JP2011523204A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 第１のトンネル障壁と、前記トンネル障壁を介して電流を通す電気的接触手段とを有する情報用記憶装置であって、
   前記第１のトンネル障壁は、記憶材料と接触しており、
   前記トンネル障壁は、メモリ特性を有するメモリ材料と接触しており、前記メモリ特性は、書込み信号によって変化し、前記メモリ特性の変化は、前記第１のトンネル障壁を通って流れる電流に対するトンネル抵抗を変化させることを特徴とする情報用記憶装置において、
   記憶材料は、第２のトンネル障壁を有し、このトンネル障壁の、メモリ特性としてのトンネル抵抗は、前記書き込み信号によって可変であることを特徴とする情報用記憶装置。
2. 両方のトンネル障壁が全体の障壁を形成し、この全体の障壁の２つの部分障壁の空間的な分割は、書込み信号によって可変であることを特徴とする請求項１記載の情報用記憶装置。
3. メモリ材料はメモリ特性を有し、前記メモリ特性が変化することで、第１のトンネル障壁内の伝導帯のエネルギー準位が変化することを特徴とする、請求項１又は２に記載の記憶装置。
4. メモリ材料内で、メモリ特性としてのイオンの位置が書込み信号によって変化することを特徴とする、請求項３記載の記憶装置。
5. メモリ材料が、固体電解質を含むことを特徴とする、請求項４記載の記憶装置。
6. 第１のトンネル障壁および電気的接触手段に対するメモリ材料の境界面が不活性であることを特徴とする、請求項１〜５の一項記載の記憶装置。
7. 第１のトンネル障壁が、アモルファス材料を含むことを特徴とする、請求項１〜６の一項記載の記憶装置。
8. 第２のトンネル障壁内に、書込み信号によって移動可能な金属膜を備えることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか記載の記憶装置。
9. メモリ材料のメモリ特性が、書込み信号の中止後さらに少なくとも１００ｎｓは安定なままであることを特徴とする、請求項１〜８の一項記載の記憶装置。
10. メモリ材料が、双安定または多重安定メモリ特性を有することを特徴とする、請求項１〜９の一項記載の記憶装置。
11. トンネル障壁を含む記憶装置に情報を格納する方法並びに格納された情報を読み出す方法において、
    複数の部分障壁へのトンネル障壁の空間的な分割が、情報を格納するために変えられ、並びにトンネル障壁を通るトンネル確率の値である測定量が、情報を読み出すために測定されることを特徴とする、方法。
12. トンネル障壁内の伝導帯エッジのエネルギー準位が変えられることを特徴とする、請求項１１記載の方法。
13. トンネル障壁内の伝導帯エッジのエネルギー準位は、トンネル障壁のエッジに印加された電界を変化させることによって、変化することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の装置。
14. 書込み電流を用いて情報を格納するために、また、読出し電流を用いて情報を読み出すために記憶装置が備えられ、
    前記書込み電流は前記読出し電流より大きいことを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれかに記載の方法。