JP2011258946A - 流体供給システム、リソグラフィ装置、流体流量の変更方法及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】リソグラフィ装置に供給中の液浸液またはリソグラフィ装置内の液浸液における温度変化を低減または除去する。
【解決手段】リソグラフィ装置用の流体供給システムは、流体源１２０と第１部品との間の流体用の第１流体流路１００と、第１流体流路内の分岐点から排出部品への流体流れ用の排出流体流路２００と、を備える。排出流体流路を通る流体の流れを調節することによって、流体源から第１部品１２への流体流量を変化させるように構成されたコントローラ２２０が設けられる。
【選択図】図６

Description

本発明は、流体供給システム、リソグラフィ装置、流体流量の変更方法及びデバイス製造方法に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板の目標部分、通常は基板の目標部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、例えばマスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、集積回路の各層に対応した回路パターンを形成するために使用される。このパターンが基板（例えばシリコンウェーハ）の（例えばダイの一部、あるいは一つまたは複数のダイからなる）目標部分に転写される。パターン転写は典型的には基板に形成された放射感応性材料（レジスト）層への結像による。一般に一枚の基板にはネットワーク状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的に露光される。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（スキャン方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をスキャン方向に平行または逆平行に走査するようにして各目標部分は照射を受ける。パターニングデバイスから基板へのパターン転写は、基板にパターンをインプリントすることによっても可能である。

リソグラフィ投影装置において基板を液体に浸すことが提案されている。この液体は比較的高い屈折率を持つ液体であり、例えば水である。投影系の最終素子と基板との間の空間が液体で満たされる。一実施形態では、液体は蒸留水であるが、その他の液体も使用可能である。本発明の一実施形態は液体に言及して説明しているが、その他の流体、特に濡れ性流体、非圧縮性流体、及び／または屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に好ましい。その真意は、露光放射は液体中で波長が短くなるので、より小さい形状の結像が可能となるということである（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくし、焦点深度も大きくすることとみなすこともできる。）。別の液浸液も提案されている。固体粒子（例えば石英）で懸濁している水や、ナノ粒子（例えば最大寸法１０ｎｍ以下）で懸濁している液体である。懸濁粒子はその液体の屈折率と同程度の屈折率を有していてもよいし、そうでなくてもよい。その他に適切な液体として炭化水素もある。例えば芳香族、フッ化炭化水素、または水溶液がある。

基板を、または基板と基板テーブルとを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許第４，５０９，８５２号参照）は、走査露光中に加速されなければならない大きな液体があることを意味する。これには、追加のモータまたはさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

液浸装置では、流体ハンドリングシステム、デバイス構造または装置によって液浸流体が取り扱われる。一実施形態では、流体ハンドリングシステムが液浸流体を供給してもよく、したがって流体供給システムであってもよい。一実施形態では、流体ハンドリングシステムが少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めてもよく、このため流体閉じ込めシステムであってもよい。一実施形態では、流体ハンドリングシステムが液浸流体に対するバリアを提供してもよく、このため流体閉じ込め構造などのバリア部材であってもよい。一実施形態では、流体ハンドリングシステムが、例えば液浸流体の流れ及び／または位置の制御を補助するために、気流を生成または使用してもよい。気流がシールを形成して液浸流体を閉じ込めてもよく、そのため、流体ハンドリング構造がシール部材と呼ばれてもよい。このようなシール部材が流体閉じ込め構造であってもよい。一実施形態では、液浸流体として液浸液を使用する。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムであってもよい。上記記載に関連して、流体に関して定義される特徴に対するこのパラグラフ内の言及は、液体に関して定義される特徴を含むものと理解されてもよい。

液浸リソグラフィでは、液浸液の屈折率が液浸液の温度に対して高感度であるため、液浸液の温度変化が結像欠陥の原因となりうる。

例えば、リソグラフィ装置に供給中の液浸液またはリソグラフィ装置内の液浸液における温度変化を低減または除去することが望ましい。

一態様によると、リソグラフィ装置用の流体供給システムが提供される。このシステムは、流体源と第１部品との間の流体用の第１流体流路と、第１流体流路内の分岐点から排出部品への流体流用の排出流体流路と、排出流体流路を通る流体の流れを調節することによって流体源から第１部品への流体流量を変化させるように構成された第１コントローラと、を備える。

一態様によると、流体源から部品への流体流量を変化させる方法が提供される。この方法は、排出部品と流体源および前記排出部品の間の第１流体流路内の分岐点との間にある排出流体流路内の流体流れを変化させることを含む。

以下、対応する参照符号が対応する部分を表す添付の模式図を参照して、本発明の実施形態を例示として説明する。

本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。 リソグラフィ投影装置で使用される液体供給システムを示す図である。 リソグラフィ投影装置で使用される液体供給システムを示す図である。 リソグラフィ投影装置で使用される別の液体供給システムを示す図である。 リソグラフィ投影装置で使用される別の液体供給システムを示す図である。 本発明の一実施形態の流体供給システムを模式的に示す図である。 本発明の一実施形態の流体供給システムを模式的に示す図である。

図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、
放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するよう構成されている照明系（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、いくつかのパラメータにしたがってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするよう構成されている第１の位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えばレジストでコーティングされたウェーハ）Ｗを保持するよう構成され、いくつかのパラメータにしたがって基板Ｗを正確に位置決めするよう構成されている第２の位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば一つまたは複数のダイからなる）目標部分Ｃに投影するよう構成されている投影系（例えば屈折投影レンズ）ＰＳと、を備える。

照明系は、放射の方向や形状の調整またはその他の制御用に、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。

支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向きやリソグラフィ装置の構成、あるいはパターニングデバイスＭＡが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方式でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的固定、真空固定、またはパターニングデバイスＭＡを保持するその他の固定用技術を用いてもよい。支持構造ＭＴは例えばフレームまたはテーブルであってよく、必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを例えば投影系ＰＳに対して所望の位置に位置決めできるようにしてもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされるものとする。

本明細書では「パターニングデバイス」という用語は、例えば基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用されうるいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。このような場合には例えば、放射ビームのパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合がある。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。

パターニングデバイスＭＡは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、例えばマスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルなどがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、さらに各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜されるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。

本明細書では「投影系」という用語は、使用される露光光あるいは液浸や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影系には例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である「投影系」と同義に用いられうる。

ここに図示されるのは、（例えば透過型マスクを用いる）透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、（例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイまたは反射型マスクを用いる）反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。

リソグラフィ装置は、少なくとも一つまたは全てのテーブルが基板を保持することができる、二つ以上（二つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）のテーブル（及び／または二つ以上のパターニングデバイステーブル）を備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に他の１以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。

図１に示されるようにイルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源ＳＯとリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源ＳＯからイルミネータＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が例えば水銀ランプである場合には、光源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。光源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系または放射システムと総称される。

イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び／または内径の大きさ（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータＩＬはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。光源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬはリソグラフィ装置の一部を構成するとみなされてもみなされなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬはリソグラフィ装置の一体部分であってもよいし、リソグラフィ装置とは別個の物体であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成されてもよい。選択的に、イルミネータＩＬが取り外し可能であり、（例えば、リソグラフィ装置メーカまたは別のサプライヤーによって）別個に提供されてもよい。

放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイスＭＡを通過した放射ビームＢは投影系ＰＳに進入する。投影系ＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに投影する。第２の位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。基板テーブルＷＴは例えば放射ビームＢの経路に異なる目標部分Ｃを順次位置決めするように移動される。同様に、第１の位置決め装置ＰＭと他の位置センサ（図１には明示せず）とにより放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリからのマスクの機械的交換後や露光走査中に行われる。一般に支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。同様に基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパでは（スキャナとは異なり）、支持構造ＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗとは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

図示の装置は例えば次のうちの少なくとも一つのモードで使用されうる。
１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射（すなわち単一静的露光）で目標部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写される目標部分Ｃのサイズを制限することになる。
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間（すなわち単一動的露光の間）、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分の（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分Ｃの（走査方向の）長さを決定する。
３．別のモードにおいては、支持構造ＭＴがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

上記で記載したモードの組み合わせ及び／または変形例を使用してもよいし、全く別のモードを使用してもよい。

投影系の最終素子と基板との間に液体を提供する構成は少なくとも二種類に分類することができる。これらは、浴槽型の構成と、いわゆる局所液浸システムである。浴槽型構成では、基板の実質的に全体と基板テーブルの選択部分とが液槽に浸される。いわゆる局所液浸システムは、基板の局所区域にのみ液体を供給する液体供給システムを使用する。後者の分類では、液体で満たされる空間は平面視で基板上面よりも小さい。液体で満たされた領域は基板がその領域の下を移動している間、投影系に対し実質的に静止状態にある。本発明の一実施形態を対象にする別の構成は、液体が閉じ込められない完全濡れ方法である。この構成では、基板上面の実質的に全体と基板テーブルの全てまたは一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液膜、例えば薄膜であってもよい。図２ないし５の液体供給デバイスのいずれかをこのようなシステムで用いることができる。しかしながら、シール構造は存在しないか、作動していないか、通常ほど有効ではないか、局所領域のみを液体シールする役には立たない。局所液体供給システムの四つの異なるタイプが図２ないし図５に示されている。

提案された構成の一つは、液体閉じ込めシステムを用いて基板の局所領域上のみかつ投影系の最終素子と基板との間に液体を提供する液体供給システムである（通常、基板は投影系の最終素子よりも大きな表面積を有する）。これを構成するために提案された方法の一つが、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４に開示されている。図２及び図３に示されているように、液体が少なくとも一つの入口によって基板上に、好ましくは最終素子に対する基板の移動方向に沿って供給される。液体は投影系の下を通過した後に少なくとも一つの出口によって除去される。すなわち、基板が−Ｘ方向に要素の下を走査されると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて除去される。

図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で除去される模式的な構成図である。基板Ｗの上の矢印は液体の流れ方向を表し、基板Ｗの下方の矢印は基板テーブルの移動方向を表す。図２では、液体が最終素子に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終素子の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終素子の周囲に規則的なパターンで設けられる。液体供給装置及び液体回収装置内の矢印は、液体の流れ方向を表している。

局所液体供給システムを持つ液浸リソグラフィの別の解決法が、図４に示されている。液体は、投影系ＰＬの両側にある二つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口及び出口は、投影ビームを通す穴を中心に有するプレートに設けることができる。液体は、投影系ＰＳの一方側にある一つの溝入口によって供給され、投影系ＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去され、これによって投影系ＰＳと基板Ｗとの間に液体の薄膜の流れが生じる。どちらの組み合わせの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの移動方向によって決まる（他方の組み合わせの入口及び出口は作動させない）。図４の断面図において、矢印は入口に入る液体及び出口から出る液体の流れ方向を表している。

それぞれ参照によりその全体が本明細書に援用される、欧州特許出願公開ＥＰ１４２０３００及び米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４に、ツインステージまたはデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。このような装置には、基板を支持する二つのテーブルが設けられる。液浸液が存在しない第１位置でテーブルを用いてレベリング測定が実行され、液浸液が存在する第２位置でテーブルを用いて露光が実行される。一態様では、リソグラフィ装置は一つのテーブルのみ、またはそのうちの一つのみが基板を支持可能である二つのテーブルを有する。

ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ２００５／０６４４０５は、液浸液を閉じ込めない全域濡れ構成を開示する。このシステムでは、基板上面の全体が液体で覆われる。これが有利であるのは、基板上面全体が実質的に同条件で露光されるからである。これは基板温度制御及び基板処理に有利である。ＷＯ２００５／０６４４０５号によれば、液体供給システムは投影系の最終素子と基板との間隙に液体を供給する。液体は基板の残りの領域へと漏れ出る（流れる）ことが許容されている。基板テーブル端部の障壁によって液体の漏れが抑制され、基板テーブル上面からの液体除去が制御される。このシステムは基板の温度制御及び処理を改善するが、液浸液の蒸発はなお生じる。この問題を軽減するのに役立つ一手法が米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１１９８０９号に記載されている。基板Ｗの全ての位置を覆い、部材と基板上面との間及び／または部材と基板を保持する基板テーブルとの間に液浸液を延ばすよう構成された、ある部材が設けられる。

提案されている別の構成は流体ハンドリング構造を液体供給システムに設けることである。流体ハンドリング構造は、投影系の最終素子と基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。これを図５に示す。流体ハンドリング構造は、投影系に対してＸＹ平面内で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）にはいくらかの相対運動があってもよい。流体ハンドリング構造と基板表面との間にシールが形成される。一実施形態では、流体ハンドリング構造と基板表面との間にシールが形成され、このシールは気体シールなどの非接触シールであってもよい。このようなシステムは、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４に開示されている。別の実施形態では、流体ハンドリング構造が非気体シールであるシールを有しており、したがって液体閉じ込め構造と呼ばれてもよい。

図５は、流体ハンドリング構造またはデバイスを有する局所液体供給システムを模式的に示す図である。流体ハンドリング構造の本体１２はバリア部材または液体閉じ込め構造を形成し、これは投影系ＰＳの最終素子と基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（なお、基板Ｗの表面は基板テーブルＷＴと同一平面であってもよいので、後述の説明での基板Ｗの表面への言及は、そうではないことを明示していない限り、基板テーブルＷＴの表面をも追加的または代替的に意味するものとする。）流体ハンドリング構造は、投影系に対してＸＹ面で実質的に静止するが、Ｚ方向（一般に光軸の方向）にはいくらかの相対運動が存在してもよい。一実施形態では、本体１２と基板Ｗの表面との間にシールが形成される。このシールは、気体シールや流体シール等の非接触シールであってもよい。

流体ハンドリング構造１２は、投影系ＰＬの最終素子と基板Ｗとの間の空間１１の少なくとも一部に液体を収容する。基板Ｗに対する非接触シール１６が投影系の像フィールドの周囲に形成され、投影系ＰＬの最終素子と基板Ｗとの間の空間に液体が閉じ込められてもよい。この空間の少なくとも一部が本体１２により形成される。本体１２は投影系ＰＳの最終素子の下方に配置され、当該最終素子を囲む。液体が、投影系下方かつ本体１２内部の空間に、液体入口１３によってもたらされる。液体出口１３によって液体が除去されてもよい。本体１２は、投影系ＰＳの最終素子の少し上まで延在してもよい。液位が最終素子の上まで上昇することで、液体のバッファが提供される。一実施例では、本体１２は上端において内周が投影系またはその最終素子の形状によく一致し、例えば円形であってもよい。下端においては、内周が像フィールドの形状によく一致し、例えば長方形でもよいが、これに限られない。内周は任意の形状であってよい。例えば、内周は投影系の最終素子の形状と一致してもよい。内周は円形であってもよい。

液体は、本体１２の底部と基板Ｗの表面との間に使用時に形成される気体シール１６によって空間１１に保持される。気体シール１６は、例えば空気または合成空気、一実施例ではＮ_２または別の不活性ガスなどの気体によって形成される。気体は、圧力下で入口１５を介して本体１２と基板Ｗの間の隙間に提供され、出口１４から抜き取られる。気体入口１５への過剰圧力、出口１４の真空レベル、及び隙間の幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気流が存在するように構成される。本体１２と基板Ｗとの間の液体に気体から作用する力が空間１１に液体を保持する。入口及び出口は空間１１を取り巻く環状溝であってもよい。環状溝は連続していてもよいし不連続であってもよい。気体の流れは空間１１に液体を保持するのに効果的である。このようなシステムは、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。

図５の例は、基板Ｗの上面の局所領域にのみ常に液体が提供される、いわゆる局所領域構成である。例えば米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８に開示されるような単相抽出器または二相抽出器を利用する流体ハンドリング構造を含む、他の構成も可能である。一実施形態では、単相または二相抽出器は多孔質材料で覆われる入口を備える。単相抽出器の一実施形態では、多孔質材料を用いて気体から液体を分離し単一液相の液体抽出を実現する。多孔質材料の下流のチャンバがわずかに負圧に維持され、チャンバが液体で満たされる。チャンバ内の負圧は、多孔質材料の穴の中に形成されるメニスカスがチャンバ内に周囲気体を引き込むことを防止する。しかしながら、多孔質表面が液体と接触するとき、流れを抑制するメニスカスは存在せず、液体はチャンバ内に自由に流入することができる。多孔質材料は、例えば直径が５−３００μｍの範囲、望ましくは５−５０μｍの範囲である多数の小さな穴を有する。一実施形態では、多孔質材料は少なくともわずかに親液性（例えば親水性）である。すなわち、液浸液（例えば水）に対して９０°未満の接触角を有する。

例えば、米国特許出願公開ＵＳ２００９−０２７９０６２（参照によりその全体が本明細書に援用される）に開示されているような、二相抽出によって液体メニスカスが出口開口で固定されるガス引き構成などの、多くの他のタイプの液体供給システムを使用可能である。本発明の一実施形態は、任意の特定のタイプの液体供給システムに限定されない。本発明の一実施形態は、例えば使用を最適化するために、投影系の最終素子と基板との間に液体が閉じ込められる閉じ込め液浸システムとともに使用すると有利であってもよい。しかしながら、任意の他のタイプの液体供給システムとともに本発明の一実施形態を用いることができる。

液浸リソグラフィ装置では、典型的に流体ハンドリングシステムに流体が供給される。供給される流体が液浸空間用の流体（すなわち液浸流体）である場合、その流体の温度を注意深く制御することが望ましい。液浸流体が液体または別の液浸空間用の実質的に圧縮不可能の流体である場合は特に望ましい。例えば、温度精度は５０ｍＫ未満のオーダーであってもよい。この理由は、液浸流体の屈折率が流体温度に対して高感度であるからである。温度の違いは、結像欠陥の原因となりうる屈折率の変化を引き起こしうる。さらに、汚染のリスクが最小である、液浸リソグラフィシステムに対する高速の流体流制御が望まれる。

液浸リソグラフィ装置における操作の一部は、液浸液の流量変化を必要とすることがある。このような流れの変化は、静的流量間の変化であってもよい。静的流量とは、ある期間にわたって実質的に一定である流量のことである。例えば、例えばダミー基板（または閉鎖ディスク）である閉鎖表面などのシャッター部材が、例えば基板の交換中に液体ハンドリングシステムの下に配置されるときに、このような変化が生じてもよい。液体ハンドリング構造の下にシャッター部材が存在すると、液浸空間１１内の液体が維持される。液浸空間内に液体を保持すると、液浸空間を空にして再充填する必要性が回避される。液浸空間を空にして再充填することは、（投影系を含む）液浸空間の乾燥する表面上で染みが乾燥する原因となりうるし、または液浸空間の表面から液滴が蒸発することによる温度変動の原因となりうる。しかしながら、例えば基板の交換中に液浸液流量の低下が望まれる場合がある。露光中に供給される液体の流量は、実質的に一定の流量であってもよい。例えば基板の交換中に供給される液体の流量は、異なる（例えば実質的に一定の）流量であってもよい。

シャッター部材の別の種類は、例えば、第１基板テーブルが第１基板を搬送し第２基板テーブルが第２基板を搬送するといった基板の交換中に二つのテーブル間に延びるブリッジである。第１基板が投影系の下の第２基板と交換されるとき、液体ハンドリングシステムが一杯に維持される。第１基板が投影系の下から移動され、ブリッジが投影系の下を通過してその後に第２基板テーブルが続く。このようにして、表面は常に液体ハンドリングシステムの底と対面するので、液体が閉じ込められる空間を部分的に表面が画成する。基板テーブルとブリッジの間の接合部に隙間または溝があってもよい。流体ハンドリング構造から液体が漏れる危険性、または液体ハンドリングシステム内の液体に気泡が生成される危険性を低下させるために、液浸空間に供給される液体の流量を低下させてもよい、液体の流量変化が望ましい場合がある他の例は、基板テーブル内の一つ以上の冷却流路である。

液浸リソグラフィ装置の流体ハンドリング構造の一部は、一つの開口から別の開口に流体流れを切り換えること、及び／または所与の開口を通る流体流れを増減することを伴う。例えば、米国特許出願公開ＵＳ２００８−００７３６０２は、液体除去システムが液体供給システムを包囲する液浸リソグラフィ装置を開示する。液体供給システムは、投影系ＰＳと基板Ｗの間の空間にバルク液体を提供する。液体除去システムは液体供給システムに対して移動可能であり、基板テーブルの移動に対して実質的にゼロ速度となるように制御される。液体供給システムと液体除去システムの間の隙間が覆われてもよく、また液体供給システムと液体除去システムの間の基板テーブル上方の大気が、液体の蒸気圧が比較的高くなるように維持されてもよい。液体除去システムに対する液体供給システムの位置に応じて、液体供給システムの周囲で液体供給システムから異なる流量が流れ出ることが必要な場合もある。別の例では、米国特許出願公開ＵＳ２０１０−００６０８６８は、流体ハンドリング構造の開口が投影系と基板の間の空間を包囲するシステムを開示する。開口は区分けされており、基板テーブルの上の流体ハンドリング構造の位置に応じて、開口のうち一つまたは複数を通して流体が向けられるか、及び／または一つまたは複数の開口を通る流量が変更される。

流れ制御は、流体源と第１部品（例えば、流体ハンドリングシステムまたは液体閉じ込め構造）の間の流体用の第１流路内の切り換えバルブに基づいて行われてもよい。切り換えバルブに基づく流れ制御の欠点は以下の通りである。ｉ）切り換えバルブによって強い圧力パルスが誘発される、ｉｉ）切り換えバルブ及び異なる分岐内に存在するステンレス鋼の制限で生じる汚染、ｉｉｉ）出口で所望の流量を得るために異なるパラメータを調節するときに生じる作業、ｉｖ）柔軟性の少なさ、すなわち異なる流量を得るために、異なる流れ抵抗及び再配置（そのための作業）が必要となる。開口からの流量を０．２５〜２．５ｌ／ｍｉｎの間で１ｌ／ｍｉｎ／ｓの流量オーダーで変更しつつ、同時に外に出て行く流れのｍＫを安定させることが可能でなければならない。上記の性能を持つ市販の液体流れコントローラは存在しないと信じられている。流れの仕様が満足される場合にのみ、市販のコントローラが利用可能である。主な問題は、ｍＫ安定性を達成しながら、上で特定したように流量を変化させることである。

液体流れ制御を実現しつつ切り換えシステムの一つまたは複数の欠点を除去するために、図６に示すような構成の使用が提案される。

図６の流体供給システム１０は第１流体流路１００を備える。第１流体流路１００は流体用である。一実施形態では、流体は水等の液体である。第１流体流路１００は、流体源１２０と第１部品の間にある。流体は、固定の入口圧力で流体源１２０に供給される。一実施形態では、流体源は、状態の良い（well-conditioned）超純水（ｍＫ安定）を分岐点１１０に（ほぼ）固定の流量で提供する。第１部品は、例えば図２ないし５のいずれかに示したような流体ハンドリング構造１２であってもよい。流体供給システム１０を使用して、リソグラフィ装置の任意の部品に流体を供給してもよい。

（第２の）排出流体流路２００も設けられる。排出流体流路２００は流体用である。排出流体流路２００は、分岐点１１０で第１流体流路１００を排出部品２３０に接続する。分岐点１１０は、流体源１２０と第１部品１２の間にある。排出部品２３０は排水管であってもよいし、液体を流体源１２０へと再循環させる再循環システムであってもよい。

排出流体流路２００内に、流体の流れを調節する装置２２０が設けられる。第１コントローラ３００を使用して装置を制御し、流体２２０の流れを調節する。一実施形態では、流体流れ調節装置２２０は質量流量コントローラであってもよい。質量流量コントローラは、制限（restriction）の下流に流量センサを備えた、流路内の様々な制限であってもよい。質量流量コントローラのコントローラは、典型的に、制限の下流の流量を表す流量センサからの信号に基づくフィードバックを使用して必要な流れを実現するように、制限を調節する。コントローラ、例えば第１コントローラ３００は、質量流量コントローラのコントローラに所望の流速を指示する。

第１部品への流体流れを測定するために、第１流体流路１００内に流量センサ３１０が設けられる。

分岐点１１０への流量は、供給分岐１００の出口で必要である最大流量よりもわずかに大きい。このアイデアは、アクチュエータを用いて排出分岐ＡＦにおける流れを調節することによって、供給分岐ＡＥ内で所望の流量φを達成することである。この方法の利点は以下の通りである。第１に、（アクチュエータにより生じる）熱負荷を排除することができる。このような熱負荷は、供給分岐における流れの温度を乱すことがある。第２に、汚染の危険性を最小化はしないが低減する可能性がある。汚染の危険性は、第１流体流路ＡＥ内に受動部品のみを有する（その結果、粒子が流れたり集積する場所になるバルブが存在しない）ことによって低減することができる。一実施形態では、全ての部品が高純度のフッ化炭素樹脂で作成され、これにより汚染の危険性が低減する。第３に、本システムを使用して、特定の数（例えば二つ）の固定流量ではなく流量の全範囲を供給することができ、そのためこの方法が柔軟性を改善したことである。（固定流量の数を増やすと、流体供給システムの複雑度も増大することに注意すべきである。本構成はこの問題を回避している。）第４に、流量の変更時に圧力パルスを生成する代わりに、圧力の円滑な変化を達成することができる。

一実施形態では、流量センサ３１０は、液浸液体（例えば超純水）と互換性がある。流量センサは、例えば、渦流量センサ、熱流量計、圧力損失流量計または超音波流量センサであってもよい。第１流体流路１００内の液体の流れを表す信号は、流量センサ３１０によって第１コントローラ３００に提供される。流量センサ３１０は、分岐点１１０の下流かつ第１部品１２の上流に設けられる。一実施形態では、流量センサ３１０は第１部品１２のすぐ上流に設けられる。流量センサ３１０からの信号に基づき、第１コントローラ３００は、装置２２０を調整して流体の流れを調節する。例えば、第１部品１２への流れを増大させるために、第１コントローラ３００は装置２２０を通る流量を流量を低下させて排出経路２００内の流体の流れを調節する。第１部品１２への流体の流れを低下させるために、第１コントローラ３００は装置２２０を通る流体の流れを増大させて流体の流れを調節する。したがって、第１コントローラ３００は、排出流体流路２００を通る流体の流れを調節することによって、流体源１２０から第１部品１２への流体流量を変化させるように構成される。

一実施形態では、第１コントローラ３００は、ルックアップテーブルを参照して、流量センサ３１０によって決定されるような測定された流れと所望の流量との間の差に基づき、流体の流れを調節する装置２２０を変更するか否か及び変更の方法を決定する。一実施形態では、ルックアップテーブルは、第１部品１２への所望の流量と、流体流れ調節装置２２０の特定の設定とを関連づける。一実施形態では、流量センサ３１０は必要ではない。

一実施形態では、流体流れ調節装置２２０は第１コントローラ３００の制御下で調節される。流体流れ調節装置２２０は自身を通る流量を検出し、これによって排出分岐２００を通る流量を検出する。測定された排出分岐２００内の流量を使用して流体流れ調節装置２２０を設定する。こうして、排出分岐２００内の流れの変化が供給分岐１００内の流れに及ぼす影響の仕方の知識によって、供給分岐１００内で所望の流れが達成される。この実施形態は、排出分岐のみに関与するマニュアルフィードバックを使用する。

一実施形態では、流体流れ調節装置２２０は、第１コントローラ３００からの入力を通して調節される。流量センサ３１０は、第１分岐１００内の流量を測定する。オペレータは、流量センサ３１０からの出力を用いて、第１コントローラ３００によって流体流れ調節装置２２０に送られる設定点を調節する。これは、第１分岐１００と排出分岐２００とが関与するマニュアルフィードバックである。

一実施形態では、第１コントローラ３００はフィードバックシステム上で作動する。流体流れ調節装置２２０は、第１コントローラ３００からの信号によって制御される。第１コントローラ３００は、ユーザが定義した設定点を流量センサ３１０からの信号と比較して、必要であれば、流体流れ調節装置２２０に提供されたその設定点を調整する。これはフィードバック制御ループである。

一実施形態では、分岐点１１０の下流に背圧レギュレータ１３０が設けられる。背圧レギュレータ１３０は、電子背圧レギュレータであってもよい。背圧レギュレータ１３０は分岐点１１０における圧力を一定に制御する。分岐点１１０における圧力が一定でない場合、不安定な流れを生み出すことがあるが、その理由は、分岐点１１０における圧力が変化すると、流体源１２０から流体流れ調節装置２２０を通る流れが変化する可能性があるからである。背圧レギュレータ１３０が達成すべき必要な圧力を表す信号を生成するコントローラ１３５が設けられる。

一実施形態では、第１部品１２への流体流量は、排出流体流路２００を通る流体流れの調節によってのみ変更される。一実施形態では、第１流体流路１００は受動部品のみを備える。一実施形態では、第１流体流路１００内の部品の全てが能動ではないか、または少なくとも分岐点１１０と第１部品１２の間の部品が能動ではない。一実施形態では、第１流体流路１００内の分岐点１１０と第１部品１２との間には部品が設けられない。こういった部品は、分岐点１１０と第１部品１２との間の流体の流量を動的に変化させる。

分岐点１１０の下流かつ第１部品１２の上流に、熱交換器１４０が設けられる。一実施形態では、図７に示すように、液体源１２０からの熱交換流体に熱交換器１４０が設けられる。これは、第１部品１２に供給される液体の温度を確実に安定させるのに役立つ。第１部品１２の下流の排水管１５０も図示されている。例えば、流体ハンドリング構造１２が例えば流体除去システムによって液体を収集し、その液体を排水管１５０に提供してもよい。排水管は、流体の廃棄のためであってもよいし、または流体を再循環させて流体源１２０に戻すためであってもよい。

一実施形態では、排出流体流路２００を通して流体流れを調節する装置２２０は、質量流量コントローラである。質量流量コントローラは、連続的に可変、または半連続的に可変であってもよい。半連続的に可変の質量流量コントローラは、流れなしと最大流れとの間で段階的に質量流量を変更することができるコントローラである。半連続的に可変の質量流量コントローラは、オンオフ以上の複数の段階で質量流量を変更する。

一実施形態では、第１コントローラ３００は、フィードバック制御に基づき排出流体流路２００を通して流体流れを調節する。第１流体流路ＡＥ内の所望の流量のための設定点は、第１コントローラ３００によって特定の電気信号に変換される。電気信号は流体流れ調節装置２２０に送られ、第１及び第２流体流路１００、２００（ＡＥ及びＡＦ）内の流量はそれにしたがって変化する。第１流体流路１００内の実際の流量は、（例えば超音波）流量センサ３１０を用いて測定される。測定信号は第１コントローラ３００に戻される。実際の流量は、コントローラ３００によって、例えば予め定められた特定の設定点と比較される。必要であれば、流体流れ調節装置２２０が変更などされる。汚染の危険性が最小であり、及び／またはｍＫレベルの温度安定性要件を備えた高速の安定液体流制御が必要とされる、任意の液浸リソグラフィまたは関連する機械または製品で、本発明の一実施形態を使用することができる。

一実施形態では、第１コントローラ３００は、第１部品１２への流体流量を表す信号を、流量センサ３１０から受け取るように構成される。流量センサ３１０は、第１部品１２における流体流量を測定するように構成される。第１コントローラ３００のフィードバック制御は、流量センサ３１０からの信号に基づいて行われる。一実施形態では、流量センサ３１０は、流体と接触することなく流量を検出する非接触の流量センサである。

一実施形態では、第１流体流路１００の望ましくは全ての部品がフッ化炭素で作成される。能動部品がないこと、及び／またはフッ化炭素を使用することは、流体源１２０からの流体が第１流体流路１００を通過するときに、流体の汚染が少ないことを意味する。

図７には一実施形態が模式的に示されている。同様の構成は図６と同一の参照番号を有しており、例えばその位置、構造及び使用が異なる場合にのみここで言及される。そのため、図７の実施形態は、以下に述べる点を除き図６の実施形態と同じである。

液体供給源１２０は、安定的に調整された液体（例えば超純水）をノードＹに供給する。これは、リソグラフィ投影装置の光学素子に熱的に調整された液体を供給するために使用されるのと同じ液体供給であってもよい。時間変化する熱損失による熱変動を補償するために、逆流熱交換器１４０がノードＢの後に配置される。熱交換器１４０の逆流入口は液体供給源１２０に接続される。一定の逆流を使用することができるし、または必要であれば、時間変化する流量を導入することができる。

振動する流れ中のノードＡ、Ｂ、Ｃ及びＧにおける熱挙動は、低い熱的不安定性を有する点で望ましいことが期待される。

図７には、第１コントローラのロジックが示されている。流量設定点が決定される。これは、流量センサ３１０により測定されるような実際の流量３１０と比較される。排出流体流路２００内の流体流れを制御する装置２２０はこれにしたがって調整される。

一実施形態では、流体供給システムはリソグラフィ装置に接続される。リソグラフィ装置は、投影系の最終素子とリソグラフィ装置の基板との間に流体を供給するための流体ハンドリングデバイス（または構造）を備えてもよい。流体ハンドリングデバイスは流体供給システムに接続される。

理解されるように、上述した構造のいずれも任意の他の構造とともに使用することができ、この出願で保護されるものは明確に説明した組み合わせに限られない。

ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について本文書において特に言及をしてきたが、本明細書で述べたリソグラフィ装置は、他の応用形態も有していることを理解すべきである。例えば、集積された光学システム、磁気領域メモリ用の誘導及び検出パターン（guidance and detection pattern）、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造といった応用である。当業者は、このような代替的な応用形態の文脈において、本明細書における「ウェハ」または「ダイ」という用語のいかなる使用も、それぞれより一般的な用語である「基板」または「目標部分」と同義とみなすことができることを認められよう。本明細書で参照された基板は、例えばトラック（通常、レジスト層を基板に付加し、露光されたレジストを現像するツール）、計測ツール及び／または検査ツールで露光の前後に加工されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示は、そのような基板処理工具または他の工具に対しても適用することができる。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために二回以上基板が加工されてもよく、その結果、本明細書で使用された基板という用語は、複数回処理された層を既に含む基板のことも指してもよい。

本明細書で使用される「照射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）照射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）を含む、あらゆるタイプの電磁気照射を包含する。「レンズ」という用語は、文脈の許す限り、屈折光学要素及び反射光学要素を含む様々なタイプの光学要素のうちの任意の一つまたはその組み合わせを指す場合もある。

本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明の実施形態は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令の一つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式をとってもよいし、そのコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク）であってもよい。機械で読み取り可能な命令は２以上のコンピュータプログラムにより実現されてもよい。それら２以上のコンピュータプログラムは一つまたは複数の異なるメモリ及び／またはデータ記録媒体に記録されていてもよい。

本明細書に記載のコントローラは、リソグラフィ装置の少なくとも一つの構成要素内部に設けられた一つまたは複数のコンピュータプロセッサによって一つまたは複数のコンピュータプログラムが読み取られたときに動作可能であってもよい。コントローラは信号を受信し処理し送信するのに適切ないかなる構成であってもよい。一つまたは複数のプロセッサは少なくとも一つのコントローラに通信可能に構成されていてもよい。例えば、複数のコントローラの各々が上述の方法のための機械読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための一つまたは複数のプロセッサを含んでもよい。各コントローラはコンピュータプログラムを記録する記録媒体及び／またはそのような媒体を受けるハードウェアを含んでもよい。コントローラは一つまたは複数のコンピュータプログラムの機械読み取り可能命令にしたがって動作してもよい。

本発明の一つまたは複数の実施形態はいかなる液浸リソグラフィ装置に適用されてもよい。上述の形式のものを含むがこれらに限られない。液浸液が浴槽形式で提供されてもよいし、基板の局所領域のみに提供されてもよいし、非閉じ込め型であってもよい。非閉じ込め型においては、液浸液が基板及び／または基板テーブルの表面から外部に流れ出ることで、基板テーブル及び／または基板の覆われていない実質的に全ての表面が濡れ状態であってもよい。非閉じ込め液浸システムにおいては、液体供給システムは液浸液を閉じ込めなくてもよいし、液浸液の一部が閉じ込められるが完全には閉じ込めないようにしてもよい。

本明細書に述べた液体供給システムは広く解釈されるべきである。ある実施形態においては投影系と基板及び／または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構または構造体の組み合わせであってもよい。一つまたは複数の構造体、及び一つまたは複数の流体開口の組み合わせを含んでもよい。流体開口は、一つまたは複数の液体開口１０、一つまたは複数の気体開口、一つまたは複数の二相流のための開口を含む。開口のそれぞれは、液浸空間への入口（または流体ハンドリング構造からの出口）または液浸空間からの出口（または流体ハンドリング構造への入口）であってもよい。一実施例においては、液浸空間の表面は基板及び／または基板テーブルの一部であってもよい。あるいは液浸空間の表面は基板及び／または基板テーブルの表面を完全に含んでもよいし、液浸空間が基板及び／または基板テーブルを包含してもよい。液体供給システムは、液体の位置、量、性質、形状、流速、またはその他の性状を制御するための一つまたは複数の要素をさらに含んでもよいが、それは必須ではない。

上述の説明は例示であり限定することを意図していない。よって、当業者であれば以下に述べる請求項の範囲から逸脱することなく本発明の変形例を実施することが可能であろう。

Claims (15)

1. 流体源と第１部品との間の流体用の第１流体流路と、
   前記第１流体流路内の分岐点から排出部品への流体流れ用の排出流体流路と、
   前記排出流体流路を通る流体の流れを調節することによって、前記流体源から前記第１部品への流体流量を変化させるように構成された第１コントローラと、
   を備えるリソグラフィ装置用の流体供給システム。
2. 前記第１流体流路は、前記分岐点の少なくとも下流に受動部品のみを備えることを特徴とする請求項１に記載の流体供給システム。
3. 前記排出流体流路内に質量流量コントローラをさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の流体供給システム。
4. 前記質量流量コントローラは連続的に可変または半連続的に可変であることを特徴とする請求項３に記載の流体供給システム。
5. 前記第１コントローラは、前記質量流量コントローラを制御することによって、前記排出流体流路を通る流体流れを調節するように構成されることを特徴とする請求項３または４に記載の流体供給システム。
6. 前記第１コントローラは、フィードバック制御に基づき、前記排出流体流路を通る流体流れを調節するように構成されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の流体供給システム。
7. 前記第１コントローラは、前記第１部品への流体流量を測定する流量センサから前記第１部品への流体流量を表す信号を受け取りるように構成され、前記フィードバック制御はその信号に基づいて行われることを特徴とする請求項６に記載の流体供給システム。
8. 前記第１流体流路の全ての部品がフッ化炭素で作成されるかまたはフッ化炭素でコーティングされることを特徴とする請求項７に記載の流体供給システム。
9. 前記第１部品の上流の前記第１流体流路内に熱交換器をさらに備えることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の流体供給システム。
10. 前記熱交換器は前記分岐点の下流にあることを特徴とする請求項９に記載の流体供給システム。
11. 前記分岐点の下流に、前記分岐点における流体の圧力を実質的に一定に維持する背圧レギュレータをさらに備えることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の流体供給システム。
12. 請求項１ないし１１のいずれかに記載の流体供給システムに接続されたリソグラフィ装置。
13. 投影系の最終素子と基板との間に流体を供給する流体ハンドリング装置をさらに備え、前記流体ハンドリング装置は前記流体供給システムに接続されることを特徴とする請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
14. 排出部品と流体源および前記排出部品の間の第１流体流路内の分岐点との間にある排出流体流路内の流体流れを変化させることを含む、流体源から部品への流体流量を変化させる方法。
15. 基板に近接する空間内に提供される流体を通してパターン付与された放射ビームを基板上に投影し、請求項１４の方法を使用して前記空間への流体流量を変化させることを含む、デバイス製造方法。

Images