0.2〜0.9g/cmである発泡ウレタン樹脂、または、ショアA硬度が5〜65、圧縮率が0.1〜60%かつ密度が0.05〜0.4g/cmである発泡ウレタン樹脂からなるものが典型的である。なお、研磨パッドのショアA硬度は20以上であることが好ましい。20未満では研磨速度が低下するおそれがある。
尚、ショアD硬度およびショアA硬度はそれぞれJIS K7215に規定されているプラスチックのデュロメータA硬さおよびD硬さを測定する方法によって測定される。また、圧縮率(単位:%)は次のようにして測定される。すなわち、研磨パッドから適切な大きさに切り出した測定試料について、ショッパー型厚さ測定器を用いて無荷重状態から10kPaの応力の負荷を30秒間加圧した時の材料厚さtを求め、次に厚さがtの状態から直ちに110kPaの応力の負荷を5分間加圧した時の材料厚さtを求め、tおよびtの値から(t−t)×100/tを算出し、これを圧縮率とする。
また、研磨パッドのショアD硬度およびショアA硬度の測定においては研磨パッド試料を重ね合わせ、それらの硬度が測定されるので研磨現象を支配する研磨パッドの硬度として適切ではないおそれがある。したがって、研磨パッド試料1枚毎にその硬度を測定できるH・バーレイス社製ゴム用汎用自動硬度計デジテストのIRHDマイクロ検出器を用いて測定した硬度(以下、IRHD硬度という。)をもって研磨パッドの硬度とすることが好ましい。研磨パッドのIRHD硬度は20〜80であることが好ましい。
研磨圧力としては、0.5〜15kPaの条件でさらに研磨する。なお、研磨圧力は4kPa以上であることが好ましい。4kPa未満では研磨時のガラス基板の安定性が低下してばたつきやすくなり、その結果主表面のうねりが大きくなるおそれがある。
中間研磨後に洗浄を行うが、コロイダルシリカ砥粒を用いたため、酸化セリウム砥粒を用いた場合のように加熱した硫酸と過酸化水素水の混合液や、強酸(塩酸、硝酸、硫酸など)とアスコルビン酸の混合液を用いたディップ洗浄による洗浄が不要となり、簡便な方法、例えばアルカリ洗浄と純水リンスにより、十分な洗浄が可能になる。
次いで、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いて最終研磨を行う。最終研磨工程では、平均粒径10nm以上50nm以下のコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いて研磨するだけでもよく、平均粒径50nm超100nm以下のコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いて前研磨した後、平均粒径10nm以上50nm以下のコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いて後研磨してもよい。
この最終研磨工程によりガラス円板は、主表面の二乗平均粗さ(Rms)が0.15nm以下、好ましくは0.13nm以下の平坦性を有するように研磨されることが好ましい。また、最終研磨工程における板厚の減少量(研磨量)は、典型的には0.5〜2μmであるが、中間研磨工程において酸化セリウム砥粒を用いた場合の研磨量は通常0.5〜1μmとなっており、本発明のように中間研磨工程においてコロイダルシリカ砥粒を用いることによりこの最終研磨工程における材料ロスを大きく低減することができる。
最終研磨工程の後、コロダルシリカ砥粒を除去するために洗浄を行う。この洗浄工程では、少なくとも1回はpH10以上のアルカリ性洗浄剤による洗浄を行うことが好ましい。洗浄方法は、ガラス円板を浸漬して超音波振動を加えてもよいし、スクラブ洗浄を用いてもよい。また、両方を組み合わせてもよい。更に、洗浄の前後に、純水による浸漬工程やリンス工程を行うことが好ましい。
最終のリンス工程後にガラス円板を乾燥するが、乾燥方法としてはイソプロピルアルコール蒸気を用いる乾燥方法やスピン乾燥、真空乾燥等が用いられる。
上記一連の工程によりガラス基板が得られるが、ロールオフが小さくなっているため、磁気記録層の面積が増して記録容量の大きな磁気ディスクが得られる。
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に説明する。
フロート法で成形されたシリケートガラス板(モル%表示含有量が、NaO:4.9%、KO:7.6%、MgO:10.9%、残部SiO)を、外径65mm、内径20mm、板厚0.635mmのガラス基板が得られるようなドーナツ状ガラス円板(中央に円孔を有する円形ガラス板)に加工した。尚、内周面及び外周面の研削加工はダイヤモンド砥石を用いて行い、ガラス縁板上下面のラッピングは酸化アルミニウム砥粒を用いて行った。
次に、内外周の端面を、面取り幅0.15mm、面取り角度45°となるように面取り加工を行った。内外周加工の後、酸化セリウム砥粒を含む研磨液と、ブラシとを用い、ブラシ研磨により端面の鏡面加工を行った。加工量は半径方向の除去量で30μmであった。
その後、酸化セリウム砥粒(平均粒径:約1.1μm)を含む研磨液と、ウレタンパッドとを用いて、両面研磨装置により上下主表面の研磨加工を行った。加工量は上下主表面の厚さ方向で計35μmであった。
洗浄後、ガラス円板の主表面を、下記に示す研磨液A〜Sと、IRHD硬度が55.5、ショアA硬度が53.5°、圧縮率が1.9%かつ密度が0.24g/cmである発泡ウレタン樹脂からなる研磨パッドとを用い、スピードファム社製9B両面研磨機を用いて、研磨圧力12kPaにて20分間研磨した。
(研磨液A)
蒸留水699.95gに対し、エチレンオキサイドを付加したアセチレンジオール(HLB=8)を0.05g、濃度1モル/リットルのNaNO水溶液を100g添加し、攪拌した。攪拌したまま、日産化学工業(株)製BET粒子径85.1nmのコロイダルシリカ(製品名ST‐ZL)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は36.5mN/m、pHは9.7であった。
(研磨液B)
蒸留水699.95gに対し、エチレンオキサイドを付加したアセチレンジオール(HLB=8)を0.05g、濃度1モル/リットルのNaNO水溶液を100g添加し、攪拌した。攪拌したまま、フジミ(株)製BET粒子径80nmのコロイダルシリカ(製品名CP−80)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は36.4mN/m、pHは10.2であった。
(研磨液C)
蒸留水699gに対し、エチレンオキサイドを付加したアセチレンジオール(HLB=8)を1g添加し、攪拌した。攪拌したまま、濃度1モル/リットルのNaNOを100g添加し、攪拌した。攪拌したまま、日産化学工業(株)製BET粒子径85.1nmのコロイダルシリカ(製品名ST‐ZL)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は32.4mN/m、pHは9.6であった。
(研磨液D)
蒸留水699gに対し、エチレンオキサイドを付加したアセチレンジオール(HLB=8)を1g添加し、攪拌した。攪拌したまま、濃度1モル/リットルのNaNOを100g添加し、攪拌した。攪拌したまま、フジミ(株)製BET粒子径80nmのコロイダルシリカ(製品名CP−80)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は33.4mN/m、pHは10.1であった。
(研磨液E)
蒸留水695gに対し、エチレンオキサイドを付加したアセチレンジオール(HLB=8)を5g添加し、攪拌した。攪拌したまま、濃度1モル/リットルのNaNOを100g添加し、攪拌した。攪拌したまま、日産化学工業(株)製BET粒子径85.1nmのコロイダルシリカ(製品名ST‐ZL)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は31.1mN/m、pHは9.7であった。
(研磨液F)
蒸留水799.95gに対し、アセチレンジオール(HLB=4)を0.05g添加し、攪拌した。攪拌したまま、日産化学工業(株)製BET粒子径85.1nmのコロイダルシリカ(製品名ST‐ZL)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は47.3mN/m、pHは9.2であった。
(研磨液G)
蒸留水799.995gに対し、エチレンオキサイドを付加したアセチレンジオール(HLB=8)を0.005g添加し、攪拌した。攪拌したまま、日産化学工業(株)製BET粒子径85.1nmのコロイダルシリカ(製品名ST‐ZL)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は48.3mN/m、pHは9.1であった。
(研磨液H)
蒸留水799.95gに対し、エチレンオキサイドを付加したアセチレンジオール(HLB=8)を0.05g添加し、攪拌した。攪拌したまま、日産化学工業(株)製BET粒子径85.1nmのコロイダルシリカ(製品名ST‐ZL)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は36.4mN/m、pHは9.1であった。
(研磨液I)
蒸留水799.5gに対し、エチレンオキサイドを付加したアセチレンジオール(HLB=8)を0.5g添加し、攪拌した。攪拌したまま、日産化学工業(株)製BET粒子径80nmのコロイダルシリカ(製品名ST‐ZL)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は27.4mN/m、pHは9.1であった。
(研磨液J)
蒸留水799.995gに対し、エチレンオキサイドを付加したアセチレンジオール(HLB=8)を0.05g添加し、攪拌した。攪拌したまま、日産化学工業(株)製BET粒子径53.6nmのコロイダルシリカ(製品名ST‐XL)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は36.7mN/m、pHは9.4であった。
(研磨液K)
蒸留水699.95gに対し、エチレンオキサイドを付加したアセチレンジオール(HLB=8)を0.05g、濃度1モル/リットルのNaNO水溶液を100g添加し、攪拌した。攪拌したまま、日産化学工業(株)製BET粒子径53.6nmのコロイダルシリカ(製品名ST‐XL)を200g添加して試験スラリーGを調製した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は36.1mN/m、pHは9.5であった。
(研磨液L)
蒸留水800gを攪拌したまま、日産化学工業(株)製BET粒子径27.3nmのコロイダルシリカ(製品名ST‐50)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は72mN/m、pHは9.1であった。
(研磨液M)
蒸留水800gを攪拌したまま、ルドックス(株)製BET粒子径20.7nmのコロイダルシリカ(製品名HS40)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は72mN/m、pHは9.3であった。
(研磨液N)
蒸留水800gを攪拌したまま、触媒化成工業(株)製BET粒子径55.9nmのコロイダルシリカ(製品名PPS45P)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は72mN/m、pHは9.6であった。
(研磨液O)
蒸留水800gを攪拌したまま、日産化学工業(株)製BET粒子径53.6nmのコロイダルシリカ(製品名ST‐XL)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は72mN/m、pHは9.0であった。
(研磨液P)
蒸留水800gを攪拌したまま、日産化学工業(株)製BET粒子径85.1nmのコロイダルシリカ(製品名ST‐ZL)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は72mN/m、pHは9.2であった。
(研磨液Q)
蒸留水700gに対し、濃度1モル/リットルのNaNOを100g添加し、攪拌した。攪拌したまま、日産化学工業(株)製BET粒子径85.1nmのコロイダルシリカ(製品名ST‐ZL)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は72mN/m、pHは9.7であった。
(研磨液R)
蒸留水750gに対し、濃度1モル/リットルのNaNOを50g添加し、攪拌した。攪拌したまま、日産化学工業(株)製BET粒子径85.1nmのコロイダルシリカ(製品名ST‐ZL)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は72mN/m、pHは9.6であった。
(研磨液S)
蒸留水790gに対し、濃度1モル/リットルのNaNOを10g添加し、攪拌した。攪拌したまま、日産化学工業(株)製BET粒子径85.1nmのコロイダルシリカ(製品名ST‐ZL)を200g添加した。この研磨液のコロイダルシリカ含有量は20質量%、表面張力は72mN/m、pHは9.4であった。
研磨後、純水シャワー洗浄、ベルクリンおよび水によるスクラブ洗浄、ベルクリンおよびアルカリ洗剤によるスクラブ洗浄、ベルクリンおよび水によるスクラブ洗浄、純水シャワー洗浄を順次行い、その後エアブローを行った。その後、ガラス円板の質量を測定し、質量減少量から研磨レートを算出した。結果を表1に示す。研磨レートは0.04μm/min以上であることが好ましく、0.05μm/min以上であることがより好ましい。
また、研磨後のガラス円板のロールオフを、Zygo社のNewView200を用いて測定した。
図1は、研磨後のガラス円板の端面近傍を模式的に示す断面図である。図中のaはチャンファー面(面取りされた面)、bは外周端面、cは主表面外周部、dはチャンファー面aと主表面外周部cとの境界であるが、図示されるように、主表面外周面cからチャンファー面aに連続してロールオフ(端面ダレ)が生じている。そこで、図中に点線で示されるように、主表面外周部cのうち境界dから主表面中心に向かって2.5mm以上5mm以下の部分fと重なるかこの部分fを最もよく近似する直線として基準線gを設け、主表面外周部cのうち境界dから主表面中心に向かって0.25mm以上5mm以下の部分をロールオフ測定領域eとし、このロールオフ測定領域eにおける主表面外周部cの基準線gからの最大高さから最小高さを引いた値をロールオフの大きさ(ロールオフ値)とした。結果を表1に示す。ロールオフ値の絶対値は30nm以下であることが好ましい。
Figure 2012020377
研磨液A〜Iは、本発明に従うBET粒径のコロイダルシリカ砥粒と、ノニオン界面活性剤を含有している実施例であり、ロールオフは小さく、しかも研磨レートも高い。研磨液F〜Hでは無機電解質を含まないため、コロイダルシリカ砥粒の凝集が少ないと考えられ、研磨レートが低くなるはずであるが、界面活性剤を含有しているために、ガラスや研磨パッドに対する濡れ性が高くなる効果によりガラスに供給されるスラリー量が多くなり、研磨レートの低下が抑制されていると考えられる。研磨液Iの研磨レートが比較的低いのは表面張力が比較的小さく、研磨パッドの溝部分やガラスを保持しているキャリアとキャリアの間など、比較的大きな隙間が空いている部分にスラリーが流れ込みやすく、ガラスに供給されるスラリーが減少してしまうことが原因だと考えられる。
また、研磨液J、Kではコロイダルシリカ砥粒の粒径が小さいことから、無機電解質を含まなくても若干の凝集が起こると考えられ、研磨レートが高くなっているものの、ロールオフ値が大きくなっている。
また、研磨液L〜Sは、ノニオン界面活性剤を含まないため、ロールオフ値が大きくなっており、特に研磨液L、Mではコロイダルシリカ砥粒が小さいことから研磨レートも低くなっている。
a:チャンファー面
b:外周端面
c:主表面外周部
d:チャンファー面aと主表面外周部cの境界
e:ロールオフ測定領域
g:ロールオフの大きさを定めるための基準線

Claims (10)

  1. 磁気ディスク用ガラス基板を製造する際に、最終研磨工程よりも前の研磨工程で使用される研磨液であって、
    BET粒径が60nm以上100nm以下であるコロイダルシリカ砥粒と、ノニオン界面活性剤と、水とを含有し、かつ、表面張力が25mN/m以上50mN/m以下であることを特徴とする研磨液。
  2. 前記ノニオン界面活性剤が、HLB8以下で、アセチレンジオールまたはアセチレンジオールのアルキレンオキサイド付加物であり、研磨液の0.0005質量%以上の量含有されていることを特徴とする請求項1記載の研磨液。
  3. 前記無機電解質が塩酸、硝酸及び硫酸から選ばれる酸のナトリウム塩またはカリウム塩から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1または2記載の研磨液。
  4. 無機電解質を含有し、その濃度が10ミリモル/リットル以上120ミリモル/リットル以下であることを特徴とする請求項1、2または3記載の研磨液。
  5. pHが9以上12以下であることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の研磨液。
  6. ガラス平板から切り出したガラス円板の主表面を、酸性コロイダルシリカ砥粒を含有する研磨液を用いて研磨する最終研磨工程の前に、
    BET粒径が60nm以上100nm以下であるコロイダルシリカ砥粒と、ノニオン界面活性剤と、水とを含有し、かつ、表面張力が25mN/m以上50mN/m以下である研磨液を用いて研磨する工程を有することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
  7. 前記研磨液が、前記ノニオン界面活性剤として、HLB8以下で、アセチレンジオールまたはアセチレンジオールのアルキレンオキサイド付加物を、該研磨液の0.0005質量%以上0.1質量%以下の量含有することを特徴とする請求項6記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
  8. 前記研磨液が、前記無機電解質として塩酸、硝酸及び硫酸から選ばれる酸のナトリウム塩またはカリウム塩から選ばれる少なくとも1種を含有することを特徴とする請求項6または7記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
  9. 無機電解質を含有し、その濃度が10ミリモル/リットル以上120ミリモル/リットル以下であることを特徴とする請求項6、7または8記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
  10. 前記研磨液のpHが9以上12以下であることを特徴とする請求項6〜9の何れか1項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法研磨液。
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