JP2011508458A - 選択的に製造されたカーボンナノチューブ可逆抵抗切替素子を使用するメモリセルおよびそれを形成する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2007年12月31日に出願された「MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT FORMED OVER A BOTTOM CONDUCTOR AND METHODS OF FORMING THE SAME 」という米国特許出願第11/968,156号(代理人整理番号:MD−351)(特許文献2)、および2007年12月31日に出願された「MEMORY CELL WITH PLANARIZED CARBON NANOTUBE LAYER AND METHODS OF FORMING THE SAME 」という米国特許出願第11/968,159号(代理人整理番号:MD−368)(特許文献3)に関連し、その全体があらゆる目的のために本願明細書において参照により援用されている。
しかし、再書込み可能な抵抗率切替材料から記憶装置を製造することは技術的にやりがいがあり、抵抗率切替材料を使用する記憶装置を形成する改良された方法が望ましい。
図1は、本発明に従って提供される代表的なメモリセル100の略図である。メモリセル100は、ステアリング素子104に結合された可逆抵抗切替素子102を含む。
可逆抵抗切替素子102は、2つ以上の状態の間で可逆的に切り替わり得る抵抗率を有する可逆抵抗率切替材料(単独には示されていない)を含む。例えば、素子102の可逆抵抗率切替材料は、製造時には初期低抵抗率状態にあり得る。第1の電圧および/または電流が加えられると、材料は高抵抗率状態に切り替わることができる。第2の電圧および/または電流を加えることにより、可逆抵抗率切替材料を低抵抗率状態に戻すことができる。あるいは、可逆抵抗切替素子102は、製造時には初期高抵抗状態にあることができ、それは、適切な1つまたは複数の電圧および/または1つまたは複数の電流が加えられると、低抵抗状態に可逆的に切り替わることができる。メモリセルにおいて使用されるとき、1つの抵抗状態はバイナリ「0」を表すことができ、他の1つの抵抗状態はバイナリ「1」を表すことができるけれども、2つより多いデータ/抵抗状態が使用され得る。多数の可逆抵抗率切替材料と、可逆抵抗切替素子を使用するメモリセルの操作とが、例えば、前に援用されている特許文献4に記載されている。
メモリセル100、可逆抵抗切替素子102およびステアリング素子104の代表的な実施形態が、以下で図2A〜5を参照して記載される。
図2Aは、本発明に従って提供されるメモリセル200の第1の実施形態の略透視図である。図2Aを参照すると、メモリセル200は、第1の導体206と第2の導体208との間でダイオード204と直列に結合された可逆抵抗切替素子202を含む。ある実施形態では、可逆抵抗切替素子202とダイオード204との間に障壁層210、伝導層212および/またはCNTシーディング層214が形成され得る。例えば、障壁層210は窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステンなどを含むことができ、伝導層212はタングステンまたは他の適切な金属層を含むことができる。
ダイオード204は、ダイオードのp領域より上にn領域があって上を向いているかあるいはダイオードのn領域より上にp領域があって下を向いている垂直多結晶pnまたはpinダイオードなどの任意の適切なダイオードを含むことができる。ダイオード204の代表的な実施形態は、以下で図3A〜Cを参照して記載される。
前述したように、ダイオード204は垂直のpnダイオードあるいはpinダイオードであってよく、それは上または下を向くことができる。隣り合うメモリレベル同士が導体を共有する図2Dの実施形態では、隣り合うメモリレベル同士は、好ましくは、例えば第1のメモリレベルでは下向きpinダイオード、隣接する第2のメモリレベルでは上向きpinダイオード(あるいはその逆)など、反対方向を向くダイオードを有する。
他の1つの代表的な実施形態では、CNTは、約20分間にわたる、約5.5Torrの圧力の約20%C2 H4 および80%アルゴン中での約650℃の温度でのCVDによってニッケル触媒層上に形成され得る。他の温度、ガス、比、圧力および/または成長時間が使用され得る。
さらに他の1つの実施形態では、CNTは、約8〜30分間にわたる、約100〜200ワットのRF電力を用いる、約80%のアルゴン、水素および/またはアンモニアで希釈された約20%のメタン、エチレン、アセチレンまたは他の炭化水素中での約600〜900℃の温度でのプラズマエンハンストCVDを用いてニッケル、コバルト、鉄などの金属触媒層上に形成され得る。他の温度、ガス、比、電力および/または成長時間が使用され得る。
図4A〜Dは、本発明に従う第1のメモリレベルの製造中の基板400の一部分の横断面図を示す。以下に説明するように、第1のメモリレベルは、基板より上にカーボンナノチューブ(CNT)材料を選択的に製造することによって形成された可逆抵抗切替素子を各々含む複数のメモリセルを含む。(図2C〜2Dを参照して前に説明したように、)第1のメモリレベルより上に付加的なメモリレベルが製造され得る。
絶縁層402が基板400より上に形成される。ある実施形態では、絶縁層402は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素の層あるいは他の任意の適切な絶縁層であり得る。
伝導層426の形成後、伝導層426の上にCNTシーディング層427が形成される。ある実施形態では、CNTシーディング層427は、約1,000〜約5,000オングストロームの窒化チタンまたは窒化タンタルであり得るけれども、他の厚さが使用され得る。
他の1つの代表的な実施形態では、CNTは、約20分間にわたる、約5.5Torrの圧力の約20%C2 H4 および80%アルゴン中での約650℃の温度でのCVDによってニッケル触媒層上に形成され得る。他の温度、ガス、比、圧力および/または成長時間が使用され得る。
さらに他の1つの実施形態では、CNTは、約8〜30分間にわたる、約100〜200ワットのRF電力を用いる、約80%のアルゴン、水素および/またはアンモニアで希釈された約20%のメタン、エチレン、アセチレンまたは他の炭化水素中での約600〜900℃の温度でのプラズマエンハンストCVDを用いてニッケル、コバルト、鉄などの金属触媒層上に形成され得る。他の温度、ガス、比、電力および/または成長時間が使用され得る。
図5は、本発明に従って提供される代表的なメモリセル500の横断面図である。メモリセル500は、基板505より上に形成された可逆抵抗切替素子504に結合された薄膜金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)502などの薄膜トランジスタ(TFT)を含む。例えば、MOSFET502は、任意の適切な基板上に形成されたnチャネルまたはpチャネルの薄膜MOSFETであり得る。図に示されている実施形態では、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化物などの絶縁領域506が基板505より上に形成され、堆積させられたシリコン、ゲルマニウム、シリコン−ゲルマニウムなどの堆積させられた半導体領域507が絶縁領域506より上に形成される。薄膜MOSFET502は、堆積させられた半導体領域507の中に形成され、絶縁領域506によって基板505から絶縁される。
従って、本発明は、その代表的な実施形態に関して開示されたけれども、他の実施形態が、添付の特許請求の範囲により定義される発明の精神および範囲の中にあるかもしれないということを理解するべきである。
Claims (92)
- メモリセルを製造する方法であって、
基板より上にステアリング素子を製造するステップと、
前記基板より上にカーボンナノチューブ(CNT)材料を選択的に製造することによって前記ステアリング素子に結合された可逆抵抗切替素子を製造するステップと、
を含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記可逆抵抗切替素子を製造するステップは、
CNTシーディング層を製造するステップと、
前記CNTシーディング層をパターニングしエッチングするステップと、
前記CNTシーディング層上にCNT材料を選択的に製造するステップと、
を含む方法。 - 請求項2記載の方法において、
前記CNTシーディング層を製造するステップは、
窒化チタンを堆積させるステップと、
前記堆積させられた窒化チタンの表面を粗くするステップと、
を含む方法。 - 請求項3記載の方法において、
前記粗くされた窒化チタン表面上に金属層を選択的に堆積させるステップをさらに含む方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記金属層は、ニッケル、コバルトまたは鉄を含む方法。 - 請求項2記載の方法において、
前記CNTシーディング層を製造するステップは、
第1の導体より上に窒化チタンを堆積させるステップと、
前記窒化チタン上に金属触媒層を選択的に堆積させるステップと、
を含む方法。 - 請求項6記載の方法において、
前記金属層は、ニッケル、コバルトまたは鉄を含む方法。 - 請求項2記載の方法において、
前記CNTシーディング層をパターニングしエッチングするステップは、前記ステアリング素子をパターニングしエッチングするステップを含む方法。 - 請求項2記載の方法において、
前記CNTシーディング層上にCNT材料を選択的に製造するステップは、化学蒸着(CVD)またはプラズマエンハンストCVDを用いてCNT材料を前記CNTシーディング層上に堆積させるステップを含む方法。 - 請求項2記載の方法において、
前記CNT材料の切替特性を調整するために前記CNT材料に欠陥を生じさせるステップをさらに含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記可逆抵抗切替素子を製造するステップは、
金属層を選択的に堆積させるステップと、
前記堆積させられた金属層上にCNT材料を選択的に製造するステップと、
を含む方法。 - 請求項11記載の方法において、
前記金属層は、ニッケル、コバルトまたは鉄を含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記可逆抵抗切替素子は、前記ステアリング素子より上に製造される方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記ステアリング素子を製造するステップは、pnダイオードまたはpinダイオードを製造するステップを含む方法。 - 請求項14記載の方法において、
前記ステアリング素子を製造するステップは、多結晶ダイオードを製造するステップを含む方法。 - 請求項15記載の方法において、
前記ステアリング素子を製造するステップは、垂直多結晶ダイオードを製造するステップを含む方法。 - 請求項16記載の方法において、
前記ステアリング素子を製造するステップは、低抵抗率状態にある多結晶材料を有する垂直多結晶ダイオードを製造するステップを含む方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記ステアリング素子を製造するステップは、薄膜トランジスタを製造するステップを含む方法。 - 請求項18記載の方法において、
前記ステアリング素子を製造するステップは、薄膜金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を製造するステップを含む方法。 - 請求項1記載の方法を用いて形成されたメモリセル。
- 請求項16記載の方法を用いて形成されたメモリセル。
- メモリセルを製造する方法であって、
基板より上に第1の導体を製造するステップと、
前記第1の導体より上にカーボンナノチューブ(CNT)材料を選択的に製造することによって前記第1の導体より上に可逆抵抗切替素子を製造するステップと、
前記第1の導体より上にダイオードを製造するステップと、
前記ダイオードおよび前記可逆抵抗切替素子より上に第2の導体を製造するステップと、
を含む方法。 - 請求項22記載の方法において、
前記可逆抵抗切替素子を製造するステップは、
CNTシーディング層を製造するステップと、
前記CNTシーディング層をパターニングしエッチングするステップと、
前記CNTシーディング層上にCNT材料を選択的に製造するステップと、
を含む方法。 - 請求項23記載の方法において、
前記CNTシーディング層を製造するステップは、
窒化チタンを堆積させるステップと、
前記堆積させられた窒化チタンの表面を粗くするステップと、
を含む方法。 - 請求項24記載の方法において、
前記粗くされた窒化チタン表面上に金属層を選択的に堆積させるステップをさらに含む方法。 - 請求項23記載の方法において、
前記CNTシーディング層をパターニングしエッチングするステップは、前記ダイオードをパターニングしエッチングするステップを含む方法。 - 請求項22記載の方法において、
前記可逆抵抗切替素子を製造するステップは、
金属層を選択的に堆積させるステップと、
前記堆積させられた金属層上にCNT材料を選択的に製造するステップと、
を含む方法。 - 請求項22記載の方法において、
前記可逆抵抗切替素子は、前記ステアリング素子より上に製造される方法。 - 請求項22記載の方法において、
前記ダイオードを製造するステップは、垂直多結晶ダイオードを製造するステップを含む方法。 - 請求項29記載の方法において、
前記垂直多結晶ダイオードの多結晶材料と接触するシリサイド、シリサイド−ゲルマニドまたはゲルマニドの領域を前記多結晶材料が低抵抗率状態にあるように製造するステップをさらに含む方法。 - 請求項22記載の方法を用いて形成されたメモリセル。
- 請求項30の方法を用いて形成されたメモリセル。
- メモリセルを製造する方法であって、
基板より上に第1の導体を製造するステップと、
前記第1の導体より上に垂直多結晶ダイオードを製造するステップと、
前記垂直多結晶ダイオードより上にカーボンナノチューブ(CNT)材料を選択的に製造することによって前記垂直多結晶ダイオードより上に可逆抵抗切替素子を製造するステップと、
前記可逆抵抗切替素子より上に第2の導体を製造するステップと、
を含む方法。 - 請求項33記載の方法において、
前記可逆抵抗切替素子を製造するステップは、
CNTシーディング層を製造するステップと、
前記CNTシーディング層をパターニングしエッチングするステップと、
前記CNTシーディング層上にCNT材料を選択的に製造するステップと、
を含む方法。 - 請求項34記載の方法において、
前記CNTシーディング層を製造するステップは、
窒化チタンを堆積させるステップと、
前記堆積させられた窒化チタンの表面を粗くするステップと、
を含む方法。 - 請求項35記載の方法において、
前記粗くされた窒化チタン表面上に金属層を選択的に堆積させるステップをさらに含む方法。 - 請求項34記載の方法において、
前記CNTシーディング層をパターニングしエッチングするステップは、前記ダイオードをパターニングしエッチングするステップを含む方法。 - 請求項33記載の方法において、
前記可逆抵抗切替素子を製造するステップは、
金属層を選択的に堆積させるステップと、
前記堆積させられた金属層上にCNT材料を選択的に製造するステップと、
を含む方法。 - 請求項33記載の方法において、
前記垂直多結晶ダイオードの多結晶材料と接触するシリサイド、シリサイド−ゲルマニドまたはゲルマニドの領域を前記多結晶材料が低抵抗率状態にあるように製造するステップをさらに含む方法。 - 請求項33記載の方法を用いて形成されたメモリセル。
- メモリセルを製造する方法であって、
ソース領域およびドレイン領域を有する薄膜トランジスタを製造するステップと、
前記トランジスタの前記ソース領域または前記ドレイン領域に結合された第1の導体を製造するステップと、
前記第1の導体より上にカーボンナノチューブ(CNT)材料を選択的に製造することによって前記第1の導体に結合された可逆抵抗切替素子を製造するステップと、
前記可逆抵抗切替素子より上に第2の導体を製造するステップと、
を含む方法。 - 請求項41記載の方法において、
前記可逆抵抗切替素子を製造するステップは、
CNTシーディング層を製造するステップと、
前記CNTシーディング層をパターニングしエッチングするステップと、
前記CNTシーディング層上にCNT材料を選択的に製造するステップと、
を含む方法。 - 請求項42記載の方法において、
前記CNTシーディング層を製造するステップは、
窒化チタンを堆積させるステップと、
前記堆積させられた窒化チタンの表面を粗くするステップと、
を含む方法。 - 請求項41記載の方法において、
前記可逆抵抗切替素子を製造するステップは、
金属層を選択的に堆積させるステップと、
前記堆積させられた金属層上にCNT材料を選択的に製造するステップと、
を含む方法。 - 請求項41記載の方法を用いて形成されたメモリセル。
- 請求項1記載の方法において、
前記CNT材料を選択的に製造するステップは、前記CNT材料における横方向伝導を減少させるように実質的に垂直に整列させられたCNTを有するCNT材料を製造するステップを含む方法。 - 請求項22記載の方法において、
前記CNT材料を選択的に製造するステップは、前記CNT材料における横方向伝導を減少させるように実質的に垂直に整列させられたCNTを有するCNT材料を製造するステップを含む方法。 - 請求項33記載の方法において、
前記CNT材料を選択的に製造するステップは、前記CNT材料における横方向伝導を減少させるように実質的に垂直に整列させられたCNTを有するCNT材料を製造するステップを含む方法。 - メモリセルであって、
ステアリング素子と、
前記ステアリング素子に結合され、選択的に製造されたカーボンナノチューブ(CNT)材料を含む可逆抵抗切替素子と、
を備えるメモリセル。 - 請求項49記載のメモリセルにおいて、
前記ステアリング素子は、pnダイオードまたはpinダイオードを含むメモリセル。 - 請求項50記載のメモリセルにおいて、
前記ダイオードは、垂直多結晶ダイオードを含むメモリセル。 - 請求項51記載のメモリセルにおいて、
前記垂直多結晶ダイオードは、低抵抗率状態にある多結晶材料を含むメモリセル。 - 請求項49記載のメモリセルにおいて、
前記ステアリング素子は、薄膜トランジスタを含むメモリセル。 - 請求項53記載のメモリセルにおいて、
前記薄膜トランジスタは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を含むメモリセル。 - 請求項49記載のメモリセルにおいて、
前記CNT材料がその上に選択的に製造されるパターニングされエッチングされたCNTシーディング層をさらに含むメモリセル。 - 請求項55記載のメモリセルにおいて、
前記CNTシーディング層は、伝導層を含むメモリセル。 - 請求項56記載のメモリセルにおいて、
前記伝導層は、窒化チタンを含むメモリセル。 - 請求項57記載のメモリセルにおいて、
前記窒化チタンは、粗面化されるメモリセル。 - 請求項56記載のメモリセルにおいて、
前記伝導層は、ニッケル、コバルトまたは鉄を含むメモリセル。 - 請求項55記載のメモリセルにおいて、
前記CNTシーディング層は、前記ステアリング素子と共にパターニングされエッチングされるメモリセル。 - 請求項55記載のメモリセルにおいて、
前記CNT材料は、前記CNT材料の切替特性を調整する欠陥を含むメモリセル。 - メモリセルであって、
第1の導体と、
前記第1の導体より上に形成された第2の導体と、
前記第1の導体および前記第2の導体の間に形成されたダイオードと、
前記第1の導体および前記第2の導体の間に選択的に製造されたカーボンナノチューブ(CNT)材料を含む可逆抵抗切替素子と、
を備えるメモリセル。 - 請求項62記載のメモリセルにおいて、
前記ダイオードは、垂直多結晶ダイオードを含むメモリセル。 - 請求項63記載のメモリセルにおいて、
前記可逆抵抗切替素子は、前記垂直多結晶ダイオードより上にあるメモリセル。 - 請求項63記載のメモリセルにおいて、
前記多結晶材料が低抵抗率状態にあるように前記垂直多結晶ダイオードの多結晶材料と接触するシリサイド、シリサイド−ゲルマニドまたはゲルマニドの領域をさらに備えるメモリセル。 - 請求項62記載のメモリセルにおいて、
前記CNT材料がその上に選択的に製造されるパターニングされエッチングされたCNTシーディング層をさらに含むメモリセル。 - 請求項66記載のメモリセルにおいて、
前記CNTシーディング層は、伝導層を含むメモリセル。 - 請求項67記載のメモリセルにおいて、
前記伝導層は、窒化チタンを含むメモリセル。 - 請求項68記載のメモリセルにおいて、
前記窒化チタンは、粗面化されるメモリセル。 - 請求項67記載のメモリセルにおいて、
前記伝導層は、ニッケル、コバルトまたは鉄を含むメモリセル。 - メモリセルであって、
ソース領域およびドレイン領域を有する薄膜トランジスタと、
前記ソース領域または前記ドレイン領域に結合された第1の導体と、
前記第1の導体より上に選択的に製造されたカーボンナノチューブ(CNT)材料を含む可逆抵抗切替素子と、
前記可逆抵抗切替素子より上に形成された第2の導体と、
を備えるメモリセル。 - 請求項71記載のメモリセルにおいて、
前記薄膜トランジスタは、nチャネルまたはpチャネルの金属酸化物半導体電界効果トランジスタを含むメモリセル。 - 請求項71記載のメモリセルにおいて、
前記CNT材料がその上に選択的に製造されるパターニングされエッチングされたCNTシーディング層をさらに含むメモリセル。 - 請求項71記載のメモリセルにおいて、
前記CNTシーディング層は、伝導層を含むメモリセル。 - 請求項74記載のメモリセルにおいて、
前記伝導層は、窒化チタンを含むメモリセル。 - 請求項75記載のメモリセルにおいて、
前記窒化チタンは、粗面化されるメモリセル。 - 複数の不揮発性メモリセルであって、
第1の方向に延びる第1の複数の実質的に平行で実質的に共面の導体と、
複数のダイオードと、
複数の可逆抵抗切替素子と、
前記第1の方向とは異なる第2の方向に延びる第2の複数の実質的に平行で実質的に共面の導体と、を備え、
各メモリセルにおいて、前記ダイオードのうちの1つと前記可逆抵抗切替素子のうちの1つとは直列に配列され、前記第1の導体のうちの1つと前記第2の導体のうちの1つとの間に配置され、
各可逆抵抗切替素子は、選択的に製造されたカーボンナノチューブ(CNT)材料を含む複数の不揮発性メモリセル。 - 請求項77記載の複数の不揮発性メモリセルにおいて、
各ダイオードは、垂直多結晶ダイオードである複数の不揮発性メモリセル。 - 請求項78記載の複数の不揮発性メモリセルにおいて、
前記多結晶材料が低抵抗率状態にあるように各垂直多結晶ダイオードの多結晶材料と接触するシリサイド、シリサイド−ゲルマニドまたはゲルマニドの領域をさらに備える複数の不揮発性メモリセル。 - 請求項77記載の複数の不揮発性メモリセルにおいて、
各可逆抵抗切替素子は、前記可逆抵抗切替素子の前記CNT材料がその上に選択的に製造されるパターニングされエッチングされたCNTシーディング層を含む複数の不揮発性メモリセル。 - 請求項80記載の複数の不揮発性メモリセルにおいて、
各可逆抵抗切替素子の前記CNTシーディング層は、伝導層を含む複数の不揮発性メモリセル。 - 請求項81記載の複数の不揮発性メモリセルにおいて、
各可逆抵抗切替素子の前記伝導層は、窒化チタンを含む複数の不揮発性メモリセル。 - 請求項82の複数の不揮発性メモリセルにおいて、
各可逆抵抗切替素子の前記窒化チタンは、粗面化される複数の不揮発性メモリセル。 - モノリシックな3次元メモリアレイであって、
基板より上に形成された第1のメモリレベルであって、
複数のメモリセルであって、前記第1のメモリレベルの各メモリセルは、
ステアリング素子と、
前記ステアリング素子に結合され、選択的に製造されたカーボンナノチューブ(CNT)材料を含む可逆抵抗切替素子と、を含む複数のメモリセルを備えるようにした第1のメモリレベルと、
前記第1のメモリレベルより上にモノリシック的に形成された少なくとも第2のメモリレベルと、
を備えるモノリシックな3次元メモリアレイ。 - 請求項84記載のモノリシックな3次元メモリアレイにおいて、
各ステアリング素子は、垂直多結晶ダイオードを含むモノリシックな3次元メモリアレイ。 - 請求項85記載のモノリシックな3次元メモリアレイにおいて、
各垂直多結晶ダイオードは、垂直ポリシリコンダイオードを含むモノリシックな3次元メモリアレイ。 - 請求項84記載のモノリシックな3次元メモリアレイにおいて、
各可逆抵抗切替素子は、前記可逆抵抗切替素子の前記CNT材料がその上に選択的に製造されるパターニングされエッチングされたCNTシーディング層を含むモノリシックな3次元メモリアレイ。 - 請求項49記載のメモリセルにおいて、
前記CNT材料は、前記CNT材料における横方向伝導を減少させるように実質的に垂直に整列させられたCNTを含むメモリセル。 - 請求項62記載のメモリセルにおいて、
前記CNT材料は、前記CNT材料における横方向伝導を減少させるように実質的に垂直に整列させられたCNTを含むメモリセル。 - 請求項71記載のメモリセルにおいて、
前記CNT材料は、前記CNT材料における横方向伝導を減少させるように実質的に垂直に整列させられたCNTを含むメモリセル。 - 請求項77記載の複数の不揮発性メモリセルにおいて、
各可逆抵抗切替素子の前記CNT材料は、前記CNT材料における横方向伝導を減少させるように実質的に垂直に整列させられたCNTを含む複数の不揮発性メモリ。 - 請求項84記載のモノリシックな3次元メモリアレイにおいて、
各可逆抵抗切替素子の前記CNT材料は、前記CNT材料における横方向伝導を減少させるように実質的に垂直に整列させられたCNTを含むモノリシックな3次元メモリアレイ。
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