JP4204045B2 - 粒子分布測定装置 - Google Patents
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Description
近年、Si基板等の大型化に伴って、CVDやPVDさらにはスパッタリング等に用いる半導体製造装置のチャンバも大型化し、これらの装置において大型化したSi基板に薄膜を均一に形成することが強く求められている。このため、チャンバ内にプラズマ状態の分子等が均一に発生している否かを確認することが必要となってきている。
LIF法では、非特許文献1に示されるように、プラズマ状態の分子を有する気相中の一点にレーザ光を照射して気相中の一点を測定する。このためプラズマ状態の分子の分布を測定するには、レーザ光の集束する位置を変えるために、レーザ光源とこれに付随する光学ユニットを一体的に移動しなければならない。このような集束位置の移動は正確に行なわなければ正確な分布を得ることはできず、正確な移動ユニットを設けるには装置自体を大型化しなければならず、装置自体も煩雑なものとなってしまう。
また、励起したプラズマから発光する光は照射されたレーザ光に比べて極めて微弱であるため、チャンバの壁面で反射したレーザ光の戻り光やプラズマ状態の分子の自然発光する光等の外乱光によるオフセット成分に影響されて、励起した分子等の発光する光の検出信号におけるS/N比は極めて低くノイズに埋もれ易い。
なお、本発明における測定対象粒子とは、気相中に生成されるラジカル、励起種、イオン等の活性状態にある分子、原子をはじめとする粒子、例えば半導体製造装置や液晶製造装置におけるチャンバ内や燃焼火炎中の活性化状態の分子や原子の他、さらには液相中や固相中の粒子を含む。
また、微小ミラー配列素子を利用して、測定対象粒子の位置する空間内を走査するようにレーザ光の照射を制御するので、平面状の測定対象粒子の分布を測定できる小型の装置を構成することができる。また、フォーカスレンズを移動ステージに載置することにより、測定対象粒子の位置する空間内で、フォーカスレンズの光軸の奥行き方向に照射位置を変えることができ、空間内の測定対象粒子の3次元分布を短時間に測定することができる。
また、偏光子や偏光ビームスプリッタを用いることで、さらには、数ナノ秒以下のサンプリング周期で検出ユニットは高速サンプリングを行うことで、測定対象粒子の位置する空間を形成する壁面で照射光が表面反射する場合でも、反射光等の外乱光によるオフセット成分を小さくすることができ、測定対象粒子の発光する光の検出信号のダイナミックレンジを広くとることができる。
プラズマ分布測定装置10は、所定の光束のレーザ光を生成するレーザ光生成ユニット12と、レーザ光を透過および反射するビームスプリッタ14と、プラズマ状態の測定対象粒子に照射する照射光を生成する、共焦点光学系形成手段として機能する照射光生成ユニット16と、照射光をプラズマ状態の粒子が位置する所定の空間に集束させるレンズユニット18と、測定対象粒子の発光した光を検出する検出ユニット20と、これらの各ユニットの駆動を制御する制御部22と、を有して構成される。また、照射光生成ユニット16および制御部22は、測定対象粒子が分布する空間内で、照射光の集束位置を少なくとも一方向に走査するように照射光を制御する照射光制御手段として機能する。
なお、共焦点光学系形成手段とは、レーザ光生成ユニット12から入射したレーザ光の少なくとも一部分を、レンズユニット18に備えるフォーカスレンズの像面位置上の点から照射光として出射させるとともに、測定対象粒子の発光する光のうちフォーカスレンズの焦点位置上の点に集まる光を検出ユニット20へ進ませる機能を有するものをいう。
半導体レーザ光源12aは、例えば、GaAs基板やInP基板に活性層およびクラッド層を積層した公知の半導体レーザ光源であり、5ナノ秒以下の時間幅で短パルスレーザ光を制御部22より供給される制御信号に応じて射出する。射出されるレーザ光は、例えば、波長が250nm〜500nmで、最大時の光強度は数kWである。
本発明においては半導体レーザ光源の他に、パルス色素レーザ光源やエキシマレーザ光源やYAGレーザ光源等の各種のレーザ光源を用いることができる。これらは、射出されるレーザ光の波長、光強度および射出する時間幅等を考慮して、測定対象の活性化された粒子に応じて適宜選択するとよい。
偏光子12cは、光束の拡大されたレーザ光のS偏光成分を取り出す。
したがって、偏光子12cから出射したレーザ光のS偏光成分は、ビームスプリッタ14で主に反射して、照射光生成ユニット16に進む。一方、後述する測定対象であるプラズマ状態の粒子の発光する光が照射光生成ユニット16からビームスプリッタ14に進み、P波偏光成分のみがビームスプリッタ14を主に透過するように進む。
プリズム16は、ビームスプリッタ14からのレーザ光のS偏光成分を透過させて微小ミラー配列素子16bに進めるとともに、後述する測定対象のプラズマ状態の粒子の発光する光を微小ミラー配列素子16bに向けて反射するように構成される。さらに、微小ミラー配列素子16bで反射した光をビームスプリッタ14に向けて進ませる。
配列している微小ミラー17の1つ(図1中の微小ミラー17a)のみがレーザ光の入射方向と測定対象粒子の発光する光の反射方向が一致し、それ以外は全て入射方向と反射方向がずれるように微小ミラー17の向きが制御される。
したがって、プリズム16aを透過したレーザ光のS偏光成分は微小ミラー17aで反射した光のみがプリズム16aの斜面で全反射され、図1中の左方向に(レンズユニット18の側に)進み、プラズマ状態の粒子に照射する照射光となる。
フォーカスレンズ18aは移動ステージ18bに載置されてフォーカスレンズ18aの光軸方向に自在に移動するように構成されている。また、移動ステージ18bに接続される駆動モータ18cは、制御部22の制御信号に応じて、測定対象粒子の位置するチャンバ24の側に向かって移動ステージ18bが前進あるいは後退するように回転する。
プリズム16aの斜面で全反射して進行する照射光は、フォーカスレンズ18aを通り、チャンバ24の窓24aを透過して、チャンバ24内の所定の位置で照射光が集束するように構成される。
なお、微小ミラー配列素子16bの平面状に並ぶ微小ミラーは、フォーカスレンズ18aの像面位置に設けられており、光束が拡大された平行光であるレーザ光の一部分が照射光として生成され、フォーカスレンズ18aによりチャンバ24内の焦点位置に集束される。
プラズマ状態の粒子は、照射光が照射されることで励起され、このとき励起状態から基底状態に遷移するときに発光する。この発光した光は、フォーカスレンズ18a、プリズム16a、微小ミラー17aおよびプリズム16aを経由して、ビームスプリッタ14に進む。ビームスプリッタ14で、P偏光成分のみが透過し検出ユニット20に進む。
レンズユニット20aは、検出ユニット20に至る測定対象粒子の発光する光(P偏光成分)を光電子増倍管20cの受光面である光電陰極で集束させるように配置される。
狭帯域フィルタ20bは、測定対象粒子の発光する光を、照射光の光から区別して抽出されるように狭帯域フィルタ特性を有し、波長帯域でフィルタリングする。
光電子増倍管20cは、入射した光を大きな電流信号(検出信号)に変える電子管であり、周知のように、光電陰極と陽極の間にいくつかのダイノードを備えたものである。
アンプで増幅された検出信号、すなわち、測定対象粒子の発光した微弱な光が光量子(フォトンともいう)の検出信号として生成され、フォトンの検出数が計数されるように2ナノ秒以下のサンプリング周期で検出信号が高速サンプリングされ、1つのフォトンの検出に対して1つの計数をカウントするように構成される。具体的には、カウンタボード20eに所定の閾値を定め、アンプ20dからの検出信号が閾値を横切って越した場合、1つのフォトンが検出されたとして計数する。
なお、2ナノ秒以下の高速サンプリングは、例えば、1秒間に5G回サンプリングするGaGe社(Gage Applied Sciences Inc.)のA/D変換ボードCompuScope 85Gが好適に挙げられる。このように高速サンプリングを行なうのは、狭帯域フィルタ20bとともに、測定対象粒子の発光する微弱な光のみを効率よく検出するためである。特に、高速サンプリングによる検出の感度に与える効果は大きい。
コンピュータ20fは、本装置全体の駆動を制御部22を介して制御するほか、カウンタボード20eで計数されたフォトンのデータを蓄積してデータを処理するとともに、処理結果を表示する装置である。
制御部22は、コンピュータ20fの指示に応じて各ユニットへの制御信号を生成して供給する回路である。
測定対象粒子の発光する光は、光強度が照射光に比べて極めて微弱であり(光強度は照射光の1/109以下)、しかも、ストークスシフトが略10nm(中心波長の差が略10nm)であり、波長帯域で照射光に極めて近接している。このため、狭帯域フィルタ20bのフィルタ特性におけるサイドローブの部分に照射光の一部が重なり、フィルタリング処理後においても照射光の一部が測定対象粒子の光に混入する場合がある。この混入する照射光の一部は、測定対象粒子の発光する光が照射光に比べてきわめて微弱であることから、フィルタリングによって大部分が除去されたとしても、測定対象粒子の発光する微弱な光にとっては光強度が十分高く、測定するには極めて大きな障害となる。このため、検出ユニット20では、2ナノ秒以下の高速サンプリングを行なっている。
このようにサンプリング周期の上限値を規定するのは、フォーカスレンズ18aを通過した照射光が測定対象粒子に照射して測定対象粒子が即座に励起され、この励起された粒子から即座に発光する場合においても、測定時間の帯域で発光した光を、フォーカスレンズ18aに入射した際に発生する反射照射光成分から区別できるようにするためである。
したがって、フォーカスレンズ18aが固定されていればカウンタボード20eのサンプリング周期の上限値を上述の結像距離sと光速cの関係を用いて定めることで、検出ユニット20で受光する光をフォーカスレンズ18aでの反射照射光成分と区別することができる。
また、サンプリング周期が固定されていれば、上記結像距離sと光速cとの関係を用いて結像距離sの下限値を定め、これに応じてフォーカスレンズ18aを選択することもできる。
したがって、微小ミラー17aに進み検出ユニット20で受光される光の検出信号のS/N比は共焦点レーザ顕微鏡と同様に向上する。また、照射光がフォーカスレンズ18aにより集束する際の絞り角を大きくすることが検出信号のS/N比を向上させる点で好ましく、フォーカスレンズ18aのF数(焦点距離/レンズの口径)は2.5以下であるのが好ましい。
また、チャンバ24の内壁面は鏡面仕上げとなっているのでチャンバ24内に照射した照射光は反射、散乱され易い。しかし、共焦点方式のシステムを構成するため反射光および散乱光である外乱光の影響を抑制することができる。
さらに、制御部22は、移動ステージ18bに接続される駆動モータ18cの回転を制御することにより、フォーカスレンズ18aから見て光軸方向(図1中左右方向)のチャンバ24内の測定対象粒子の分布を測定することもできる。
以上がプラズマ分布測定装置10の構成である。
プラズマ分布測定装置10では、まず、制御部22の制御信号により半導体レーザ光源12aから数ナノ秒の短パルスレーザ光が射出され、ビームエキスパンダ12bで光束が拡大される。光束の拡大されたレーザ光は偏光子12cによりレーザ光のS偏光成分が生成される。
この後、レーザ光(S偏光成分)はビームスプリッタ14で反射されて、図1中の下方向に進みプリズム16aに入射される。
照射光はフォーカスレンズ18aの像面距離に応じて定まるチャンバ24内の気相中の位置に集束し、この位置に存在するプラズマ状態の測定対象粒子を発光するように励起させる。発光は必ずしも頻繁に発生するものでなく、所定の確率過程に沿って三々五々発生する。
プリズム16aを透過した光は、偏光ビームスプリッタであるビームスプリッタ14でP偏光成分のみが選択されて、ビームスプリッタ14を透過して、検出ユニット20に進む。
光電子増倍管20cで生成された検出信号はアンプ20dで増幅され、カウンタボード20eでサンプリングされる。カウンタボード20eではサンプリングされた検出信号のレベルをチェックしながら設定された閾値を越えたとき、1つのフォトンを光電子増倍管20cが受光したものとする。そして、半導体レーザ光源12aの射出のタイミングに同期して測定される時間を用いて、検出されたフォトンの時間遅れがデータとして求められる。このデータは、コンピュータ20fに送られて蓄積される。
このような測定対象粒子の発光によるフォトンの検出は1回のレーザ光で確実に行えるとは必ずしも限らない。このため照射光を複数回断続的に照射して、フォトンの検出を行なうのが好ましい。
このように、共焦点方式のシステム構成、偏光成分および狭帯域フィルタの利用により、測定対象粒子の発光する微弱な光を感度高く検出することができる。
このようにして、逐次微小ミラー17の向きを制御しながら、チャンバ24内の一平面上の測定対象粒子のフォトンを検出し、検出したフォトンの数を計数する。さらに、移動ステージ18上のフォーカスレンズ18aを光軸方向に移動して、チャンバ24内の別の平面上における測定対象粒子のフォトンを検出し、計数する。
このように、微小ミラー配列素子16bおよびフォーカスレンズ18aを載置した移動ステージ18を用いることで、空間中の測定対象粒子の3次元分布を測定する小型の装置を構成することができる。
コンピュータ20fでは、計数されたフォトンの時間遅れのデータが蓄積され、例えば、所定の時間遅れの範囲内におけるフォトンの数がまとめられ、この結果を用いて測定対象粒子の分布がコンピュータ20fのモニタ上に表示される。
図4(b)〜(d)は、それぞれ火炎の状態、照射光の戻り光の状態および火炎に照射光を照射した状態において検出されるフォトンのカウント数を時系列に表したグラフである。図4(d)中の領域Rは、活性化された粒子が発光することにより検出されるフォトンの数が支配的となっている領域である。領域Rにおけるフォトンのカウント数を求めて空間における分布として表したのが図4(e)のグラフである。図4(e)からわかるように、フォトンのカウント数が測定位置によって変化しており、火炎中の活性化された分子の分布を知ることができる。
本発明では、プラズマ中の活性化された分子や原子等を含む粒子を測定対象とする他、NOx等のガスを加熱して活性化された粒子を測定対象としてもよい。また、気相中の粒子の他、液相中や固相中の粒子を測定対象としてもよい。
12 レーザ光生成ユニット
12a 半導体レーザ光源
12b ビームエキスパンダ
12c 偏光子
14 ビームスプリッタ
16 照射光生成ユニット
16a プリズム
16b 微小ミラー配列素子
17,17a 微小ミラー
18 レンズユニット
18a フォーカスレンズ
18b 移動ステージ
18c 駆動モータ
20 検出ユニット
20a レンズ
20b 狭帯域フィルタ
20c 光電子増倍管
20d アンプ
20e カウンタボード
20f コンピュータ
22 制御部
Claims (6)
- 測定対象粒子にレーザ光を照射することにより前記測定対象粒子の発光する光を検出して前記測定対象粒子の分布を測定する粒子分布測定装置であって、
レーザ光を出射するレーザ光生成ユニットと、
前記レーザ光を前記測定対象粒子への照射光として、前記測定対象粒子が分布する空間内の所定の位置に集束させるフォーカスレンズを備えるレンズユニットと、
前記照射光の照射を受けて前記測定対象粒子の発光する光を検出する検出ユニットと、
前記レーザ光生成ユニットから入射したレーザ光の少なくとも一部分を反射することにより、前記照射光として前記フォーカスレンズの像面位置の点から出射させるとともに、前記測定対象粒子の発光する光のうち前記フォーカスレンズの前記像面位置の点に集まる光を反射することにより、前記検出ユニットへ進ませる共焦点光学系形成手段である微小ミラー配列素子と、
前記測定対象粒子が分布する空間内で、前記空間内での前記測定対象粒子の分布を測定するために、前記照射光の集束位置を少なくとも一方向に走査するように前記微小ミラー配列素子を用いて前記照射光を制御する照射光制御手段であるプリズムと、を有し、
さらに、前記レーザ光生成ユニットと前記共焦点光学系形成手段との間の光路中に、入射した光が所定の透過率および反射率で透過および反射する光学素子であって、前記レーザ光および前記測定対象粒子の発光する光が入射するビームスプリッタが設けられ、
前記プリズムは、前記微小ミラー配列素子と前記ビームスプリッタとの間の光路中に設けられ、
前記プリズムにおける光の透過および反射により、前記レーザ光生成ユニットから出射した前記レーザ光は、前記ビームスプリッタ、前記共焦点光学系形成手段および前記フォーカスレンズに向かって進み、前記測定対象粒子の発光する光は、前記フォーカスレンズ、前記共焦点光学系形成手段および前記ビームスプリッタに向かって前記レーザ光の進行方向と逆行して進み、
前記検出ユニットは、前記ビームスプリッタから出射した、前記測定対象粒子の発光する光を検出するように、前記レーザ光生成ユニットと異なる位置に配置され、
前記ビームスプリッタは、入射した光の第1の偏光成分および第2の偏光成分の一方の偏光成分を主に反射し、入射した光の他方の偏光成分を主に透過する偏光ビームスプリッタであって、
前記レーザ光生成ユニットと前記偏光ビームスプリッタとの間の光路中にレーザ光の一方の偏光成分を透過する偏光子が設けられ、レーザ光の偏光成分が前記偏光ビームスプリッタに入射することを特徴とする粒子分布測定装置。 - 前記レーザ光生成ユニットは、レーザ光を射出するレーザ光源と、このレーザ光源から射出したレーザ光の光束を拡大するビームエキスパンダとを備え、
前記共焦点光学系形成手段は、入射した光を反射する反射面を有する反射ミラーであって、この反射ミラーは、前記ビームエキスパンダにより光束の拡大したレーザ光を反射する微小ミラーを平面上に複数配列し、これらの微小ミラーのそれぞれに入射するレーザ光の反射方向を変えるように微小ミラーの向きが制御可能に可動する微小ミラー配列素子であり、
この微小ミラー配列素子の各微小ミラーの向きを制御して、前記拡大したレーザ光の光束の一部分を光束とする照射光を生成することにより、前記測定対象粒子が分布する空間内を一方向にあるいは二方向に走査して、前記測定対象粒子に照射する請求項1に記載の粒子分布測定装置。 - 前記レンズユニットは、レーザ光の光路の方向に沿って前記フォーカスレンズを移動させる移動ステージを備え、この移動ステージを移動させることによって、前記測定対象粒子が分布する空間内で前記照射光の集束する位置を変える請求項1または2に記載の粒子分布測定装置。
- 前記測定対象粒子は、気相中のプラズマ中の活性化された粒子である請求項1〜3のいずれか1項に記載の粒子分布測定装置。
- 前記測定対象粒子は、チャンバ内に閉じ込められた気相中のプラズマ中の活性化された粒子であり、
前記チャンバの壁面に設けられた窓から前記照射光を前記チャンバ内の気相中に照射する請求項1〜4のいずれか1項に記載の粒子分布測定装置。 - 前記レーザ光生成ユニットから出射するレーザ光は出射時間が5ナノ秒以下のパルスレーザ光であり、
前記検出ユニットは、前記測定対象粒子の発光する光の検出信号を計数するためにサンプリングを行い、
前記レンズユニットの前記フォーカスレンズは、前記サンプリングにおけるサンプリング周期と光速との積を2で割った値と同等あるいはそれより長い像面距離を前記測定対象粒子側に有する請求項1〜5のいずれか1項に記載の粒子分布測定装置。
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JP2005156221A (ja) | 2005-06-16 |
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