JP2002031609A - 結晶構造解析方法 - Google Patents
結晶構造解析方法Info
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B5/00—Measuring arrangements characterised by the use of mechanical techniques
- G01B5/28—Measuring arrangements characterised by the use of mechanical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
Abstract
(57)【要約】
【課題】結晶構造を詳細に解析することができる結晶構
造解析方法を提供する。 【解決手段】ＳＢＴ薄膜１の傾き角ψを０度≦ψ≦９０
度の範囲内において１度間隔で変化させるとともに、入
射Ｘ線５の入射角度θを０度≦θ≦９０度の範囲内にお
いて０．０２５度間隔で変化させながら、ＳＢＴ薄膜１
に入射Ｘ線５を照射する。
造解析方法を提供する。 【解決手段】ＳＢＴ薄膜１の傾き角ψを０度≦ψ≦９０
度の範囲内において１度間隔で変化させるとともに、入
射Ｘ線５の入射角度θを０度≦θ≦９０度の範囲内にお
いて０．０２５度間隔で変化させながら、ＳＢＴ薄膜１
に入射Ｘ線５を照射する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶構造を有する
試料にＸ線を照射し、前記試料で回折したＸ線を検出
し、該検出されたＸ線の強度に基づいて前記試料の結晶
構造を解析する結晶構造解析方法に関する。
試料にＸ線を照射し、前記試料で回折したＸ線を検出
し、該検出されたＸ線の強度に基づいて前記試料の結晶
構造を解析する結晶構造解析方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、結晶性を示す薄膜の結晶相を
解析する方法として、Ｘ線をθ−２θスキャンで走査す
るＸ線回折法が知られている。
解析する方法として、Ｘ線をθ−２θスキャンで走査す
るＸ線回折法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】結晶性を示す薄膜は、
成膜条件により、異なる結晶相を示す場合が少なくな
い。例えば、Ｐｔ／ＴｉＯ２／（００１）Ｓｉ基板上に
ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（以下、ＳＢＴと呼ぶ）薄膜を成
膜すると、このＳＢＴ薄膜は、多くの場合ＳＢＴ相と呼
ばれる結晶相を示すことが知られているが、成膜時の温
度変化等の影響を受け、フローライト相と呼ばれる、Ｓ
ＢＴ相とは異なる結晶相も形成される。このＳＢＴ薄膜
は、フローライト相の回折線の現れる角度（２θ）が、
ＳＢＴ相の回折線の現れる角度に近接しているため、上
記のＸ線回折法では、フローライト相とＳＢＴ相との判
別が極めて難しい。このように、異なる結晶相の回折線
が互いに近接した角度で現れてしまうと、結晶相の判別
ができなくなり、結晶構造の詳細な解析が難しいという
問題がある。
成膜条件により、異なる結晶相を示す場合が少なくな
い。例えば、Ｐｔ／ＴｉＯ２／（００１）Ｓｉ基板上に
ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（以下、ＳＢＴと呼ぶ）薄膜を成
膜すると、このＳＢＴ薄膜は、多くの場合ＳＢＴ相と呼
ばれる結晶相を示すことが知られているが、成膜時の温
度変化等の影響を受け、フローライト相と呼ばれる、Ｓ
ＢＴ相とは異なる結晶相も形成される。このＳＢＴ薄膜
は、フローライト相の回折線の現れる角度（２θ）が、
ＳＢＴ相の回折線の現れる角度に近接しているため、上
記のＸ線回折法では、フローライト相とＳＢＴ相との判
別が極めて難しい。このように、異なる結晶相の回折線
が互いに近接した角度で現れてしまうと、結晶相の判別
ができなくなり、結晶構造の詳細な解析が難しいという
問題がある。
【０００４】本発明は、上記の事情に鑑み、結晶構造を
詳細に解析することができる結晶構造解析方法を提供す
ることを目的とする。
詳細に解析することができる結晶構造解析方法を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の結晶構造解析方法は、結晶構造を有する試料にＸ線
を照射し、前記試料で回折したＸ線を検出し、該検出さ
れたＸ線の強度に基づいて前記試料の結晶構造を解析す
る結晶構造解析方法であって、前記検出されたＸ線のう
ち、第１の結晶面間隔で並ぶ第１の結晶面で回折した第
１のＸ線の強度と、前記第１の結晶面に対し斜めに広が
り第２の結晶面間隔で並ぶ第２の結晶面で回折した第２
のＸ線の強度とに基づいて、前記試料の結晶構造を解析
することを特徴とする。
明の結晶構造解析方法は、結晶構造を有する試料にＸ線
を照射し、前記試料で回折したＸ線を検出し、該検出さ
れたＸ線の強度に基づいて前記試料の結晶構造を解析す
る結晶構造解析方法であって、前記検出されたＸ線のう
ち、第１の結晶面間隔で並ぶ第１の結晶面で回折した第
１のＸ線の強度と、前記第１の結晶面に対し斜めに広が
り第２の結晶面間隔で並ぶ第２の結晶面で回折した第２
のＸ線の強度とに基づいて、前記試料の結晶構造を解析
することを特徴とする。
【０００６】本発明では、第１の結晶面間隔で並ぶ第１
の結晶面で回折した第１のＸ線の強度だけでなく、前記
第１の結晶面に対し斜めに広がり第２の結晶面間隔で並
ぶ第２の結晶面で回折した第２のＸ線の強度を検出し
て、前記試料の結晶構造を解析している。このように、
互いに斜めに広がる第１及び第２の結晶面で回折したＸ
線の強度を検出することにより、従来と比較して結晶構
造を詳細に解析することができる。
の結晶面で回折した第１のＸ線の強度だけでなく、前記
第１の結晶面に対し斜めに広がり第２の結晶面間隔で並
ぶ第２の結晶面で回折した第２のＸ線の強度を検出し
て、前記試料の結晶構造を解析している。このように、
互いに斜めに広がる第１及び第２の結晶面で回折したＸ
線の強度を検出することにより、従来と比較して結晶構
造を詳細に解析することができる。
【０００７】ここで、本発明の結晶構造解析方法は、前
記試料に対し異なる角度で交差する複数の面内それぞれ
において、前記試料に対し異なる入射角度でＸ線を前記
試料に照射し該試料で回折したＸ線を検出することが好
ましい。
記試料に対し異なる角度で交差する複数の面内それぞれ
において、前記試料に対し異なる入射角度でＸ線を前記
試料に照射し該試料で回折したＸ線を検出することが好
ましい。
【０００８】このようにすることにより、互いに斜めに
広がる第１及び第２の結晶面で回折したＸ線を容易に検
出することができる。
広がる第１及び第２の結晶面で回折したＸ線を容易に検
出することができる。
【０００９】ここで、本発明の結晶構造解析方法は、前
記試料に対するＸ線の入射角度を、前記第１のＸ線が前
記試料に入射するときの入射角度と前記第２のＸ線が前
記試料に入射するときの入射角度との間の角度範囲内で
変更することが好ましい。
記試料に対するＸ線の入射角度を、前記第１のＸ線が前
記試料に入射するときの入射角度と前記第２のＸ線が前
記試料に入射するときの入射角度との間の角度範囲内で
変更することが好ましい。
【００１０】上記の角度範囲内でＸ線の入射角度を変更
することにより、第１及び第２の結晶面とは別の結晶面
で回折したＸ線を検出することも可能となる。
することにより、第１及び第２の結晶面とは別の結晶面
で回折したＸ線を検出することも可能となる。
【００１１】ここで、本発明の結晶構造解析方法は、前
記複数の面が、前記試料に対し０度〜９０度の範囲内で
互いに交差するものであり、前記試料に対するＸ線の入
射角度を０度〜９０度の角度範囲内で変更することが好
ましい。
記複数の面が、前記試料に対し０度〜９０度の範囲内で
互いに交差するものであり、前記試料に対するＸ線の入
射角度を０度〜９０度の角度範囲内で変更することが好
ましい。
【００１２】このようにすることにより、試料の結晶構
造を更に詳細に解析することができる。
造を更に詳細に解析することができる。
【００１３】また、本発明の結晶構造解析方法は、前記
試料に交差する１つの面内において前記試料を異なる傾
き角に傾け、各傾き角で傾けられた前記試料それぞれに
対し前記１つの面内において異なる入射角度でＸ線を前
記試料に照射し該試料で回折したＸ線を検出してもよ
い。
試料に交差する１つの面内において前記試料を異なる傾
き角に傾け、各傾き角で傾けられた前記試料それぞれに
対し前記１つの面内において異なる入射角度でＸ線を前
記試料に照射し該試料で回折したＸ線を検出してもよ
い。
【００１４】前記試料に交差する１つの面を考え、この
１つの面内において、傾き角及び入射角度を変更して
も、互いに斜めに広がる第１及び第２の結晶面で回折し
たＸ線の強度を検出することができ、従来と比較して結
晶構造を詳細に解析することができる。
１つの面内において、傾き角及び入射角度を変更して
も、互いに斜めに広がる第１及び第２の結晶面で回折し
たＸ線の強度を検出することができ、従来と比較して結
晶構造を詳細に解析することができる。
【００１５】ここで、本発明の結晶構造解析方法は、前
記試料がビスマス層状化合物であることが好ましい。
記試料がビスマス層状化合物であることが好ましい。
【００１６】ビスマス（Ｂｉ）層状化合物は、例えば、
ＳＢＴ相、フローライト相、及びパイロクロア相などの
様々な結晶相を示す物質である。従来では、試料が複数
の結晶相を示す可能性がある場合、この試料の結晶相を
判別することは極めて難しかったが、本発明を用いるこ
とにより、例えばＢｉ層状化合物などの様々な結晶相を
示す試料であっても、この試料の結晶相を高精度で判別
することができる。
ＳＢＴ相、フローライト相、及びパイロクロア相などの
様々な結晶相を示す物質である。従来では、試料が複数
の結晶相を示す可能性がある場合、この試料の結晶相を
判別することは極めて難しかったが、本発明を用いるこ
とにより、例えばＢｉ層状化合物などの様々な結晶相を
示す試料であっても、この試料の結晶相を高精度で判別
することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、ＳＢＴ薄膜の結晶構造を解析する例を取り上げて説
明するが、本発明の結晶構造解析方法は、結晶構造を形
成する試料であればＳＢＴ薄膜以外の試料の結晶構造を
解析するのにも用いることができる。
て、ＳＢＴ薄膜の結晶構造を解析する例を取り上げて説
明するが、本発明の結晶構造解析方法は、結晶構造を形
成する試料であればＳＢＴ薄膜以外の試料の結晶構造を
解析するのにも用いることができる。
【００１８】図１は、本発明の一実施形態の結晶構造解
析方法を用いて、ＳＢＴ薄膜の結晶構造を解析するとき
の方法を示す概念図である。本実施形態では、従来から
知られているθ−２θスキャンで走査するＸ線回折法を
応用することにより、結晶構造を解析している。
析方法を用いて、ＳＢＴ薄膜の結晶構造を解析するとき
の方法を示す概念図である。本実施形態では、従来から
知られているθ−２θスキャンで走査するＸ線回折法を
応用することにより、結晶構造を解析している。
【００１９】図１には、ＳＢＴ薄膜１が示されている。
このＳＢＴ薄膜１は、交点Ｐで互いに垂直に交わるＸ−
Ｘ軸及びＹ−Ｙ軸で決まる平面内に配置されている。ま
た、このＳＢＴ薄膜１は、Ｘ−Ｘ軸を中心軸として回転
自在に傾けられる。ＳＢＴ薄膜１が水平に配置された状
態から（水平に配置されたＳＢＴ薄膜は、実線で示され
ている）、Ｙ−Ｙ軸がＹ’−Ｙ’軸で表される位置に配
置されるまでＳＢＴ薄膜１を傾けたとき、ＳＢＴ薄膜１
の傾き角は、Ｙ−Ｙ軸とＹ’−Ｙ’軸とのなす角ψで表
される。図１には、傾き角ψだけ傾いた状態のＳＢＴ薄
膜１が破線で示されている。ここで、Ｘ−Ｘ軸を含み、
水平に配置された状態のＳＢＴ薄膜１に対し垂直に広が
る平面４を考え、この平面４の面内において、入射角度
θをＳＢＴ薄膜１に対して変更しながら、Ｘ線装置２か
ら所定位置Ｐに入射Ｘ線５を照射する。また、この平面
４の面内において、入射Ｘ線５の入射方向に対し散乱角
度２θ傾いた方向には、ＳＢＴ薄膜１で散乱した散乱Ｘ
線６を検出する検出器３が備えられている。従って、入
射Ｘ線５をＳＢＴ薄膜１に入射させると、入射Ｘ線５の
入射方向に対し散乱角度２θ傾いた方向に散乱した散乱
Ｘ線６が、検出器３で検出される。本実施形態では、Ｓ
ＢＴ薄膜１の傾き角ψを、０度≦ψ≦９０度の範囲内に
おいて１度間隔で変化させており、傾き角ψを１度変化
させる毎に、入射Ｘ線５の入射角度θを０度≦θ≦９０
度の範囲内で変化させて、ＳＢＴ薄膜１で散乱した散乱
Ｘ線６を検出器３で検出している。入射角度θを変更す
るためには、例えば、θ方向にＳＢＴ薄膜１を傾けた
り、θ方向にＸ線装置２を移動させればよい。このと
き、検出器３をθ（２θ）方向に移動させることによ
り、散乱角度２θ傾いた方向に散乱した散乱Ｘ線６を検
出することができる。
このＳＢＴ薄膜１は、交点Ｐで互いに垂直に交わるＸ−
Ｘ軸及びＹ−Ｙ軸で決まる平面内に配置されている。ま
た、このＳＢＴ薄膜１は、Ｘ−Ｘ軸を中心軸として回転
自在に傾けられる。ＳＢＴ薄膜１が水平に配置された状
態から（水平に配置されたＳＢＴ薄膜は、実線で示され
ている）、Ｙ−Ｙ軸がＹ’−Ｙ’軸で表される位置に配
置されるまでＳＢＴ薄膜１を傾けたとき、ＳＢＴ薄膜１
の傾き角は、Ｙ−Ｙ軸とＹ’−Ｙ’軸とのなす角ψで表
される。図１には、傾き角ψだけ傾いた状態のＳＢＴ薄
膜１が破線で示されている。ここで、Ｘ−Ｘ軸を含み、
水平に配置された状態のＳＢＴ薄膜１に対し垂直に広が
る平面４を考え、この平面４の面内において、入射角度
θをＳＢＴ薄膜１に対して変更しながら、Ｘ線装置２か
ら所定位置Ｐに入射Ｘ線５を照射する。また、この平面
４の面内において、入射Ｘ線５の入射方向に対し散乱角
度２θ傾いた方向には、ＳＢＴ薄膜１で散乱した散乱Ｘ
線６を検出する検出器３が備えられている。従って、入
射Ｘ線５をＳＢＴ薄膜１に入射させると、入射Ｘ線５の
入射方向に対し散乱角度２θ傾いた方向に散乱した散乱
Ｘ線６が、検出器３で検出される。本実施形態では、Ｓ
ＢＴ薄膜１の傾き角ψを、０度≦ψ≦９０度の範囲内に
おいて１度間隔で変化させており、傾き角ψを１度変化
させる毎に、入射Ｘ線５の入射角度θを０度≦θ≦９０
度の範囲内で変化させて、ＳＢＴ薄膜１で散乱した散乱
Ｘ線６を検出器３で検出している。入射角度θを変更す
るためには、例えば、θ方向にＳＢＴ薄膜１を傾けた
り、θ方向にＸ線装置２を移動させればよい。このと
き、検出器３をθ（２θ）方向に移動させることによ
り、散乱角度２θ傾いた方向に散乱した散乱Ｘ線６を検
出することができる。
【００２０】図２は、水平に保持された（ψ＝０度）Ｓ
ＢＴ薄膜１をＸ−Ｘ’軸方向から見た概略図である。
ＢＴ薄膜１をＸ−Ｘ’軸方向から見た概略図である。
【００２１】ＳＢＴ薄膜１の傾き角ψ＝０度のときに、
結晶面間隔がｄ１で並ぶ多数の結晶面１１（実線で示さ
れている）が、ＳＢＴ薄膜１の表面に対して平行に配置
される場合を考える。平面４は、結晶面１１に対し垂直
に広がる面であり、さらに、この平面４は、図１に示す
ように、Ｘ線装置２が照射する入射Ｘ線５と、検出器３
が検出する散乱Ｘ線６とを含んで広がる面である（この
平面４を散乱面と呼ぶ）。従って、検出器３は、結晶面
１１で散乱したＸ線を検出する。このため、入射角度θ
及び結晶面１１の面間隔ｄ１が、以下の（１）式で示さ
れるブラッグの式を満足する場合、各結晶面１１で回折
した散乱Ｘ線６は強め合い、この強めあった散乱Ｘ線６
が検出器３で検出される。 ２ｄｓｉｎθ＝ｎλ…（１）
結晶面間隔がｄ１で並ぶ多数の結晶面１１（実線で示さ
れている）が、ＳＢＴ薄膜１の表面に対して平行に配置
される場合を考える。平面４は、結晶面１１に対し垂直
に広がる面であり、さらに、この平面４は、図１に示す
ように、Ｘ線装置２が照射する入射Ｘ線５と、検出器３
が検出する散乱Ｘ線６とを含んで広がる面である（この
平面４を散乱面と呼ぶ）。従って、検出器３は、結晶面
１１で散乱したＸ線を検出する。このため、入射角度θ
及び結晶面１１の面間隔ｄ１が、以下の（１）式で示さ
れるブラッグの式を満足する場合、各結晶面１１で回折
した散乱Ｘ線６は強め合い、この強めあった散乱Ｘ線６
が検出器３で検出される。 ２ｄｓｉｎθ＝ｎλ…（１）
【００２２】ここで、ｄ；結晶面間隔、θ；入射角度、
λ；Ｘ線の波長である。
λ；Ｘ線の波長である。
【００２３】Ｘ線の波長λは既知であり、入射角度θ
は、検出器３で散乱Ｘ線６が検出されたときの入射Ｘ線
５の角度であるため、入射角度θの値はわかる。従っ
て、（１）式から、結晶面１１の結晶面間隔ｄ１が求め
られる。
は、検出器３で散乱Ｘ線６が検出されたときの入射Ｘ線
５の角度であるため、入射角度θの値はわかる。従っ
て、（１）式から、結晶面１１の結晶面間隔ｄ１が求め
られる。
【００２４】ところが、結晶面１１に対して斜めに傾
き、結晶面間隔ｄ２で並ぶ結晶面１２（破線で示されて
いる）について考えると、この結晶面１２で散乱したＸ
線は、平面４から外れた方向に散乱する。従って、入射
角度θを変化しただけでは、結晶面１２で散乱したＸ線
は検出されず、この結晶面１２の結晶面間隔ｄ２を求め
ることができない。つまり、互いに斜めに広がる結晶面
１１及び１２が存在した場合、入射角度θを変化させた
だけでは、いずれか一方の結晶面のみの情報しか得られ
ない。
き、結晶面間隔ｄ２で並ぶ結晶面１２（破線で示されて
いる）について考えると、この結晶面１２で散乱したＸ
線は、平面４から外れた方向に散乱する。従って、入射
角度θを変化しただけでは、結晶面１２で散乱したＸ線
は検出されず、この結晶面１２の結晶面間隔ｄ２を求め
ることができない。つまり、互いに斜めに広がる結晶面
１１及び１２が存在した場合、入射角度θを変化させた
だけでは、いずれか一方の結晶面のみの情報しか得られ
ない。
【００２５】そこで、本実施形態では、入射角度θを変
化させるだけでなく、傾き角ψも変化させている。結晶
面１１に対し垂直に広がる平面４の他に、結晶面１２に
対し垂直に広がる平面４’（破線で示されている）を考
え、Ｙ−Ｙ軸及びＹ’−Ｙ’軸（図１参照）を含みこの
平面４内に垂直に交わる面内においてＳＢＴ薄膜１を傾
き角ψだけ傾けることにより、入射Ｘ線５及び散乱Ｘ線
６の経路は、結晶面１１に垂直な平面４から外れ、結晶
面１２に対し垂直な平面４’内に入射Ｘ線５及び散乱Ｘ
線６の経路が形成される。これにより、図３に示すよう
に、結晶面１１に代わり、結晶面１２が水平に配置され
る。従って、結晶面１１に関する情報（例えば結晶面間
隔ｄ１）だけでなく、結晶面１２に関する情報（例えば
結晶面間隔ｄ２）も得ることができる。尚、傾き角ψ
は、ＳＢＴ薄膜１を固定しておき、Ｘ−Ｘ軸に対しＸ線
装置２及び検出器３を回転させることにより変更しても
よい。
化させるだけでなく、傾き角ψも変化させている。結晶
面１１に対し垂直に広がる平面４の他に、結晶面１２に
対し垂直に広がる平面４’（破線で示されている）を考
え、Ｙ−Ｙ軸及びＹ’−Ｙ’軸（図１参照）を含みこの
平面４内に垂直に交わる面内においてＳＢＴ薄膜１を傾
き角ψだけ傾けることにより、入射Ｘ線５及び散乱Ｘ線
６の経路は、結晶面１１に垂直な平面４から外れ、結晶
面１２に対し垂直な平面４’内に入射Ｘ線５及び散乱Ｘ
線６の経路が形成される。これにより、図３に示すよう
に、結晶面１１に代わり、結晶面１２が水平に配置され
る。従って、結晶面１１に関する情報（例えば結晶面間
隔ｄ１）だけでなく、結晶面１２に関する情報（例えば
結晶面間隔ｄ２）も得ることができる。尚、傾き角ψ
は、ＳＢＴ薄膜１を固定しておき、Ｘ−Ｘ軸に対しＸ線
装置２及び検出器３を回転させることにより変更しても
よい。
【００２６】ところで、ＳＢＴ薄膜１は、ＳＢＴ相と呼
ばれる結晶相を示すことが知られているが、ＳＢＴ相の
他にも、フローライト相と呼ばれる結晶相を示す場合も
ある。ＳＢＴ相は、一般的に、（１１５）面に配向しや
すく（つまり、（１１５）面が、ＳＢＴ薄膜１が成膜さ
れる基板の表面に対して平行に成長しやすい）、一方、
フローライト相は、（１１１）面に配向しやすいといわ
れている。ＳＢＴ相の（１１５）面で散乱したＸ線がブ
ラッグの条件を満たす場合、散乱角度２θは２θ＝２
８．９度であり、一方、フローライト相の（１１１）面
で散乱したＸ線がブラッグの条件を満たす場合、散乱角
度２θは２θ＝２７．９度である。このように、ＳＢＴ
相の（１１５）面及びフローライト相の（１１１）面で
は、ブラッグの条件を満たす散乱角度２θが、互いに近
接している。従って、散乱角度２θ＝２８度付近にＸ線
回折線が得られただけでは、ＳＢＴ相の（１１５）面に
よる回折線なのか、フローライト相の（１１１）面によ
る回折線なのかを判定することができない。さらに、Ｓ
ＢＴ薄膜１は、成膜時の温度変化等の影響を受け、ＳＢ
Ｔ相とフローライト相とが混在した相状態を示す場合も
ある。従って、散乱角度２θ＝２８度付近にＸ線回折線
が得られた場合、ＳＢＴ薄膜１が、ＳＢＴ相のみ又はフ
ローライト相のみを有するという可能性の他に、ＳＢＴ
相びフローライト相が混在するという可能性もあり、従
来のθ−２θ法では、ＳＢＴ薄膜１の結晶相の判別をす
ることができない。また、ＳＢＴ薄膜１は、その成膜条
件や、ＳＢＴ薄膜１に含まれるＳｉ、Ｂｉ、Ｔａ及びＯ
の比率が変化すると、配向しやすい結晶面も変化する可
能性がある。このようなことも、ＳＢＴ薄膜１の結晶相
の判別を難しくしている。
ばれる結晶相を示すことが知られているが、ＳＢＴ相の
他にも、フローライト相と呼ばれる結晶相を示す場合も
ある。ＳＢＴ相は、一般的に、（１１５）面に配向しや
すく（つまり、（１１５）面が、ＳＢＴ薄膜１が成膜さ
れる基板の表面に対して平行に成長しやすい）、一方、
フローライト相は、（１１１）面に配向しやすいといわ
れている。ＳＢＴ相の（１１５）面で散乱したＸ線がブ
ラッグの条件を満たす場合、散乱角度２θは２θ＝２
８．９度であり、一方、フローライト相の（１１１）面
で散乱したＸ線がブラッグの条件を満たす場合、散乱角
度２θは２θ＝２７．９度である。このように、ＳＢＴ
相の（１１５）面及びフローライト相の（１１１）面で
は、ブラッグの条件を満たす散乱角度２θが、互いに近
接している。従って、散乱角度２θ＝２８度付近にＸ線
回折線が得られただけでは、ＳＢＴ相の（１１５）面に
よる回折線なのか、フローライト相の（１１１）面によ
る回折線なのかを判定することができない。さらに、Ｓ
ＢＴ薄膜１は、成膜時の温度変化等の影響を受け、ＳＢ
Ｔ相とフローライト相とが混在した相状態を示す場合も
ある。従って、散乱角度２θ＝２８度付近にＸ線回折線
が得られた場合、ＳＢＴ薄膜１が、ＳＢＴ相のみ又はフ
ローライト相のみを有するという可能性の他に、ＳＢＴ
相びフローライト相が混在するという可能性もあり、従
来のθ−２θ法では、ＳＢＴ薄膜１の結晶相の判別をす
ることができない。また、ＳＢＴ薄膜１は、その成膜条
件や、ＳＢＴ薄膜１に含まれるＳｉ、Ｂｉ、Ｔａ及びＯ
の比率が変化すると、配向しやすい結晶面も変化する可
能性がある。このようなことも、ＳＢＴ薄膜１の結晶相
の判別を難しくしている。
【００２７】これに対し、本実施形態では、上記のよう
に、入射角度θだけでなく傾き角ψも変化させており、
このため、互いに斜めに傾く結晶面１１及び１２双方の
情報を得ることができる。これにより、ＳＢＴ薄膜１の
結晶相を判定することが可能となる。以下に、入射角度
θだけでなく傾き角ψも変化させることにより、どのよ
うにしてＳＢＴ薄膜１の結晶相が判定できるのかについ
て説明する。
に、入射角度θだけでなく傾き角ψも変化させており、
このため、互いに斜めに傾く結晶面１１及び１２双方の
情報を得ることができる。これにより、ＳＢＴ薄膜１の
結晶相を判定することが可能となる。以下に、入射角度
θだけでなく傾き角ψも変化させることにより、どのよ
うにしてＳＢＴ薄膜１の結晶相が判定できるのかについ
て説明する。
【００２８】ＳＢＴ薄膜１の結晶相の判別をするため
に、入射角度θ及び傾き角ψを変化させながらＳＢＴ薄
膜１にＸ線を照射し、検出器３で検出されたＸ線の強度
分布を測定した。以下に、この測定結果について説明す
る。
に、入射角度θ及び傾き角ψを変化させながらＳＢＴ薄
膜１にＸ線を照射し、検出器３で検出されたＸ線の強度
分布を測定した。以下に、この測定結果について説明す
る。
【００２９】図４は、検出器３で検出されたＸ線の回折
強度分布の測定結果を示す図である。
強度分布の測定結果を示す図である。
【００３０】このＸ線の回折強度分布の測定は、ＳＢＴ
薄膜１の傾き角ψを０度≦ψ≦９０度の範囲内において
１度間隔で変化させ、この傾き角ψを１度変化させる毎
に、入射Ｘ線５の入射角度θを０度≦θ≦９０度の範囲
内において０．０２５度間隔で変化させながらＳＢＴ薄
膜１にＸ線を照射し、このＳＢＴ薄膜１で回折した散乱
Ｘ線６を検出器３で検出することにより行った。
薄膜１の傾き角ψを０度≦ψ≦９０度の範囲内において
１度間隔で変化させ、この傾き角ψを１度変化させる毎
に、入射Ｘ線５の入射角度θを０度≦θ≦９０度の範囲
内において０．０２５度間隔で変化させながらＳＢＴ薄
膜１にＸ線を照射し、このＳＢＴ薄膜１で回折した散乱
Ｘ線６を検出器３で検出することにより行った。
【００３１】この図の横軸は２θ、縦軸は傾き角ψであ
る。また、この図４において、２θは、２７度≦２θ≦
４０度の範囲が示されており、傾き角ψは０度≦ψ≦９
０度の範囲が示されている。
る。また、この図４において、２θは、２７度≦２θ≦
４０度の範囲が示されており、傾き角ψは０度≦ψ≦９
０度の範囲が示されている。
【００３２】この図を参照すると、２θとψの値に応じ
て、互いに異なる位置にスポットＳ１〜Ｓ８が確認でき
る。２θの値が決まれば、（１）式で表されるブラッグ
の条件から結晶面間隔ｄを求めることができる。ここ
で、２θ＝３６度付近に着目すると、２θ＝３６度付近
では、１つのスポットＳ１のみが確認できる。２θ＝３
６度の場合、ブラッグの条件から結晶面間隔ｄを求める
と、（１）式より、ｄ≒０．２４３ｎｍとなる。結晶面
間隔がｄ≒０．２４３ｎｍで並ぶ結晶面は、フローライ
ト相には存在せずＳＢＴ相に存在する結晶面であって、
（００１０）配向するＳＢＴ相の結晶面である。従っ
て、２θ＝３６度付近で１つのスポットＳ１が確認でき
ることから、このＳＢＴ薄膜１はＳＢＴ相が形成されて
いることがわかる。
て、互いに異なる位置にスポットＳ１〜Ｓ８が確認でき
る。２θの値が決まれば、（１）式で表されるブラッグ
の条件から結晶面間隔ｄを求めることができる。ここ
で、２θ＝３６度付近に着目すると、２θ＝３６度付近
では、１つのスポットＳ１のみが確認できる。２θ＝３
６度の場合、ブラッグの条件から結晶面間隔ｄを求める
と、（１）式より、ｄ≒０．２４３ｎｍとなる。結晶面
間隔がｄ≒０．２４３ｎｍで並ぶ結晶面は、フローライ
ト相には存在せずＳＢＴ相に存在する結晶面であって、
（００１０）配向するＳＢＴ相の結晶面である。従っ
て、２θ＝３６度付近で１つのスポットＳ１が確認でき
ることから、このＳＢＴ薄膜１はＳＢＴ相が形成されて
いることがわかる。
【００３３】また、スポットＳ１は、傾き角ψ＝５６度
付近に現れている。従って、ＳＢＴ相の（００１０）面
は、ＳＢＴ薄膜１の表面に対し、５６度傾いて配列して
いることがわかる。このように、結晶面がどの傾き角で
いくつ現れるのかを知ることができれば、その他の結晶
面についても、何度の傾き角で現れるのかを知ることが
できる。例えば、ＳＢＴ相では、（００１０）面に対し
５６度傾いて存在する結晶面（つまり、傾き角ψ＝０度
に現れる結晶面）は（１０３）面及び（２１７）面であ
る。従って、このＳＢＴ薄膜１は、（１０３）面又は
（２１７）面がこの薄膜１の表面に対し優先的に平行に
配向するＳＢＴ相を有していることがわかる。
付近に現れている。従って、ＳＢＴ相の（００１０）面
は、ＳＢＴ薄膜１の表面に対し、５６度傾いて配列して
いることがわかる。このように、結晶面がどの傾き角で
いくつ現れるのかを知ることができれば、その他の結晶
面についても、何度の傾き角で現れるのかを知ることが
できる。例えば、ＳＢＴ相では、（００１０）面に対し
５６度傾いて存在する結晶面（つまり、傾き角ψ＝０度
に現れる結晶面）は（１０３）面及び（２１７）面であ
る。従って、このＳＢＴ薄膜１は、（１０３）面又は
（２１７）面がこの薄膜１の表面に対し優先的に平行に
配向するＳＢＴ相を有していることがわかる。
【００３４】次に、２θ＝３３度付近に着目する。２θ
＝３３度の場合、スポットＳ２〜Ｓ４が現れているた
め、ＳＢＴ薄膜１には、結晶面間隔ｄ≒０．２７１ｎｍ
で並ぶ結晶面が存在していることがわかる。結晶面間隔
ｄ≒０．２７１ｎｍで並ぶ結晶面は、ＳＢＴ相及びフロ
ーライト相ともに存在し、ＳＢＴ相では（２００）面が
結晶面間隔ｄ≒０．２７７ｎｍで並び、フローライト相
は（２００）面が結晶面間隔ｄ≒０．２７２ｎｍで並
ぶ。ところで、上記の２θ＝３６度付近での考察から、
ＳＢＴ薄膜１の表面に対して平行にＳＢＴ相の（１０
３）面又は（２１７）面が存在している。例えば、ＳＢ
Ｔ薄膜１の表面に対して平行にＳＢＴ相の（２１７）面
が存在しているとすると、ＳＢＴ相の（２００）面はψ
＝６８度付近で観測できるはずであるが、図４には、ψ
＝６８度付近にスポットが見られない。また、ＳＢＴ薄
膜１の表面に対して平行にＳＢＴ相の（１０３）面が存
在しているとすると、ＳＢＴ相の（２００）面はψ＝３
５度及び９０度付近で観測できるはずであり、図４を見
ると、ψ＝３５度及び９０度付近に確かにスポットＳ４
及びＳ２が見られる。従って、スポットＳ２及びＳ４
は、ＳＢＴ相の（２００）面でＸ線が散乱することによ
り測定されたスポットであり、更に、ＳＢＴ薄膜１の表
面に対して平行にＳＢＴ相の（１０３）面が存在してい
ることが分かる。
＝３３度の場合、スポットＳ２〜Ｓ４が現れているた
め、ＳＢＴ薄膜１には、結晶面間隔ｄ≒０．２７１ｎｍ
で並ぶ結晶面が存在していることがわかる。結晶面間隔
ｄ≒０．２７１ｎｍで並ぶ結晶面は、ＳＢＴ相及びフロ
ーライト相ともに存在し、ＳＢＴ相では（２００）面が
結晶面間隔ｄ≒０．２７７ｎｍで並び、フローライト相
は（２００）面が結晶面間隔ｄ≒０．２７２ｎｍで並
ぶ。ところで、上記の２θ＝３６度付近での考察から、
ＳＢＴ薄膜１の表面に対して平行にＳＢＴ相の（１０
３）面又は（２１７）面が存在している。例えば、ＳＢ
Ｔ薄膜１の表面に対して平行にＳＢＴ相の（２１７）面
が存在しているとすると、ＳＢＴ相の（２００）面はψ
＝６８度付近で観測できるはずであるが、図４には、ψ
＝６８度付近にスポットが見られない。また、ＳＢＴ薄
膜１の表面に対して平行にＳＢＴ相の（１０３）面が存
在しているとすると、ＳＢＴ相の（２００）面はψ＝３
５度及び９０度付近で観測できるはずであり、図４を見
ると、ψ＝３５度及び９０度付近に確かにスポットＳ４
及びＳ２が見られる。従って、スポットＳ２及びＳ４
は、ＳＢＴ相の（２００）面でＸ線が散乱することによ
り測定されたスポットであり、更に、ＳＢＴ薄膜１の表
面に対して平行にＳＢＴ相の（１０３）面が存在してい
ることが分かる。
【００３５】次に、２θ＝２８度〜２９度付近に着目す
る。２θ＝２８度〜２９度の場合、スポットＳ５〜Ｓ８
が現れているため、ＳＢＴ薄膜１には、結晶面間隔ｄ≒
０．３１３ｎｍで並ぶ結晶面が存在していることがわか
る。結晶面間隔ｄ≒０．３１３ｎｍで並ぶ結晶面は、Ｓ
ＢＴ相及びフローライト相ともに存在し、ＳＢＴ相では
（１１５）面が結晶面間隔ｄ＝０．３０８ｎｍで並び、
フローライト相は（１１１）面が結晶面間隔ｄ＝０．３
１４ｎｍで並ぶ。ＳＢＴ相では、（１１５）面は（１０
３）面に対し約３５度及び８３度傾いた位置に現れる。
従って、２θ＝２８度〜２９度に現れているスポットＳ
５〜Ｓ８のうち、スポットＳ５及びＳ６は、ＳＢＴ相の
（１１５）面でＸ線が散乱することにより測定されたス
ポットであることがわかる。
る。２θ＝２８度〜２９度の場合、スポットＳ５〜Ｓ８
が現れているため、ＳＢＴ薄膜１には、結晶面間隔ｄ≒
０．３１３ｎｍで並ぶ結晶面が存在していることがわか
る。結晶面間隔ｄ≒０．３１３ｎｍで並ぶ結晶面は、Ｓ
ＢＴ相及びフローライト相ともに存在し、ＳＢＴ相では
（１１５）面が結晶面間隔ｄ＝０．３０８ｎｍで並び、
フローライト相は（１１１）面が結晶面間隔ｄ＝０．３
１４ｎｍで並ぶ。ＳＢＴ相では、（１１５）面は（１０
３）面に対し約３５度及び８３度傾いた位置に現れる。
従って、２θ＝２８度〜２９度に現れているスポットＳ
５〜Ｓ８のうち、スポットＳ５及びＳ６は、ＳＢＴ相の
（１１５）面でＸ線が散乱することにより測定されたス
ポットであることがわかる。
【００３６】ここで、２θ＝３３度に戻ると、スポット
Ｓ２〜Ｓ４のうち、スポットＳ２及びＳ４が、ＳＢＴ相
の結晶面でＸ線が回折することにより得られたスポット
ということがわかるため、残りのスポットＳ３は、フロ
ーライト相の（２００）面によるスポットであることが
わかる。同様に考えて、スポットＳ５〜Ｓ８のうち、ス
ポットＳ５及びＳ６が、ＳＢＴ相の結晶面でＸ線が回折
することにより得られたスポットであるため、残りのス
ポットＳ７及びＳ８がフローライト相の（１１１）面に
よるスポットであることがわかる。
Ｓ２〜Ｓ４のうち、スポットＳ２及びＳ４が、ＳＢＴ相
の結晶面でＸ線が回折することにより得られたスポット
ということがわかるため、残りのスポットＳ３は、フロ
ーライト相の（２００）面によるスポットであることが
わかる。同様に考えて、スポットＳ５〜Ｓ８のうち、ス
ポットＳ５及びＳ６が、ＳＢＴ相の結晶面でＸ線が回折
することにより得られたスポットであるため、残りのス
ポットＳ７及びＳ８がフローライト相の（１１１）面に
よるスポットであることがわかる。
【００３７】従って、ＳＢＴ薄膜１は、ＳＢＴ相及びフ
ローライト相が混在していることが分かる。
ローライト相が混在していることが分かる。
【００３８】また、ＳＢＴ相とフローライト相との混合
比率は、例えば、２θ＝２８度〜２９度付近に現れるス
ポットＳ６及びＳ８の面積比を参考にして求めることが
できる。例えばＳＢＴ相とフローライト相が１：１の混
合割合で混合されたＳＢＴ薄膜を考えると、このＳＢＴ
薄膜のスポットＳ６とＳ８の面積比は、理論的な計算か
ら１：３６になることがわかる。従って、図４におい
て、スポットＳ６及びＳ８の面積比が１：１であれば、
ＳＢＴ相：フローライト相＝３６：１となる。
比率は、例えば、２θ＝２８度〜２９度付近に現れるス
ポットＳ６及びＳ８の面積比を参考にして求めることが
できる。例えばＳＢＴ相とフローライト相が１：１の混
合割合で混合されたＳＢＴ薄膜を考えると、このＳＢＴ
薄膜のスポットＳ６とＳ８の面積比は、理論的な計算か
ら１：３６になることがわかる。従って、図４におい
て、スポットＳ６及びＳ８の面積比が１：１であれば、
ＳＢＴ相：フローライト相＝３６：１となる。
【００３９】従来では、結晶構造を解析するために、θ
−２θ法がよく採用されているが、上記のように、ＳＢ
Ｔ相の（１１５）面によるＸ線回折線が２θ＝２８．９
付近に現れ、フローライト相の（１１１）面によるＸ線
回折線が２θ＝２７．９度付近に現れるため、従来のθ
−２θ法では、例えば２θ＝２８度付近で回折線が得ら
れても、ＳＢＴ相の（１１５）面によるＸ線回折線なの
か、フローライト相の（１１１）面によるＸ線回折線な
のか判別することができない。従って、ＳＢＴ薄膜１の
結晶相の判別をすることができない。
−２θ法がよく採用されているが、上記のように、ＳＢ
Ｔ相の（１１５）面によるＸ線回折線が２θ＝２８．９
付近に現れ、フローライト相の（１１１）面によるＸ線
回折線が２θ＝２７．９度付近に現れるため、従来のθ
−２θ法では、例えば２θ＝２８度付近で回折線が得ら
れても、ＳＢＴ相の（１１５）面によるＸ線回折線なの
か、フローライト相の（１１１）面によるＸ線回折線な
のか判別することができない。従って、ＳＢＴ薄膜１の
結晶相の判別をすることができない。
【００４０】これに対し、上記のように、２θだけでな
くψを変更することにより、ＳＢＴ薄膜１の結晶構造を
判別することができる。
くψを変更することにより、ＳＢＴ薄膜１の結晶構造を
判別することができる。
【００４１】尚、本実施形態では、ＳＢＴ薄膜１の傾き
角ψを０度≦ψ≦９０度の範囲内において１度間隔で変
化させ、入射Ｘ線５の入射角度θを０度≦θ≦９０度の
範囲内において０．０２５度間隔で変化させている。し
かしながら、傾き角ψ及び入射角度θを変化させるとき
の角度間隔及び角度範囲は、結晶構造を解析しようとす
る者が試料をどこまで詳細に解析したいのかによって適
宜変更可能である。
角ψを０度≦ψ≦９０度の範囲内において１度間隔で変
化させ、入射Ｘ線５の入射角度θを０度≦θ≦９０度の
範囲内において０．０２５度間隔で変化させている。し
かしながら、傾き角ψ及び入射角度θを変化させるとき
の角度間隔及び角度範囲は、結晶構造を解析しようとす
る者が試料をどこまで詳細に解析したいのかによって適
宜変更可能である。
【００４２】また、本実施形態では、Ｙ−Ｙ軸に対し垂
直に交わるＸ−Ｘ軸を中心としてＳＢＴ薄膜１を傾けて
いるが、Ｙ−Ｙ軸に対し斜めに交わる軸を中心としてＳ
ＢＴ薄膜１を傾けてもよい。
直に交わるＸ−Ｘ軸を中心としてＳＢＴ薄膜１を傾けて
いるが、Ｙ−Ｙ軸に対し斜めに交わる軸を中心としてＳ
ＢＴ薄膜１を傾けてもよい。
【００４３】更に、本実施形態では、結晶構造を解析す
るために、Ｘ線の入射角度θを平面４内において変更す
る一方で、ＳＢＴ薄膜１の傾き角ψを、Ｙ−Ｙ軸及び
Ｙ’−Ｙ’軸を含みこの平面４内に垂直に交わる面内に
おいて変更している。しかしながら、Ｘ線の入射角度θ
を平面４内において変更する一方で、ＳＢＴ薄膜１の傾
き角を、Ｙ−Ｙ軸を中心としてＳＢＴ薄膜１を傾けるこ
とにより変更してもよい（つまり、ＳＢＴ薄膜１の傾き
角を平面４の面内において入射角度θ方向に変更す
る）。このようにしても、結晶面間隔が異なり互いに斜
めに広がる結晶面で回折したＸ線の強度を検出すること
ができ、従来と比較して結晶構造を詳細に解析すること
ができる。
るために、Ｘ線の入射角度θを平面４内において変更す
る一方で、ＳＢＴ薄膜１の傾き角ψを、Ｙ−Ｙ軸及び
Ｙ’−Ｙ’軸を含みこの平面４内に垂直に交わる面内に
おいて変更している。しかしながら、Ｘ線の入射角度θ
を平面４内において変更する一方で、ＳＢＴ薄膜１の傾
き角を、Ｙ−Ｙ軸を中心としてＳＢＴ薄膜１を傾けるこ
とにより変更してもよい（つまり、ＳＢＴ薄膜１の傾き
角を平面４の面内において入射角度θ方向に変更す
る）。このようにしても、結晶面間隔が異なり互いに斜
めに広がる結晶面で回折したＸ線の強度を検出すること
ができ、従来と比較して結晶構造を詳細に解析すること
ができる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の結晶構造
解析方法によれば、結晶構造を詳細に解析することがで
きる。
解析方法によれば、結晶構造を詳細に解析することがで
きる。
【図１】本発明の一実施形態の結晶構造解析方法を用い
て、ＳＢＴ薄膜の結晶構造を解析するときの方法を示す
概念図である。
て、ＳＢＴ薄膜の結晶構造を解析するときの方法を示す
概念図である。
【図２】水平に保持された（ψ＝０度）ＳＢＴ薄膜１を
Ｘ−Ｘ’軸方向から見た概略図である。
Ｘ−Ｘ’軸方向から見た概略図である。
【図３】傾き角ψに傾けられたＳＢＴ薄膜１をＸ−Ｘ’
軸方向から見た概略図である。
軸方向から見た概略図である。
【図４】検出器３で検出されたＸ線の回折強度分布の測
定結果を示す図である。
定結果を示す図である。
１ ＳＢＴ薄膜 ２ Ｘ線装置 ３ 検出器 ４ 平面 ５ 入射Ｘ線 ６ 散乱Ｘ線 １１，１２ 結晶面
Claims (6)
- 【請求項１】 結晶構造を有する試料にＸ線を照射し、
前記試料で回折したＸ線を検出し、該検出されたＸ線の
強度に基づいて前記試料の結晶構造を解析する結晶構造
解析方法であって、 前記検出されたＸ線のうち、第１の結晶面間隔で並ぶ第
１の結晶面で回折した第１のＸ線の強度と、前記第１の
結晶面に対し斜めに広がり第２の結晶面間隔で並ぶ第２
の結晶面で回折した第２のＸ線の強度とに基づいて、前
記試料の結晶構造を解析することを特徴とする結晶構造
解析方法。 - 【請求項２】 前記試料に対し異なる角度で交差する複
数の面内それぞれにおいて、前記試料に対し異なる入射
角度でＸ線を前記試料に照射し該試料で回折したＸ線を
検出することを特徴とする請求項１に記載の結晶構造解
析方法。 - 【請求項３】 前記試料に対するＸ線の入射角度を、前
記第１のＸ線が前記試料に入射するときの入射角度と前
記第２のＸ線が前記試料に入射するときの入射角度との
間の角度範囲内で変更することを特徴とする請求項２に
記載の結晶構造解析方法。 - 【請求項４】 前記複数の面が、前記試料に対し０度〜
９０度の範囲内で互いに交差するものであり、 前記試料に対するＸ線の入射角度を０度〜９０度の角度
範囲内で変更することを特徴とする請求項３に記載の結
晶構造解析方法。 - 【請求項５】 前記試料に交差する１つの面内において
前記試料を異なる傾き角に傾け、各傾き角で傾けられた
前記試料それぞれに対し前記１つの面内において異なる
入射角度でＸ線を前記試料に照射し該試料で回折したＸ
線を検出することを特徴とする請求項１に記載の結晶構
造解析方法。 - 【請求項６】 前記試料がビスマス層状化合物であるこ
とを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか１項に記
載の結晶構造解析方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000216542A JP2002031609A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | 結晶構造解析方法 |
| US09/817,973 US6738717B2 (en) | 2000-07-17 | 2001-03-27 | Crystal structure analysis method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000216542A JP2002031609A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | 結晶構造解析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002031609A true JP2002031609A (ja) | 2002-01-31 |
Family
ID=18711791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000216542A Pending JP2002031609A (ja) | 2000-07-17 | 2000-07-17 | 結晶構造解析方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6738717B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002031609A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012002746A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ｘ線回折測定方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE329254T1 (de) * | 2002-01-15 | 2006-06-15 | Avantium Int Bv | Verfahren zur durchführung einer leistungsbeugungsanalyse |
| RU2541700C1 (ru) * | 2013-10-08 | 2015-02-20 | Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение "Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова" (ФГБУ "ПИЯФ") | Способ определения концентрации примесей в монокристалле |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3561738B2 (ja) * | 1998-06-02 | 2004-09-02 | 株式会社リガク | Ｂｒａｇｇ反射自動選出方法および装置並びに結晶方位自動決定方法およびシステム |
-
2000
- 2000-07-17 JP JP2000216542A patent/JP2002031609A/ja active Pending
-
2001
- 2001-03-27 US US09/817,973 patent/US6738717B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012002746A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ｘ線回折測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6738717B2 (en) | 2004-05-18 |
| US20020082781A1 (en) | 2002-06-27 |
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