JP2011244002A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板10は、分離絶縁膜3により電気的に分離された素子領域部1及び非素子領域部2とを有する。また、半導体基板10の上には、素子領域部1に接続される電極41と非素子領域部2に接続される電極42とが配置され、これらの電極間には、ダイオード7及び8が設けられている。ダイオード7及び8は、電極41と電極42との間にそれぞれ逆並列に接続されている。
【選択図】 図1
Description
SOI層のエッチピットを観察することにより、SOI層の欠陥評価を行う方法が開示されている。また、特開2003−347528号公報には、フォトリソグラフィによって一部のSOI層をエッチング除去し、SOI層を挟む上下の各半導体層に電極を形成(スパッタリング)したサンプルを作製し、電極間に電圧を印加してSOI層の耐圧を評価する方法が開示されている。しかし、いずれの技術も製品完成段階での評価ではない。ロット抜き取り検査となり、全数検査は不可能である。
Claims (3)
- 半導体素子が形成された素子領域と前記素子領域から電気的に絶縁された非素子領域と前記素子領域および前記非素子領域それぞれの底面および側面を囲んで電気的に絶縁する分離絶縁膜とを有するSOIウエハと、
前記素子領域に接続される第1電極と、
前記非素子領域に接続される第2電極及び第3電極と、を有していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1電極及び前記第2電極は、前記SOIウエハを備えた半導体基板外部の第1外部電極と電気的に接続され、
前記第3電極は、前記SOIウエハを備えた半導体基板外部の第2外部電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板内部に設けられ、半導体素子が形成された素子領域と前記素子領域から電気的に絶縁された非素子領域と前記素子領域および前記非素子領域それぞれの底面および側面を囲んで電気的に絶縁する分離絶縁膜とを有するSOIウエハと、
前記素子領域に接続される第1電極と、
前記非素子領域に接続される第2電極と、
前記第1電極を前記SOIウエハを備えた半導体基板外部の電極に電気的に接続する第1接続配線と、
前記第2電極を前記SOIウエハを備えた半導体基板外部の電極に電気的に接続する複数の第2接続配線とを備えたことを特徴とする半導体装置。
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