JP2012002746A - X線回折測定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基材5の表面に薄膜7が形成された薄膜材料3を、X線の照射面積を超える中空を有する試料台1に固定して、薄膜7の回折X線を測定するX線回折測定方法において、薄膜材料3の初期設定面に対して入射されるX線の薄膜7への正射影線9を回転軸として薄膜材料3を回転させ、薄膜7にX線が入射される測定面を該薄膜の初期設定面に対して傾斜させた状態でX線を薄膜7に入射させ、薄膜7の回折X線を測定する。
【選択図】 図3
Description
1.試料台
2.X線回折測定方法
3.他の実施の形態
4.実施例
本実施の形態に係るX線回折測定方法では、例えば、図1及び図2に示すように、試料となる薄膜材料3が試料台1に固定された状態で回折X線の測定を行う。
X線回折測定方法では、例えば、図3に示すように、試料台1が載置されるステージ11と、X線を照射する照射部13と、薄膜材料3からの回折X線を検出する検出部15とを備えるX線回折装置20が用いられる。ステージ11は、ステージ11の角度を変更するための駆動部(図示せず)と接続されている。
上記説明において、試料台1の形状は、円筒状であるものとして説明したが、これに限定されるものではない。例えば、試料台1の形状は、中空部を有する他の形状、例えば、角筒状であってもよい。
(試料)
厚さが60μmのポリエチレンテレフタレート製樹脂の表面に、タングステン酸化物微粒子が10nmの厚さで塗布された薄膜材料を、25mm×25mmの大きさに切断し、試料とした。なお、ポリエチレンテレフタレート樹脂は、上述したように延伸される方向に対応して分子構造が配向した周期構造を有する。また、塗布されたタングステン酸化物微粒子の薄膜は、ポリエチレンテレフタレート樹脂のように結晶構造に顕著な配向は有していない。
試料台としては、外径20mm、内径16mm、高さ5mmのアルミニウム製の円筒状の冶具を用いた。
試料台の片面と試料との間に両面テープを位置させることにより、初期設定面が水平面となるように試料を試料台に固定した。
試料が固定された試料台をX線回折装置(装置名:D8 DISCOVER、ブルカー・エイエックスエス株式会社製)のステージに設置した。入射X線の試料への正射影線を回転軸として、試料が水平面に対して40°傾斜するようにステージを回転させて固定した。X線回折測定は、出力50kV−22mA、X線波長1.54056オングストローム、入射X線径300μmに設定して反射法により行った。
比較例1では、X線回折測定時に、試料を傾斜させないこと以外は、実施例1と同様に行った。
比較例1で得られたX線回折プロファイルを図4に、実施例1で得られたX線回折プロファイルを図5にそれぞれ示す。図4及び図5において、横軸は入射角θの2倍となる2θを示し、縦軸は回折強度(検出強度)を示す。
Claims (3)
- 結晶構造または分子構造が特定方向に配向した周期構造を有した基材の表面に金属または金属化合物の薄膜が形成された薄膜材料を、X線の照射面積を超える中空を有する試料台に固定して、該薄膜の回折X線を測定するX線回折測定方法において、
前記薄膜材料の初期設定面に対して入射されるX線の前記薄膜への正射影線を回転軸として該薄膜材料を回転させ、該薄膜にX線が入射される測定面を該薄膜の初期設定面に対して傾斜させた状態でX線を該薄膜に入射させ、該薄膜の回折X線を測定することを特徴とするX線回折測定方法。 - 前記傾斜の角度は、5°以上50°以下であることを特徴とする請求項1記載のX線回折測定方法。
- 前記試料台の形状は、円筒状または角筒状であることを特徴とする請求項1又は2記載のX線回折測定方法。
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