KR101551991B1 - 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 조명 시스템 - Google Patents

마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 조명 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR101551991B1
KR101551991B1 KR1020107013085A KR20107013085A KR101551991B1 KR 101551991 B1 KR101551991 B1 KR 101551991B1 KR 1020107013085 A KR1020107013085 A KR 1020107013085A KR 20107013085 A KR20107013085 A KR 20107013085A KR 101551991 B1 KR101551991 B1 KR 101551991B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polarization
illumination system
exposure apparatus
projection exposure
light
Prior art date
Application number
KR1020107013085A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100106971A (ko
Inventor
다미안 피올카
블라단 블라니크
Original Assignee
칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 filed Critical 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
Publication of KR20100106971A publication Critical patent/KR20100106971A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101551991B1 publication Critical patent/KR101551991B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70566—Polarisation control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

본 발명은 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 조명 시스템에 관한 것으로, 상기 조명 시스템(200, 700)은 상기 투사 노출 장치의 동작시 상기 투사 노출 장치의 투사 대물 렌즈(40)의 대물면(OP)을 조명하고, 상기 조명 시스템(200, 700)은 서로 점-대칭 관계이며, 상기 조명 시스템의 동작 시 생성되며, 상기 대물면(OP)에서만 중첩 되는 상기 광 성분(10, 20)이 상호 직교 편광 상태를 가지도록 한다.

Description

마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 조명 시스템{ILLUMINATION SYSTEM OF A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE APPARATUS}
본 발명은 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 조명 시스템에 관한 것이다.
마이크로리소그래피는 집적 회로 또는 LCD와 같은 마이크로구조의 부품 제조에 이용된다. 마이크로리소그래피 공정은 조명 시스템 및 투사물을 갖는 소위 투사 노출 장치에서 수행된다. 조명 시스템을 이용해서 조사된 마스크의 이미지(=레티클)는 감광층(포토레지스트)으로 코팅된 기판(예를 들면, 실리콘 웨이퍼) 상에 투사 대물 렌즈에 의해 투사되고 상기 기판의 감광 코팅으로 마스크 구조를 이송하기 위하여 투사 대물 렌즈의 이미지면내에 정렬된다.
많은 용도에서 투사 노출 장치는 가능한 비편광된 광의 생산이 요구된다. 이러한 목적을 위해서, 예를 들면 DE 198 29 612 A1에서 레이저 소스로부터의 선형 편광 광이 한르 소극제(Hanle depolarizer) 및 그 하부에 정렬된 광 믹싱 시스템에 의해 극성제거되는 것을 개시한다.
그러나, 이 경우에는 조명 시스템에서의 레티클 평면내의 광은 잔류 편광을 여전히 가진다는 문제점이 있다. 이에 대한 이유는 거울 상에 존재하는 고반사층(HR층) 외에도 반사방지층(AR 층)의 영향 때문이다.
이에 대해, 이러한 영향은 잔류 편광의 비균질 분포로 유도된다는 것이 밝혀졌다. 렌즈(특히 조명 시스템에서 이용되는 엑시콘 렌즈 중 원뿔형 렌즈)에 의해 또는 이 렌즈 상의 AR 층에 의해 생산되는 방사상의 잔류 편광 분포가 거울 상의 AR 층에 의해 생산되는 일정하고 양호한 편광 방향의 선형 잔류 편광과 중첩되며, 이들 상호 중첩된 잔류 편광 분포가 관련된 각각의 방향(예를 들면, 스캔 방향에 대해 수직 또는 평행 방향)에 의존하여 서로에 대해 증가 또는 감쇄된다는 점을 기초로 비균질 분포가 설명될 수 있다.
조명 시스템 및/또는 투사 대물 렌즈의 광 경로에서의 편광 상태의 원치 않은 변화의 영향을 감소시키기 위한 다양한 접근법이 공지되어 있다. 미국 공개 번호 2005/0094268 A1 및 WO 03/077011 A1에서 2개의 서브 시스템으로 분리되는 광학 시스템과 그 사이에 정렬될 람다/2 플레이트의 역할을 하는 리타더(retarder)가 공지되어 있으며, 여기서 리타더는 서브 시스템 사이에서 2개의 상호 수직인 편광 상태를 바꿔서, 제2 서브 시스템에서의 위상 시프트를 추가하는 것은 즉 제1 서브 시스템에서의 위상 시프트를 소거하는 것이다. 90°편광 회전자에 대해 앞서는 그룹 및 90°편광 회전자에 대해 뒤지는 그룹에서 생성된 지연(retardation)의 상호 보상을 위해 예를 들면 투사 대물 렌즈에서 90°편광 회전자를 이용하는 것이 또한 미국 공개 공보 2003/0086156 A1에 공지되어 있다.
본 발명의 목적은 이행이 쉽고 효과적인 대안 접근법에 따른 투사 노출 장치의 이미지면내에서의 선호되는 편광 방향 없이 광 생산을 허용하는 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 조명 시스템을 제공하는 것이다.
투사 노출 장치의 동작시에 투사 노출 장치의 투사 대물 렌즈의 대물면을 조명하는, 본 발명의 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치에 따른 조명 시스템은 조명 시스템의 동작시 생성되고 대물면내에서만 중첩되는, 서로 점-대칭 관계에 있는 광 성분들이 상호 직교 편광 상태를 가지도록 한다.
이에 대해, 본 발명에 따르면, "직교 편광 상태(orthogonal polarization states)"라는 표현은 각각이 편광 상태를 설명하는 존스 벡터(Jones vector)의 스칼라 적(scalar product)이 0인 편광 상태를 의미하기 위하여 이용된다. 이러한 측면에서, 상호 직교 상태는 상호 수직적으로 참조되는 편광 방향을 포함하는 선형 편광 상태만이 아니라, 또한 반대되는 회전 방향의 원형 편광 상태를 포함한다(즉, 좌 원형 편광 및 우 원형 편광). 또한 본 발명에 따르면, 선형 편광 분포라는 표현은 또한 개별 광 빔이 선형 편광되고, 개별 광 빔의 전계 강도 벡터의 발진 평면이 다양한 방향으로 향하게 될 수 있는 편광 분포를 의미한다(예를 들면, 방사 또는 접선 편광 분포).
본 발명은 비편광 광이 서로 점 대칭 관계에 있는 상호 직교 편광 상태의 비간섭 중첩(incoherent superpositioning)에 의해서도 얻어질 수 있음에 대한 인식에 기초한다. 본 명세서의 배경 기술 부분에서 설명된 조명 시스템의 연속된 부분의 상호 편광-광학적 보상의 공지된 방법(예를 들면, 그러한 부분들 사이에 발생하는 양호한 편광 방향의 90°회전에 의함) 대신에, 본 발명에 따르면 조명 시스템에 대해 편광 효과를 더 하는 것이 가능하다. 대응하는 잔류 편광 효과로 인한 분포가 상호 직교 편광 상태를 생산하는데 특히 이용될 수 있는데, 여기서 극도로 소망되고 효과적인 비편광 광이 비간섭 중첩에 의해 우선적으로 얻어진다. 직교 편광 상태의 중첩의 결과로서의 효과적인 비편광 광의 생산은 직교 입사 편광 상태와 함께 이미징 이론을 기초로 설명될 수 있는데, 편광 이미징을 설명하는 이미징 수식에서의 혼합 항목(mixed term)이 없어져서, 이미징 수식은 비편광 조명의 경우에 대한 이미징 수식으로 변환된다.
본 발명에 따르면 상호 직교 편광을 포함하는 상이한 영역이 투사 대물 렌즈의 대물면 직전에 제공되지만(즉, 특히 조명 시스템 자체의 동공면내에 존재함), 이들 상호 직교 편광 광 성분의 중첩이 발생하지는 않는다. 다시 말하면, 레티클 평면의 전면 특히 조명 시스템의 동공면에는, 여전히 편광 성분(예를 들면, 적어도 1 퍼센트, 특히 적어도 2 퍼센트, 보다 특히 적어도 5%의 잔류 정도)가 있다. 또한, 완전히 편광된(또는, 거의 완전히 예를 들면 95%) 동공면내의 임의의 조명 위치일 수 있다. 레티클 평면내의 이들 광 성분의 중첩만이 효과적인 비편광 광이 되도록 한다.
본 발명은 또한 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 조명 시스템에 관한 것으로, 투사 노출 장치의 동작시 조명 시스템은 투사 노출 장치의 투사 대물 렌즈의 대물면을 조명하고, 조명 시스템은 조명 시스템의 동작시 생산되고 대물면내에서만 중첩된 광 성분이 상호 직교 편광 상태를 갖도록 한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상호 직교 편광 상태를 갖는 광 성분은 조명 시스템의 동공면의 각각의 상이한 영역을 통과한다.
본 발명에 따르면 비편광 광을 제공하기 위하여 레티클 평면내에서만 중첩되는, 레티클 평면 앞 및 각 동공면 앞의 상호 직교 편광 영역이 여전히 존재한다는 사실은 본 발명에 따른 컨셉이 특히 동공면의 앞 또는 내부에서 발생하는 상이한 편광 상태를 포함하는 광 성분의 혼합으로 인하여 조명 시스템의 동공면내에서 비편광 광을 이미 생산하는, 본 명세서의 배경기술에서 기술된, 한르 소극제의 그것과는 상이하다는 것을 의미한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상호 직교 편광 상태에 따라 광 성분이 생산되는 영역이 동공 중심에 관하여 서로 점-대칭 관계로 정렬되며, 이는 즉, 동공면내의 광 빔 횡단면의 중심 위치에 관련되는 것이다.
본 발명에 따른 직교 편광 상태의 생산은 조명 시스템에서의 적절한 위치(예를 들면, 레티클 평면 바로 앞)에서 상술한 잔류 편광 효과로부터 발생된 분포가 소망된 직교 편광 상태를 취득하기 위해 적절히 분할된다. 본 발명에 따른 접근법의 장점은 조명 시스템의 연속 지점의 상호 편광-광학적 보상과 관련하여 복잡성 및 지출이 방지된다는 점이다.
이러한 목적을 위해서 양호한 구성에 따르면, 편광-영향 광학 배열을 이용하는 것이 가능한데, 이러한 배열을 통과하는 선형 편광 광 성분에 대해, 광 빔 단면의 제1 부분 영역에 걸쳐 편광 상태를 불변으로 유지하며, 광 빔 단면의 제2 부분 영역에 걸쳐 양호한 편광 방향을 90° 또는 그 홀수 배수로 회전하도록 한다.
편광-영향 광학 배열은 투사 노출 장치 동작시에 광 빔 단면의 일부만을 덮고 이를 통과하는 선형 편광 광에 대해 양호한 편광 방향을 90°까지 또는 그 홀수 배수로 회전하도록 하는, 예를 들면 적어도 하나의 광학 로테이터 소자를 가질 수 있다.
다른 양호한 실시예에 따르면, 편광-영향 광학 배열은 광 빔 단면의 제1 부분 영역에 걸쳐 그 배열을 통과하는 선형 편광 광 성분을 좌 원형 편광 광으로 변환하고, 광 빔 단면의 제2 부분 영역에 걸쳐 우 원형 편광 광으로 변환하도록 설계될 수 있다. 이는 이하에서 보다 상세히 설명하는 것처럼 광 결정축이 각각 적절히 배향된 람다/4 플레이트의 배열에 의해 이행될 수 있다.
다른 양호한 실시예에 따르면, 편광-영향 광학 배열은 또한 그 배열을 통과하는 원형 편광 광 성분에 대해 광 빔 단면의 제1 부분 영역에 걸쳐 편광 상태를 불변으로 하고, 광 빔 단면의 제2 부분 영역에 걸쳐 원형 편광 광의 회전 방향을 반대로 한다. 이는 이하 보다 상세히 설명하는 것처럼 람다/2 플레이트로 구현된다.
원형 편광 광의 생성을 포함하는 전술한 구성은 상이한 회전 방향은 전송과 무관하므로 조명 시스템 또는 투사 대물 렌즈를 통한 전송에서 상호 직교 상태로 생산된 즉, 한편으로는 좌 원형 편광 광과 다른 한 편으로는 우 원형 편광 광인 광 성분은 동일한 방식으로 처신한다는 장점을 갖는다.
관련된 상기 처신과는 대조적으로 상호 수직 편광 방향을 갖는 선형 편광 상태의 형태의 상호 직교 편광 상태의 상술한 생산의 경우에, 일반적으로는 상호 직교 편광 상태에 대한 전송 특성이 투사 노출 장치의 광학 시스템을 통과하는 경우와는 상이하다. 전송 처신에 있어서의 이러한 차이는 에너지 분포에 대한 적절한 이행에 의해 보상될 수 있다. 그러한 보상은 그 강도 면에서 감쇄되는(예를 들면, 그레이 필터에 의해) 최소 강도의 부분 빔과는 대조적으로 고 레벨의 강도의 부분 빔에 의해 성취될 수 있다. 하나 또는 그 이상의 그러한 그레이 필터는 본 발명에 따른 편광-영향 배열와 같은 편광-광학 소자와 결합할 수 있고, 광학 시스템내의 동일한 위치에 맞춰진다.
양호한 구성에 따르면, 편광-영향 광학 배열은 투사 노출 장치의 동작 시에 대물면내의 중간 필드의 이미지를 생성하는 REMA 대물 렌즈내에 바람직하게는 상기 REMA 대물 렌즈의 동공면내에 정렬된다. 본 발명에 따라 사용되는 잔류 편광이 특별히 표명되는 그러한 위치에서, 상호 직교 편광 상태의 생산은 또한 특히 효율적으로 가능하다.
본 발명은 조명 시스템 및 투사 대물 렌즈를 갖는 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 동작 방법에 관한 것으로, 조명 시스템은 투사 대물 렌즈의 대물면을 조명하고, 조명 시스템에서 상호 직교 편광 상태를 갖는 서로에 대해 점 대칭 관계의 광 성분이 상기 광 성분이 대물면에서만 중첩되는 방법으로 생산된다.
본 발명은 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치 및 미세 구조의 구성 요소 외에도 미세 구조의 구성 요소들의 마이크로리소그래픽 생산을 위한 공정에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 구성은 상세한 설명 및 첨부된 청구 범위에서 찾을 수 있다. 본 발명은 첨부된 도면에서 도시된 예를 통한 실시예에 의해 이하 보다 상세히 설명된다.
도 1은 투사 노출 장치의 이미지면내의 양호한 편광 방향 없이 광을 생산하는 본 발명에서 이용되는 기본 원리를 도시하는 도면.
도 2는 투사 노출 장치의 조명 시스템내에서 본 발명의 이행을 도시하는 개략도.
도 3 내지 6은 본 발명에 따라 편광 분포 상 조명 시스템내에서 이용되는 편광-영향 광학 배열의 영향을 도시하는 도면.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 조명 시스템의 개략도.
이하 도 1을 참조로 본 발명의 근본적인 원리를 설명하는데, 이는 투사 노출 장치의 이미지면내의 양호한 편광 방향 없이 광을 생산하는데 적용된다.
도 1은 투사될 구조를 갖는 레티클(또는 마스크; 30)을 도시하는 극히 단순화된 도면으로서, 레티클은 투사 대물 렌즈(40)(상징적으로 2개의 렌즈 L1 및 L2로 나타냄)의 대물면(OP)내에 배치된다. 감광층(또는 웨이퍼)(50)을 구비한 기판이 투사 대물 렌즈(40)의 이미지면(IP)내에 배치된다.
도 1은 또한 조명 시스템(도 1에 도시 없음)으로부터 나와서 투사 대물 렌즈(40)의 대물면(OP)에서 만나는 2개의 광 빔(10 및 20)을 도시하되, 이 광 빔(10 및 20)은 레티클(30) 상의 구조에서 회절된다. 이에 대해, 구조(30)은 (적어도 그 중에서) 스캔 방향으로 연장하는 라인을 포함하는 패턴을 포함하되, 이 스캔 방향은 도 1에 도시된 공통-좌표 시스템내의 y-축(종이 면에 대한 수직 방향으로 배향됨)에 평행하게 연장하여, 상술한 회절이 스캔 방향에(또는 y-축에) 수직 관계의 구조의 이들 라인에서 발생한다.
이 회절 중에서, 도 1은 광 빔(10, 20) 각각에 대해 3개의 회절 순서(11-13 및 21-23)를 각각 도시하고, 각 회절 순서(즉, 각각 회절 순서(11) 및 (21))는 투사 대물 렌즈(40)를 통과하지 않으며, 다른 2개의 회절 순서(12, 13 및 22, 23) 각각은 투사 대물 렌즈(40)를 통과하여, 이미지면(IP)내에 정렬된 웨이퍼(50) 상에서 다시 만난다.
이제, 본 발명의 기본 원리에 필수적인 것은 조명 시스템으로부터 2개의 광 빔(10 및 20)이 스스로 비편광되지 않고 투사 대물 렌즈(40)의 이미지면(IP) 내에 정렬된 웨이퍼(50) 상에서 효과적인 비편광 광(즉, 양호한 편광 방향 없는 광)이 생성된다는 점이다. 본 발명에 따르면, 광 빔(10 및 20)이 상호 직교 편광 상태를 가지도록 하는 조명 시스템의 적절한 구성을 제공한다. 이하 보다 상세히 설명하는 것처럼, 이들 직교 편광 상태는 상호 수직의 양호한 편광 방향을 갖는 선형 편광 상태 및 상호 반대 회전 방향(즉, 좌 원형 편광 광 및 우 원형 편광 광)을 포함하는 원형 편광 상태 모두를 포함할 수 있다.
이에 대해, 본 발명은 이미지가 형성되려는 구조물의 이미지를 생성하는 경우에, 한편으로는, 투사 대물 렌즈(40)를 통과하는 제1 광 빔(10)의 두 회절 순서(12, 13)와, 다른 한 편으로는, 투사 대물 렌즈(40)를 통과하는 제2 광 빔(20)의 두 회절 순서(22, 23)가 또한 이미지면(IP)내의 웨이퍼(50) 상에서 만나며, 이들은 상호 직교 편광 상태를 포함하며, 동시에 비편광 광을 제공할 수 있도록 상호 중첩된다.
도 2는 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 조명 시스템(200)의 도면을 도시한다. 조명 시스템(200)은 도 1을 참조로 이하 설명하는 것처럼 투사 대물 렌즈(도 2에 도시 없음)의 대물면(OP)내에 정렬된 레티클(마스크)(201)을 조명하는 역할을 한다.
광은 광원 유닛(202)으로부터 조명 시스템(200)에 충돌하는데, 이는 평행 광 빔을 생성하기 위한 빔-정형 광학 수단과 함께 예를 들면 작업 파장이 193nm인 ArF 레이저 또는 작업 파장이 157nm인 F2 레이저를 포함한다. 도시된 실시예에서, 평행 광 빔은 광 전파 방향의 하류측에 정렬된 줌 액시콘 렌즈(204)와 함께 회절성 광학 소자(DOE)(203)로 먼저 입사하고, 액시콘 소자의 각 줌 설정 및 위치에 의존하여, 편향 거울(205)의 하류측에 정렬된 동공면내의 상이한 조명 배치(illumination configurations)를 생성한다. 하류측에 배치된 광 혼합 시스템(207)과 함께 광원(202)의 선형 편광 광을 비편광 광으로 변환시키기 위한 소극제(206)(예를 들면, 한르 소극제)가 빔 경로면에서 DOE(203)의 하류측에 배치된다. 실시예에서, 광 혼합 시스템(207)은 그 자체로 마이크로광학 소자의 공지된 정렬 형태이다. 그러나, 다르게는 공지된 것으로는 벌집 형상 콘덴서 또는 바형 인티그레이터가 광 혼합 시스템으로 이용될 수 있다. 광 혼합 시스템(207) 다음의 광학 이미징 수단(208)의 하류측에 정렬된 중간필드면(intermediate field plane)이 REMA 대물 렌즈(209)(단지 도해를 위해 나타냄)에 의해 구조를 지지하는 레티클(201) 상에 투사되며, 그 이미지가 생성된다. 도 1과 유사하게 구조 지지 레티클(201)은 투사 대물 렌즈(도 2에는 도시 없음)에 의해 감광 기판에 투사된다.
도 3 내지 6을 참조로 이하 설명되는 상이한 실시예의 구현과 관련하여, REMA 대물 렌즈(209) 내에서 "P"로 식별되는 동공면에 편광에 영향 광학 배열(210)이 배치된다.
도 3 내지 도 5에 도시된 편광-영향 광학 배열의 실시예의 공통적 특징은 이 배열에 입사하는 광으로부터 상호 직교 편광 상태를 포함하고 또한 선형 잔류 편광을 포함하는 광 성분을 생성하며, 이 광 성분은 동공면(P)내의 광 빔 단면의 중심 위치에 대해 대칭적으로 정렬된다.
상술한 편광-영향 광학 배열에 입사하는 광의 선형 잔류 편광은 특히 조명 시스템내에서 HR 층 및 AR 층의 영향의 중첩으로부터 발생하는 비균질 잔류 편광 분포에 기인한다. 본 명세서의 서문에서 설명한 것처럼, 잔류 편광 분포는 렌즈(특히 줌 엑시콘(204)의 원뿔형 렌즈) 상의 AR 층에 의해 생성되는 방사형 잔류 편광 분포가 HR 층에 의해 생성되는 선형 잔류 편광과 중첩되고, 이들 상호 중첩된 잔류 편광 분포는 포함된 방향(스캔 방향에 대해 수직 또는 평행)에 의존하여 서로 증가하거나 감쇄한다는 사실에 기인한다.
도 3a 및 도 3b를 참조로 본 발명의 제1 실시예에 따른 편광-영향 광학 배열(300)를 설명한다.
먼저, 도 3a는 REMA 대물 렌즈(209)의 동공면(P)내에서 발생하는 편광 분포(P1)의 예를 도식적으로 도시하는데, 여기서 순수히 예로서 광은 동공면(P)내에서 x-방향(즉, y-방향인 스캔 방향에 대해 수직)으로 연장하는 다이폴의 극에 제한되는 소위 다이폴-X-일루미네이션 세팅을 기초로 한다. 각각이 전계 강도 벡터의 발진 방향을 상징하는 도 3a의 양방향 화살표로 표시된 것처럼, 대략 적어도 방사 잔류 편광 분포는 이들 극의 영역내에서 상술한 잔류 편광-영향에 의해 발생한다.
도 3b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 편광-영향 광학 배열(300)의 영향을 도시한다. 도시된 실시예에서, 배열(300)는 통과하는 선형 편광 광에 대해 양호한 편광 방향을 90°또는 홀수 배수만큼 회전시키는 광학 회전자 소자를 포함한다. 파장 193nm 및 온도 21.6℃ 에서 mm 당 약 323.1°의 특정 회전 능률(α)을 갖는, 인공의 광학적으로 활성인 결정질 석영(crystalline quartz)을 이용하는 경우, 이 조건은 278.5㎛ + N*557㎛ (N=0,1,2,...) 또는 그 홀수 배수의 편광-영향 광학 소자 두께에 대응한다. 이에 대해 배열(300) 또는 편광-영향 광학 소자는 광 빔 단면의 일부만을, 보다 상세하게는 실질적으로 상술한 다이폴-X-일루미네이션 세팅의 2개의 극 중 하나의 영역만을 커버한다.
도 3b의 쌍방향 화살표는 배열(300)의 영향의 결과로서 발생하는 편광 분포를 식별한다. 도 3b에 도시된 것처럼, 도 3b의 우측에서의 극에서의 배열(300)의 동작에 의해 원래 방사형의 편광 분포로부터 접선 편광 분포가 생성되며, 이러한 접선 편광 분포에 대해, 전계 강도 벡터의 발진 방향은 90°까지 회전되어, 이제는 광학 축(z-방향으로 연장)으로 향한 반경에 대해 수직 관계로 배향한다.
도 4a 및 4b에 도시된 실시예에서, 도 4a의 편광 분포(P3)(도 3의 편광 분포 P1에 대응함)의 변환을 위한 편광-영향 광학 배열(400)는 도 3b의 편광-영향 소자와 유사한 구성인 광 빔 단면의 반을 덮는 광 회전자 소자(420) 외에도, 편광 분포에 영향을 주지 않고 복굴절성(birefringent)이 아닌 재료를 포함하는, 즉 다시 말하면 선형도 아니고 원형 볼굴절성도 아닌 예를 들면 광학적으로 비정질의 석영 유리인 보상 플레이트(410)를 포함한다. 이 보상 플레이트(410)는 광학 경로의 보상 및 2개의 영역(P4,a 및 P4,b)의 광학적 전송을 위한 역할을 한다.
도 5에 도시된 실시예에서, 도 5a에 도시된 편광 분포(P5)(이는 다시 도 3a 및 도 4a의 편광 분포 P1 및 P3에 각각 대응함)의 변환을 위한 편광-영향 광학 배열(500)는 2개의 람다/4 플레이트(510 및 520)를 포함하며, 제1 람다/4 플레이트(510)내의 광학 결정축은 x-축에 대해 +45°각도로 배향되고, 제2 람다/4 플레이트(520)내의 광학 결정축은 x-축에 대해 -45° 각도로 배향된다. 람다/4 플레이트(510 및 520)는 적절한 복굴절성 재료, 예를 들면 마그네슘 불화물(MgF2) 또는 결정질 석영(SiO2)으로 된 작업 파장 193nm, 로 제조될 수 있다.
도 5b에서 도시된 것처럼, 배열(500)의 동작은 영역(P6,a)내의 선형 편광 분포(P5)는 좌 원형 편광 광으로 변환되고, 여기서 영역(P6,b)내의 선형 입사 편광 분포(P5)는 우 원형 편광 광으로 변환된다. 그러므로 상술한 실시예에서 편광-영향 광학 배열(500)은 또한 배열로 입사되는 광으로부터 상호 직교 편광 상태를 포함하고 또한 선형 잔류 편광을 포함하는 광 성분을 생성하고, 이들 광 성분은 광 빔 단면의 중심 위치에 대해 대칭으로 정렬된다.
도 6에 도시된 실시예에서, 도 6a에 도시된 편광 분포(P7)(이는 도 3 내지 5와는 상이하게 좌 원형 편광 광의 균일 원형 편광 분포)를 변환하기 위한 편광-영향 광학 배열(600)은 마그네슘 불화물(MgF2) 또는 결정질 석영(SiO2)으로 된 작업 파장 193nm의 임의의 복굴절성 재료로 제조될 수 있는 람다/2 플레이트(600)를 포함한다. 이러한 경우, 도 3의 실시예와 유사하게, 배열(600) 또는 람다/2 플레이트는 광 빔 단면의 일부만을 덮고, 보다 상세하게는 상술한 다이폴-X-일루미네이션 세팅의 2 극 중 하나의 영역을 실질적으로 덮는다. 람다/2 플레이트가 이를 통과하는 원형 편광 광의 회전 방향을 반전시키므로, 다이폴-X-분포의 우측 극의 영역내에 우 원형 편광 광을 생성한다. 또한 가능하게 배열(600)에 입사되는 우 원형 편광 광을 이용하는 경우, 람다/2 플레이트는 이에 의해 덮혀지는 광 빔 단면의 영역내의 것과 유사하게 좌 원형 편광 광을 생성한다.
따라서, 편광-영향 광학 배열(600)은 본 발명에 따라 필요한, 배열(600)에 입사하고 원형 편광 분포인 광으로부터 상호 직교 편광 상태를 포함하는 광 성분을 생성하는데, 여기서 광 성분은 광 빔 단면의 중심 위치에 대하여 상대적으로 대칭으로 정렬된다.
이하, 도 3 내지 6을 참조로 상세히 설명되는 실시예로부터, 각각의 편광-영향 광학 소자가 둘 또는 그 이상의 플레이트 부분으로 구성될 수 있고, 이용된 각각의 결정 재료의 제한된 효용성에 대해서 이득적일 수 있다. 또한, 보상 플레이트는 도 4의 실시예와 유사하게 모든 실시예에 제공될 수 있음을 알아야 한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 조명 시스템(700)의 구조를 간략히 형성하고 있다. 이 경우, 도 2의 경우에 비해, 대응하는 구성 요소 또는 실질적으로 동일한 기능을 갖는 구성 요소가 도면 참조 번호가 500이 더해져서 표기되었다.
도 7의 조명 시스템(700)은 줌 액시콘(704)의 하류측의 동공면에 정렬되고 통과하는 선형 편광 광에 대한 전체 광 빔 단면에 걸쳐 90°까지의 양호한 편광 방향의 회전을 생성하는 추가 광학 회전자 소자(711)로 인하여 도 2의 것과는 상이하다. 인공의 광학적으로 활성인 결정질 석영(crystalline quartz)을 이용하는 경우, 이 조건은 약 278.5㎛ + N*557㎛ (N=0,1,2,...)의 두께에 대응한다. 회전자 소자(711)의 하류와 상류에 정렬된 서브시스템들 사이의 상호 수직 편광 상태의 효과적인 교환 및 이에 따라 이 서브시스템내에 축적되는 위상 쉬프트의 적어도 부분적 취소(nullification)를 제공하는 것은 기본적으로 공지된 방식으로는 광학적 90° 회전자에 의해 가능하다.
보상 원리는 도 7의 실시예에서 REMA 대물 렌즈(709)의 동공면내에 남아있는 잔류 편광으로부터 본 발명의 특징인 직교 편광 상태를 생산하는 것과 결합된다.
본 발명이 특정 실시예를 참조로 설명되었지만, 예를 들면 개별 실시예의 특징의 결합 및/또는 교환에 의한 수개의 변형 및 별예가 당업자에게는 명백하다. 따라서, 당업자에게는 그러한 변형 및 별예는 본 발명의 범주내에 포함되고, 본 발명의 범위는 첨부된 청구 범위 및 그 등가물에 대해서만 제한된다.

Claims (18)

  1. 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 조명 시스템에 있어서,
    상기 투사 노출 장치의 동작 시 상기 조명 시스템(200, 700)은 상기 투사 노출 장치의 투사 대물 렌즈(40)의 대물면(OP)을 조명하며,
    상기 조명 시스템(200, 700)은 상기 조명 시스템의 동작시 생성되고 상기 대물면(OP)내에서만 중첩되는, 서로 점-대칭 관계에 있는 광 성분(10, 20)이 상호 직교 편광 상태를 가지도록 하며, 상호 직교 편광 상태를 갖는 상기 광 성분이 상기 조명 시스템(200, 700)의 동공면(P)의 각기 상이한 영역을 통과하며, 상기 영역은 상기 동공면(P)내의 광 빔 단면의 중심 위치에 대해 서로 점 대칭 관계로 배치되는, 조명 시스템.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 투사 노출 장치의 동작 시 상기 대물면(OP)내의 구조체에서 회절되는 상기 광 성분(10, 20)이 상기 투사 대물 렌즈의 이미지면(IP)내에 상호 중첩되어 비편광 광을 효율적으로 제공하는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상호 직교 편광 상태를 갖는 상기 광 성분을 생성하는 편광-영향 광학 배열(210, 300, 400, 500, 600)을 갖는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 배열을 통과하는 선형 편광 광 성분에 대한 상기 편광-영향 광학 배열(210, 300, 400)이 상기 광 빔 단면의 제1 부분 영역에 걸쳐 상기 편광 상태를 불변으로 유지하고, 상기 광 빔 단면의 제2 부분 영역에 걸쳐 편광 방향을 90°까지 또는 그 홀수 배수만큼 회전시키는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템.
  5. 청구항 3에 있어서, 상기 편광-영향 광학 배열(210, 300, 400)은 상기 투사 노출 장치의 동작 시 상기 광 빔 단면의 일부만을 덮고, 이를 통과하는 선형 편광 광에 대해 편광 방향을 90°까지 또는 그 홀수 배수만큼 회전시키는 적어도 하나의 광학 회전자 소자를 갖는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 상호 직교 편광 상태는 상호 수직의 편광 방향을 갖는 선형 편광 상태인 것을 특징으로 하는, 조명 시스템.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 상호 직교 편광 상태는 상호 반대 회전 방향(mutually opposite handedness)을 갖는 원형 편광 상태인 것을 특징으로 하는, 조명 시스템.
  8. 청구항 3에 있어서, 상기 편광-영향 광학 배열(210, 500)은 상기 배열을 통과하는 선형 편광 광 성분을 상기 광 빔 단면의 제1 부분 영역에 걸쳐 좌 원형 편광 광으로 변환하고, 상기 광 빔 단면의 제2 부분 영역에 걸쳐 우 원형 편광 광으로 변환하는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템.
  9. 청구항 3에 있어서, 상기 편광-영향 광학 배열(600)은 상기 배열을 통과하는 원형 편광 광 성분에 대해 상기 광 빔 단면의 제1 부분 영역에 걸쳐 상기 편광 상태를 불변으로 하고, 상기 광 빔 단면의 제2 부분 영역에 걸쳐 상기 원형 편광 광의 회전 방향을 반전시키는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템.
  10. 청구항 3에 있어서, 상기 편광-영향 광학 배열은, 상기 투사 노출 장치의 동작 시 대물면내에 중간필드면(intermediate field plane)의 이미지를 생성하는 REMA 대물 렌즈(209, 609)내에 배치되는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템.
  11. 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치에 있어서, 조명 시스템 및 투사 대물 렌즈를 포함하며, 상기 조명 시스템은 청구항 1 또는 청구항 2에 따라 설계되는, 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치.
  12. 조명 시스템 및 투사 대물 렌즈를 갖는 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 구동 방법에 있어서, 상기 조명 시스템은 상기 투사 대물 렌즈(40)의 대물면(OP)을 조명하고, 상기 조명 시스템에서, 상호 직교 편광 상태로 서로에 대해 점-대칭 관계인 광 성분(10, 20)이, 상기 대물면(OP)에서만 상기 광 성분이 중첩되는 방식으로 생성되며, 상호 직교 편광 상태를 포함하는 상기 광 성분은 상기 조명 시스템(200, 700)의 동공면(P)의 각기 상이한 영역을 통과하며, 상기 영역은 상기 동공면(P)내의 광 빔 단면의 중심 위치에 대해 서로 점 대칭 관계로 배치되는, 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 구동 방법.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 투사 대물 렌즈의 이미지면내의 상기 대물면내의 구조체에서의 회절시에 상기 광 성분이 중첩되어 비편광 광을 효율적으로 제공하는 것을 특징으로 하는, 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 구동 방법.
  14. 마이크로구조의 부품의 마이크로리소그래픽 생산을 위한 공정에 있어서,
    감광 재료의 층이 적어도 부분적으로 부가되는 기판을 제공하는 단계;
    재현될 구조를 갖는 마스크를 제공하는 단계;
    청구항 11에 기재된 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치를 제공하는 단계; 및
    상기 투사 노출 장치를 이용하여 상기 층의 영역에 상기 마스크의 적어도 일부를 투사하는 단계
    를 포함하는, 마이크로리소그래픽 생산을 위한 공정.
  15. 청구항 10에 있어서, 상기 편광-영향 광학 배열은 REMA 대물 렌즈(209, 609)의 동공면내에 배치되는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
KR1020107013085A 2007-11-16 2008-11-13 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 조명 시스템 KR101551991B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007055063A DE102007055063A1 (de) 2007-11-16 2007-11-16 Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102007055063.6 2007-11-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100106971A KR20100106971A (ko) 2010-10-04
KR101551991B1 true KR101551991B1 (ko) 2015-09-09

Family

ID=40297884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107013085A KR101551991B1 (ko) 2007-11-16 2008-11-13 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 조명 시스템

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8319945B2 (ko)
EP (1) EP2220536B1 (ko)
JP (1) JP4981177B2 (ko)
KR (1) KR101551991B1 (ko)
CN (1) CN101861548B (ko)
DE (1) DE102007055063A1 (ko)
WO (1) WO2009063002A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010134328A (ja) * 2008-12-08 2010-06-17 Disco Abrasive Syst Ltd 偏光素子およびレーザーユニット
CN102859440B (zh) * 2010-12-28 2015-04-22 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备的照明系统
JP5915845B2 (ja) * 2012-02-01 2016-05-11 株式会社ニコン 検査装置および撮像素子の製造方法
DE102017115262B9 (de) * 2017-07-07 2021-05-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040169924A1 (en) 2003-02-27 2004-09-02 Asml Netherlands, B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
WO2006131517A2 (de) 2005-06-07 2006-12-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0313681A1 (en) * 1987-10-30 1989-05-03 Ibm Deutschland Gmbh Phase-sensitive interferometric mask-wafer alignment
JPH0757993A (ja) * 1993-08-13 1995-03-03 Nikon Corp 投影露光装置
DE19535392A1 (de) * 1995-09-23 1997-03-27 Zeiss Carl Fa Radial polarisationsdrehende optische Anordnung und Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage damit
DE19829612A1 (de) 1998-07-02 2000-01-05 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem der Mikrolithographie mit Depolarisator
EP1390783A2 (de) * 2001-05-15 2004-02-25 Carl Zeiss Objektiv mit fluorid-kristall-linsen
US6683710B2 (en) * 2001-06-01 2004-01-27 Optical Research Associates Correction of birefringence in cubic crystalline optical systems
DE10133841A1 (de) * 2001-07-18 2003-02-06 Zeiss Carl Objektiv mit Kristall-Linsen
US7453641B2 (en) 2001-10-30 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing aberration in optical systems
WO2003038479A2 (en) * 2001-10-30 2003-05-08 Optical Research Associates Structures and methods for reducing aberration in optical systems
US20050094268A1 (en) 2002-03-14 2005-05-05 Carl Zeiss Smt Ag Optical system with birefringent optical elements
WO2003077011A1 (en) 2002-03-14 2003-09-18 Carl Zeiss Smt Ag Optical system with birefringent optical elements
JP3599052B2 (ja) * 2002-12-13 2004-12-08 ソニー株式会社 画像表示装置
TWI319124B (en) * 2003-02-27 2010-01-01 Asml Netherlands Bv Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
EP1467253A1 (en) * 2003-04-07 2004-10-13 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1709636A2 (en) * 2004-01-16 2006-10-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical system
JP2006003479A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Nikon Corp 光学素子及び照明光学系
JP2008525838A (ja) * 2004-12-22 2008-07-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 放射状偏向放射線を用いた、小開口を通る光の透過性を向上させる機器および方法
US7345740B2 (en) * 2004-12-28 2008-03-18 Asml Netherlands B.V. Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006253241A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US7317512B2 (en) * 2005-07-11 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Different polarization in cross-section of a radiation beam in a lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007048996A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Nikon Corp 照明光学装置の調整方法、照明光学装置、露光装置、およびデバイスの製造方法
JP4512693B2 (ja) * 2006-01-18 2010-07-28 ナノフォトン株式会社 偏光制御素子とその製造方法、並びに、顕微鏡
US8035803B2 (en) * 2006-09-06 2011-10-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Subsystem of an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102008013567A1 (de) 2007-05-08 2008-11-13 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040169924A1 (en) 2003-02-27 2004-09-02 Asml Netherlands, B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
WO2006131517A2 (de) 2005-06-07 2006-12-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage

Also Published As

Publication number Publication date
CN101861548A (zh) 2010-10-13
EP2220536A1 (en) 2010-08-25
US8319945B2 (en) 2012-11-27
DE102007055063A1 (de) 2009-05-28
KR20100106971A (ko) 2010-10-04
JP2011504296A (ja) 2011-02-03
US20100231887A1 (en) 2010-09-16
WO2009063002A1 (en) 2009-05-22
EP2220536B1 (en) 2018-05-23
JP4981177B2 (ja) 2012-07-18
CN101861548B (zh) 2013-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101737682B1 (ko) 조명 광학 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7053988B2 (en) Optically polarizing retardation arrangement, and microlithography projection exposure machine
US9195069B2 (en) Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101491229B1 (ko) 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 광학 시스템
US8035803B2 (en) Subsystem of an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US8593618B2 (en) Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
KR101939862B1 (ko) 조명 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR101551991B1 (ko) 마이크로리소그래픽 투사 노출 장치의 조명 시스템
JP2016186642A (ja) 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置における偏光影響光学配置
US20110194093A1 (en) Polarization-influencing optical arrangement and an optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP5566501B2 (ja) 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系
JP5928653B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系
KR20090006747A (ko) 노광장치, 광학 소자의 선별방법 및 디바이스 제조방법
KR101980939B1 (ko) 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 광학 시스템
US7787104B2 (en) Illumination optics for a microlithographic projection exposure apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180823

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190822

Year of fee payment: 5