JP2011504296A - マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
しかし、この場合に発生する問題は、照明系のレチクル平面内の光が、依然として残留偏光を有する場合があることである。この残留偏光の原因は、特に、照明系内でレンズ上に存在する反射防止層(AR層)、並びにミラー上に存在する高反射層(HR層)の影響である。
この点に関して、本発明によると、偏光状態をそれぞれ表すJonesベクトルのスカラー積がゼロである偏光状態を意味するのに「直交する偏光状態」という表現を用いる。この意味で、互いに直交する状態は、互いに垂直な好ましい偏光方向を含む直線偏光状態だけでなく、反対の掌性を有する円偏光状態(すなわち、左円偏光と右円偏光)でもある。更に、本発明によると、個々の光ビームが直線偏光される偏光分布を意味するのに直線偏光分布という表現を同様に用い、個々の光ビームの電界強度ベクトルの振動平面(例えば、半径方向又はタンジェンシャル偏光分布の場合等)は、様々な方向に配向することができる。
本発明の実施形態によると、互いに直交する偏光状態を有する光成分は、照明系の瞳平面のそれぞれ異なる領域を通過する。
本発明による直交する偏光状態の生成は、上述の残留偏光効果から発生する分布状態が、照明系内の適切な位置(例えば、レチクル平面の僅かに直前の)で望ましい直交する偏光状態が得られるように適切に分割される工程によって平易な方式で行うことができる。従って、本発明による手法の利点は、照明系の連続する部分の相互偏光光学補償に伴う複雑化及び経費(例えば、互いに補償し合う部分を選択するか又は適切に設定する時の)が回避される点でもある。
偏光影響光学配置は、例えば、投影露光装置の作動において、光ビーム断面の一部分しか網羅せず、通過する直線偏光光に対して好ましい偏光方向の90°又はその奇数倍数の回転を引き起こす少なくとも1つの光学回転子要素を有することができる。
円偏光光の生成を含む最後に説明した構成は、それらの場合には異なる掌性は伝達には関連がないので、互いに直交する偏光状態を有して生成された光成分、すなわち、一方の左円偏光光と他方の右円偏光光が、照明系又は投影対物系を通じた伝達において類似の挙動を示すという利点を有する。
好ましい構成によると、偏光影響光学配置は、REMA対物系に配置され、REMA対物系は、投影露光装置の作動において、中間視野平面の像を物体平面内に生成し、好ましくはこのREMA対物系の瞳平面に生成する。そのような位置では、本発明により利用される残留偏光は特に明瞭であり、互いに直交する偏光状態も特に実質的に可能である。
本発明は、更に、微細構造構成要素のマイクロリソグラフィ製作のためのマイクロリソグラフィ投影露光装置及び工程、並びに微細構造構成要素に関する。
本発明の更に別の構成は、本明細書及び特許請求の範囲において見出されるものとする。以下では、本発明を添付図面に示す実施形態を例示的に用いてより詳細に説明する。
この点に関して、図1は、投影される構造を有し、投影対物系40(2つのレンズL1及びL2によって象徴的にのみ示している)の物体平面OPに配置されたレチクル(又はマスク)30を示す大幅に簡略化した模式図である。投影対物系40の像平面IP内には、感光層(又はウェーハ)50が設けられた基板が配置される。
光は、例えば、193nmの作動波長のためのArFレーザ、又は157nmの作動波長のためのF2レーザを含むことができ、平行光ビームを生成するためのビーム成形光学手段を有する光源ユニット202から照明系200上に入射する。図示の実施形態では、この平行光ビームは、最初に回折光学要素(DOE)203上に入射し、回折光学要素(DOE)203は、光伝播方向に下流の位置に配置されたズームアキシコンレンズ204と共に、アキシコン要素のそれぞれのズーム設定及び位置に依存して、偏向ミラー205の下流に配置された瞳平面に様々な照明構成を生成する。ビーム経路内のDOE203の下流には、下流に配置された光混合系207と共に、光源202の直線偏光光を非偏光光に変換するための偏光解消器206(例えば、Hanle偏光解消器)が配置される。図示の実施形態では、光混合系207は、それ自体公知であるマイクロ光学要素配置の形態にある。しかし、代替的に、光混合系としてハニカムコンデンサー又は棒状インテグレーターを公知の方式で用いることができる。光混合系207に続く光学結像手段208の下流に配置された中間視野平面は、REMA対物系209(模式的にしか示していない)により、像を生成される構造を保持するレチクル201上に投影される。構造を保持するレチクル201は、投影対物系(図2には示していない)により、図1と同様に感光基板上に投影される。
REMA対物系209内に「P」で示している瞳平面には、偏光影響光学配置210が配置され、その実施に関して、図3から図6を参照して以下に様々な実施形態を説明する。
この点に関して、偏光影響光学配置上に入射する光の上述の直線残留偏光は、特に、照明系内のHR層及びAR層の効果の重ね合わせから発生する不均一残留偏光分布から生じる。本明細書の冒頭部分で解説したように、この残留偏光分布は、レンズ上(特に、ズームアキシコン204の円錐レンズ上)のAR層によって生成された半径方向の残留偏光分布が、HR層によって生成され、一定の好ましい偏光方向を含む直線残留偏光と重ね合わされるということに帰されるものであり、これらの互いに重ね合わされる残留偏光分布は、関わる方向(走査方向に対して垂直又は平行)に依存して互いに増大又は低減する。
最初に図3aは、REMA対物系209の瞳平面P内に発生する偏光分布P1の例を模式的に示しており、純粋に例示的に、採用した基準は、光が瞳平面P内でx方向(すなわち、y方向にある走査方向に対して垂直な)に延びる双極が有する極に限定される双極X照明環境と呼ぶものである。それぞれ電界強度ベクトルの振動方向を表す図3aの双方向矢印によって示しているように、これらの極の領域内では、上記に解説した残留偏光効果によって少なくとも近似的に半径方向の残留偏光分布が発生する。
従って、上記に応じて、偏光影響光学配置600は、配置600上に入射して円偏光分布のものである光から、本発明により必要とされるここでもまた光ビーム断面の中心位置に関して対称に配置された互いに直交する偏光状態を含む光成分を前と同様に生成する。
図7の照明系700は、ズームアキシコン704の下流の瞳平面に配置されて通過する直線偏光光に対して光ビーム断面にわたって好ましい偏光方向の90°の回転を生成する付加的な光学回転子要素711だけ図2のものとは異なる。従って、合成の光学活性結晶石英を用いる場合に、この条件は、ここでもまた、約278.5μm+N*557μm(N=0,1,2,...)の厚みに対応する。この光学90°回転子を基本的に公知の方式に用いることにより、それぞれ回転子要素711の上流と下流とに配置された部分系の間で互いに垂直な偏光状態の実質的な入れ替えを可能にし、従って、部分系内で蓄積された位相シフトの少なくとも部分的な無効化をもたらすことができる。
図7の実施形態では、この補償原理は、本発明の特性であるREMA対物系709の瞳平面に残る残留偏光からの直交偏光状態の生成と組み合わされる。
40 投影対物系
OP 物体平面
Claims (18)
- マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系であって、
投影露光装置の作動において照明系(200,700)が、該投影露光装置の投影対物系(40)の物体平面(OP)を照明し、かつ
照明系(200,700)が、照明系の作動において生成されて前記物体平面(OP)内でのみ重ね合わされる互いに点対称な関係にある光成分(10,20)が互いに直交する偏光状態を有するように適応される、
ことを特徴とする照明系。 - 前記互いに直交する偏光状態を有する光成分は、照明系(200,700)の瞳平面(P)のそれぞれ異なる領域を通過することを特徴とする請求項1に記載の照明系。
- 前記領域は、前記瞳平面(P)内で光ビーム断面の中心位置に関して互いに点対称な関係に配置されることを特徴とする請求項2に記載の照明系。
- 前記投影露光装置の作動において前記物体平面(OP)内の構造で回折する際の前記光成分(10,20)は、前記投影対物系の像平面(IP)内で互いに重ね合わされて実質的に非偏光の光を生じることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記互いに直交する偏光状態は、互いに垂直な好ましい偏光方向を有する直線偏光状態であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記互いに直交する偏光状態は、互いに反対の掌性を有する円偏光状態であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記互いに直交する偏光状態を有する光成分を生成する偏光影響光学配置(210,300,400,500,600)を有することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の照明系。
- 前記偏光影響光学配置(210,300,400)は、該配置を通過する直線偏光光成分に対して、前記光ビーム断面の第1の部分領域にわたって該偏光状態を変化しないままに残し、かつ該光ビーム断面の第2の部分領域にわたって前記好ましい偏光方向の90°又はその奇数倍数にわたる回転を引き起こすことを特徴とする請求項7に記載の照明系。
- 前記偏光影響光学配置(210,300,400)は、前記投影露光装置の作動において前記光ビーム断面の一部分しか網羅せず、かつ通過する直線偏光光に対して前記好ましい偏光方向の90°又はその奇数倍数にわたる回転を引き起こす少なくとも1つの光学回転子要素を有することを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の照明系。
- 前記偏光影響光学配置(210,500)は、該配置を通過する直線偏光光成分を前記光ビーム断面の第1の部分領域にわたって左円偏光光へと変換し、かつ該光ビーム断面の第2の部分領域にわたって右円偏光光へと変換することを特徴とする請求項7に記載の照明系。
- 前記偏光影響光学配置(600)は、該配置を通過する円偏光光成分に対して、前記光ビーム断面の第1の部分領域にわたって該偏光状態を変化しないままに残し、かつ該光ビーム断面の第2の部分領域にわたって該円偏光光の掌性を逆転することを特徴とする請求項7に記載の照明系。
- 前記偏光影響光学配置は、REMA対物系(209,609)に配置され、これは、前記投影露光装置の作動において、前記物体平面に、好ましくは、該REMA対物系(209,609)の瞳平面に中間視野平面の像を生成することを特徴とする請求項7から請求項11のいずれか1項に記載の照明系。
- 請求項1から請求項12のいずれか1項に記載のように設計された照明系と、
投影対物系と、
を含むことを特徴とするマイクロリソグラフィ投影露光装置。 - 照明系と投影対物系とを有するマイクロリソグラフィ投影露光装置を作動させる方法であって、
照明系が、投影対物系(40)の物体平面(OP)を照明し、
前記照明系において、互いに直交する偏光状態を有する互いに点対称な関係にある光成分(10,20)が、前記物体平面(OP)においてのみ重ね合わされるように生成される、
ことを特徴とする方法。 - 前記光成分は、前記物体平面内の構造で回折する際に前記投影対物系の像平面において重ね合わされて実質的に非偏光の光を生じることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記互いに直交する偏光状態を伴う光成分(10,20)は、前記照明系の瞳平面(P)のそれぞれ異なる領域を通過することを特徴とする請求項14又は請求項15に記載の方法。
- 微細構造構成要素をマイクロリソグラフィにより製造する方法であって、
感光材料の層が少なくとも部分的に付加された基板を準備する段階と、
再現される構造を有するマスクを準備する段階と、
請求項13に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置を準備する段階と、
前記投影露光装置を用いて前記マスクの少なくとも一部を前記層のある一定の領域上に投影する段階と、
を含むことを特徴とする製造方法。 - 請求項17に記載の製造方法によって製造された微細構造構成要素。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007055063A DE102007055063A1 (de) | 2007-11-16 | 2007-11-16 | Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102007055063.6 | 2007-11-16 | ||
PCT/EP2008/065462 WO2009063002A1 (en) | 2007-11-16 | 2008-11-13 | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011504296A true JP2011504296A (ja) | 2011-02-03 |
JP4981177B2 JP4981177B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=40297884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010533578A Active JP4981177B2 (ja) | 2007-11-16 | 2008-11-13 | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8319945B2 (ja) |
EP (1) | EP2220536B1 (ja) |
JP (1) | JP4981177B2 (ja) |
KR (1) | KR101551991B1 (ja) |
CN (1) | CN101861548B (ja) |
DE (1) | DE102007055063A1 (ja) |
WO (1) | WO2009063002A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013161809A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-19 | Nikon Corp | 照明装置、検査装置、および撮像素子の製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010134328A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 偏光素子およびレーザーユニット |
CN102859440B (zh) * | 2010-12-28 | 2015-04-22 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻投射曝光设备的照明系统 |
DE102017115262B9 (de) * | 2017-07-07 | 2021-05-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0757993A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH09184918A (ja) * | 1995-09-23 | 1997-07-15 | Carl Zeiss:Fa | 放射偏光光学構造及びそれを有するマイクロリソグラフィ投影露光装置 |
JP2002520810A (ja) * | 1998-07-02 | 2002-07-09 | カール−ツアイス−スチフツング | 減偏光子を有するマイクロリソグラフィの照明システム |
JP2004191891A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sony Corp | 画像表示装置 |
JP2004526331A (ja) * | 2001-05-15 | 2004-08-26 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | フッ化物結晶レンズを含む対物レンズ |
JP2004258670A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Asml Netherlands Bv | 高開口数システムの固定および動的ラジアル横方向電気偏光器 |
JP2004535603A (ja) * | 2001-07-18 | 2004-11-25 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 結晶レンズを備えた対物レンズにおける複屈折の補正 |
JP2005508018A (ja) * | 2001-10-30 | 2005-03-24 | アプティカル リサーチ アソシエイツ | 光学系における収差を軽減する構造及び方法 |
JP2005521227A (ja) * | 2001-06-01 | 2005-07-14 | エイエスエムエル ネザランドス ベスローテン フェンノートシャップ | 立方晶系光学系における複屈折の補正 |
JP2006003479A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Nikon Corp | 光学素子及び照明光学系 |
JP2006191064A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-20 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置の偏光した放射及びデバイス製造方法 |
JP2006253241A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2007027719A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-02-01 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置の偏光放射線およびデバイス製造方法 |
JP2007048996A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Nikon Corp | 照明光学装置の調整方法、照明光学装置、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
JP2007518211A (ja) * | 2004-01-16 | 2007-07-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光学系 |
JP2007193025A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Nano Photon Kk | 偏光制御素子とその製造方法、並びに、顕微鏡 |
JP2008525838A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射状偏向放射線を用いた、小開口を通る光の透過性を向上させる機器および方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0313681A1 (en) * | 1987-10-30 | 1989-05-03 | Ibm Deutschland Gmbh | Phase-sensitive interferometric mask-wafer alignment |
US7453641B2 (en) | 2001-10-30 | 2008-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Structures and methods for reducing aberration in optical systems |
US20050094268A1 (en) | 2002-03-14 | 2005-05-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical system with birefringent optical elements |
EP1483616A1 (en) | 2002-03-14 | 2004-12-08 | Carl Zeiss SMT AG | Optical system with birefringent optical elements |
TWI319124B (en) * | 2003-02-27 | 2010-01-01 | Asml Netherlands Bv | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
EP1467253A1 (en) * | 2003-04-07 | 2004-10-13 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006131517A2 (de) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage |
US8035803B2 (en) * | 2006-09-06 | 2011-10-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Subsystem of an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
DE102008013567A1 (de) | 2007-05-08 | 2008-11-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
-
2007
- 2007-11-16 DE DE102007055063A patent/DE102007055063A1/de not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-11-13 WO PCT/EP2008/065462 patent/WO2009063002A1/en active Application Filing
- 2008-11-13 CN CN2008801164675A patent/CN101861548B/zh active Active
- 2008-11-13 KR KR1020107013085A patent/KR101551991B1/ko active IP Right Grant
- 2008-11-13 JP JP2010533578A patent/JP4981177B2/ja active Active
- 2008-11-13 EP EP08849196.4A patent/EP2220536B1/en active Active
-
2010
- 2010-05-13 US US12/779,133 patent/US8319945B2/en active Active
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0757993A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-03-03 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH09184918A (ja) * | 1995-09-23 | 1997-07-15 | Carl Zeiss:Fa | 放射偏光光学構造及びそれを有するマイクロリソグラフィ投影露光装置 |
JP2002520810A (ja) * | 1998-07-02 | 2002-07-09 | カール−ツアイス−スチフツング | 減偏光子を有するマイクロリソグラフィの照明システム |
JP2004526331A (ja) * | 2001-05-15 | 2004-08-26 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | フッ化物結晶レンズを含む対物レンズ |
JP2005521227A (ja) * | 2001-06-01 | 2005-07-14 | エイエスエムエル ネザランドス ベスローテン フェンノートシャップ | 立方晶系光学系における複屈折の補正 |
JP2004535603A (ja) * | 2001-07-18 | 2004-11-25 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 結晶レンズを備えた対物レンズにおける複屈折の補正 |
JP2005508018A (ja) * | 2001-10-30 | 2005-03-24 | アプティカル リサーチ アソシエイツ | 光学系における収差を軽減する構造及び方法 |
JP2004191891A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Sony Corp | 画像表示装置 |
JP2004258670A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Asml Netherlands Bv | 高開口数システムの固定および動的ラジアル横方向電気偏光器 |
JP2007518211A (ja) * | 2004-01-16 | 2007-07-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光学系 |
JP2006003479A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Nikon Corp | 光学素子及び照明光学系 |
JP2008525838A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-07-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射状偏向放射線を用いた、小開口を通る光の透過性を向上させる機器および方法 |
JP2006191064A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-20 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置の偏光した放射及びデバイス製造方法 |
JP2006253241A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2007027719A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-02-01 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置の偏光放射線およびデバイス製造方法 |
JP2007048996A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Nikon Corp | 照明光学装置の調整方法、照明光学装置、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
JP2007193025A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Nano Photon Kk | 偏光制御素子とその製造方法、並びに、顕微鏡 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013161809A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-19 | Nikon Corp | 照明装置、検査装置、および撮像素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2220536B1 (en) | 2018-05-23 |
EP2220536A1 (en) | 2010-08-25 |
DE102007055063A1 (de) | 2009-05-28 |
US8319945B2 (en) | 2012-11-27 |
JP4981177B2 (ja) | 2012-07-18 |
WO2009063002A1 (en) | 2009-05-22 |
US20100231887A1 (en) | 2010-09-16 |
KR20100106971A (ko) | 2010-10-04 |
CN101861548A (zh) | 2010-10-13 |
KR101551991B1 (ko) | 2015-09-09 |
CN101861548B (zh) | 2013-01-23 |
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A977 | Report on retrieval |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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