JP2011520760A - スカル反応炉 - Google Patents
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Abstract
【選択図】なし
Description
この出願は、2008年5月23日付け出願の米国仮特許出願第61/128,847号及び2009年2月11日付け出願の米国特許出願第12/378,250号に基づいてその利益を主張するものであり、その開示内容は参照により本願明細書に組み込まれる。
本発明は、シリコン含有ガス材料又は反応金属材料を処理するための方法、装置及びシステムに関する。
(i)反応スペースに面する内側表面及び(ii)反対側の外側表面を有する反応炉チャンバ壁を具える反応炉チャンバへ、シリコン含有原料又は反応金属原料を導入するステップと、
当該反応スペース内で、液体シリコン製品又は液体反応金属製品を発生させるのに十分な第1の熱エネルギーを発生させるステップと、
第2の熱エネルギーからの熱流が、最初に当該反応炉チャンバ壁の外側表面に影響を与えるように、当該反応チャンバ壁の外へ第2の熱エネルギーを発生させるステップと、
当該第1の熱エネルギー源及び当該第2のエネルギー源を制御することによって、内側表面壁の温度を、シリコン又は反応金属の融点を超えて又は融点未満である温度範囲に確定するステップと
を含む。
(i)反応スペースに面する内側表面及び(ii)反対側の外側表面を有する反応炉チャンバ壁を具える反応炉チャンバへ、シリコン粉末を導入するステップと、
当該反応スペース内でプラズマを発生させるステップと、
当該シリコン粉末に、プラズマによって当該シリコン粉末の融点より高い温度を与えることで、当該シリコン粉末を熱溶解するステップと、この溶解ステップにより液体シリコンを製造し、
当該シリコン粉末を熱溶解しながら、当該反応炉チャンバ壁の内側表面を、シリコン粉末の融点未満の平衡温度に維持するステップと、
当該反応炉チャンバから出た後、液体シリコンを凝固させるステップと
を含む。
(i)反応スペースに面する内側表面及び(ii)反対側の外側表面を有する反応炉チャンバ壁と製品出口とを具える反応炉チャンバへ、シリコン含有ガスを導入するステップと、
当該反応スペース内でプラズマを発生させるステップと、
当該シリコン含有ガスに十分な温度を与えることによって液体シリコンを製造するために、当該シリコン含有ガスを熱分解するステップと、
当該シリコン含有ガスを熱分解しながら、当該反応炉チャンバ壁の内側表面を、シリコンの融点未満の平衡温度に維持するステップと、
当該製品出口からの液体シリコンを固体マルチ結晶シリコンインゴット又はウェハに鋳造するために、当該液体シリコンをモジュールへ直接導入するステップと、
を含む。
(i)反応スペースに面する内側表面及び(ii)反対側の外側表面を有する反応炉チャンバ壁と製品出口とを具える反応炉チャンバへ、シランガスを導入するステップと、
当該反応スペース内でプラズマを発生させるステップと、
当該シランガスをプラズマへさらすことによって、液体シリコンを製造するために、当該シランガスを熱分解するステップと、
当該シランガスを熱分解しながら、当該反応炉チャンバ壁の内側表面を、シリコンの融点未満の平衡温度に維持するステップと、
を含む。
シリコン含有ガス供給原料又は反応金属原料と、
チャンバ反応スペースを画定して(i)反応スペースに面する内側表面及び(ii)反対側の外側表面を具える、反応炉チャンバ壁を具える反応炉チャンバと、
当該反応炉チャンバに結合され、当該チャンバ反応スペース内で熱エネルギーを発生するように構成されるプラズマエネルギー源と、
当該反応炉チャンバ壁の外側表面を加熱するように構成され、当該反応炉チャンバの外側に配置される外部熱エネルギー源と、
当該反応炉チャンバから液体シリコン又は液体反応金属を引き抜くために構成される製品出口と、
を含む。
Claims (27)
- シリコン又は反応金属を製造するための方法であって、
(i)反応スペースに面する内側表面及び(ii)反対側の外側表面を有する反応炉チャンバ壁を具える反応炉チャンバへ、シリコン含有原料又は反応金属含有原料を導入するステップと、
前記反応スペース内で、液体シリコン製品又は液体反応金属製品を発生させるのに十分な第1の熱エネルギーを発生させるステップと、
第2の熱エネルギーからの熱流が、最初に前記反応炉チャンバ壁の外側表面に影響を与えるように、前記反応炉チャンバ壁の外へ第2の熱エネルギーを発生させるステップと、
前記第1の熱エネルギー源及び前記第2のエネルギー源を制御することによって、内側表面壁の温度を、シリコン又は反応金属の融点を超えて又は融点未満である温度範囲に確定するステップと
を含む製造方法。 - 前記反応スペースから前記反応炉チャンバ壁までの1〜2000kW/m2の調整可能な熱流は、前記第1の熱エネルギー源及び前記第2の熱エネルギー源を制御することによって生成される、請求項1に記載の方法。
- 前記調整可能な熱流は50〜500kW/m2で変動する、請求項2に記載の方法。
- 前記第1の熱エネルギーはプラズマエネルギー及び前記第2の熱エネルギーは誘導加熱又は抵抗加熱である、請求項1に記載の方法。
- さらに、シリコン又は反応金属の固体スカル層を前記反応炉チャンバ壁の内側表面上に形成するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の熱エネルギーは、前記反応スペース内でシリコンの融点を超える温度の熱を生成し、前記第1の熱エネルギー源及び前記第2の熱エネルギー源は、前記反応炉チャンバ壁の前記内側表面の温度をシリコンの融点未満の温度に維持するために組み合わされる、請求項1に記載の方法。
- 前記反応炉チャンバ壁は、前記液体シリコン又は液体金属が前記反応炉チャンバ壁を降流できるように垂直に整列配置される、請求項1に記載の方法。
- 前記固体スカル層は200mm未満の厚さである、請求項5に記載の方法。
- 前記第2の熱エネルギーからの熱は、前記反応炉チャンバ壁の前記内側表面の温度を前記シリコン含有原料又は反応金属原料の融点未満の温度に維持するために制御される、請求項1に記載の方法。
- 前記反応炉チャンバ壁の前記内側表面の温度は、シリコン又は反応金属の融点の1℃〜300℃未満に維持される、請求項9に記載の方法。
- 前記反応炉チャンバ壁の前記内側表面の温度は、シリコン又は反応金属の融点の1℃〜200℃未満に維持される、請求項10に記載の方法。
- シリコン含有原料は前記反応炉チャンバへ導入され、前記第2の熱エネルギーは前記反応炉チャンバ壁の前記内側表面の温度を1115℃〜1414℃に維持する、請求項1に記載の方法。
- シリコンを製造するための方法であって、
(i)反応スペースに面する内側表面及び(ii)反対側の外側表面を有する反応炉チャンバ壁を具える反応炉チャンバへ、シリコン粉末を導入するステップと、
前記反応スペース内でプラズマを発生させるステップと、
前記シリコン粉末に、前記プラズマによって前記シリコン粉末の融点より高い温度を与えることで、前記シリコン粉末を熱溶解するステップと、この溶解ステップにより液体シリコンを製造し、
前記シリコン粉末を熱溶解しながら、前記反応炉チャンバ壁の前記内側表面を、前記シリコン粉末の融点未満の平衡温度に維持するステップと、
前記反応炉チャンバから出た後、前記液体シリコンを凝固させるステップと
を含む方法。 - さらに、前記反応炉チャンバ壁の前記外側表面を制御可能に加熱するステップを含む、請求項13に記載の方法。
- さらに、前記反応炉チャンバ壁の前記内側表面上に固体シリコンスカル層を形成するステップを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記第1の熱エネルギーは、前記反応スペース内でシリコンの融点を超える温度の熱を生成し、前記第1エネルギー源及び前記第2エネルギー源は、前記反応炉チャンバ壁の前記内側表面の温度をシリコンの融点未満の温度に維持するために組み合わされる、請求項15に記載の方法。
- シリコン又は反応金属を製造するための方法であって、
(i)反応スペースに面する内側表面及び(ii)反対側の外側表面を有する反応炉チャンバ壁を具える反応炉チャンバへ、シリコン含有原料又は反応金属含有原料を導入するステップと、
前記反応スペース内で、加熱された反応ガス及び液体シリコン製品又は液体反応金属製品を生成するのに十分な第1の熱エネルギーを発生させるステップと、
前記反応炉チャンバ壁の外側の第2の熱エネルギーを発生させるステップと、
前記シリコンの固体スカル層又は前記反応金属を、前記反応炉チャンバ壁の前記内側表面上に形成するステップと、
前記液体シリコン製品又は前記液体反応金属製品のフィルムが、前記固体スカル層の少なくとも一部の上に流れ落ちるように前記フィルムを形成するステップと、
を含み、
前記第1の熱エネルギーは、加熱された反応ガス→液体シリコンフィルム又は反応金属フィルム→固体シリコンスカル層又は反応金属スカル層→反応炉チャンバ壁の順で進行する第1の熱流を生成し、前記第2の熱エネルギーは、反応炉チャンバ壁→固体シリコンスカル層又は固体反応金属スカル層→液体シリコンフィルム又は反応金属フィルムの順で進行する第2の熱流を生成する方法。 - 前記シリコン含有原料は、SinH2n+2(nは1〜4)、ジクロロシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシラン、ジブロモシラン、トリブロモシラン、テトラブロモシラン、ジヨードシラン、トリヨードシラン、テトラヨードシラン又はこれらの混合物から選択される前記シリコン含有ガスである、請求項17に記載の方法。
- 前記シリコン含有原料はシランガスである、請求項17に記載の方法。
- シリコンを製造するための方法であって、
(i)反応スペースに面する内側表面及び(ii)反対側の外側表面を有する反応炉チャンバ壁と製品出口とを具える反応炉チャンバへ、シランガスを導入するステップと、
前記反応スペース内でプラズマを発生させるステップと、
前記シランガスをプラズマへさらすことによって、液体シリコンを製造するために、前記シランガスを熱分解するステップと、
前記シランガスを熱分解しながら、前記反応炉チャンバ壁の前記内側表面を、シリコンの融点未満の平衡温度に維持するステップと、
を含む方法。 - 前記反応炉の外側の熱エネルギーを生成するステップをさらに含み、
前記プラズマは、前記反応スペース内でシリコンの融点を超える温度の熱を生成し、前記プラズマ及び前記反応炉の外側の熱エネルギーである外部エネルギー源は、前記内側表面壁温度をシリコンの融点未満に維持するために組み合わされる、請求項20に記載の方法。 - シリコン含有ガス原料又は反応金属原料と、
チャンバ反応スペースを画定して(i)反応スペースに面する内側表面及び(ii)反対側の外側表面を具える、反応炉チャンバ壁を具える反応炉チャンバと、
前記反応炉チャンバに結合され、前記チャンバ反応スペース内で熱エネルギーを発生するように構成されるプラズマエネルギー源と、
前記反応炉チャンバ壁の外側表面を加熱するように構成され、前記反応炉チャンバの外側に配置される外部熱エネルギー源と、
前記反応炉チャンバから液体シリコン又は液体反応金属を引き抜くために構成される製品出口と、
を具える反応炉システム。 - さらに、シリコン粉末供給原料を前記反応炉チャンバへ導入するための手段を具える、請求項22に記載の反応炉システム。
- さらに、少なくとも前記反応炉チャンバ及び前記外部熱エネルギー源を包含する、密封シールされた封じ込めチャンバを具える請求項22に記載の反応炉システム。
- さらに、製品出口を振動させるための手段を具える請求項22に記載の反応炉システム。
- 前記外部エネルギー源は、前記反応炉チャンバ壁の外側表面の周囲の一部に配置される、少なくとも一つの誘導コイルを具える請求項22に記載の反応炉システム。
- 前記外部エネルギー源は、前記反応炉チャンバ壁の外側表面の一部と接触して配置される、少なくとも一つの抵抗ヒーターを具える請求項22に記載の反応炉システム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12884708P | 2008-05-23 | 2008-05-23 | |
US61/128,847 | 2008-05-23 | ||
US12/378,250 | 2009-02-11 | ||
US12/378,250 US20100047148A1 (en) | 2008-05-23 | 2009-02-11 | Skull reactor |
PCT/US2009/044712 WO2009143271A2 (en) | 2008-05-23 | 2009-05-20 | Skull reactor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011520760A true JP2011520760A (ja) | 2011-07-21 |
JP2011520760A5 JP2011520760A5 (ja) | 2012-06-07 |
Family
ID=41340864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011510687A Pending JP2011520760A (ja) | 2008-05-23 | 2009-05-20 | スカル反応炉 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100047148A1 (ja) |
EP (1) | EP2294005B1 (ja) |
JP (1) | JP2011520760A (ja) |
KR (1) | KR20110034608A (ja) |
CN (1) | CN102083751A (ja) |
CA (1) | CA2725062A1 (ja) |
ES (1) | ES2408630T3 (ja) |
TW (1) | TW201009136A (ja) |
WO (1) | WO2009143271A2 (ja) |
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- 2009-02-11 US US12/378,250 patent/US20100047148A1/en not_active Abandoned
- 2009-05-12 TW TW098115642A patent/TW201009136A/zh unknown
- 2009-05-20 EP EP09751499A patent/EP2294005B1/en not_active Not-in-force
- 2009-05-20 ES ES09751499T patent/ES2408630T3/es active Active
- 2009-05-20 CA CA2725062A patent/CA2725062A1/en not_active Abandoned
- 2009-05-20 CN CN200980118728.1A patent/CN102083751A/zh active Pending
- 2009-05-20 WO PCT/US2009/044712 patent/WO2009143271A2/en active Application Filing
- 2009-05-20 KR KR1020107028967A patent/KR20110034608A/ko not_active Application Discontinuation
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009143271A3 (en) | 2010-02-25 |
CN102083751A (zh) | 2011-06-01 |
EP2294005A2 (en) | 2011-03-16 |
ES2408630T3 (es) | 2013-06-21 |
CA2725062A1 (en) | 2009-11-26 |
EP2294005B1 (en) | 2013-03-27 |
WO2009143271A2 (en) | 2009-11-26 |
KR20110034608A (ko) | 2011-04-05 |
TW201009136A (en) | 2010-03-01 |
EP2294005A4 (en) | 2012-01-04 |
US20100047148A1 (en) | 2010-02-25 |
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