JP2012009600A

JP2012009600A - 薄膜太陽電池用基板の製造方法

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Publication number: JP2012009600A
Application number: JP2010143773A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Sonobe; 裕之園部; Toshiaki Sasaki; 敏明佐々木; Wataru Yoshida; 航吉田
Original assignee: Kaneka Corp
Current assignee: Kaneka Corp
Priority date: 2010-06-24
Filing date: 2010-06-24
Publication date: 2012-01-12

Abstract

【課題】太陽電池用ガラス基板の太陽光反射防止構造を簡便に形成する。
【解決手段】太陽電池用ガラス基板製造方法は、太陽電池モジュールであって、第１及び第２の面を有するガラス基板１と、前記第１の面上に形成された光半導体素子１０を備え、ガラス基板１は、光が入射される前記第２の面に光散乱効果を持つ凹凸形状１３を備え、凹凸形状１３はガラス基板１それ自体を凹凸化させることで形成し、ガラス基板１の凹凸化した前記第２表面に反射防止膜１４を形成する。即ち、太陽電池モジュールの光入射面側ガラス表面での光散乱構造として、当該ガラスそのものに凹凸構造を持たせ、且つ当該凹凸構造表面に反射防止膜１４を形成し、且つこれらを太陽電池のレーザースクライブ工程後に実施する。
【選択図】図１

Description

本発明は、薄膜太陽電池を作製する際に用いる光透過性基板の光入射側基板表面処理に関するものである。

近年、太陽電池等の光透過性基板を用いるデバイスにおいて、デバイスへの太陽光取り込み増加や、光透過性基板表面での太陽光反射によるぎらつき防止が注目され、反射防止膜を光透過性基板表面に製膜することや、光透過性基板としてガラス基板を用い、当該ガラス基板の光入射表面に凹凸構造を形成することでぎらつき防止を図るといったことが検討されている。

例えば反射防止膜（アンチリフレクション（Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）、略称：ＡＲ）の中でも、酸化物チタンやシリコン酸化物（シリカ）微粒子をＡＲ膜のベースとし、さらにガラス基板表面或いはその他の下地との結合を強化するための接着材（バインダー）を用いたものが、その反射防止効果と塗布容易性から注目されている。特許文献１では、シリカ微粒子の表面に撥水撥油性層（フッ素含有のシリコン化合物）を形成することで、反射防止効果、防汚効果を生じさせ、バインダーを用いてその下地（酸化スズ）と結合させている。これによりデバイスへの太陽光の取り込み量を増加させ、太陽電池の出力向上を図っている。

また特許文献２では、太陽電池モジュールのガラス基板において、光入射面側のガラス表面に光反射による眩しさを防止する膜（防眩膜）を形成し、さらに当該防眩膜自体を凹凸化させることで光散乱させ、さらにその防眩膜上に汚染防止膜を形成する構造が提案されている。また、防眩膜には反射防止効果もあるとしている。これにより、外観の色調が統一された太陽電池モジュールを提供できるとしている。

特許文献３では、太陽電池モジュールのガラス基板において、光入射面側のガラス表面に直接防眩効果を持つような凹凸形状を形成することが提案されている。このとき、前記凹凸形状は太陽電池デバイスをガラス基板上に製膜する前に予め形成するとしている。ガラス基板を用いた薄膜太陽電池モジュールでは、ガラス基板上に透明電極層、半導体薄膜光電変換層、及び裏面電極層が順に製膜されている。これらの層は、レーザースクライブなどによるパターニングを利用して複数のセルに分割されていると共に電気的に相互に接続され、集積されてモジュール化されている。このため、光入射側のガラス表面に凹凸形状を形成した後、逆側のガラス表面に太陽電池デバイスを製膜する場合、当該太陽電池デバイスをレーザーによってスクライブ（分離）する工程において、光入射側のガラス面から入射させたレーザー光が当該凹凸形状によって拡散してしまい、太陽電池デバイスをスクライブすることが難しくなる問題がある。これを回避するため、特許文献３ではレーザーが照射される部分の周囲のみ凹凸形状を平滑化するとしている。

特開平８−２１１２０２特開２００１−５７４３８特許第３８０５８８９

特許文献１のようにＡＲ膜を用いて太陽電池デバイスへの太陽光の取り込み量を増やす場合、さらなる太陽電池の発電量向上のためには、その太陽電池に適した波長の光を取り込むことや、太陽電池の発電層内での太陽光の光路長を増大させることが重要である。ガラス基板を用いた太陽電池の場合、光入射面とは逆側の太陽電池デバイス側のガラス表面に、予め光を散乱させる構造を導入することが行われている。例えば特開２００４−８２２８５では、光入射面とは逆側の太陽電池デバイス側のガラス表面を、予めサンドブラス処理によって凹凸形状を形成している。このようにデバイス側表面のガラス表面に光散乱構造を導入した場合、その構造の形状によっては、その上に作製するデバイスにリーク電流が発生し、デバイス特性が低下する懸念がある。

また、特許文献２のように光入射側表面のガラス表面に防眩膜を形成する場合、防眩膜自体に凹凸形状を形成し、所望の防眩効果を得るためにはある程度の厚膜化が必要となる。この場合、防眩膜自体の光吸収により光透過率が減少し、ぎらつき防止による外観の良さは得られても、太陽電池デバイスへの光取り込み量が減少することで出力の低下を招く可能性がある。さらに、防眩膜に所望の凹凸形状を形成するために必要な膜厚と、当該太陽電池デバイスに適した太陽光波長域での反射防止効果を得るために必要な防眩膜厚とが異なる可能性がある。

特許文献３のように光入射側のガラス表面自体に予め凹凸形状を形成した場合は、上記の防眩膜の厚膜化による光透過率減少を回避出来る。しかし、前述したように、太陽電池デバイスをレーザーによりスクライブする工程において、特許文献３でも言及しているようなレーザー光を拡散しないようにする工夫が必要であり、結果としてコストアップに繋がる。

本発明による太陽電池用ガラス基板では、太陽電池モジュールであって、第１及び第２の面を有するガラス基板と、前記第１の面上に形成された光半導体素子を備え、前記ガラス基板は、光が入射される前記第２の面に光散乱効果を持つ凹凸形状を備え、前記凹凸形状は前記ガラス基板それ自体を凹凸化させることで形成し、前記ガラス基板の凹凸化した前記第２の表面に反射防止膜を形成したことを特徴とする。

また、本発明による太陽電池用ガラス基板では、太陽電池モジュールであって、第１及び第２の面を有するガラス基板と、前記第１の面上に形成された光半導体素子を備え、前記ガラス基板は、光が入射される前記第２の面に光散乱効果を持つ凹凸形状を備え、前記凹凸形状は前記ガラス基板それ自体を凹凸化させることで形成し、前記第１の面上に形成された光半導体素子のレーザースクライブによるモジュール化工程を実施した後に前記凹凸化が形成されることを特徴とする。

また、本発明による太陽電池用ガラス基板では、太陽電池モジュールであって、第１及び第２の面を有するガラス基板と、前記第１の面上に形成された光半導体素子を備え、前記ガラス基板は、光が入射される前記第２の面に光散乱効果を持つ凹凸形状を備え、前記凹凸形状は前記ガラス基板それ自体を凹凸化させることで形成し、前記ガラス基板の凹凸化した前記第２の表面に反射防止膜を形成し、前記反射防止膜の膜厚を太陽電池モジュールの出力が最も高くなる膜厚に制御したことを特徴とする。

本発明による太陽電池用ガラス基板を用いることで、太陽光の取り込み量が増大し、太陽電池モジュールの出力が向上する。また、本発明による太陽電池用ガラス基板の表面凹凸形状の作製は、光半導体素子のレーザースクライブによるモジュール化工程後に実施されることから、予めガラス基板の表面に凹凸形状を作製してある場合に必要となるレーザースクライブ工程を実施する前の特別な前処理（レーザー光拡散防止）等が必要ない。即ち、予め基板表面に凹凸形状を作製してある場合と比較して、コストアップ要因がない。さらに、本発明による太陽電池用ガラス基板の表面凹凸形状の作製は、光半導体素子のレーザースクライブによるモジュール化工程後であれば、どの工程でも実施することが出来る。例えば、図１は太陽電池デバイスを保護するための背面封止工程（樹脂封止及びバックシート（保護フィルム）付与）後に凹凸形状を作製する流れを示している。

さらに、本発明による太陽電池用ガラス基板では、ガラス基板そのものを凹凸化し、これによって光散乱効果を持たせたことで、反射防止膜はその反射防止機能のみに注力出来るようになり、反射防止膜の膜厚制御範囲が広がる。これにより、反射防止膜の薄膜化によって、反射防止膜自体の太陽光吸収ロスを低減することが可能となる。或いは、反射防止膜の膜厚を変えることで太陽光の反射防止波長域を制御できることから、作製した太陽電池の特性に合った太陽光の反射防止波長域を選択することが出来る。

レーザースクライブ工程後の光入射側ガラス面凹凸化及び反射防止膜製膜工程一般的な薄膜太陽電池のレーザースクライブ工程の説明図

発明の実施形態について以下説明する。ただし、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されるものではない。

本発明では、太陽電池モジュールのガラス基板１の光入射側の第２面１ｂに、ガラス自体の表面凹凸１３を形成し、さらに当該凹凸１３の表面に反射防止膜１４を形成している。また、当該凹凸１３、反射防止膜１４の形成は、レーザースクライブによるモジュール化工程後に実施している。通常、レーザースクライブ工程以降に、ガラス基板１の光入射側の第２面１ｂに凹凸１３を形成しようとする場合、特許文献２でも言及されているように、当該凹凸形成工程自体が太陽電池デバイスにダメージを与える可能性があることから一般的に用いられていない。また、当該凹凸１３にはガラス面に汚れが付着し易くなる問題がある。また、ガラス基板１の光入射側の第２面１ｂに凹凸１３を形成し、さらに当該凹凸１３の表面に反射防止膜１４を形成することは、コストアップに繋がることから一般的に用いられていない。しかし、以下の手法を実施すればこれらの影響を抑えながら、前記発明の効果を得ることが出来る。

本発明で用いた太陽電池モジュールは、当社の薄膜アモルファスシリコン太陽電池モジュール（以下ａ−Ｓｉモジュールと呼ぶ）（定格出力７５Ｗ、基板サイズ：１２００ｍｍ×１０００ｍｍ×５ｍｍ厚）と、当社のハイブリッド太陽電池モジュール（以下ＨＢモジュールと呼ぶ）（定格出力１１０Ｗ、１２００×１０００×５ｍｍ厚）である。モジュール強度補強用のアルミフレームの付いた出荷形態のモジュールと、アルミフレームのないモジュールを使用した。いずれのモジュールも、レーザースクライブによるモジュール化工程を終了し、光半導体素子側（光入射側とは逆側）を樹脂及びバックシートで保護する工程を経た後のモジュールを使用した。

ここで簡単に薄膜太陽電池のモジュール化工程を図１、図２を用いて説明する。図２に示すように、ガラス基板１の光半導体素子側の第１面１ａ上に透明電極層（ＴＣＯ）２を製膜する。その後、レーザースクライブを実施し、ＴＣＯレーザースクライブ溝６によって透明電極層２を分割する。次に、半導体薄膜光電変換層３を製膜した後、レーザースクライブを実施し、半導体薄膜光電変換層レーザースクライブ溝７によって当該層３を分割する。裏面電極として、裏面透明電極層４、裏面金属電極層５を製膜した後、レーザースクライブを実施し、裏面透明電極層及び裏面金属電極レーザースクライブ溝８によって当該層４、５を分割する。これにより、１段の太陽電池セル９が複数個電気的に相互に接続され、集積されて光半導体素子１０を形成し、モジュール化されている。その後さらに図１に示すように、光半導体素子１０を樹脂１１及びバックシート１２で保護する。このようにして薄膜太陽電池はモジュール化される。

本発明では、太陽電池モジュールのガラス基板１の光入射側の第２面１ｂに凹凸１３を作製する前に、当該ガラス面１ｂを清浄化するため中性洗剤で洗浄した。用いた中性洗剤は市販の食器洗剤液である。また、中性洗剤で洗った後、水でモジュールを洗浄しているが、その他の水洗浄においても、特に断っている場合を除き、市水を用いて洗浄した。

本発明で使用した反射防止膜塗布液は、「ＺＴ−１２−１７０ＪＡ（サスティナブルテクノロジー（株）製）」である。この反射防止膜は、反射防止効果だけでなく汚れ防止効果も備えている。当該塗布液をガラス基板１の光入射側の第２面１ｂに塗布する前に、当該ガラス面１ｂと当該塗布液の密着性を高めるために当該ガラス面１ｂの親水処理を行った。親水処理には親水処理剤「親水材−１（サスティナブルテクノロジー（株）製）」を当該ガラス面１ｂに塗布することで行った。また、反射防止膜塗布液量と反射防止膜厚の関係は、予めダミーのガラス基板を用いて算出しておいた。

また、反射防止膜１４はシリカ微粒子（平均粒径約１００ｎｍ）を１層分ガラス基板１の光入射側の第２面１ｂに塗布することでも作製した。シリカ微粒子分散液、水、イソプロピルアルコール、塩酸を混合、攪拌した溶液を作製し、太陽電池モジュールを当該溶液中に浸潤させることで当該ガラス面１ｂに反射防止膜１４を形成した。

本発明で使用したガラス面凹凸化剤は「グラスファンタジー」、或いは「グラスファンタジーII」をベースとしたガラス面凹凸化剤（いずれも有限会社フロステック製）である。

また、ガラス基板１の光入射側の第２面１ｂのガラス自体の表面凹凸１３はブラストを用いても作製しており、＃４００〜＃１０００のアルミナ砥粒を用いてブラストを行うことが好ましい。ブラストによるガラス表面凹凸化に用いた太陽電池モジュールは、アルミフレームへのダメージを避けるために、アルミフレームのないモジュールを使用した。

（実施例１）
図１、図２で示したモジュール化工程後のａ−Ｓｉモジュール（アルミフレーム有り）のガラス基板１の光入射側の第２面１ｂを中性洗剤で洗浄した。中性洗剤を水で洗い流し、水分を拭き取った後、ガラス基板周囲にあるアルミフレームとガラス基板の間の部分の隙間をビニールテープで目張りした。これは後述のガラス面凹凸化剤が上記隙間部分から漏れるのを防ぐためである。このａ−Ｓｉモジュールをガラス基板１の第２面１ｂが上となるように水平に置いた。前述のガラス面凹凸化剤（有限会社フロステック製）を、ガラス基板１の第２面１ｂ全面が浸るようにプラスチック製のワイパーで引き伸ばしながら流し込んだ。ガラス基板１の第２面１ｂ全面がガラス面凹凸化剤に浸っている状態で２０分間保持した。これによりガラス基板１の第２面１ｂにガラス自体の表面凹凸１３を形成した。その後、ガラス面凹凸化剤を除去し、アルミフレームとガラス基板の間の部分の隙間を目張りしていたビニールテープを剥がした後、ａ−Ｓｉモジュールを水で洗浄した。一度純水をａ−Ｓｉモジュールのガラス基板１の第２面１ｂに掛け流した後、スポンジを使用して上述の親水処理剤（サスティナブルテクノロジー（株）製））をガラス基板１の第２面１ｂ全体に塗布した。続いて同様にスポンジを使用して、前述の反射防止膜塗布液（サスティナブルテクノロジー（株）製））を反射防止膜１４が１００ｎｍとなるように塗布した。その後、８０℃１５分アニールすることで乾燥させた。上記ガラス面凹凸１３及び反射防止膜１４形成前後で出力を比較したところ、ａ−Ｓｉモジュールの短絡電流が４．３％向上し出力が改善された。

（実施例２）
図１、図２で示したモジュール化工程後のＨＢモジュール（アルミフレーム有り）のガラス基板の光入射側の第２面１ｂを中性洗剤で洗浄した。中性洗剤を水で洗い流し、水分を拭き取った後、ガラス基板周囲にあるアルミフレームとガラス基板の間の部分の隙間をビニールテープで目張りした。これは後述のガラス面凹凸化剤が上記隙間部分から漏れるのを防ぐためである。このＨＢモジュールをガラス基板１の第２面１ｂが上となるように水平に置いた。前述のガラス面凹凸化剤（有限会社フロステック製）を、ガラス基板１の第２面１ｂ全面が浸るようにプラスチック製のワイパーで引き伸ばしながら流し込んだ。ガラス基板１の第２面１ｂ全面がガラス面凹凸化剤に浸っている状態で２０分間保持した。これによりガラス基板１の第２面１ｂに凹凸１３を形成した。その後、ガラス面凹凸化剤を除去し、アルミフレームとガラス基板の間の部分の隙間を目張りしていたビニールテープを剥がした後、ＨＢモジュールを水で洗浄した。一度純水をＨＢモジュールのガラス基板１の第２面１ｂに掛け流した後、スポンジを使用して上述の親水処理剤（サスティナブルテクノロジー（株）製））をガラス基板１の第２面１ｂ全体に塗布した。続いて同様にスポンジを使用して、前述の反射防止膜塗布液（サスティナブルテクノロジー（株）製））を反射防止膜１４が１００ｎｍとなるように塗布した。その後、８０℃１５分アニールすることで乾燥させた。上記ガラス面凹凸１３及び反射防止膜１４形成前後で出力を比較したところ、ＨＢモジュールの短絡電流が３．８％向上し出力が改善された。

（実施例３）
図１、図２で示したモジュール化工程後のＨＢモジュール（アルミフレーム有り）のガラス基板の光入射側の第２面１ｂを中性洗剤で洗浄した。中性洗剤を水で洗い流し、水分を拭き取った後、ガラス基板周囲にあるアルミフレームとガラス基板の間の部分の隙間をビニールテープで目張りした。これは後述のガラス面凹凸化剤が上記隙間部分から漏れるのを防ぐためである。このＨＢモジュールをガラス基板１の第２面１ｂが上となるように水平に置いた。前述のガラス面凹凸化剤（有限会社フロステック製）を、ガラス基板１の第２面１ｂ全面が浸るようにプラスチック製のワイパーで引き伸ばしながら流し込んだ。ガラス基板１の第２面１ｂ全面がガラス面凹凸化剤に浸っている状態で２０分間保持した。これによりガラス基板１の第２面１ｂに凹凸１３を形成した。その後、ガラス面凹凸化剤を除去し、アルミフレームとガラス基板の間の部分の隙間を目張りしていたビニールテープを剥がした後、ＨＢモジュールを水で洗浄した。一度純水をＨＢモジュールのガラス基板１の第２面１ｂに掛け流した後、スポンジを使用して上述の親水処理剤（サスティナブルテクノロジー（株）製））をガラス基板１の第２面１ｂ全体に塗布した。続いて同様にスポンジを使用して、前述の反射防止膜塗布液（サスティナブルテクノロジー（株）製））を反射防止膜１４が２００ｎｍとなるように塗布した。その後、８０℃１５分アニールすることで乾燥させた。上記ガラス面凹凸１３及び反射防止膜１４形成前後で出力を比較したところ、ＨＢモジュールの短絡電流が２．５％向上し出力が改善された。

（実施例４）
図１、図２で示したモジュール化工程後のＨＢモジュール（アルミフレーム有り）のガラス基板の光入射側の第２面１ｂを中性洗剤で洗浄した。中性洗剤を水で洗い流し、水分を拭き取った後、ガラス基板周囲にあるアルミフレームとガラス基板の間の部分の隙間をビニールテープで目張りした。これは後述のガラス面凹凸化剤が上記隙間部分から漏れるのを防ぐためである。このＨＢモジュールをガラス基板１の第２面１ｂが上となるように水平に置いた。前述のガラス面凹凸化剤（有限会社フロステック製）を、ガラス基板１の第２面１ｂ全面が浸るようにプラスチック製のワイパーで引き伸ばしながら流し込んだ。ガラス基板１の第２面１ｂ全面がガラス面凹凸化剤に浸っている状態で２０分間保持した。これによりガラス基板１の第２面１ｂに凹凸１３を形成した。その後、ガラス面凹凸化剤を除去し、アルミフレームとガラス基板の間の部分の隙間を目張りしていたビニールテープを剥がした後、ＨＢモジュールを水で洗浄した。一度純水でＨＢモジュール全体を流水洗浄した後、反射防止膜１４として、前述の手法によりシリカ微粒子（直径約１００ｎｍ）を１層分製膜した。上記ガラス面凹凸１３及び反射防止膜１４形成前後で出力を比較したところ、ＨＢモジュールの短絡電流が３．５％向上し出力が改善された。

（実施例５）
図１、図２で示したモジュール化工程後で、ガラス基板周囲のアルミフレームのないａ−Ｓｉモジュールのガラス基板の光入射側の第２面１ｂを中性洗剤で洗浄した。中性洗剤を水で洗い流し、水分を拭き取った後、＃１０００のアルミナ砥粒を用いてガラス表面１ｂにブラストを実施し、凹凸１３を作製した。当該ａ−Ｓｉモジュールを水で洗浄し、水分を拭き取った後、一度純水をａ−Ｓｉモジュールのガラス基板１の第２面１ｂに掛け流した。その後、スポンジを使用して上述の親水処理剤（サスティナブルテクノロジー（株）製））をガラス基板１の第２面１ｂ全体に塗布した。続いて同様にスポンジを使用して、前述の反射防止膜塗布液（サスティナブルテクノロジー（株）製））を反射防止膜１４が１００ｎｍとなるように塗布した。その後、８０℃１５分アニールすることで乾燥させた。上記ガラス面凹凸１３及び反射防止膜１４形成前後で出力を比較したところ、ａ−Ｓｉモジュールの短絡電流が３．１％向上し出力が改善された。

（比較例１）
図１、図２で示したモジュール化工程後のＨＢモジュール（アルミフレーム有り）のガラス基板の光入射側の第２面１ｂを中性洗剤で洗浄した。中性洗剤を水で洗い流し、水分を拭き取った後、ガラス基板周囲にあるアルミフレームとガラス基板の間の部分の隙間をビニールテープで目張りした。これは後述のガラス面凹凸化剤が上記隙間部分から漏れるのを防ぐためである。このＨＢモジュールをガラス基板１の第２面１ｂが上となるように水平に置いた。前述のガラス面凹凸化剤（有限会社フロステック製）を、ガラス基板１の第２面１ｂ全面が浸るようにプラスチック製のワイパーで引き伸ばしながら流し込んだ。ガラス基板１の第２面１ｂ全面がガラス面凹凸化剤に浸っている状態で２０分間保持した。これによりガラス基板１の第２面１ｂに凹凸１３を形成した。その後、ガラス面凹凸化剤を除去し、アルミフレームとガラス基板の間の部分の隙間を目張りしていたビニールテープを剥がした後、ＨＢモジュールを水で洗浄した。反射防止膜１４は製膜せず、上記ガラス面凹凸１３形成前後で出力を比較したところ、ＨＢモジュールの短絡電流が１．１％向上し出力が改善されたが、反射防止膜１４を製膜した場合と比較して、その出力向上程度は低かった。

（比較例２）
図１、図２で示したモジュール化工程後で、ガラス基板周囲のアルミフレームのないａ−Ｓｉモジュールのガラス基板の光入射側の第２面１ｂを中性洗剤で洗浄した。中性洗剤を水で洗い流し、水分を拭き取った後、＃１０００のアルミナ砥粒を用いてガラス表面１ｂにブラストを実施し、凹凸１３を作製した。当該ａ−Ｓｉモジュールを水で洗浄し、水分を拭き取った後、反射防止膜１４は製膜せず、上記ガラス面凹凸形成前後で出力を比較したところ、ａ−Ｓｉモジュールの短絡電流が０．４％向上し出力が改善されたが、反射防止膜１４を製膜した場合と比較して、その出力向上程度は低かった。

１ガラス基板
１ａガラス基板の光半導体素子側の面（第１面）
１ｂガラス基板の光入射側の面（第２面）
２透明電極層（ＴＣＯ）
３半導体薄膜光電変換層
４裏面透明電極層
５裏面金属電極層
６ＴＣＯレーザースクライブ溝
７半導体薄膜光電変換層レーザースクライブ溝
８裏面透明電極層及び裏面金属電極レーザースクライブ溝
９太陽電池セル
１０光半導体素子
１１樹脂
１２バックシート
１３ガラス自体の表面凹凸
１４反射防止膜

Claims

太陽電池モジュールであって、第１及び第２の面を有するガラス基板と、前記第１の面上に形成された光半導体素子を備え、前記ガラス基板は、光が入射される前記第２の面に光散乱効果を持つ凹凸形状を備え、前記凹凸形状は前記ガラス基板それ自体を凹凸化させることで形成し、前記ガラス基板の凹凸化した前記第２表面に反射防止膜を形成したことを特徴とする太陽電池用ガラス基板製造方法。
太陽電池モジュールであって、第１及び第２の面を有するガラス基板と、前記第１の面上に形成された光半導体素子を備え、前記ガラス基板は、光が入射される前記第２の面に光散乱効果を持つ凹凸形状を備え、前記凹凸形状は前記ガラス基板それ自体を凹凸化させることで形成し、前記第１の面上に形成された光半導体素子のレーザースクライブによるモジュール化工程を実施した後に前記凹凸が形成されることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池用ガラス基板製造方法。
太陽電池モジュールであって、第１及び第２の面を有するガラス基板と、前記第１の面上に形成された光半導体素子を備え、前記ガラス基板は、光が入射される前記第２の面に光散乱効果を持つ凹凸形状を備え、前記凹凸形状は前記ガラス基板それ自体を凹凸化させることで形成し、前記ガラス基板の凹凸化した前記第２の表面に反射防止膜を形成し、前記反射防止膜の膜厚を太陽電池モジュールの出力電流が最も高くなる膜厚に制御したことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池用ガラス基板製造方法。