JP2012013710A - 磁気光学デバイスの評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 外部磁場が無くても磁気的に飽和した状態が維持されるBi置換希土類鉄ガーネット膜を組み込んだ磁気光学デバイス(光アイソレータ7)の評価方法であって、上記Bi置換希土類鉄ガーネット膜に対し、光を入射し、透過した光量を計測している状態で、Bi置換希土類鉄ガーネット膜の磁化方向とは逆方向にBi置換希土類鉄ガーネット膜が本来有する保磁力よりも小さな外部磁場を永久磁石8により印加し、透過光量から計測される外部磁場印加前後における光学特性(挿入損失またはアイソレーション)に基づきBi置換希土類鉄ガーネット膜の良否を判別することを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
外部磁場が無くても磁気的に飽和した状態が維持されるBi置換希土類鉄ガーネット膜を組み込んだ磁気光学デバイスの評価方法を前提とし、
偏光子と検光子に挟まれた状態で光アイソレータである磁気光学デバイスに組み込まれたBi置換希土類鉄ガーネット膜に対して、Bi置換希土類鉄ガーネット膜の磁化方向と平行な方向から光を入射し、透過した光量を計測している状態で、上記Bi置換希土類鉄ガーネット膜の磁化方向とは逆方向にBi置換希土類鉄ガーネット膜が本来有する保磁力よりも小さな外部磁場を印加し、透過光量から計測される外部磁場印加前後における光学特性に基づきBi置換希土類鉄ガーネット膜の良否を判別する方法であって、透過光量から計測される外部磁場印加前後における上記光学特性が、光アイソレータの挿入損失またはアイソレーションであることを特徴とする。
請求項1に記載の発明に係る磁気光学デバイスの評価方法を前提とし、
Bi置換希土類鉄ガーネット膜の磁化方向とは逆方向に印加する上記外部磁場が、Bi置換希土類鉄ガーネット膜が本来有する保磁力平均値の50〜70%に設定されていることを特徴とし、
請求項3に係る発明は、
請求項1または2に記載の発明に係る磁気光学デバイスの評価方法を前提とし、
透過光量から計測される外部磁場印加前後における上記光学特性が、光アイソレータの挿入損失であることを特徴とし、
請求項4に係る発明は、
請求項1、2または3に記載の発明に係る磁気光学デバイスの評価方法を前提とし、
上記Bi置換希土類鉄ガーネット膜が、(EuHoBi)3(FeGa)5O12または(HoTbBi)3(FeAlGa)5O12のいずれかであることを特徴とするものである。
磁気光学デバイスに組み込まれたBi置換希土類鉄ガーネット膜に対しその磁化方向とは逆方向に外部磁場を印加した状態でBi置換希土類鉄ガーネット膜の光学特性を評価しているため、通常の光学的評価方法ではBi置換希土類鉄ガーネット膜が多磁区化しているか否かを判別できないような場合であっても、組み込まれたBi置換希土類鉄ガーネット膜が多磁区化しているか否かを簡便に判別することが可能となる。
2 アパーチャの形状
3 偏光子
4 検光子
5 ホルダー
6 アパーチャ
7 光アイソレータ
8 永久磁石
Claims (4)
- 外部磁場が無くても磁気的に飽和した状態が維持されるBi置換希土類鉄ガーネット膜を組み込んだ磁気光学デバイスの評価方法において、
偏光子と検光子に挟まれた状態で光アイソレータである磁気光学デバイスに組み込まれたBi置換希土類鉄ガーネット膜に対して、Bi置換希土類鉄ガーネット膜の磁化方向と平行な方向から光を入射し、透過した光量を計測している状態で、上記Bi置換希土類鉄ガーネット膜の磁化方向とは逆方向にBi置換希土類鉄ガーネット膜が本来有する保磁力よりも小さな外部磁場を印加し、透過光量から計測される外部磁場印加前後における光学特性に基づきBi置換希土類鉄ガーネット膜の良否を判別する方法であって、透過光量から計測される外部磁場印加前後における上記光学特性が、光アイソレータの挿入損失またはアイソレーションであることを特徴とする磁気光学デバイスの評価方法。 - Bi置換希土類鉄ガーネット膜の磁化方向とは逆方向に印加する上記外部磁場が、Bi置換希土類鉄ガーネット膜が本来有する保磁力平均値の50〜70%に設定されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気光学デバイスの評価方法。
- 透過光量から計測される外部磁場印加前後における上記光学特性が、光アイソレータの挿入損失であることを特徴とする請求項1または2に記載の磁気光学デバイスの評価方法。
- 上記Bi置換希土類鉄ガーネット膜が、(EuHoBi)3(FeGa)5O12または(HoTbBi)3(FeAlGa)5O12のいずれかであることを特徴とする請求項1、2または3に記載の磁気光学デバイスの評価方法。
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