JP2011522416A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2011522416A5
JP2011522416A5 JP2011511709A JP2011511709A JP2011522416A5 JP 2011522416 A5 JP2011522416 A5 JP 2011522416A5 JP 2011511709 A JP2011511709 A JP 2011511709A JP 2011511709 A JP2011511709 A JP 2011511709A JP 2011522416 A5 JP2011522416 A5 JP 2011522416A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
polishing
pressure plate
plate
support plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011511709A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011522416A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US12/130,190 external-priority patent/US8192248B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2011522416A publication Critical patent/JP2011522416A/ja
Publication of JP2011522416A5 publication Critical patent/JP2011522416A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (12)

  1. 研磨装置内においてウェハを保持する研磨ヘッドであって、
    研磨装置の操作中、ウェハに係合し当該ウェハを保持するサポートプレートと、当該サポートプレートの外側において上記サポートプレートから延びる環状壁部と、を含むプレッシャープレートを備え、
    上記サポートプレートは、略平面ポジションにあり、上記平面ポジションから凸状ポジション及び凹状ポジションへ選択的に変位可能であり、
    上記環状壁部は、約2ミリメートル(0.079インチ)〜約3ミリメートル(0.118インチ)の厚さを有し、
    上記環状壁部は、ヒンジを構成し、上記サポートプレートが当該ヒンジを中心として、上記平面ポジションから、上記凸状ポジション及び上記凹状ポジションのいずれか一方へ変位する、研磨ヘッド。
  2. 上記サポートプレート及び上記環状壁部は一体として構成され、上記プレッシャープレートは、少なくとも部分的に内部チャンバーを構成し、
    上記サポートプレートは、当該サポートプレートを貫通して延びる複数の通路を有する請求項1記載の研磨ヘッド。
  3. ベースと、
    ウェハのフロント表面を研磨するため当該ウェハのフロント表面と係合可能なワーク表面を有する研磨パッドを上に有するターンテーブルであって当該ターンテーブル及び当該研磨パッドに垂直な軸を中心として上記ベースに対して当該ターンテーブル及び研磨パッドを回転させるための当該ベースに取り付けられたターンテーブルと、
    上記ターンテーブルの軸に実質的に平行な軸を中心とする回転運動を付与するため、上記ベースに取り付けられた駆動機構と、
    請求項1記載の研磨ヘッドと、を備えるウェハ研磨装置。
  4. 上記プレッシャープレートに正の圧力を付加して、上記プレッシャープレートを上記平面ポジションから上記凸状ポジションへ変位させ、真空引きを行って上記プレッシャープレートを上記平面ポジションから上記凹状ポジションへ変位させる第1プレッシャーソースをさらに備える請求項記載のウェハ研磨装置。
  5. 上記プレッシャープレートは、サポートプレートと、上記サポートプレートから延びる環状壁部と、を有し、
    上記サポートプレート及び上記環状壁部は、少なくとも部分的に第1内部チャンバーを構成し、
    当該ウェハ研磨装置は、さらにリテーニングプレートを有し、
    上記リテーニングプレート、上記サポートプレート及び上記環状壁部は、上記第1内部チャンバーを構成する請求項記載のウェハ研磨装置。
  6. 上記プレッシャープレートは、上記プレッシャープレートを貫通して延びる複数の通路を備え
    当該ウェハ研磨装置は、上記プレッシャープレートを貫通して延びる通路に圧力を加える第2プレッシャーソースと、
    上記プレッシャープレート上に取り付けれたバッフルプレートと、をさらに備え、
    上記バッフルプレート及び上記プレッシャープレートは共同して第2内部チャンバーを構成する請求項記載のウェハ研磨装置。
  7. 一群の半導体ウェハを研磨する方法であって、
    プレッシャープレートと、上記プレッシャープレートと直接接触するように配置されたウェハと、を有する、ウェハ研磨装置の研磨ヘッドに接触するように上記一群の半導体ウェハの1つを配置する工程と、
    ウェハのフロント表面が研磨パッドの摩耗しているワーク表面と係合するように、研磨ヘッドにより保持されたウェハを配置する工程と、
    研磨パッドのワーク表面における摩耗の量に基づいて、略平面ポジションから、凸状のポジション及び凹状のポジションのいずれか一方へプレッシャープレートを変位させる工程と、
    ウェハのフロント表面を研磨パッドに対して付勢する工程と、
    ウェハ研磨装置のターンテーブル上において第1軸を中心として研磨パッドを回転させる工程と、
    実質的に第1軸と不一致の第2軸を中心として研磨ヘッドを回転させ、それにより、ウェハのフロント表面を研磨する工程と、
    ウェハを上記ターンテーブルから取り外す工程と、
    上記ウェハを上記研磨ヘッドから取り除く工程と、を備える方法。
  8. 上記プレッシャープレートを変位させる工程は、上記研磨ヘッドの第1内部チャンバを加圧する工程と、略ドーム状の形状を有するフロント表面を含むウェハを研磨するため、上記プレッシャープレートをその略平面ポジションからその凸状ポジションへ変位させる工程と、を含む請求項記載の方法。
  9. 上記のプレッシャープレートを変位させる工程が、上記研磨ヘッドの第1内部チャンバに対して真空引きを行う工程と、略皿状のフロント表面を有するウェハを研磨するため、上記プレッシャープレートをその略平面ポジションからその凹状ポジションへ変位させる工程と、を含む請求項記載の方法。
  10. 上記プレッシャープレートに直接接触して半導体ウェハを配置する工程が、プレッシャープレートを介してウェハの裏面に対して真空引きを行うことを含む請求項記載の方法。
  11. 研磨パッドのワーク表面に対してウェハのフロント表面を振動させる工程をさらに含む請求項記載の方法。
  12. さらに、上記ウェハのフロント表面の平坦度を定量化する工程を備える請求項記載の方法。
JP2011511709A 2008-05-30 2009-05-19 半導体ウェハの研磨装置及び研磨方法 Pending JP2011522416A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/130,190 US8192248B2 (en) 2008-05-30 2008-05-30 Semiconductor wafer polishing apparatus and method of polishing
US12/130,190 2008-05-30
PCT/US2009/044501 WO2009146274A1 (en) 2008-05-30 2009-05-19 Semiconductor wafer polishing apparatus and method of polishing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011522416A JP2011522416A (ja) 2011-07-28
JP2011522416A5 true JP2011522416A5 (ja) 2012-06-28

Family

ID=40941363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011511709A Pending JP2011522416A (ja) 2008-05-30 2009-05-19 半導体ウェハの研磨装置及び研磨方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8192248B2 (ja)
EP (1) EP2293902A1 (ja)
JP (1) JP2011522416A (ja)
KR (1) KR20110055483A (ja)
CN (1) CN102046331A (ja)
WO (1) WO2009146274A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10600634B2 (en) 2015-12-21 2020-03-24 Globalwafers Co., Ltd. Semiconductor substrate polishing methods with dynamic control
WO2017146006A1 (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨方法、研磨パッド
US10258895B2 (en) * 2016-09-13 2019-04-16 Universal City Studios Llc Systems and methods for incorporating pneumatic robotic systems into inflatable objects
CN108296931B (zh) * 2018-02-02 2024-06-21 成都精密光学工程研究中心 一种带磨损补偿的偏摆式平面抛光装置
US11081359B2 (en) 2018-09-10 2021-08-03 Globalwafers Co., Ltd. Methods for polishing semiconductor substrates that adjust for pad-to-pad variance
CN109454547A (zh) * 2018-12-27 2019-03-12 杭州众硅电子科技有限公司 一种用于cmp抛光垫寿命在线检测的系统和方法
CN112894594A (zh) * 2019-05-23 2021-06-04 黄彬庆 一种半导体晶片机械抛光加工系统及方法
CN110421479B (zh) * 2019-07-19 2021-01-26 许昌学院 一种电子器件用半导体晶片抛光设备
CN110587469A (zh) * 2019-09-29 2019-12-20 苏州光斯奥光电科技有限公司 一种用于液晶面板的研磨机构
CN111906600B (zh) * 2020-08-29 2021-09-28 中国航发南方工业有限公司 一种偏心型腔内端面磨削方法及装置
EP4063069B1 (en) * 2021-03-23 2022-12-07 Andrea Valentini Plate-like backing pad adapted for releasable attachment to a hand-held polishing or sanding power tool
CN114871941B (zh) * 2022-04-25 2024-04-05 季华实验室 一种抛光头及抛光机
CN116394153B (zh) * 2023-02-28 2023-10-24 名正(浙江)电子装备有限公司 一种晶圆研磨抛光系统

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4918869A (en) * 1987-10-28 1990-04-24 Fujikoshi Machinery Corporation Method for lapping a wafer material and an apparatus therefor
US5036630A (en) * 1990-04-13 1991-08-06 International Business Machines Corporation Radial uniformity control of semiconductor wafer polishing
US5486129A (en) * 1993-08-25 1996-01-23 Micron Technology, Inc. System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head
US5658183A (en) * 1993-08-25 1997-08-19 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring
US5584746A (en) 1993-10-18 1996-12-17 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of polishing semiconductor wafers and apparatus therefor
JP2891068B2 (ja) * 1993-10-18 1999-05-17 信越半導体株式会社 ウエーハの研磨方法および研磨装置
JP3311116B2 (ja) * 1993-10-28 2002-08-05 株式会社東芝 半導体製造装置
US5624299A (en) * 1993-12-27 1997-04-29 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use
US5664987A (en) * 1994-01-31 1997-09-09 National Semiconductor Corporation Methods and apparatus for control of polishing pad conditioning for wafer planarization
US5908530A (en) 1995-05-18 1999-06-01 Obsidian, Inc. Apparatus for chemical mechanical polishing
US5816900A (en) * 1997-07-17 1998-10-06 Lsi Logic Corporation Apparatus for polishing a substrate at radially varying polish rates
US5934974A (en) * 1997-11-05 1999-08-10 Aplex Group In-situ monitoring of polishing pad wear
US6531397B1 (en) * 1998-01-09 2003-03-11 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for using across wafer back pressure differentials to influence the performance of chemical mechanical polishing
US6174221B1 (en) * 1998-09-01 2001-01-16 Micron Technology, Inc. Polishing chucks, semiconductor wafer polishing chucks, abrading methods, polishing methods, semiconductor wafer polishing methods, and methods of forming polishing chucks
US6176764B1 (en) * 1999-03-10 2001-01-23 Micron Technology, Inc. Polishing chucks, semiconductor wafer polishing chucks, abrading methods, polishing methods, simiconductor wafer polishing methods, and methods of forming polishing chucks
US6120350A (en) * 1999-03-31 2000-09-19 Memc Electronic Materials, Inc. Process for reconditioning polishing pads
JP4056205B2 (ja) * 1999-10-15 2008-03-05 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置および方法
JP4307674B2 (ja) * 2000-01-26 2009-08-05 不二越機械工業株式会社 ウェーハの研磨装置
US6878302B1 (en) * 2000-03-30 2005-04-12 Memc Electronic Materials, Spa Method of polishing wafers
US7140956B1 (en) * 2000-03-31 2006-11-28 Speedfam-Ipec Corporation Work piece carrier with adjustable pressure zones and barriers and a method of planarizing a work piece
US6616513B1 (en) * 2000-04-07 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile
US6592434B1 (en) 2000-11-16 2003-07-15 Motorola, Inc. Wafer carrier and method of material removal from a semiconductor wafer
US7137874B1 (en) * 2000-11-21 2006-11-21 Memc Electronic Materials, Spa Semiconductor wafer, polishing apparatus and method
US6764387B1 (en) * 2003-03-07 2004-07-20 Applied Materials Inc. Control of a multi-chamber carrier head
US7207871B1 (en) * 2005-10-06 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Carrier head with multiple chambers

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011522416A5 (ja)
TWI710427B (zh) 磨削輪及被加工物的磨削方法
TW520317B (en) Wafer polishing method and wafer polishing device
US20110034112A1 (en) Polishing apparatus, polishing auxiliary apparatus and polishing method
JP2011062759A (ja) 両面研磨装置の研磨布の研削方法及び研削装置
JP2015033759A (ja) 研磨装置
TWI668751B (zh) Grinding method of workpiece
JP2013154443A (ja) 板状部材の研削装置および研削方法
JP2012522649A5 (ja)
TW201302381A (zh) 板狀體之研磨裝置
JP6044955B2 (ja) ウェーハ研磨ヘッドおよびウェーハ研磨装置
TWI711508B (zh) 用於單面研磨裝置的晶圓貼附裝置及用於單面研磨裝置的晶圓貼附方法
JP2011044473A (ja) ウエーハの研削装置
JP2011044471A (ja) ウエーハの研削装置
KR20100104795A (ko) 연마패드 압착장치
TWI802723B (zh) 蒸鍍製程治具
JP2001105307A (ja) ウェハー研磨装置
JP6301157B2 (ja) 加工方法および加工装置並びに該加工方法又は該加工装置により加工された加工物
KR101355021B1 (ko) 웨이퍼 연마용 지그
TWI826630B (zh) 晶圓研磨用頭
JP4169432B2 (ja) 被加工物の保持具、研磨装置及び研磨方法
JP7126751B2 (ja) 被加工物の研削方法
JP2008016485A (ja) ウェーハ搬送方法及びウェーハ搬送ユニット
JP2012222311A (ja) 板状物の研磨方法
JP2015229206A (ja) 保持治具及び板状物の加工方法