JP2011503350A - 電気絶縁層を析出する方法 - Google Patents
電気絶縁層を析出する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011503350A JP2011503350A JP2010532514A JP2010532514A JP2011503350A JP 2011503350 A JP2011503350 A JP 2011503350A JP 2010532514 A JP2010532514 A JP 2010532514A JP 2010532514 A JP2010532514 A JP 2010532514A JP 2011503350 A JP2011503350 A JP 2011503350A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- pulse
- signal
- current
- needle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 title 1
- 238000010892 electric spark Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 5
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLQPHQFNMLZJMP-UHFFFAOYSA-N Fentrazamide Chemical compound N1=NN(C=2C(=CC=CC=2)Cl)C(=O)N1C(=O)N(CC)C1CCCCC1 LLQPHQFNMLZJMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
- H01J37/32064—Circuits specially adapted for controlling the arc discharge
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- Arc Welding Control (AREA)
Abstract
Description
従来技術より、アーク蒸発源またはスパーク蒸発器とも呼ばれるアークソースを、DC電流供給部とパルス電流供給部との組み合わせによって作動させる種々の方法が知られている。
本発明の課題は、上に述べた従来技術の欠点が回避され、火花放電の高い電離という利点を放電電圧の上昇という利点と結びつけることができ、その際に火花陰極が、特に火花陰極の表面が、過度に熱の負荷を受けることがない方法を提供することにある。この課題は、請求項1の特徴部に記載された本発明の構成要件によって解決される。
−同じくDC電流供給部と接続されている別のアーク蒸発源
−同じく電流供給部と、特にDC電流供給部と接続されたスパッタソースの、特にマグネトロン源の陰極
−同時に低電圧アーク蒸発器の陽極として作動する蒸発るつぼ
このときDC電流供給は、プラズマ放電が少なくともアーク蒸発源のところで、ただし好ましくはすべてのソースのところで、実質的に中断なく維持されるように、基本電流によって行われる。このとき、それぞれDC電流供給部とパルス電流供給部は、電気的な減結合フィルタによって減結合されたうえで、好ましくは少なくとも1つの阻止ダイオードを含んでいるのが好ましい。このときコーティングは650℃よりも低い温度で、好ましくは550℃よりも低い温度で行うことができる。
1.酸化アルミニウムを製作するための火花蒸発のプロセスパラメータ:
酸素流 400sccm
プロセス圧力 1×10−2mbar
DC電源電流Alターゲット 100A
パルス電源電流Alターゲット 50kHzで100A、10μsパルス/10μsポーズ
基板バイアス −40V DCパルス化またはAC(それぞれ50〜350kHz)
基板温度 約500℃
プロセス時間 60から120分、いくつかの実験では360分
ここでは電圧パルスの合成の立ち上がりエッジ23の上昇時間は約6V/μsで測定している。
酸素流 1000sccm
プロセス圧力 2.6×10−2mbar
DC電源電流Al0.7Cr0.3: 120A
パルス電源電流Al0.7Cr0.3: 100A、30kHz、8μsパルス/25μsポーズ
型式Oerlikon Balzers MAG 6のソース磁界のコイル電流は0.5Aで調整した。
それによりターゲット表面では、実質的に鉛直方向に約2mT(20Gs)の弱い磁界が生成された。
基板バイアス U=−60V (バイポーラ、36μs負、4μs正)
基板温度 約550℃
プロセス時間 60から120分
ここでは電圧パルスの合成の立ち上がりエッジ23の上昇時間は約2V/μsで測定している。
2 真空ポンプスタンド
3 基板保持部
4 パルスバイアス供給部
5 ターゲット
6 陽極
7 点火装置
8 電離室
9 フィラメント
10 補助陽極
11 ガス入口
12 ターゲット磁石システム
13 DC電流供給部
14 アーススイッチ
15 パルス電圧供給部
16 発電機ユニット
17 コイル
18 充電電圧供給部
19 コンデンサ
20 パルススイッチ
21 合成
22 ニードルパルス
23 立ち上がりエッジ
Claims (20)
- アークソースを作動させる方法であって、電気火花放電がターゲット(5)の表面で点火または作動し、前記火花放電には、直流電圧DVが割り当てられた直流電流と、周期的に印加される電圧信号によって生成されるパルス電流とが同時に供給される、そのような方法において、前記アークソースの電圧は数マイクロ秒のうちに上昇することを特徴とする方法。
- 前記電圧信号の信号形状は実質的に自由に選択可能であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記電圧信号の周波数は1Hzから200kHzの間であり、好ましくは10Hzから50kHzの間であることを特徴とする、先行請求項のうちいずれか1項に記載の方法。
- 前記信号形状はのこぎり波状、多角形、台形、ただし好ましくは矩形であることを特徴とする、先行請求項のうちいずれか1項に記載の方法。
- 前記電圧信号はギャップのある動作で印加されることを特徴とする、先行請求項のうちいずれか1項に記載の方法。
- 前記電圧信号は検出された電流閾値を上回ったときに停止されることを特徴とする、先行請求項のうちいずれか1項に記載の方法。
- 前記信号形状は1列のニードルパルス(22)の合成(21)によって形成されることを特徴とする、先行請求項のうちいずれか1項に記載の方法。
- 前記ニードルパルス(22)は時間的な連続で制御される個々のコンデンサ(19)の放電によって生成され、またはパルス電圧供給部(15)によって生成されることを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 前記ニードルパルス(22)の立ち上がりエッジ(23)のエッジ勾配は少なくとも0.5V/μs、ただし好ましくは少なくとも2V/μsであることを特徴とする、請求項7および8に記載の方法。
- 前記ニードルパルス(22)の連続ないし時間は0.1kHzから1MHzの間または10msから1μsの間であり、好ましくは1kHzから500kHzの間または1msから2μsの間であることを特徴とする、請求項7から9までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記ニードルパルス(22)の高さPVは印加される直流電圧DVを少なくとも10パーセント、好ましくは少なくとも30パーセントだけ上回っていることを特徴とする、請求項7から10までのいずれか1項に記載の方法。
- 少なくとも3個、好ましくは少なくとも5個の前記ニードルパルス(22)が前記電圧信号の生成のために用いられることを特徴とする、請求項7から11までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記電圧信号は信号長、信号周波数、電圧振幅、パルスポーズ、および/または信号形状に関して自由に調整可能なパルス電圧供給部(15)または発電機ユニット(16)によって提供されることを特徴とする、先行請求項のうちいずれか1項に記載の方法。
- 前記電圧信号は前記ニードルパルスの時間的な連続、エッジ勾配、および/または高さに関して自由に調整可能なパルス電圧供給部(15)または発電機ユニット(16)によって提供されることを特徴とする、先行請求項のうちいずれか1項に記載の方法。
- 前記電圧信号の立ち上がりエッジ(23)の勾配は少なくとも0.5V/μs、ただし好ましくは少なくとも2V/μsであることを特徴とする、先行請求項のうちいずれか1項に記載の方法。
- 実質的に全パルス長Tpにわたって特に一定のパルス電圧PVが印加されることを特徴とする、先行請求項のうちいずれか1項に記載の方法。
- 周期的に印加される前記電圧信号は複数の前記アークソースのターゲット(5)へ交互に印加されることを特徴とする、先行請求項のうちいずれか1項に記載の方法。
- 絶縁性で特に酸化物を含有する層または酸化物の層が析出されることを特徴とする、先行請求項のうちいずれか1項に記載の方法。
- 前記ターゲット(5)の材料は炭素でできており、または20容量%を超える炭素を含む材料でできていることを特徴とする、先行請求項のうちいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1から19までのいずれか1項に記載の方法に基づいて作動するアークソースを用いて、コーティングされた基板を製作する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/937,071 US9605338B2 (en) | 2006-10-11 | 2007-11-08 | Method for depositing electrically insulating layers |
US11/937,071 | 2007-11-08 | ||
PCT/EP2008/052521 WO2009059807A1 (de) | 2007-11-08 | 2008-02-29 | Verfahren zum abscheiden elektrisch isolierender schichten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011503350A true JP2011503350A (ja) | 2011-01-27 |
JP5876985B2 JP5876985B2 (ja) | 2016-03-02 |
Family
ID=39535327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010532514A Active JP5876985B2 (ja) | 2007-11-08 | 2008-02-29 | 電気絶縁層を析出する方法 |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9605338B2 (ja) |
EP (1) | EP2208216B1 (ja) |
JP (1) | JP5876985B2 (ja) |
KR (1) | KR20100091199A (ja) |
CN (1) | CN101855699B (ja) |
BR (1) | BRPI0820346A2 (ja) |
ES (1) | ES2445397T3 (ja) |
MX (1) | MX2010004851A (ja) |
PL (1) | PL2208216T3 (ja) |
PT (1) | PT2208216E (ja) |
RU (1) | RU2510097C2 (ja) |
TW (1) | TW200920869A (ja) |
WO (1) | WO2009059807A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014517868A (ja) * | 2011-04-11 | 2014-07-24 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト,トリュープバッハ | 炭素火花蒸着 |
JP2015501876A (ja) * | 2011-11-09 | 2015-01-19 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト,トリュープバッハOerlikon Trading AG,Truebbach | Hipims層 |
JP5997417B1 (ja) * | 2015-06-24 | 2016-09-28 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空アーク成膜装置および成膜方法 |
JP2016537515A (ja) * | 2013-11-03 | 2016-12-01 | エリコン サーフェス ソリューションズ アーゲー、 プフェフィコン | 酸化バリア層 |
WO2016208094A1 (ja) * | 2015-06-24 | 2016-12-29 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空アーク成膜装置および成膜方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090052174A (ko) * | 2007-11-20 | 2009-05-25 | 아이시스(주) | 확산박막 증착 방법 및 장치 |
JP5208139B2 (ja) * | 2008-02-12 | 2013-06-12 | 株式会社iMott | ダイヤモンド状炭素膜成膜装置及びダイヤモンド状炭素膜を成膜する方法 |
DE102010038605B4 (de) * | 2010-07-29 | 2012-06-14 | Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Zündschaltung zum Zünden eines mit Wechselleistung gespeisten Plasmas |
CN102409303A (zh) * | 2010-09-25 | 2012-04-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种靶材功率加载方法、靶材电源及半导体处理设备 |
DE102013112039B4 (de) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | Borgwarner Ludwigsburg Gmbh | Korona-Zündsystem für einen Verbrennungsmotor und Verfahren zur Steuerung eines Korona-Zündsystems |
US10811235B2 (en) * | 2014-05-13 | 2020-10-20 | Argor Aljba Sa | Method to filter macro particles in a cathodic arc physical vapor deposition (PVD), in vacuum |
US11266344B2 (en) | 2016-09-21 | 2022-03-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for measuring skin condition and electronic device therefor |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6442574A (en) * | 1987-08-07 | 1989-02-14 | Nissin Electric Co Ltd | Arc power source device for vacuum arc discharge type pvd device |
EP0666335B1 (de) * | 1994-01-25 | 1999-05-06 | Grimm, Werner, Dr. | Verfahren zum Betreiben eines Vakuumlichtbogenverdampfers und Stromversorgungseinrichtung dafür |
JP2004052049A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Nissin Electric Co Ltd | 真空アーク蒸着装置 |
WO2006049566A1 (en) * | 2004-11-02 | 2006-05-11 | Chemfilt Ionsputtering Ab | Method and apparatus for producing electric discharges |
WO2006099754A1 (de) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Hartstoffschicht |
WO2006099758A2 (de) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Verfahren zum betreiben einer gepulsten arcquelle |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0142574Y2 (ja) | 1984-09-10 | 1989-12-13 | ||
US5310607A (en) | 1991-05-16 | 1994-05-10 | Balzers Aktiengesellschaft | Hard coating; a workpiece coated by such hard coating and a method of coating such workpiece by such hard coating |
CH688863A5 (de) | 1994-06-24 | 1998-04-30 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum Beschichten mindestens eines Werkstueckes und Anlage hierfuer. |
JP3060876B2 (ja) | 1995-02-15 | 2000-07-10 | 日新電機株式会社 | 金属イオン注入装置 |
DE19518781C1 (de) | 1995-05-22 | 1996-09-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Vakuumbeschichteter Verbundkörper und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP4120974B2 (ja) * | 1997-06-17 | 2008-07-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜作製方法および薄膜作製装置 |
JP4502475B2 (ja) | 2000-08-04 | 2010-07-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 硬質皮膜および耐摩耗部材並びにその製造方法 |
DE10115390A1 (de) * | 2000-12-22 | 2002-06-27 | Mitsubishi Materials Corp Toki | Beschichtetes Schneidwerkzeug |
US6767627B2 (en) | 2002-12-18 | 2004-07-27 | Kobe Steel, Ltd. | Hard film, wear-resistant object and method of manufacturing wear-resistant object |
JP4427271B2 (ja) | 2003-04-30 | 2010-03-03 | 株式会社神戸製鋼所 | アルミナ保護膜およびその製造方法 |
RU2246719C1 (ru) * | 2003-07-04 | 2005-02-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Интроскан" | Способ облучения конверсионной мишени импульсами тока ускоренных электронов и устройство для его реализации |
US20050233551A1 (en) | 2004-04-15 | 2005-10-20 | Board Of Control Of Michigan Technological University | Method for depositing silicon by pulsed cathodic vacuum arc |
EP1803142A1 (en) * | 2004-09-24 | 2007-07-04 | Zond, Inc. | Apparatus for generating high-current electrical discharges |
-
2007
- 2007-11-08 US US11/937,071 patent/US9605338B2/en active Active
-
2008
- 2008-02-29 PL PL08717297T patent/PL2208216T3/pl unknown
- 2008-02-29 BR BRPI0820346-6A patent/BRPI0820346A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2008-02-29 KR KR1020107011608A patent/KR20100091199A/ko active Search and Examination
- 2008-02-29 ES ES08717297.9T patent/ES2445397T3/es active Active
- 2008-02-29 WO PCT/EP2008/052521 patent/WO2009059807A1/de active Application Filing
- 2008-02-29 MX MX2010004851A patent/MX2010004851A/es active IP Right Grant
- 2008-02-29 RU RU2010123193/07A patent/RU2510097C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2008-02-29 CN CN200880115233.9A patent/CN101855699B/zh active Active
- 2008-02-29 JP JP2010532514A patent/JP5876985B2/ja active Active
- 2008-02-29 PT PT87172979T patent/PT2208216E/pt unknown
- 2008-02-29 EP EP08717297.9A patent/EP2208216B1/de active Active
- 2008-03-18 TW TW097109423A patent/TW200920869A/zh unknown
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6442574A (en) * | 1987-08-07 | 1989-02-14 | Nissin Electric Co Ltd | Arc power source device for vacuum arc discharge type pvd device |
EP0666335B1 (de) * | 1994-01-25 | 1999-05-06 | Grimm, Werner, Dr. | Verfahren zum Betreiben eines Vakuumlichtbogenverdampfers und Stromversorgungseinrichtung dafür |
JP2004052049A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Nissin Electric Co Ltd | 真空アーク蒸着装置 |
WO2006049566A1 (en) * | 2004-11-02 | 2006-05-11 | Chemfilt Ionsputtering Ab | Method and apparatus for producing electric discharges |
WO2006099754A1 (de) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Hartstoffschicht |
CA2601722A1 (en) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Oerlikon Trading Ag, Truebbach | Hard material layer |
WO2006099758A2 (de) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Verfahren zum betreiben einer gepulsten arcquelle |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014517868A (ja) * | 2011-04-11 | 2014-07-24 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト,トリュープバッハ | 炭素火花蒸着 |
JP2015501876A (ja) * | 2011-11-09 | 2015-01-19 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト,トリュープバッハOerlikon Trading AG,Truebbach | Hipims層 |
KR101929085B1 (ko) * | 2011-11-09 | 2018-12-13 | 오를리콘 서피스 솔루션스 아크티엔게젤샤프트, 페피콘 | Hipims 층 형성 방법 |
JP2016537515A (ja) * | 2013-11-03 | 2016-12-01 | エリコン サーフェス ソリューションズ アーゲー、 プフェフィコン | 酸化バリア層 |
US10487391B2 (en) | 2013-11-03 | 2019-11-26 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Oxidation barrier layer |
JP5997417B1 (ja) * | 2015-06-24 | 2016-09-28 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空アーク成膜装置および成膜方法 |
WO2016208094A1 (ja) * | 2015-06-24 | 2016-12-29 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空アーク成膜装置および成膜方法 |
KR20180019201A (ko) * | 2015-06-24 | 2018-02-23 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 진공 아크 성막 장치 및 성막 방법 |
US10731245B2 (en) | 2015-06-24 | 2020-08-04 | Canon Anelva Corporation | Vacuum arc deposition apparatus and deposition method |
KR102156989B1 (ko) * | 2015-06-24 | 2020-09-16 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 진공 아크 성막 장치 및 성막 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9605338B2 (en) | 2017-03-28 |
CN101855699A (zh) | 2010-10-06 |
EP2208216B1 (de) | 2013-11-06 |
RU2010123193A (ru) | 2011-12-20 |
BRPI0820346A2 (pt) | 2015-05-12 |
US20080286496A1 (en) | 2008-11-20 |
ES2445397T3 (es) | 2014-03-03 |
CN101855699B (zh) | 2014-10-29 |
RU2510097C2 (ru) | 2014-03-20 |
TW200920869A (en) | 2009-05-16 |
JP5876985B2 (ja) | 2016-03-02 |
PL2208216T3 (pl) | 2014-03-31 |
WO2009059807A1 (de) | 2009-05-14 |
MX2010004851A (es) | 2010-06-11 |
PT2208216E (pt) | 2013-12-17 |
KR20100091199A (ko) | 2010-08-18 |
EP2208216A1 (de) | 2010-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5876985B2 (ja) | 電気絶縁層を析出する方法 | |
KR101235393B1 (ko) | 펄스 아크 증발원의 동작 방법 및 펄스 아크 증발원을구비한 진공 공정 시스템 | |
US7943017B2 (en) | Method for operating a pulsed arc evaporation source and vacuum process system comprising said pulsed arc evaporation source | |
EP2102889B1 (en) | Rf substrate bias with high power impulse magnetron sputtering (hipims) | |
KR101990658B1 (ko) | 반응성 스퍼터링 공정 | |
JP5930271B2 (ja) | マグネトロン装置、および、マグネトロン装置のパルス動作方法 | |
US10407767B2 (en) | Method for depositing a layer using a magnetron sputtering device | |
JP5716129B2 (ja) | パルス式の不連続火花放電を作動させる方法、陰極火花蒸着を作動させる方法及び基板をコーティングする方法 | |
Hubiˇckaa et al. | 2.1 Brief history of high power pulsed magnetron sputtering | |
JPH09237762A (ja) | シリコン薄膜の製造方法 | |
PL225956B1 (pl) | Sposob wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gestosci do czyszczenia powierzchni targetow magnetronow |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131015 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140708 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151116 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5876985 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |