JP2011529610A - プログラミング後の回復遅延を短縮するための相変化セル読み出しに対する電位極性の反転 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図1
Description
12:無線トランシーバ
14:アンテナ構造体
16、18:プロセッサ・コア
20:システム・メモリ
22、32:不揮発性メモリ
Claims (19)
- メモリ・アレイの列内にあってプログラム線に共通に接続され、各々がセレクタ・デバイスと読み出し線に共通に接続された導電端子を有して第1及び第2の電位を受け取る記憶デバイスとを有するメモリセルを備えることを特徴とする記憶システム。
- 前記読み出し線により受け取られる前記第1の電位は、前記記憶システムのプログラム動作中は接地電位であることを特徴とする、請求項1に記載の記憶システム。
- 前記読み出し線により受け取られる前記第2の電位は、前記記憶システムの読み出し動作中は前記接地電位よりも高い電位であることを特徴とする、請求項1に記載の記憶システム。
- 前記読み出し線により受け取られる前記第2の電位は、前記記憶システムの読み出し動作中は0.2乃至0.4ボルトの範囲内にあることを特徴とする、請求項3に記載の記憶システム。
- 前記第2の電位は前記第1の電位の後に受け取られて、プログラミング後に前記セレクタ・デバイスに反転極性を印加することにより回復時間を短縮することを特徴とする、請求項1に記載の記憶システム。
- 記憶要素の第1の端子に結合された第1の導電端子を有するセレクタ・デバイスを備え、前記記憶要素の第2の端子は、プログラム動作中には第1の正電位を受け取り、読み出し動作中には接地電位を受け取り、前記セレクタ・デバイスの第2の導電端子は、前記プログラム動作中には前記接地電位を受け取り、前記読み出し動作中には第2の正電位を受け取ることを特徴とする記憶素子。
- 前記第2の正電位は、プログラミング動作の後に受け取られて前記記憶素子の回復時間を短縮することを特徴とする、請求項6に記載の記憶素子。
- 前記第2の正電位は、プログラミング後に前記セレクタ・デバイスに反転極性を印加することを特徴とする、請求項6に記載の記憶素子。
- 前記セレクタ・デバイスは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)デバイスであることを特徴とする、請求項6に記載の記憶素子。
- 前記セレクタ・デバイスは、オボニック閾値スイッチ(OTS)であることを特徴とする、請求項6に記載の記憶素子。
- 前記記憶要素は、相変化メモリ(PCM)内に使用されるカルコゲニド物質であることを特徴とする、請求項6に記載の記憶素子。
- セレクタ・デバイスのソースに接続された第1の端子と、カルコゲニド物質に接続された第2の端子とを有するメモリセルを備え、前記第1の端子及び第2の端子に供給される電位は、プログラム動作後に極性を反転されて回復時間を短縮させ、読み出し動作のための安定性をもたらすことを特徴とする相変化メモリ(PCM)。
- 前記第1の端子は、前記PCMのプログラム動作中には接地電位を受け取り、前記第2の端子は正電位を受け取ることを特徴とする、請求項12に記載のPCM。
- 前記第1の端子は、前記PCMの読み出し動作中には正電位を受け取り、前記第2の端子は接地電位を受け取ることを特徴とする、請求項12に記載のPCM。
- トランシーバと、
前記トランシーバに結合された第1及び第2のプロセッサ・コアと、
を備え、
前記第1のプロセッサ・コアは、セレクタ・デバイスと読み出し動作においては極性を反転される第1の電位をプログラミング動作中に受け取る第1の端子及び第2の端子の間に結合されたカルコゲニド物質とを含むメモリセルを有する内蔵型相変化メモリ(PCM)内に情報を格納する、
ことを特徴とする無線通信システム。 - 前記第1の端子は、前記PCMの前記プログラミング動作中には接地電位を受け取り、前記第2の端子は正電位を受け取ることを特徴とする、請求項15に記載の無線通信システム。
- 前記第2の端子は、前記PCMの前記プログラミング動作中には1.0乃至5.0ボルトの範囲内の第1の電位を受け取ることを特徴とする、請求項16に記載の無線通信システム。
- 前記第1の端子は、前記PCMの前記読み出し動作中には正電位を受け取り、前記第2の端子は前記接地電位を受け取ることを特徴とする、請求項15に記載の無線通信システム。
- 前記第1の端子は、前記PCMの前記読み出し動作中には0.2乃至0.4ボルトの範囲内の正電位を受け取ることを特徴とする、請求項18に記載の無線通信システム。
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