JP2011509333A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、反射防止コーティングに有用なシルセスキオキサン樹脂であって、式
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂に関する。それらの樹脂が反射防止コーティングに用いられると、除去工程でコーティングを剥離する（stripped）ことができる。さらに、シルセスキオキサン樹脂中の水素原子基の存在は、１９３ｎｍＡＲＣ物質として所望の硬化特性及び剥離能に対して極めて重要である。
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂に関する。それらの樹脂が反射防止コーティングに用いられると、除去工程でコーティングを剥離する（stripped）ことができる。さらに、シルセスキオキサン樹脂中の水素原子基の存在は、１９３ｎｍＡＲＣ物質として所望の硬化特性及び剥離能に対して極めて重要である。
本発明は、
（ｉ）式
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含む反射防止コーティング（ＡＲＣ）組成物にも関する。
（ｉ）式
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含む反射防止コーティング（ＡＲＣ）組成物にも関する。
本発明は、
（Ａ）（ｉ）式
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含むＡＲＣ組成物を電子デバイス上に塗布すること、及び
（Ｂ）溶媒を除去すると共にシルセスキオキサン樹脂を硬化させて、電子デバイス上に反射防止コーティングを形成すること
を含む、電子デバイス上に反射防止コーティングを形成する方法にも関する。
（Ａ）（ｉ）式
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含むＡＲＣ組成物を電子デバイス上に塗布すること、及び
（Ｂ）溶媒を除去すると共にシルセスキオキサン樹脂を硬化させて、電子デバイス上に反射防止コーティングを形成すること
を含む、電子デバイス上に反射防止コーティングを形成する方法にも関する。
反射防止コーティングを形成するに有用なシルセスキオキサン樹脂は、式
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有する。典型的にｍは０．０２〜０．７、あるいは０．０５〜０．１５の値を有する。典型的にｎは０．０５〜０．９０、あるいは０．１０〜０．３０の値を有する。典型的にｏは０．０５〜０．９０、あるいは０．２５〜０．７５の値を有する。典型的にｐは０．０２〜０．２０、あるいは０．０５〜０．５の値を有する。典型的にｑは０〜０．２５、あるいは０〜０．１５の値を有する。
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有する。典型的にｍは０．０２〜０．７、あるいは０．０５〜０．１５の値を有する。典型的にｎは０．０５〜０．９０、あるいは０．１０〜０．３０の値を有する。典型的にｏは０．０５〜０．９０、あるいは０．２５〜０．７５の値を有する。典型的にｐは０．０２〜０．２０、あるいは０．０５〜０．５の値を有する。典型的にｑは０〜０．２５、あるいは０〜０．１５の値を有する。
本発明は、
（ｉ）式 （ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含む反射防止コーティング（ＡＲＣ）組成物にも関する。
（ｉ）式 （ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含む反射防止コーティング（ＡＲＣ）組成物にも関する。
Claims (10)
- 式
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂。 - Ｒが、式ＨＳ（ＣＨ2）z−（式中、ｚは１〜１８の値を有する）のメルカプトアルキル基である請求項１に記載のシルセスキオキサン樹脂。
- Ｒが、式Ｒ3ＳＳ（ＣＨ2）z−及びＲ3ＳＳＳ（ＣＨ2）z−（式中、Ｒ3はＨ原子、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基又はアリール基であり、ｚは１〜１８の値を有する）のポリスルフィド基である請求項１に記載のシルセスキオキサン樹脂。
- （ｉ）式
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含む反射防止コーティング組成物。 - Ｒが、式ＨＳ（ＣＨ2）z−（式中、ｚは１〜１８の値を有する）のメルカプトアルキル基である請求項４に記載の反射防止コーティング組成物。
- Ｒが、式Ｒ3ＳＳ（ＣＨ2）z−及びＲ3ＳＳＳ（ＣＨ2）z−（式中、Ｒ3はＨ原子、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基又はアリール基であり、ｚは１〜１８の値を有する）のポリスルフィド基である請求項４に記載の反射防止コーティング組成物。
- （Ａ）（ｉ）式
（ＰｈＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）m（ＨＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）n（ＭｅＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）o（ＲＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）p（Ｒ2ＳｉＯ(3-x)/2（ＯＲ’）x）q
（式中、Ｐｈはフェニル基であり、Ｍｅはメチル基であり、Ｒは硫黄含有有機官能基から選ばれ、Ｒ’は水素原子又は１〜４個の炭素原子を有する炭化水素基であり、Ｒ2はエステル基、ポリエーテル基及びポリエチレンオキシド基から選ばれ、ｘは０、１又は２の値を有し、ｍは０．０１〜０．９７の値を有し、ｎは０．０１〜０．９７の値を有し、ｏは０．０１〜０．９７の値を有し、ｐは０．０１〜０．９７の値を有し、ｑは０〜０．９６の値を有し、且つｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＋ｑ＝１）を有するシルセスキオキサン樹脂と、
（ｉｉ）溶媒と
を含む反射防止コーティング（ＡＲＣ）組成物を電子デバイスに塗布すること、及び
（Ｂ）溶媒を除去すると共にシルセスキオキサン樹脂を硬化させて、電子デバイス上に反射防止コーティングを形成すること
を含む、電子デバイス上に反射防止コーティングを形成する方法。 - Ｒが、メルカプトプロピル基である請求項７に記載の方法。
- Ｒ2が、−（ＣＨ2）2−Ｃ（Ｏ）−ＯＭｅである請求項７に記載の方法。
- 前記組成物が遊離基開始剤をさらに含む請求項７に記載の方法。
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