JP2012007920A - マイクロ流路デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明のマイクロ流路デバイスの製造方法は、一方の面に流路用溝が形成された樹脂基板と、前記流路用溝が形成された面を覆うように配置される樹脂フィルムとを、貼り合わせて接合体を得る貼着工程と、前記接合体を加熱処理する加熱工程とを有することを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
本発明の目的は、射出成形で得られる樹脂基板をマイクロ流路デバイスとして用いる場合であってもウェルドラインの発生が問題とならないようなマイクロ流路デバイスの製造方法を提供することにある。
(1)一方の面に流路用溝が形成された樹脂基板と、前記流路用溝が形成された面を覆うように配置される樹脂フィルムとを、貼り合わせて接合体を得る貼着工程と、前記接合体を、加熱処理する加熱工程とを有することを特徴とするマイクロ流路デバイスの製造方法。
(2)前記加熱工程は、前記樹脂フィルムのガラス転移温度Tfとしたとき、下記式[1]の関係を満足するものである上記(1)に記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
Tf−30≦Tf≦Tf+30 [1]
(3)前記樹脂フィルムの厚さは、0.01〜1mmである上記(1)または(2)に記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
(4)前記加熱工程の加熱時間は、10分間以上である上記(1)ないし(3)のいずれかに記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
(5)前記流路溝の深さは、0.01〜0.5mmである上記(1)ないし(4)のいずれかに記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
(6)前記樹脂基板は、射出成形により形成されたものである上記(1)ないし(5)のいずれかに記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
本発明のマイクロ流路デバイスの製造方法は、一方の面に流路用溝が形成された樹脂基板と、前記流路用溝が形成された面を覆うように配置される樹脂フィルムとを、貼り合わせて接合体を得る貼着工程と、前記接合体を加熱処理する加熱工程とを有することを特徴とする。
本発明のマイクロ流路デバイス100では、一方の面に流路用溝1が形成された樹脂基板2と、樹脂基板2の流路用溝1が形成された面を覆う樹脂フィルム3とで構成されている(図1)。
樹脂フィルム3の曲げ弾性率は、例えば試験法ASTM D790により測定することができる。
さらには、樹脂基板2がプラズマ処理等で表面処理されている場合には、表面処理
により樹脂本来の基底状態から活性化され、親水性が向上した表面を、元の基底状態に戻すことができる。
Tf−30≦Tf≦Tf+30 (1)
これにより、樹脂フィルム3のたわみを低減することができ、それによって流路の変形や樹脂フィルム3の変形を抑制することができる。
また、低温で接合できることと接着力の高いことから、紫外線硬化型接着剤、特にアクリル樹脂系の紫外線硬化型樹脂が好適に使用される。さらには接着前の接着面の表面処理、例えばプラズマ処理、紫外線処理、コロナ放電処理、エキシマー処理、各種プライマー処理、例えばカップリング剤処理、等に関しても特に限定しない。ただし硬化システムに関しては、接着剤に対応した硬化条件が選択される。
このようにして、本発明の製造方法により、性能に優れたマイクロ流路デバイス100を得ることができる。
具体的には微細流路部分に設計外の閉塞が無く、かつ微細流路部分に300kPaの圧力の水を流しても接合部が破損しない。バイオチップもしくはマイクロ分析チップとして用いる場合には、微細流路部分に液体や気体を流すが、それらの流体がチップの接合のときに設計した意図とは異なる微細流路の閉塞が生じることなく、かつ微細流路部分から液体や気体成分が漏れたりしないように実用上十分にシールされている。さらに、プランジャポンプ等でバイオチップもしくはマイクロ化学チップの流路に300kPaの水を流し、微細流路部分に設計どおり水が通るか、また微細流路部分が破損して水が漏れないかを顕微鏡観察で観測することにより確認できる。
2 樹脂基板
3 樹脂フィルム
100 マイクロ流路デバイス
Claims (6)
- 一方の面に流路用溝が形成された樹脂基板と、
前記流路用溝が形成された面を覆うように配置される樹脂フィルムとを、貼り合わせて接合体を得る貼着工程と、
前記接合体を、加熱処理する加熱工程とを有することを特徴とするマイクロ流路デバイスの製造方法。 - 前記加熱工程は、前記樹脂フィルムのガラス転移温度Tfとしたとき、下記の関係を満足するものである請求項1に記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
Tf−30≦Tf≦Tf+30 (1) - 前記樹脂フィルムの厚さは、0.01〜1mmである請求項1または2に記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
- 前記加熱工程の加熱時間は、10分間以上である請求項1ないし3のいずれかに記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
- 前記流路溝の深さは、0.01〜0.5mmである請求項1ないし4のいずれかに記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
- 前記樹脂基板は、射出成形により形成されたものである請求項1ないし5のいずれかに記載のマイクロ流路デバイスの製造方法。
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