JP2007184591A5 - - Google Patents

Claims (21)

1. 加熱電流の印加によって結晶質状態または非晶質状態に変わる物質を具備する第１カルコゲナイド情報保存要素と、
   前記第１カルコゲナイド情報保存要素の第１領域に接続され、第１断面領域を有する第１コンタクトと、
   前記第１カルコゲナイド情報保存要素の第２領域に接続され、第２断面領域を有する第２コンタクトと、
   前記第１コンタクトに係る第１抵抗によりプログラムされる状態を有し、前記第１カルコゲナイド情報保存要素の第１領域内に限定される第１プログラム可能領域と、
   前記第２コンタクトに係る第２抵抗によりプログラムされる状態を有し、前記第１カルコゲナイド情報保存要素の第２領域内に限定される第２プログラム可能領域と、
   を含むことを特徴とする、相変化記憶素子。
2. 前記第１コンタクトを形成する物質は前記第２コンタクトを形成する物質の抵抗と異なる抵抗を有することを特徴とする、請求項１に記載の相変化記憶素子。
3. 前記第１コンタクトを形成する物質は前記第２コンタクトを形成する物質の抵抗と実質的に等しい抵抗を有することを特徴とする、請求項１に記載の相変化記憶素子。
4. 前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトは互いに異なる物質からなっていることを特徴とする、請求項１に記載の相変化記憶素子。
5. 前記第１コンタクト及び前記第２コンタクトは実質的に互いに等しい物質からなっていることを特徴とする、請求項１に記載の相変化記憶素子。
6. 第２カルコゲナイド情報保存要素をさらに含み、前記第２カルコゲナイド情報保存要素は前記第２カルコゲナイド情報保存要素の第３領域内に限定される第３プログラム可能領域を具備することを特徴とする、請求項１に記載の相変化記憶素子。
7. 前記第１及び第２コンタクトのうちの１つは前記第２カルコゲナイド情報保存要素の前記第３領域に接続され、前記第３プログラム可能領域の状態は前記第３領域に接続されている前記第１及び第２コンタクトのうちの１つに係る抵抗によりプログラムされることを特徴とする、請求項６に記載の相変化記憶素子。
8. 前記第１コンタクトを形成する物質は前記第２コンタクトを形成する物質の抵抗と異なる抵抗を有することを特徴とする、請求項７に記載の相変化記憶素子。
9. 前記第１及び第２コンタクトは互いに異なる物質で形成されることを特徴とする、請求項７に記載の相変化記憶素子。
10. 前記第１及び第２コンタクトのうちの少なくとも１つは１つ以上の断面領域を有することを特徴とする、請求項７に記載の相変化記憶素子。
11. 前記第１及び第２コンタクトのうちの少なくとも１つはテーパ状を有することを特徴とする、請求項７に記載の相変化記憶素子。
12. 前記第１コンタクトを形成する物質は前記第２コンタクトを形成する物質の抵抗と異なる抵抗を有することを特徴とする、請求項６に記載の相変化記憶素子。
13. 前記第１及び第２コンタクトは互いに異なる物質で形成されることを特徴とする、請求項６に記載の相変化記憶素子。
14. 第３断面領域を有し、前記第２カルコゲナイド情報保存要素の第４領域に接続される第３コンタクトをさらに含み、前記第２カルコゲナイド情報保存要素の前記第４領域は第４プログラム可能領域を含み、前記第４プログラム可能領域の状態は前記第４領域に接続されている前記第３コンタクトに係る抵抗によりプログラムされることを特徴とする、請求項６に記載の相変化記憶素子。
15. 前記第３断面領域は前記第１及び第２断面領域のうちの１つと同じ大きさを有することを特徴とする、請求項１４に記載の相変化記憶素子。
16. 前記第３断面領域は前記第１及び第２断面領域のうちの１つと異なる大きさを有することを特徴とする、請求項１４に記載の相変化記憶素子。
17. 前記第３コンタクトを形成する物質は前記第１及び第２コンタクトのうちの少なくとも１つを形成する物質の抵抗と異なる抵抗を有することを特徴とする、請求項１４に記載の相変化記憶素子。
18. 前記第１及び第２コンタクトのうちの少なくとも１つと前記第３コンタクトとは互いに異なる物質で形成されることを特徴とする、請求項１４に記載の相変化記憶素子。
19. 前記第３コンタクトは１つ以上の断面領域を有することを特徴とする、請求項１４に記載の相変化記憶素子。
20. 前記第３コンタクトはテーパ状を有することを特徴とする、請求項１４に記載の相変化記憶素子。
21. 前記相変化記憶素子は複数の値を有することができるデータを保存することができることを特徴とする、請求項１４に記載の相変化記憶素子。