JP2012004381A - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板を複数段に収納するロードロック室と、ロードロック室の一方側からロードロック室内外に基板を搬送するエンドエフェクタを備えた第1搬送アームを有する第1搬送機構と、ロードロック室の他方側からロードロック室内外に基板を搬送するエンドエフェクタを備えた第2搬送アームを有する第2搬送機構と、を備え、ロードロック室内の基板支持部に支持される基板の間に基板と離間して基板間の熱を遮る隔壁を設け、基板支持部と隔壁の間であってエンドエフェクタ待機空間と異なる箇所に隔壁上方に収納される基板に接近し基板の輻射熱を吸収する隔壁付帯部を有する。
【選択図】図1
Description
前記ロードロック室の一方側から前記ロードロック室内外に前記基板を搬送するエンドエフェクタを備えた第1搬送アームを有する第1搬送機構と、
前記ロードロック室の他方側から前記ロードロック室内外に前記基板を搬送するエンドエフェクタを備えた第2搬送アームを有する第2搬送機構と、を備えた基板処理装置であって、
前記ロードロック室内の基板支持部に支持される前記基板の間に、前記基板と離間して、前記基板間の熱を遮る隔壁を設け、
前記基板支持部と前記隔壁の間であって前記エンドエフェクタ待機空間と異なる箇所に、前記隔壁上方に収納される前記基板に接近し、前記基板の輻射熱を吸収する隔壁付帯部を有する基板処理装置が提供される。
基板を複数段に収納するロードロック室と、
前記ロードロック室の一方側から前記ロードロック室内と基板を処理する処理室内の間で前記基板を搬送するエンドエフェクタを備えた第1搬送アームを有する第1搬送機構と、
前記ロードロック室の他方側から前記ロードロック室内外に前記基板を搬送するエンドエフェクタを備えた第2搬送アームを有する第2搬送機構と、を備えた基板処理装置であって、
前記ロードロック室内の基板支持部に支持される前記基板間に、前記基板と離間して、前記基板間の熱を遮る隔壁を設け、
前記基板支持部と前記隔壁の間であって前記エンドエフェクタ待機空間と異なる箇所に、前記隔壁上方に収納される前記基板に接近し、前記基板の輻射熱を吸収する隔壁付帯部を有する基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記基板処理室で基板を加熱処理し、
前記処理室で処理された基板を前記第1搬送機構が前記処理室から搬出し、
前記第1搬送機構のエンドエフェクタを前記エンドエフェクタ待機空間に待機させるよう前記支持部に基板を載置する
半導体装置の製造方法が提供される。
以下に、本発明の第1の実施形態にかかる基板処理装置の構成、この基板処理装置を用
いた基板処理工程、基板処理方法および半導体装置の製造方法について説明する。
まず、本発明の第1の実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図1、図2を用いて説明する。図1は、本発明の第1の実施形態にかかるクラスタ型の基板処理装置の概要構成を示した上断面図である。図2は、本発明の第1の実施形態にかかる基板処理装置の概要構成を示した側断面図であり、一例として、プロセスチャンバ152からロードポートLP2までの断面図である。
クラスタ型の基板処理装置の真空側には、真空気密可能な第1搬送室としての真空搬送室110と、ロードロック室131、ロードロック室141と、基板としてのウエハWを処理する処理室としてのプロセスチャンバ151,152,153,154と、が設けられている。ロードロック室131、ロードロック室141、プロセスチャンバ151〜プロセスチャンバ154は真空搬送室110の外周に星状(クラスタ状)に配置されている。
る処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラ(MFC)、およびバルブ等を備えたガス導入機構、プロセスチャンバ151〜プロセスチャンバ154内の圧力を制御する図示しないオートプレッシャコントローラ(APC)、および圧力センサ等を備えたガス排気機構、プロセスチャンバ151〜プロセスチャンバ154内の温度を制御する図示しない温度調整器、図示しない処理ガスの供給や排気用バルブのオン/オフを制御するための入出力バルブI/O、高周波電力を供給してプロセスチャンバ151〜プロセスチャンバ154内にプラズマを生成するプラズマ放電機構、等が設けられている。
一方、クラスタ型の基板処理装置の大気側には、ロードロック室131、ロードロック室141に接続された第2搬送室としての大気搬送室120と、この大気搬送室120に接続されたロードポートLP1〜ロードポートLP4と、が設けられる。したがって、ロードロック室131、ロードロック室141は、プロセスチャンバ151〜プロセスチャンバ154から大気搬送室120までのウエハWの搬送経路上に設けられている。
基板処理装置101は、上述した各構成の動作を制御する制御部108を備える。
次に、上述の処理室(プロセスチャンバ151〜プロセスチャンバ154)を有する処理炉の一例について図3を用いて説明する。図3は、MMT装置の一例を示した概略断面図である。MMT装置とは、電界と磁界により高密度プラズマを生成できる変形マグネトロン型プラズマ源(Modified Magnetron Typed Plasma
Source)を用いて基板としてのウエハ等をプラズマ処理するような処理炉を有する基板処理装置をいう。このMMT装置では、気密性を確保した処理室内に基板を設置し、シャワーヘッドを介して反応ガスを処理室内に導入し、処理室をある一定の圧力に保ち、放電用電極に高周波電力を供給して電界を形成するとともに磁界をかけてマグネトロン
放電を起こす。放電用電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回することにより長寿命となって電離生成率を高めるので高密度プラズマを生成できる。このように反応ガスを励起分解させて基板表面を酸化または窒化等の拡散処理をする、または基板表面に薄膜を形成する、または基板表面をエッチングする等、基板へ各種のプラズマ処理を施すことができる。
弁であるバルブ243bを介して排気装置である真空ポンプ246に接続されている。
いように、電界や磁界を有効に遮蔽する遮蔽ボックス223が設けられている。
以下、前述の構成の基板処理装置101を使用した処理工程を前述の図1〜図3によって説明する。この処理工程において、基板処理装置101の各部の動作は制御部108によって制御される。
ブ165は閉じられており、真空搬送室110内の減圧雰囲気は維持される。
プロセスチャンバ151〜プロセスチャンバ154(処理室201)内で処理されたウ
エハWは、ロードロック室131、ロードロック室141内に搬入されるとき、高温になっている。そしてロードロック室131、ロードロック室141内には複数のウエハWが搬入されることがある。このとき、比較例のロードロック室(図4参照)では、ロードロック室内に搬入されたウエハWの熱の影響を相互に受けてしまう。例えば、減圧雰囲気では高温のウエハWからの輻射熱の影響を受け、大気圧力雰囲気に近づいていくと、高温のウエハWから雰囲気を介した熱伝導による熱の影響を受けるようになる。
図5〜図7に示すように、ロードロック室131(141)内には、主に、ウエハW間の熱を遮る隔壁171、ウエハWの輻射熱を吸収する隔壁付帯部172、およびウエハWを複数段に支持する基板支持部133が設けられている。更に、高さ方向では隔壁171と基板支持部133との間であり、水平方向では基板支持部133よりも隔壁中心方向の位置には、エンドエフェクタ待機空間が設定されている。エンドエフェクタ待機空間は、基板支持部133上に基板を支持する際に、エンドエフェクタが待機する空間である。また、ロードロック室131(141)の天井壁135(145)にはのぞき窓181が設けられている。
隔壁171は、ロードロック室131(141)内に収納されるウエハW間(ウエハW1とウエハW2との間)に、ウエハWと離間して設けられている。
隔壁付帯部172は、第1エンドエフェクタ115を有する第1搬送アーム113および図示しない第3エンドエフェクタ125を有する第3搬送アーム123のそれぞれの移動領域を除く領域に、言い換えるならば、隔壁上であって、エンドエフェクタ待機空間とは異なる領域に設けられる。特に、隔壁171上方に収納されるウエハW2に接近するように設けられている。例えば、エンドエフェクタ115のフィンガ間に設けられている。上記隔壁付帯部172は、隔壁171上に、隔壁171と別体に設けた構成であっても、一体に形成された構成であってもよい。また、隔壁付帯部172の周囲に隔壁171を設けた構成としてもよい。
基板支持部133(143)は、複数個(図示例では4個)で構成され、ロードロック室131(141)内の底壁134(144)にそれぞれ固定されて設けられている。基板支持部133(143)のウエハWを支持する上段のそれぞれの支持面133S(143S)は、隔壁付帯部172の上面172Sより高い位置にある。
また、ロードロック室131(141)の底壁134(144)には、上記隔壁付帯部172と同様の底壁付帯部173を設けることが好ましい。この場合も、底壁付帯部173と、底壁付帯部173の直上に収納されるウエハW1と、の距離は、0.5mm以上2mm以下とする。底壁付帯部173とその直上に収納されるウエハW1との距離を0.5mm以上としたことにより、ウエハW1が撓んだとしても底壁付帯部173に接触することはない。また、上記距離を2mm以下としたことにより、ウエハW1の輻射熱が底壁付帯部173によって効率よく吸収される。なお、上記距離を0.5mmよりも短くすると、ウエハW1が撓んだ場合に、ウエハW1の裏面が底壁付帯部173に接触して急速に冷却されることで、ウエハW1の反りが大きくなるという問題が生じる場合がある。また、ウエハW1の裏面は、底壁付帯部173に接触することで損傷する可能性がある。一方、上記距離が2mmを超えると、底壁付帯部173がウエハW1より離れすぎて輻射熱を吸収することが不利になる場合がある。
さらに、ロードロック室131(141)の底壁134(144)内には冷却媒体を流す図示しない流路が形成されていることが好ましい。この底壁134(144)に形成された流路は、上述の底壁付帯部173内に形成した流路と接続されていても、接続されていなくともよい。また上記ロードロック室131(141)のそれぞれの天井壁135(145)内にも、冷却媒体を流す流路136(146)を形成してもよい。いずれの流路も、基板支持部133(143)上に載置されるウエハWに対向する位置に設けることが好ましい。
続いて、図5および図7によって、のぞき窓181について説明する。なお、図7では、天井壁135(145)は示さず、天井壁135(145)に設けられるのぞき窓181を2点鎖線で示した。
次に、ロードロック室131内に処理済みのウエハWを搬入して冷却を開始してから、ロードロック室131内を大気圧に戻す過程を具体的に説明する。ロードロック室131内に、処理済みの2枚のウエハ(第1,第2のウエハ)Wを基板支持部133の下段と上段に載置する。例えば、先に第1のウエハWを搬入して基板支持部133の下段に載置する。その後、第1のウエハWよりも高温の第2のウエハWを搬入して基板支持部133の上段に載置する。ウエハWを基板支持部133に載置した際、のぞき窓181から、ウエハWが所定の位置に載置されているか否かを目視で確認することができる。なお、ウエハWがずれて載置されている場合は、そのウエハWの搬送をやり直すことが望ましい。減圧雰囲気では、第2のウエハWからの輻射熱は、隔壁171によって遮られ、かつ隔壁付帯部172によって吸収されるので、第1のウエハWは冷却速度を低下することなく冷却される。同時に、輻射熱を放出している第2のウエハWも隔壁付帯部172の吸熱作用等によって冷却される。そして、ロードロック室131内が大気圧雰囲気に近づいていくと、冷却媒体により冷却されている隔壁171および隔壁付帯部172から雰囲気を介した熱伝導によって、第1,第2のウエハWが冷却されるようになる。
帯部173によって吸収されるので、第2のウエハWは第1のウエハWの輻射熱に影響されることなく冷却される。同時に、輻射熱を放出する第1のウエハWも冷却される。そして、ロードロック室131内が大気圧雰囲気に近づいていくと、冷却媒体により冷却されている隔壁171と隔壁付帯部172と底壁付帯部173とから雰囲気を介した熱伝導によって、第1,第2のウエハWが冷却される。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。
熱効果によって、ウエハWの冷却速度を速めることができる。例えば、図8に示すように、真空搬送室110側から処理済みのウエハWをロードロック室131内に搬送して、基板支持部133の上段の支持面133S上に載置する。載置したときのウエハWの温度は350℃であった。その後、ゲートバルブ165を閉塞してロードロック室131内を大気圧状態に戻すべく、窒素もしくはクリーンエアをロードロック室131内に導入する。すると、88秒でウエハWの温度が所望の冷却温度である80℃になった。このように、350℃のウエハWを80℃まで冷却する冷却工程の冷却時間を約90秒にすることが可能になった。なお、冷却初期の冷却速度が速いのは、ロードロック室131内に導入された窒素もしくはクリーンエアによる冷却作用もある。
ぞき窓181から隔壁171に対するウエハWの位置関係が確認しやすくなる。またのぞき窓181は、ウエハWの外形と同一形状となる隔壁171の外形部分に対応する位置に配置されることから、隔壁171に対してウエハWがずれているか否かを視認することがより容易になる。
続いて、本発明の第2の実施形態として、ロードロック室131、ロードロック室141の第2の態様について、図9〜図13を参照して以下に説明する。
図9は、ロードロック室131(141)のガス導入系190と排気系191の一例を示したブロック図である。図9に示すように、ガス導入系190としては、ロードロック室131の上流側に、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ193を介して、窒素ガスが導入される配管192が設けられている。また排気系191としては、ロードロック室131の下流側に、メイン排気バルブ194を介して真空ポンプ195が接続されている。また、メイン排気バルブ194に並列にスロー排気バルブ196が接続されている。さらに、ロードロック室131とメイン排気バルブ194との間には、真空度を測定する真空計197が接続されている。
圧力と時間との関係図、図11(b)の窒素流量と時間との関係図によって、ロードロック室131内の真空引きについて説明する。ロードロック室131内の真空引きは、第1ステップS1では、メイン排気バルブ194を閉塞し、スロー排気バルブ196を開放する。この状態で、配管192より窒素ガスを導入する。その際、マスフローコントローラ193により流量を、例えば2sccmに制御する。このようにして、ロードロック室131内に窒素ガスを導入するとともに、スロー排気バルブ196を通してロードロック室131内に導入された窒素ガスを真空ポンプ195により排気する。そして、所定の真空度、例えば1000Paになったら、第2ステップS2に移行する。第2ステップS2では、メイン排気バルブ194を開放し、スロー排気バルブ196を閉塞して、上記同様に、配管192より窒素ガスを導入しつつ、マスフローコントローラ193により流量を、例えば2sccmに制御する。このようにして、ロードロック室131内に窒素ガスを導入するとともに、メイン排気バルブ194を通して、ロードロック室131内に導入された窒素ガスを真空ポンプ195により排気する。その際、真空計197によって真空度を測定し、所望の真空度(例えば、100Pa)になるまで、真空排気を継続する。そして、真空計197で計測される測定値が所望の真空度である例えば100Paになったら真空引きを終了する。上述の真空引きシーケンスは、上述の制御部108によって指示され、実行される。
続いて、本発明の第3の実施形態として、真空搬送室110の態様について、図14〜図15を参照して以下に説明する。
図14は、真空搬送室110の上部蓋118の開放方向を示した上断面図である。図14に示すように、真空搬送室110の上部蓋118は、開閉方向が自在な方向に設定可能なように構成されている。例えば、プロセスチャンバ151側、プロセスチャンバ152側、プロセスチャンバ153側、プロセスチャンバ154側、ロードロック室131、ロードロック室141側のそれぞれに上部蓋118を回動して開放可能とする図示しない回動支持部が設けられている。図面では、一例として、プロセスチャンバ154が取り外されている状態を示し、上部蓋118をプロセスチャンバ152側に開放した状態を示した。この状態では、真空搬送室110のメンテナンスを行う場合の作業エリアを、取り外したプロセスチャンバ154側にとることができ、さらに、上部蓋118がプロセスチャンバ152側に開放されていることから、プロセスチャンバ151とロードロック室131との間、プロセスチャンバ153のプロセスチャンバ154側、およびロードロック室141のプロセスチャンバ154側にとることができる。
続いて、本発明の第4の実施形態にかかる基板処理装置の構成を図16に示す。図16は、本発明の第4の実施形態にかかるインライン型の基板処理装置の概要構成を示した上断面図である。インライン型の基板処理装置も、真空側と大気側とに分れている。
インライン型基板処理装置の真空側には、2つの基板処理モジュールMD1,MD2が並列に設けられる。基板処理モジュールMD1は、基板としてのウエハWを処理する処理室としてのプロセスチャンバ151と、この前段に設けられたロードロック室131とを備えている。基板処理モジュールMD2も、MD1と同様に、プロセスチャンバ152と、ロードロック室141とを備えている。
大気搬送室120との間で、ウエハWの搬送を行うことが可能である。
インライン型基板処理装置の大気側には、ロードロック室131、ロードロック室141に接続された第2搬送室としての大気搬送室120と、この大気搬送室120に接続された基板収納容器(以下ポッドPD1,PD2)を載置する基板収納部としてのロードポートLP1,LP2と、が設けられている。
位置合わせ、等を行う図示しないオリフラ(Orientation Flat)合わせ装置が設けられている。
続いて、本発明のその他の実施形態として、処理炉の第2例および第3例について、図17〜図18を参照して以下に説明する。
図17に、第2例のMMT装置の概略断面図を示す。MMT装置は、処理室201が形成される処理容器203を有する。処理容器203は、第1の容器であるドーム型の上側容器210と、第2の容器である碗型の下側容器211と、により構成される。そして、上側容器210は下側容器211の上に被せられている。上側容器210は、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたは石英等の非金属材料で形成されている。下側容器211は、例えばアルミニウムで形成されている。また後述するヒータ一体型の基板保持具(基板保持部)であるサセプタ217を備えている。このサセプタ217を窒化アルミニウムや、セラミックスまたは石英等の非金属材料で形成することによって、処理の際に、基板としてのウエハWの膜中に取り込まれる金属汚染を低減している。
は、開閉弁であるバルブ243a、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ241を介して反応ガス230の供給源である図示しないガスボンベに接続されている。
が少なくとも3箇所に設けられている。そして、サセプタ昇降機構268によりサセプタ217が下降させられた時にはウエハ突上げピン266がサセプタ217と非接触な状態で貫通孔217aを突き抜けるような位置関係となるよう、貫通孔217aおよびウエハ突上げピン266が配置される。
図18に、第3例のMMT装置の概略断面図を示す。MMT装置は、処理室201が形成される処理容器203を有する。処理容器203は、第1の容器であるドーム型の上側容器210と、第2の容器である碗型の下側容器211と、により構成される。そして、上側容器210は下側容器211の上に被せられている。上側容器210は、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたは石英等の非金属材料で形成されている。下側容器211は、例えばアルミニウムで形成されている。また後述するヒータ一体型の基板保持具(基板保持部)であるサセプタ217を備えている。このサセプタ217を窒化アルミニウムや、セラミックスまたは石英等の非金属材料で形成することによって、処理の際に、基板としてのウエハWの膜中に取り込まれる金属汚染を低減している。
口235はガスを排気する排気管であるガス排気管231により圧力調整器であるAPC242、開閉弁であるバルブ243bを介して排気装置である真空ポンプ246に接続されている。
以下に本発明の好ましい態様について付記する。
基板を複数段に収納するロードロック室と、
前記ロードロック室の一方側から前記基板を搬出入する第1搬送アームを有する第1搬送機構と、
前記ロードロック室の他方側から前記基板を搬出入する第2搬送アームを有する第2搬送機構と、を備えた基板処理装置であって、
前記ロードロック室内に収納される前記基板間に、前記基板と離間して、前記基板間の熱を遮る隔壁を設け、
前記隔壁は、前記第1搬送アームおよび前記第2搬送アームのそれぞれの移動領域を除く領域に、前記隔壁上方に収納される前記基板に接近して、前記基板の輻射熱を吸収する隔壁付帯部を有する
基板処理装置である。
基板を処理する処理室に連通可能に接続した第1搬送室と、
前記第1搬送室に連通可能に設けた前記ロードロック室と、
前記ロードロック室に連通可能に設けた第2搬送室と、を備え、
前記第1搬送機構は、前記第1搬送室内に設けられ、前記基板の搬出入を前記処理室と前記ロードロック室との間で行い、
前記第2搬送機構は、前記第2搬送室内に設けられ、前記基板の搬出入を前記ロードロック室と前記第2搬送室との間で行う
第1の態様に記載の基板処理装置である。
基板を処理する処理室と、
前記処理室に連通可能に設けた前記ロードロック室と、
前記ロードロック室に連通可能に設けた第2搬送室と、を備え、
前記第1搬送機構は、前記ロードロック室内に設けられ、前記基板の搬出入を前記処理室と前記ロードロック室との間で行い、
前記第2搬送機構は、前記第2搬送室内に設けられ、前記基板の搬出入を前記ロードロック室と前記第2搬送室との間で行う
第1の態様に記載した基板処理装置である。
前記隔壁付帯部と、前記隔壁付帯部の直上に収納される前記基板と、の距離は、0.5mm以上2mm以下である
第1の態様から第3の態様のいずれかに記載した基板処理装置である。
前記隔壁内部は、冷却媒体が流れる流路が形成されている
第1の態様から第4の態様のいずれかに記載した基板処理装置である。
前記隔壁付帯部の表面は、黒化処理が施されている
第1の態様から第5の態様のいずれかに記載した基板処理装置である。
前記ロードロック室は、減圧可能に構成されている
第1の態様から第6の態様のいずれかに記載した基板処理装置である。
前記ロードロック室は、前記処理室から前記第2搬送室までの前記基板の搬送経路上に設けられる
第1の態様から第7の態様のいずれかに記載した基板処理装置である。
前記ロードロック室内に複数枚の前記基板を支持する基板支持部を設け、
前記隔壁上側に前記基板を支持する前記基板支持部の支持面は、前記隔壁付帯部の上面より高い位置にある
第1の態様から第8の態様のいずれかに記載した基板処理装置である。
前記基板支持部は、前記ロードロック室の壁に固定されている
第1の態様から第9の態様のいずれかに記載した基板処理装置である。
前記隔壁は前記基板の外形以上の大きさに形成される
第1の態様から第10の態様のいずれかに記載した基板処理装置である。
前記隔壁の外形の一部は前記基板の外形の一部と同一形状を成し、
前記ロードロック室は、前記基板の表面もしくは裏面と対向する壁に、前記隔壁の外形の一部と前記基板の外形の一部との重なり状態を視認するのぞき窓を有する
第1の態様から第11の態様のいずれかに記載した基板処理装置である。
前記基板の外形と同一形状となる前記隔壁の外形部分は、前記ロードロック室内に載置された前記基板の中心に対して対称となる位置に配置される
第12の態様に記載した基板処理装置である。
前記のぞき窓は、前記基板の外形と同一形状となる前記隔壁の外形部分に対応する位置に配置される
第12の態様または第13の態様に記載した基板処理装置である。
前記ロードロック室に窒素を供給するガス供給系と、
前記ロードロック室にメイン排気バルブとスロー排気バルブとを並列に介して接続された真空ポンプと、
前記メイン排気バルブと前記スロー排気バルブとを制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記メイン排気バルブを閉め、前記スロー排気バルブを開けて、前記真空ポンプにより前記ロードロック室内の雰囲気を排気する第1ステップと、
前記ロードロック室内が所定の圧力になった後、前記メイン排気バルブを開け、前記スロー排気バルブを閉めて、前記真空ポンプにより前記ロードロック室内の雰囲気を排気し、前記ロードロック室内を所定の圧力に減圧する第2ステップと、を有する前記ロードロック室の真空引きシーケンスを有し、
前記第1ステップの初めから前記第2ステップの終了まで前記ガス供給系により前記ロードロック室内に窒素ガスを供給する
第1の態様または第14の態様のうちのいずれか一つの態様に記載した基板処理装置である。
前記真空搬送室の上部蓋は、開閉方向が自在に設定可能に構成されている
第1の態様または第15の態様のうちのいずれか一つの態様に記載した基板処理装置である。
110 真空搬送室(第1搬送室)
113 第1搬送アーム
114 第2搬送アーム
120 大気搬送室(第2搬送室)
123 第3搬送アーム
124 第4搬送アーム
112 真空搬送ロボット(第1搬送機構)
122 大気搬送ロボット(第2搬送機構)
131,141 ロードロック室
151,152,153,154 プロセスチャンバ(処理室)
171 隔壁
172 隔壁付帯部
W ウエハ
Claims (4)
- 基板を複数段に収納するロードロック室と、
前記ロードロック室の一方側から前記ロードロック室内外に前記基板を搬送するエンドエフェクタを備えた第1搬送アームを有する第1搬送機構と、
前記ロードロック室の他方側から前記ロードロック室内外に前記基板を搬送するエンドエフェクタを備えた第2搬送アームを有する第2搬送機構と、を備えた基板処理装置であって、
前記ロードロック室内の基板支持部に支持される前記基板の間に、前記基板と離間して、前記基板間の熱を遮る隔壁を設け、
前記基板支持部と前記隔壁の間であって前記エンドエフェクタ待機空間と異なる箇所に、前記隔壁上方に収納される前記基板に接近し、前記基板の輻射熱を吸収する隔壁付帯部を有する
基板処理装置。 - 前記ロードロック室内に複数枚の前記基板を支持する前記基板支持部であって
前記隔壁上側に前記基板を支持する前記基板支持部の支持面は、前記隔壁付帯部の上面より高い位置に設けられる
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記隔壁は前記基板の外形以上の大きさに形成される
請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。 - 基板を複数段に収納するロードロック室と、
前記ロードロック室の一方側から前記ロードロック室内と基板を処理する処理室内の間で前記基板を搬送するエンドエフェクタを備えた第1搬送アームを有する第1搬送機構と、
前記ロードロック室の他方側から前記ロードロック室内外に前記基板を搬送するエンドエフェクタを備えた第2搬送アームを有する第2搬送機構と、を備えた基板処理装置であって、
前記ロードロック室内の基板支持部に支持される前記基板間に、前記基板と離間して、前記基板間の熱を遮る隔壁を設け、
前記基板支持部と前記隔壁の間であって前記エンドエフェクタ待機空間と異なる箇所に、前記隔壁上方に収納される前記基板に接近し、前記基板の輻射熱を吸収する隔壁付帯部を有する基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記基板処理室で基板を加熱処理し、
前記処理室で処理された基板を前記第1搬送機構が前記処理室から搬出し、
前記第1搬送機構のエンドエフェクタを前記エンドエフェクタ待機空間に待機させるよう前記支持部に基板を載置する
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