JP2011510820A - レーザ光源のエネルギを制御するための照射装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図2
Description
2005年12月22日出願のUS11/318,127、2005年10月28日出願のUS60/731,539、及び2005年12月23日出願のUS60/753,829の開示は、本出願の開示の一部と見なされ、本出願の開示に引用によって組み込まれる。
ELC、SLS、又はTDX工程を適用する際には、高エネルギエキシマレーザ、好ましくは、XeClエキシマレーザによって放出され、ビーム成形光学系によって成形された照射線によってガラス上の薄いシリコン層が融解される。本出願によると、ビーム成形光学系は、以下の機能:ビーム伝播方向に対して垂直な1つ又は2つの方向において形状及び/又は発散を変更すること、視野平面及び/又は瞳平面における強度を1つ及び/又は2つの方向において均一化すること、空間コヒーレンス及び/又は時間コヒーレンスを変更することのうちの少なくとも1つを実施するレーザと結像光学系の間のモジュールを意味する。上述のビーム成形光学系を用いて上述のビームを成形した後には、このビームは、矩形断面を有し、この矩形断面は、更に別の伝播において長軸方向及び/又は短軸方向にサイズが伸縮する。
更に、US7,061,959B2は、作業台におけるエネルギモニタフィードバックを開示している。作業台におけるエネルギモニタ自体は、光が吸収され、レーザからのエネルギがアモルファス半導体膜を融解させる熱へと変換される位置におけるエネルギを瞬時に制御するという利点を有する。それにも関わらず、この位置では、光エネルギは、いかなるパネルも位置していない期間に測定することしかできない。従って、エネルギモニタリングは、一時的な調節目的で取外し可能な保守ツールを用いて実施するか、又は作動モードにおいてレーザ線を走査する時にパネル間に配置されたエネルギ計測器によって実施することしかできない。
US5,721,416A1は、ビームプロフィールをモニタするために後で顕微鏡レンズによって立体像変換器上に結像される部分ビーム(数パーセント)を分岐させるための縮小光学系と最終窓の間のビーム経路内の透過ミラー配列を開示している。立体像変換器は、モニタリング目的でしか設けられない。モニタされた信号のレーザへのフィードバックは意図されていない。
有利な変形及び実施形態は、従属請求項の主題である。
エネルギが制御された幅狭の照射線によって作業台上の試料を照射するための照射装置を提供し、それによって照射線は、レーザから生成、放出され、照射線は、第1の方向の寸法、及び第1の方向に対して垂直な第2の方向の寸法を有し、それによって第1の方向の寸法は、第2の方向の寸法をある一定の倍数で超える。更に、照射装置は、レーザビームを線形状へと成形するためのビーム成形光学系と、レーザビームのエネルギを測定するためのエネルギ測定デバイスと、測定されたレーザビームエネルギに対して制御信号を生成し、制御信号に基づいてレーザ光源のエネルギ出力を制御するためのエネルギ制御系とを含み、エネルギ測定デバイスは、ビーム成形光学系の後でかつ作業台の前のビーム経路に配置される。以下では簡略化のために処理エネルギモニタ(PEM)と呼ぶエネルギ測定デバイスは、パネル上に入射するエネルギを測定し、信号をレーザの制御ループにフィードバックする。
外縁におけるビームの一部分のみを拠り所とするエネルギ測定は、外縁におけるエネルギが、合計ビームエネルギの良好な尺度である場合にのみ有用な制御信号を供給することができるが、一般的にはそのようにならないことが見出されている。従って、好ましい実施形態によると、制御信号は、線形状ビームの第1の方向の寸法に沿って平均されたビームエネルギを示すように生成される。
一般的に、検出器は、レーザ光を検出することができるあらゆる種類のアレイとすることができる。特に、検出器は、センサを2次元で有する2次元アレイ、又は光検出要素を1次元のみで有し、すなわち、好ましくは、長軸方向に配向された1次元アレイとすることができる。本発明による好ましい実施形態では、検出器は、上述の部分を収集するために第1の方向に並列で配置された複数のフォトダイオードを含む。これらのフォトダイオードは、数行のフォトダイオードが2次元センサアレイを形成するように配置することができるが、最も好ましい実施形態は、並列に配置されたフォトダイオードの1次元アレイから成る。
好ましい実施形態では、本発明による照射装置は、線形状ビームを第2の方向において縮小するために、ビーム成形光学系の後のビーム経路内に縮小光学系を更に含むことができる。エネルギ測定デバイスは、ビーム経路方向に縮小光学系の前又は後に位置させることができる。代替的に、エネルギ測定デバイスは、縮小光学系自体の中に位置させることができる。縮小光学系によってビームが大きく狭窄化される場合には、ビームの最も有意な部分の収集(及びその後の検出)は容易とすることができる。
別の好ましい実施形態によると、ビーム成形光学系は、レーザビームをこのレーザビームの少なくとも第1の方向の寸法に沿って均一化するためのホモジナイザーを含む。この場合、エネルギ測定デバイスは、ホモジナイザーの後のビーム経路内に位置する。ビーム成形光学系における使用のための一般的なホモジナイザーは、US5,721,416A1又はWO2006/066706A2に開示されている。
別の好ましい実施形態では、ビーム成形光学系は、レーザビームの寸法を少なくとも第2の方向において定めるための視野定義光学デバイスを含む。US5,721,416A1、US60/731,539、及びUS60/753,829は、レーザビームの寸法を少なくとも第2の方向において定義又は制限するための配列を開示している。
更に好ましい実施形態によると、本発明による方法は、レーザビームをビーム成形光学系の後でかつ作業台の前のビーム経路内で分割し、一部分を分離し、この部分を検出する段階を含む。
任意的に、本発明による方法は、線形状ビームを試料又はパネル上に更に結像させることを特徴とすることができる。ビームを結像する段階は、照射線特性を中間視野平面、及び従って試料又はパネル上で変更することができるという利点を有する。
本発明による方法は、レーザビームを少なくともレーザビームの第1の方向の寸法に沿って均一化する段階を更に含むことができる。ビームエネルギは、レーザビームを均一化した後のビーム経路内で測定することができる。
検出器は、上述の部分を収集するために第1の方向に並列に配置された複数のフォトダイオードを任意的に備える。
更に、単純化の理由から、検出器は、上述の部分を複数のフォトダイオード上に集束させるための複数の球面レンズを更に含むことができる。
フォトダイオードのうちの少なくとも2つは、電気的に並列に結合することができる。フォトダイオードを並列に結合することにより、フォトダイオードを照射した時に、結果として光電流の追加が生じる。光電流の追加から成る電流信号は、フォトダイオード上に入射するビームエネルギの(正規化されていない)平均に対応する。
強度を測定するための損失を小さく保つために、逆バイアスが印加されたフォトダイオードを用いることができ、この使用は、必要に応じて、短いエキシマレーザパルスの時間分解検出を容易にすることにもなる。
原理的には、レーザ出力は、電子フィードバックループによって制御することができる。入力信号は、いくつかのフォトダイオードによって生成することができる。各フォトダイオード内のレーザパルスによって生成される電荷は、電子的に追加することができる。暗電流を弱く保つために、フォトダイオードにバイアスを印加しないことが可能である。
上述の節で説明した方法に沿って、好ましくは、複数のビームレットの各々は、検出に向けて別々に集束される。
好ましい実施形態では、本方法は、ビームレットの各々を別々に検出する際に生成された検出信号を合計信号へと変換する段階を含む。そのような合計信号は、検出されたビームの平均を表している。次に、合計信号は、制御信号へと変換することができる(例えば、上述の方法で)。
以下では、本発明を図面を参照して説明する。
次に、レーザビーム12の断面は、矩形のものから線形状へと変換される。この目的のために、レーザビーム12は、最初にビーム事前調整ユニット(BPU)22に誘導される。BPU22は、複数の光学要素24を含む。光学要素24のこの配列は、レーザビーム12の強度分布を平坦化するように機能する。
BSU80を離れると、矩形断面形のレーザビーム12は、複数の平面又は円柱ミラー56,60,62それぞれを含む結像、縮小、及び折り返しの組合せ光学系82に誘導される。ミラー56,60,62の配列の代わりに、複数の円柱レンズ又はレンズとミラーの組合せを用いることができる。一般的な構成は、例えば、WO2006/066706A2又はUS5,721,416A1に開示されている。レーザビーム12は、簡略化の理由から、以下ではビーム投影ユニット(BPU)82と呼ぶ結像、縮小、及び折り返し光学系82を射出窓64を通って離れる。BSU80を離れる時の寸法と比較して拡張された長軸寸法と縮小された短軸寸法とを有するレーザビーム12は、幅狭の照射線70として、作業台68上にある例えばアモルファスシリコン層で覆われたパネル66上に集束される。
パネル66におけるエネルギ密度は、その大部分がレーザエネルギと光学系を通じた光学伝達率とによって与えられる。系の伝達率の変化は、その大部分がビーム成形モジュール80内で向き、ビーム発散、又は偏光のようなパラメータが変化する時に生じる。投影光学系82による系の伝達率に対する影響は比較的小さい。従って、エネルギ測定に適する位置は、ビーム経路13に沿って投影モジュール82内又はパネルから反射されたビーム内に位置する。
パネルレベルにおける直接測定に比べて、センサを投影光学系内に位置決めすることにはいくつかの利点がある。大きい利用可能空間が存在し、レーザ線の像品質に対して小さい影響しか存在しない。パネルからある程度の距離の位置では、線は、依然としてその全長に達しておらず、従って、ビームスプリッタを用いて光を収集することが容易である。
空間的に分解されたエネルギ密度を検出するためには、大きい2次元センサが必要になる。レーザのためのフィードバック信号は、レーザエネルギを判断するアナログ値として始まる。この信号を得るためには、数値的積分(記録値を加算する)、電気的積分(感光要素の電流を加算する)、又は光学的積分(レンズ要素における光を加算する)を行わなければならない。幅狭の照射線に伴う現状の問題に対して、本発明者は、光学的及び電気的な平均法を用いた解決法を選択することにした。
4つのフォトダイオード90a,90b,90c,90dは、電気的に並列に接続される。フォトダイオード90a,90b,90c,90d、及び個別電荷を追加する電子回路を含む電気回路は、合計信号を分析し、出力電圧Voutを生成する。4つのフォトダイオード90a,90b,90c,90dが照射されると、電荷QPha、Qphb、Qphc、Qphdが生成される4つの個別電荷QPha、Qphb、Qphc、Qphd(一般的に、等しくない)が、電子回路内で追加される。フィードバックループ72に必要な制御信号78は、この回路の出力において出力電圧Voutとして取得することができる。
4つのフォトダイオード90a,90b,90c,90d及び読み取りのための電子回路を含む感知デバイスの代わりに、いずれの数のセンサ形式及びその対応回路を用いることができると考えられる(フォトダイオード、光電子増倍管、焦電、光抵抗、フォトンドラッグなどを用いることができる)ことを説明しておくことは価値があるであろう。
10 エキシマレーザ
12 レーザビーム
12a 線
12b 線
13 ビーム経路
14 ビーム送出ユニット(BDU)
16 入射窓
18 パルス伸張器
20 射出窓
22 ビーム事前調整ユニット(BPU)
24 光学要素配列
26 ビーム拡張ユニット(BEU)
28 レンズ配列
30 ミラー
32 ミラー
34 ミラー
36 ビーム安定性測定ユニット(BSMU)
38 光学要素配列
40 ホモジナイザー
42 円柱レンズアレイ
44 レンズ
46 円柱レンズアレイ
48 ロッド
50 コンデンサ
52 ミラー
54 視野定義ユニット(FDU)
56 ミラー
58 処理エネルギモニタ(PEM)
60 ミラー
62 ミラー
64 射出窓
66 パネル
68 作業台
70 照射線
70a 線形状ビーム
70b 線形状ビームの一部分
72 フィードバックループ
74 測定信号
76 主コントローラ
78 制御信号
80 照射系/ビーム成形ユニット(BSU)
8 2 結像光学系/縮小光学系/ビーム投影ユニット(BPU)
84 ビームスプリッタ/透過ミラー
86 検出器
88a レンズ
88b レンズ
88c レンズ
88d レンズ
90a フォトダイオード
90b フォトダイオード
90c フォトダイオード
90d フォトダイオード
92a 集束されたビームレット
92b 集束されたビームレット
92c 集束されたビームレット
92d 集束されたビームレット
94 エネルギ計測器(従来技術)
x 第1の方向
y 第2の方向
V0 バイアス電圧
Vout 出力電圧
Rs シャント抵抗器
Ipha 光電流
Iphb 光電流
Iphc 光電流
Iphd 光電流
66 パネル
70 最終照射線
84 ビームスプリッタ
86 検出器
Claims (31)
- ビーム経路(13)に沿って伝播するレーザビーム(12)から生成され、レーザ光源(10)から放出され、かつ第1の方向(x)に、該第1の方向(x)に対して垂直な第2の方向(y)の寸法を超える寸法を有する、制御されたエネルギの鮮明な照射線(70)によって作業台(68)上の試料(66)を照射するための照射装置であって、
レーザビーム(12)を線形状(70a)へと成形するためのビーム成形光学系(80)と、
前記レーザビーム(12)のエネルギを測定するためのエネルギ測定デバイス(58)と、
前記測定されたレーザビームエネルギに対応して制御信号(78)を生成し、かつ該制御信号(78)に対応してレーザ光源(10)のエネルギ出力及び/又は前記ビーム成形光学系(80)の1つ又はそれよりも多くの構成要素の伝達率を制御するためのエネルギ制御系(76)と、
を含み、
前記エネルギ測定デバイス(58)は、前記ビーム成形光学系(80)の後で、かつ作業台(68)の前で、ビーム経路(13)に配置される、
ことを特徴とする装置。 - 前記制御信号(78)は、前記第1の方向(x)における前記線形状ビーム(70a)の寸法に沿って平均化されたビームエネルギを示すことを特徴とする請求項1に記載の照射装置。
- 前記エネルギ測定デバイス(58)は、前記線形状ビーム(70a)の一部分(70b)を分離するためのビームスプリッタ(84)と該一部分(70b)を検出するための検出器(86)とを含むことを特徴とする請求項1から請求項2のいずれか1項に記載の照射装置。
- 前記検出器(86)は、前記一部分(70b)を収集するために前記第1の方向(x)に並べて配置された複数のフォトダイオード(90a,90b,90c,90d)を含むことを特徴とする請求項3に記載の照射装置。
- 前記検出器(86)は、前記一部分(70b)を前記複数のフォトダイオード(90a,90b,90c,90d)上に集束させるための複数のレンズ(88a,88b,88c,88d)を更に含むことを特徴とする請求項4に記載の照射装置。
- 前記第2の方向(y)に前記線形状ビーム(70a)を縮小するための縮小光学系(82)を更に含むことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の照射装置。
- 前記線形状ビーム(70a)を前記試料(66)上に結像するための結像光学系(82)を更に含むことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の照射装置。
- 前記ビーム成形光学系(80)は、前記レーザビーム(12)を少なくとも前記第1の方向(x)におけるその寸法に沿って均一化するためのホモジナイザー(40)を含むことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の照射装置。
- 前記ビーム成形光学系(80)は、少なくとも前記第2の方向(y)において前記レーザビーム(12)の寸法を定めるための視野定義光学デバイス(54)を含むことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の照射装置。
- 幅狭の照射線(70)によって作業台(68)上の試料(66)を照射する時にレーザ光源(10)のエネルギを制御し、それによって該照射線(70)が、ビーム経路(13)に沿って伝播するレーザビーム(12)から生成され、該レーザ光源(10)から放出され、かつ第1の方向(x)に、該第1の方向に対して垂直な第2の方向(y)の寸法をある一定の倍数で超える寸法を有する方法であって、
ビーム成形光学系(80)を用いてレーザビームを線形状(70a)へと成形する段階と、
前記レーザビーム(12)のエネルギを測定する段階と、
前記測定されたレーザビームエネルギに対して制御信号(78)を生成する段階と、
前記制御信号(78)に対して前記レーザ光源(10)のエネルギ出力及び/又は前記ビーム成形光学系(80)の1つ又はそれよりも多くの構成要素の伝達率を制御する段階と、
を含み、
前記レーザビーム(12)の前記エネルギを測定する段階は、前記ビーム成形の後かつ作業台(68)の前のビーム経路(13)においてなされる段階である、
ことを特徴とする方法。 - 前記制御信号(78)は、前記第1の方向(x)における前記線形状ビーム(70a)の寸法に沿って平均化されたビームエネルギを示すことを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記レーザビーム(12)を、該ビームを成形した後かつ前記作業台(68)の前で前記ビーム経路(13)において分割し、分割によって一部分(70b)を分離し、かつ該一部分(70b)を検出する段階を特徴とする請求項10又は請求項11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記一部分(70b)のビームエネルギを前記第1の方向(x)における該一部分(7b)の寸法に沿って平均化する段階を特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記部分(70b)を複数のサブビーム(92a,92b,92c,92d)に分割し、該複数のサブビーム(92a,92b,92c,92d)を複数のフォトダイオード(90a,90b,90c,90d)上に集束させる段階を特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記第2の方向(y)に前記線形状ビーム(70a)を更に縮小する段階を特徴とする請求項10から請求項14のいずれか1項に記載の方法。
- 前記線形状ビーム(70a)を前記試料(66)上に更に結像させる段階を特徴とする請求項10から請求項15のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ビーム成形段階は、前記レーザビーム(12)を少なくとも前記第1の方向(x)におけるその寸法に沿って均一化する段階を含むことを特徴とする請求項10から請求項16のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ビーム成形段階は、前記レーザビーム(12)の寸法を少なくとも前記第2の方向(y)において定める段階を含むことを特徴とする請求項10から請求項16のいずれか1項に記載の方法。
- ビーム経路(13)に沿って伝播するレーザビーム(12)から生成され、レーザ光源(10)から放出され、かつ第1の方向(x)に、該第1の方向(x)に対して垂直な第2の方向(y)の寸法をある一定の倍数で超える寸法を有するエネルギの制御された幅狭の照射線(70)によって作業台(68)上の試料(66)を照射するための照射装置であって、
レーザビーム(12)を線形状(70a)へと成形するためのビーム成形光学系(80)と、
前記レーザビーム(12)のエネルギを測定するためのエネルギ測定デバイス(58)と、
前記測定されたレーザビームエネルギに対応して制御信号(78)を生成し、かつ該制御信号(78)に対応してレーザ光源(10)のエネルギ出力を制御するためのエネルギ制御系(76)と、
を含み、
前記制御信号(78)は、第1の方向(x)における前記線形状ビーム(70a)の寸法に沿って平均されたビームエネルギを示す、
ことを特徴とする装置。 - 前記エネルギ測定デバイス(58)は、前記線形状ビーム(70a)の一部分(70b)を分離するためのビームスプリッタ(84)と該一部分(70b)を検出するための検出器(86)とを含むことを特徴とする請求項19に記載の照射装置。
- 前記検出器(86)は、前記部分(70b)を収集するために前記第1の方向(x)に並べて配置された複数のフォトダイオード(90a,90b,90c,90d)を含むことを特徴とする請求項20に記載の照射装置。
- 前記検出器(86)は、前記部分(70b)を前記複数のフォトダイオード(90a,90b,90c,90d)上に集束させるための複数の球面レンズ(88a,88b,88c,88d)を更に含むことを特徴とする請求項21に記載の照射装置。
- 前記フォトダイオード(90a,90b,90c,90d)の少なくとも2つが、電気的に並列に結合されることを特徴とする請求項22に記載の照射装置。
- 前記フォトダイオード(90a,90b,90c,90d)の少なくとも1つが、シャント抵抗器(Rs)に電気的に直列に結合されることを特徴とする請求項22又は請求項23のいずれか1項に記載の照射装置。
- 前記フォトダイオード(90a,90b,90c,90d)の少なくとも1つには、電気的な逆バイアス(V0)が印加されることを特徴とする請求項22から請求項24のいずれか1項に記載の照射装置。
- 幅狭の照射線(70)によって作業台(68)上の試料(66)を照射する時にレーザ光源(10)のエネルギを制御し、それによって該照射線(70)が、ビーム経路(13)に沿って伝播するレーザビーム(12)から生成され、該レーザ光源(10)から放出され、かつ第1の方向(x)に、該第1の方向(x)に対して垂直な第2の方向(y)の寸法をある一定の倍数で超える寸法を有する方法であって、
レーザビーム(12)を線(70a)へと成形する段階と、
前記線形状レーザビーム(12)のエネルギを測定する段階と、
前記測定されたレーザビームエネルギに対して制御信号(78)を生成する段階と、
前記制御信号(78)に対応してレーザ光源(10)のエネルギ出力を制御する段階と、
を含み、
前記制御信号(78)は、第1の方向における前記線形状ビーム(70a)の寸法に沿って平均化されたビームエネルギを示す、
ことを特徴とする方法。 - 前記線形状ビーム(70a)の一部分(70b)を分離し、かつ該部分を検出する段階を特徴とする請求項26に記載の方法。
- 前記部分(70b)を複数のビームレット(92a,92b,92c,92d)に分割し、かつ該ビームレット(92a,92b,92c,92d)の各々を別々に検出する段階を特徴とする請求項27に記載の方法。
- 前記複数のビームレット(92a,92b,92c,92d)の各々を別々に集束させる段階を特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記ビームレット(92a,92b,92c,92d)の各々を別々に検出する際に生成される検出信号(Ipha、Iphb、Iphc、Iphd)を合計信号(74)へと変換する段階を特徴とする請求項28又は請求項29のいずれか1項に記載の方法。
- 前記合計信号(74)を前記制御信号(78、Vout)へと変換する段階を特徴とする請求項30に記載の方法。
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