JP2011243979A - 有機発光素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】発光効率および駆動電圧が改善された有機発光素子を提供する。
【解決手段】第1電極、複数の正孔輸送層、複数の中間層、発光層、複数の電子輸送層および第2電極を備え、発光層は、ホスト、発光ドーパントおよび補助ドーパントを含み、ホストおよび補助ドーパントは相異なるキャリア輸送特性を持っており、発光層は、赤色発光層、青色発光層および緑色発光層から選択される一つ以上である有機発光素子。
【選択図】図1

Description

本発明は有機発光素子に関し、さらに具体的には、発光効率および駆動電圧が改善された有機発光素子に関する。
有機発光素子は、電荷注入型の発光素子であり、アノードから注入された電子とカソードから注入された正孔とが、発光層とキャリア輸送層との界面や発光層内で再結合する際に発光するという現象を用いた自発光型ディスプレイ装置である。
有機発光素子の発光効率を改善するためには、発光層に注入される電子と正孔との電荷のバランスを調節しなければならない。
発光層に注入される電子と正孔との数の大小によって発光サイトは移動する。例えば、正孔の数が電子の数より多すぎる場合には、発光層から電子輸送層に近い領域に発光サイトは移動し、電子の数が正孔の数より多すぎる場合には、発光層から正孔輸送層に近い領域に発光サイトは移動する。このように発光サイトが移動すれば、有機発光素子の発光効率、寿命などの特性が変わる。
発光層に注入される電子と正孔との電荷のバランスを調節する方法としては、正孔輸送層、電子輸送層の物質を変える方法が主に用いられる。
しかし、上記方法では、キャリアバランスの調節は満足すべきレベルに到達してなく、改善の余地が多い。
したがって、本発明は、キャリアバランスの調節の満足すべきレベルを効率的に達成し、発光効率および寿命特性を向上する有機発光素子を提供することを目的とする。
本発明の一実施態様によれば、第1電極、複数の正孔輸送層、複数の中間層、発光層、複数の電子輸送層および第2電極を備え、
前記発光層は、ホスト、発光ドーパントおよび補助ドーパントを含み、
前記ホストおよび補助ドーパントは相異するキャリア輸送特性を持っており、
前記発光層は、赤色発光層、青色発光層および緑色発光層からなる群から選択される一つ以上である有機発光素子が提供される。
本発明の一実施形態における有機発光素子は、発光効率および寿命を向上することができる。
本発明の一実施形態における有機発光素子の断面を示した図面である。 本発明の一実施形態における有機発光素子の断面を示した図面である。
第1電極、複数の正孔輸送層、複数の中間層、発光層、複数の電子輸送層および第2電
極を含む有機発光素子が提供される。
前記複数の正孔輸送層と複数の中間層は、例えば、第1正孔輸送層、中間層、第2正孔輸送層、中間層および第3正孔輸送層が順に積層された積層構造をとることができる。
前記発光層は、ホスト、発光ドーパントおよび補助ドーパントを含み、前記ホストおよび補助ドーパントは相異するキャリア輸送特性を持っていてもよい。
本発明の一実施形態による有機発光素子は、発光層を構成するホストが電子輸送特性を持つ物質である場合には、補助ドーパントは正孔輸送特性を持つものを使用することができ、ホストが正孔輸送特性を持つ物質である場合には、補助ドーパントは電子輸送特性を持つものを使用することができる。このような、相違するキャリア輸送特性を有する物質を含む組成の発光層を備えれば、キャリアバランスの調節が非常に容易になる。
前記発光層の補助ドーパントは、芳香族アミン、縮合多環芳香族化合物、金属錯体からなる群から選択されるものを使用することができる。
前記発光層を構成する発光ドーパントは燐光物質であり、黒化現象の観点から、1nitである時の発光効率と1000nitである時の発光効率との差(cd/A@1nit/cd/A@1000nit)が1.0以上の物質であり1.2以上であるのが特に望ましい。
前記発光層は、赤色発光層、青色発光層および緑色発光層からなる群から選択される一つ以上である。
前記赤色発光層のホストとしては、ビス{2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾレート}亜鉛(Zn(BTZ))、ビス−(2−メチル−8−キノリノラト)−4−(フェニルフェノレート)アルミニウム、ビス{2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾレート}ベリリウム(Be(BTZ))、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム(Bebq)などからなる群から選択される一つ以上を使用することができる。
前記赤色発光層の発光ドーパントとしては、イリジウム錯体および白金錯体からなる群から選択される一つ以上を使用することができる。前記イリジウム錯体としては、トリス(2−フェニルイソキノリン)イリジウム、トリス(2−フェニルピリジナト)イリジウムなどを使用することができる。前記白金錯体としては、(ビスアルキルフェニル)イミノ(ビスピリジニル−フェニレン)白金などを使用することができる。
前記赤色発光層の補助ドーパントとしては、フェニルアミン誘導体、カルバゾール誘導体 アントラセン誘導体、フェナンスレン誘導体、ピレン誘導体などを使用することができる。前記フェニルアミン誘導体としては、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミンなどからなる群から選択される一つ以上を使用することができる。
前記青色発光層のホストとしては、アントラセン誘導体、カルバゾール系化合物、ピレン誘導体などから選択される一つ以上を使用することができる。
前記青色発光層の発光ドーパントとしては、2,5,8,11−テトラ−tert−ブチルフェニレン、ピレン誘導体およびスチリル誘導体などからなる群から選択される一つ
以上を使用することができる。
前記青色発光層の補助ドーパントとしては、フェニルアミン誘導体、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナンスレン誘導体、ピレン誘導体などを使用することができる。前記フェニルアミン誘導体としては、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミンなどからなる群から選択される一つ以上を使用することができる。
前記緑色発光層のホストとしては、アントラセン誘導体およびカルバゾール系化合物、ピレン誘導体から選択される一つ以上を使用することができる。
前記緑色発光層の発光ドーパントとしては、イリジウム錯体およびアントラセン誘導体、白金錯体などから選択される一つ以上を使用することができる。前記イリジウム錯体としては、トリス(2−フェニルイソキノリン)イリジウム、トリス(2−フェニルピリジナト)イリジウム、などを使用することができる。
前記緑色発光層で補助ドーパントとしては、フェニルアミン誘導体、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナンスレン誘導体、ピレン誘導体などを使用することができる。
前記青色発光層および緑色発光層でホストとして利用可能なアントラセン誘導体としては、9,10−(2−ジナフチル)アントラセン(ADN)、1−tertブチル−9,10−(2−ジナフチル)アントラセンなどを使用することができ、前記カルバゾール系化合物としては、4,4’−(カルバゾール−9−イル)ビフェニル(CBP)、などを使用することができる。
前記青色発光層および緑色発光層の発光ドーパントの含有量は、ホスト100質量部を基準として0.1〜49質量部が望ましく、1〜25質量部がさらに望ましい。補助ドーパントの含有量は、ホスト100質量部を基準として0.1〜49質量部が望ましく、0.3〜40質量部がさらに望ましい。
前記赤色発光層の発光ドーパントの含有量は、ホスト100質量部を基準として0.1〜49質量部が望ましく、0.3〜25質量部がさらに望ましい。前記補助ドーパントの含有量は、ホスト100質量部を基準として0.1〜49質量部が望ましく、0.5〜40質量部がさらに望ましい。
前記青色発光層、緑色発光層および赤色発光層の発光ドーパントおよび補助ドーパントの含有量が前記範囲である時、発光効率は優れている。
本発明の一実施形態による有機発光素子は、第1正孔輸送層、第2正孔輸送層および第3正孔輸送層を備える複数の正孔輸送層を備えることで、優れた正孔輸送特性を持つことができる。
前記第1正孔輸送層、第2正孔輸送層および第3正孔輸送層を構成する物質としては、それぞれ独立して、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミンなどからなる群から選択される一つ以上を使用することができる。
前記中間層を構成する物質としては、1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレンヘキサニトリル、フッ化7,7,8,8,−テトラシアノキノジメタン(F4TCNQ)、トリニトロフルオレノン(TNF)、ジニトロフルオレノン(DNF)などからなる群から選択される一つ以上を使用することができる。前記中間層は、複数の正孔輸送層の間に形成されて電荷発生の機能を伴う。
前記第3正孔輸送層と発光層との間には、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミンなどからなる群から選択される一つ以上の物質を含む第4正孔輸送層がさらに形成されてもいい。このように第4正孔輸送層を形成すれば、発光層に対する正孔注入能がさらに改善される。
本発明の一実施形態における有機発光素子の電子輸送層は、第1電子輸送物質を含む第1電子輸送層と、第2電子輸送物質と下記化学式1の金属化合物とを含む第2電子輸送層とから選択される一つ以上を備えることができる。電子輸送層を構成する物質としては、2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BCP)、オキサジアゾール誘導体などからなる群から選択される一つ以上を使用することができる。ここで第2電子輸送層は、前述した構成において非常に優れた電子輸送特性を持つことができる。
Xは、アルカリ金属、アルカリ土類金属または遷移金属であり、Yは、17族元素またはC1−C20有機基であり、aは、1〜3の整数であり、bは、1〜3の整数である。
前記化学式1の金属化合物としては、リチウムキノリノラト、ナトリウムキノリノラト、リチウムアセトアセテート、マグネシウムアセトアセテート、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化ナトリウムなどからなる群から選択される一つ以上を使用することができる。
前記有機発光素子は別途の電子注入層を必要とせず、電子注入がさらに容易になる。
前記第1電子輸送物質としては、下記化学式2で表示されるビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム(Bebq)、その誘導体、8−ヒドロキシキノリン亜鉛(Znq)または(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq)、ビス{2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾレート}ベリリウム(Be(BTZ))などからなる群から選択される一つ以上を使用することができる。
前記第2電子輸送物質は、第1電子輸送物質と同様、10−8cm/V以上の電子移動度を有する電子輸送物質からなり、第1電子輸送物質と同じ物質を使用してもよく、または異なる物質から選択される一つ以上を使用してもいい。第1電子輸送物質と第2電子輸送物質とが同じ物質である場合は、電荷移動度の側面でさらに望ましい。
前記第2電子輸送層における、前記化学式1で表示される金属化合物の含有量は、第2電子輸送物質100質量部を基準として40〜110質量部が望ましく、60〜100質量部であることが望ましい。化学式1の金属化合物の含有量が前記範囲を外れれば、電子輸送特性を向上させる効果が微小で望ましくない。
前記第1電子輸送層と第2電子輸送層との厚さ比は、電子注入の観点から、1:10〜10:1が望ましく、1:6〜6:1がさらに望ましい。
また前記有機発光素子は、金属反射膜をさらに備えることができる。前記金属反射膜は、銀(Ag)、アルミニウム(Al)から選択される一つ以上の金属を含む。
このように金属反射膜をさらに備える場合には、前面発光型有機発光素子を製作することができる。
有機発光素子のうち、アクティブ型の有機発光素子は、携帯電話などの携帯用機器に搭載されて用いられるためには消費電力を削減しなければならず、イメージスティッキング現象と黒化現象の問題も解決されなければならない。
消費電力は発光特性面から見れば、発光効率と駆動電圧とによって決定される。すなわち、消費電力を削減するためには高い発光効率と低い駆動電圧とが求められる。
イメージスティッキング現象とは、一部の画像が画面に貼り付けられる現象であって、これは、有機発光素子の寿命と関連する。イメージスティッキング現象を抑制するためには、初期の輝度劣化を防止する必要がある。
黒化現象とは、画面をブラックにした場合、暗室で見れば特定色のみ発光することをいい、このような現象が生じれば、画像品質は低下する。
本発明の一実施形態による有機発光素子は、前述した問題を解決して消費電力を削減し、イメージスティッキング現象および黒化現象を解決することができるので、その適用範囲は非常に広範囲に及ぶ。
本発明の一実施形態による有機発光素子は図1および図2のような積層構造で示されて
もいい。
図1においては、基板(図示せず)上に金属反射膜が形成され、その上部に第1電極、第1正孔輸送層、中間層、第2正孔輸送層、中間層、第3正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、第2電極が順に形成されている。
図2においては、第3正孔輸送層と発光層との間に第4正孔輸送層がさらに形成されたことを除いては、図1の有機発光素子と同一である。
前記電子輸送層は、第1電子輸送物質からなる第1電子輸送層、第2電子輸送物質と化学式1の金属化合物とを含む第2電子輸送層と同じ1層構造、または第1電子輸送物質からなる第1電子輸送層と第2電子輸送物質と化学式1の金属化合物とを含む第2電子輸送層とを備える2層構造をとることができる。
以下、本発明の一実施形態における有機発光素子の製造方法を説明する。代表的な一例として、図1および図2の有機発光素子の製造方法を説明する。
図1の場合には、基板(図示せず)の上部に反射膜を形成する。この時、金属反射膜の形成物質としては、銀(Ag)、アルミニウム(Al)から選択される一つ以上を使用することができ、反射膜の厚さは100〜5000Åであることが望ましい。もし、反射膜の厚さが前記範囲を外れる場合には、公正性などが低下して望ましくない。
次いで、前記金属反射膜の上部にパターニングされた第1電極を形成する。ここで、前記基板としては、通常の有機電界発光素子に用いられる基板を使用することができ、透明性、表面平坦性、取扱容易性および防水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板を使用するのが望ましい。前記基板の厚さは0.3〜1.1mmが望ましい。
前記第1電極は、透明で伝導性の優秀な酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)などを使用することができる。
前記第1電極の上部に複数の正孔輸送層と複数の中間層とを形成することができる。
前述した複数の正孔輸送層と複数の中間層とを形成する時、例えば、基板の全体領域を移動する形態を持つムービングソースを用いることができる。
一実施形態において、前記第1電極の上部に第1正孔輸送物質を利用して第1正孔輸送層を形成し、その上部に中間層形成物質を利用して中間層を形成する。
前記中間層の上部に、第2正孔輸送層物質を利用して第2正孔輸送層を形成し、その上部に、中間層形成物質を利用して中間層を積層する。
前記中間層の上部に、第3正孔輸送物質を利用して第3正孔輸送層を形成する。
前記正孔輸送層の厚さは、5〜100nm範囲であることが望ましく、30〜70nmがさらに望ましい。
前記中間層の厚さは、電荷移動の観点から、0.1〜100nmが望ましく、1〜20nmがさらに望ましい。
次いで、前記第3正孔輸送層の上部に発光層形成物質であるホスト、発光ドーパントおよび補助ドーパントを蒸着して発光層を形成する。
前記発光層の厚さは10〜500nmであるのが望ましく、40〜120nmがさらに望ましい。このうちでも、特に青色発光層の厚さは10〜50nmであってもいい。もし、発光層の厚さが10nm未満の場合には、漏れ電流が増大し、効率が低下し、寿命が減少し、500nmを超過する場合には、駆動電圧の上昇幅が高くなって望ましくない。
前記発光層の上部に、電子輸送物質を利用して電子輸送層を形成する。この電子輸送層は第1電子輸送物質を含む単層構造を持っていてもよく、第1電子輸送物質と前記化学式1の金属化合物とを用いた第2電子輸送層と、第1電子輸送物質を含む第1電子輸送層とで形成された2層構造を持ってもよい。図1における、本発明の一実施形態による電子輸送層は、第1電子輸送層と第2電子輸送層とを備える2層構造を持つ。
前記電子輸送層の厚さは、全体で150〜600Åが望ましく、250〜500Åがさらに望ましい。もし、電子輸送層の厚さが150Å未満の場合には電子輸送能が低下し、600Åを超過する場合には駆動電圧が上昇して望ましくない。
前記電子輸送層の上部に、電子注入物質を利用して電子注入層を形成する。また電子注入層を形成しなくても電子注入能は優れているが、電子輸送層の上部にカソードからの電子の注入を容易にする機能を持つ物質を含む電子注入層を積層した場合、電子注入能はさらに優れる。前記電子注入物質は、MgAg、LiF、NaCl、CsF、LiO、BaO、LiQ(リチウムキノリノラト)などから選択される1つ以上の物質をできる。前記電子輸送層、電子注入層の蒸着条件は使用する化合物によって異なるが、一般的に正孔注入層の形成とほぼ同じ条件範囲中で選択される。
前記電子注入層の厚さ範囲は、0.1〜8nmが望ましく、0.3〜5nmがさらに望ましい。
前記正孔輸送層、中間層、発光層、電子輸送層および電子注入層は、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、LB法などの方法により形成することができる。均一な膜質を得やすく、またピンホールを発生しにくいという点で、真空蒸着法により形成することが望ましい。真空蒸着法により正孔輸送層および中間層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物によって異なるが、一般的な正孔輸送層の形成条件とほぼ同じ条件が選択されてもいい。
前記電子注入層の上部に、第2電極であるカソード形成用金属を用いて真空蒸着法やスパッタリング法などの方法でカソードを形成することができる。ここでカソード形成用金属としては、低い仕事関数を持つ金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を使用することができる。具体的には、リチウム(Li)、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al)、アルミニウム−リチウム(Al−Li)、カルシウム(Ca)、マグネシウム−インジウム(Mg−In)、マグネシウム−銀(Mg−Ag)などを使用することができる。また前面発光素子を得るために、ITO、IZOを使用した透過型カソードを使用してもよい。
他の一実施形態において、基板上部に第1電極用物質と正孔注入物質とを蒸着またはスピンコーティングして順に形成する。
ここで前記正孔注入物質としては、米国特許第4,356,429号に開示された銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物またはAdvanced Material,
6,p.677(1994)に記載されているスターバスト型アミン誘導体類であるTCTA、m−MTDATA、m−MTDAPBなどを使用することができる。
前記正孔注入層の厚さは2〜1,000nmが望ましく、10〜100nmの厚さがさらに望ましい。前記正孔注入層の厚さが2nm未満である場合、あまりにも薄くて正孔注入が正常になされないという問題点があり、前記正孔注入層の厚さが1,000nmを超過する場合、伝導度が低下するという問題がある。
前記過程によって形成された正孔注入層の上部に、図1と同じ物質および方法を使用して中間層を形成し、その上部に補助正孔注入物質を蒸着またはスピンコーティングして補助正孔注入層を形成する。
前記補助正孔注入物質は、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミンなどを用いることができる。前記補助正孔注入層の厚さは、電荷移動の観点から、2〜100nmが望ましく、10〜80nmがさらに望ましい。
次いで、前記補助正孔注入層の上部に図1と同様に正孔輸送層、発光層を形成する。
次いで、前記発光層の上部に第1電子輸送物質を真空蒸着して第1電子輸送層を形成し、その上部に第2電子輸送物質と化学式1の金属化合物とを真空蒸着して第2電子輸送層を形成する。
前記第1電子輸送層の厚さは、電荷移動の観点から、1〜20nmであるのが望ましく、3〜15nmであるのがさらに望ましい。前記第2電子輸送層の厚さは、電荷移動の観点から、10〜50nmであるのが望ましく、20〜40nmであるのがさらに望ましい。
前記第2電子輸送層の上部に図1と同様に第2電極を形成することで、有機発光素子が完成される。
図2の有機発光素子および第4の実施形態は、図1の場合および第3の実施形態と同じ方法によって製作されうる。
以下、下記実施形態を挙げて詳細に説明するが、本発明は下記の実施形態のみに限定されるものではない。
実施例1
ガラス基板に金属反射膜として厚さ100nmの銀(Ag)膜と、第1電極(アノード)として厚さ7nmのITO膜とを順に形成し、このガラス基板を蒸溜水で洗浄した。その後、イソプロピルアルコールと純水中でそれぞれ5分間ずつ超音波洗浄した後、真空オーブンで1時間乾燥した。
前記ITO膜の上部にNPB(N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン)を蒸着して、厚さ34nmの第1正孔輸送層を形成した。その上部に中間層形成物質である1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレンヘキサニトリル(略称:HAT−CN6)を蒸着して、厚さ5nmの中間層(1)を形成した。
前記中間層(1)の上部にNPBを蒸着して厚さ68nmの第2正孔輸送層を形成し、その上部にHAT−CN6を蒸着して厚さ5nmの中間層(2)を形成した。この中間層(2)の上部にNPBを蒸着して厚さ34nmの第3正孔輸送層を形成した。
次いで、前記第3正孔輸送層の上部に、ホストであるビス{2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾレート}亜鉛(Zn(BTZ))62質量部と、発光ドーパントであるトリス(2−フェニルイソキノリン)イリジウム8質量部と、補助ドーパントであるN,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン30質量部を含む、厚さ40nmの赤色発光層を形成した。
前記赤色発光層の上部に2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BCP)を利用して、厚さ10nmの第1電子輸送層を形成した。第1電子輸送層の上部にBCP50質量部と金属化合物としてリチウムキノリノラト(LiQ)50質量部とを含む、厚さ30nmの第2電子輸送層を形成した。
前記第2電子輸送層の上部にLiFを真空蒸着して、厚さ0.5nmの電子注入層を形成した。
前記電子注入層の上部にMgAgを蒸着して厚さ15nmの第2電極(カソード)を形成し、有機発光素子を完成した。
実施例2
赤色発光層の代わりに下記方法によって緑色発光層を形成したことを除いては、実施例1と同じ方法を用いて有機発光素子を完成した。
ホストである4,4’−(カルバゾール−9−イル)ビフェニル(CBP)88質量部と、発光ドーパントであるトリス(2−フェニルピリジナト)イリジウム10質量部と、補助ドーパントであるNPB(N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン)2質量部を含む、厚さ20nmの緑色発光層を形成した。
実施例3
ガラス基板に金属反射膜として厚さ100nmの銀(Ag)膜と、第1電極(アノード)として厚さ7nmのITO膜とを順に形成し、このガラス基板を蒸溜水で洗浄した。その後、イソプロピルアルコールと純水中でそれぞれ5分間ずつ。超音波洗浄した後、真空オーブンで1時間乾燥した。
前記ITO膜の上部にNPB(N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン)を蒸着して、厚さ34nmの第1正孔輸送層を形成した。その上部に中間層形成物質であるHAT−CN6を蒸着して、厚さ5nmの中間層(1)を形成した。
前記中間層(1)の上部にNPBを蒸着して厚さ68nmの第2正孔輸送層を形成し、その上部にHAT−CN6を蒸着して厚さ5nmの中間層(2)を形成した。この中間層(2)の上部にNPBを蒸着して厚さ34nmの第3正孔輸送層を形成した。
前記第3正孔輸送層の上部に下記方法によって青色発光層を形成した。
発光層の形成時、ホストである9,10−(2−ジナフチル)アントラセン(ADN)
95.5質量部と、発光ドーパントである2,5,8,11−テトラ−tert−ブチルフェニレン3質量部と、補助ドーパントであるNPB 1.5質量部とを含む、厚さ20nmの青色発光層を形成した。
前記発光層の上部に2,9−ジメチル−4、7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(略称BCP)を蒸着して厚さ5nmの第1電子輸送層を形成し、その上部にBCP50質量部と金属化合物としてリチウムキノリノラト(LiQ)50質量部とを蒸着して、厚さ25nmの第2電子輸送層を形成した。
前記第2電子輸送層の上部にLiFを真空蒸着して、厚さ0.5nmの電子注入層を形成した。
前記電子注入層の上部にMgAgを蒸着して厚さ15nmの第2電極(カソード)を形成し、有機発光素子を完成した。
実施例4
第3正孔輸送層の上部に下記の方法によって青色発光層を形成したことを除いては、実施例3と同じ方法を用いて有機発光素子を形成した。
ホストであるADN 96質量部と、発光ドーパントである2,5,8,11−テトラ−tert−ブチルフェニレン3質量部と、補助ドーパントであるNPB 1質量部を含む、厚さ20nmの青色発光層を形成した。
前記発光層の上部にBCPを蒸着して厚さ5nmの第1電子輸送層を形成し、その上部にBCP 50質量部と金属化合物としてリチウムキノリノラト(LiQ)50質量部とを蒸着して、厚さ30nmの第2電子輸送層を形成した。
前記第2電子輸送層の上部にLiFを真空蒸着して、厚さ0.5nmの電子注入層を形成した。
前記電子注入層の上部にMgAgを蒸着して厚さ15nmの第2電極(カソード)を形成し、有機発光素子を完成した。
実施例5
BCP 60質量部と金属化合物としてリチウムキノリノラト(LiQ)40質量部とを蒸着して厚さ30nmの第2電子輸送層を形成したことを除いては、実施例4と同じ方法を用いて有機発光素子を完成した。
実施例6
第2正孔輸送層および第3正孔輸送層の形成時に、NPBの代わりにTPD(N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン)を用いたことを除いては、実施例4と同じ方法を用いて有機発光素子を完成した。
実施例7
発光層の形成時にホストであるADN 87質量部と、発光ドーパントである2,5,8,11−テトラ−tert−ブチルフェニレン3質量部と、補助ドーパントであるNPB 10質量部とを含む厚さ20nmの青色発光層を形成したことを除いては、実施例4と同じ方法を用いて有機発光素子を完成した。
実施例8
発光層の形成時にホストであるADN 96.5質量部と、発光ドーパントである2,5,8,11−テトラ−tert−ブチルフェニレン3質量部と、補助ドーパントであるNPB 0.5質量部とを利用して厚さ20nmの青色発光層を形成したことを除いては、実施例4と同じ方法を用いて有機発光素子を完成した。
比較例1
実施例1の第1電極(アノード)のITO膜の上部にNPBを蒸着して、厚さ146nmの正孔輸送層を形成した。
次いで、前記正孔輸送層の上部に、ホストであるZn(BTZ) 62質量部と、発光ドーパントであるトリス(2−フェニルイソキノリン)イリジウム8質量部と、補助ドーパントであるN,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン30質量部とを含む、厚さ40nmの赤色発光層を形成した。
前記赤色発光層の上部にBCP 50質量部とリチウムキノリノラト50質量部とを含む、厚さ30nmの電子輸送層を形成した。
前記電子輸送層の上部にLiFを真空蒸着して、厚さ0.5nmの電子注入層を形成した。
前記電子注入層の上部にMgAgを蒸着して厚さ15nmの第2電極(カソード)を形成し、有機発光素子を完成した。
比較例2
ITO膜の上部に第1正孔輸送層と中間層、第2正孔輸送層と中間層および第3正孔輸送層を順に積層する代わり、ITO膜の上部にNPB(厚さ146nm)からなる単層の正孔輸送層を形成したことを除いては、実施例2と同じ方法を用いて有機発光素子を完成した。
比較例3
ITO膜の上部に第1正孔輸送層と中間層、第2正孔輸送層と中間層および第3正孔輸送層を順に積層する代わり、ITO膜の上部にNPB(厚さ146nm)からなる単層の正孔輸送層を形成したことを除いては、実施例3と同じ方法を用いて有機発光素子を完成した。
比較例4
ITO膜の上部に第1正孔輸送層と中間層、第2正孔輸送層と中間層および第3正孔輸送層を順に積層する代わり、ITO膜の上部にNPB(厚さ146nm)からなる単層の正孔輸送層を形成したことを除いては、実施例4と同じ方法を用いて有機発光素子を完成した。
比較例5
ITO膜の上部に第1正孔輸送層と中間層、第2正孔輸送層と中間層および第3正孔輸送層を順に積層する代わり、ITO膜の上部にNPB(厚さ146nm)からなる単層の正孔輸送層を形成したことを除いては、実施例5と同じ方法を用いて有機発光素子を完成した。
比較例6
ITO膜の上部に第1正孔輸送層と中間層、第2正孔輸送層と中間層および第3正孔輸送層を順に積層する代わりに、ITO膜の上部にTPD(厚さ146nm)からなる単層の正孔輸送層を形成したことを除いては、実施例6と同じ方法を用いて有機発光素子を完成した。
前記実施例1〜8および比較例1〜6による前面発光型有機発光素子において、駆動電圧、電流密度、発光効率および色座標特性を調べ、その結果を、下記表1に示す。
前記表1に示されたように、実施例1〜6の有機発光素子は、それぞれ比較例1〜6の場合に対比され、実施例1〜6の有機発光素子は、それぞれ比較例1〜6の場合と比べて駆動電圧、電流密度、発光効率および色座標特性が改善されるということが分かった。
また前記表1から分かるように、実施例7および8の有機発光素子は、実施例1〜6の場合と同等なレベルの駆動電圧、電流密度、発光効率および色座標特性を表した。
また、イメージスティッキング現象と黒化現象とが抑制され、画像品質が改善された。
本発明を図面に図示された実施形態を参考として説明したが、これらは例示的なものに過ぎず、当業者であれば、これらの多様な変形および均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められなければならない。
本発明は、有機発光素子関連の技術分野に好適に用いられる。

Claims (18)

  1. 第1電極、複数の正孔輸送層、複数の中間層、発光層、複数の電子輸送層および第2電極を備え、
    前記発光層が、ホスト、発光ドーパントおよび補助ドーパントを含み、
    前記ホストおよび補助ドーパントが相異するキャリア輸送特性を持っており、
    前記発光層が、赤色発光層、青色発光層および緑色発光層からなる群から選択される一つ以上である有機発光素子。
  2. 前記赤色発光層のホストが、
    ビス{2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾレート}亜鉛およびビス−(2−メチル−8−キノリノラト)−4−(フェニルフェノレート)アルミニウムからなる群から選択される一つ以上を含む請求項1に記載の有機発光素子。
  3. 前記赤色発光層の発光ドーパントが、イリジウム錯体および白金錯体からなる群から選択される一つ以上を含む請求項1または2に記載の有機発光素子。
  4. 前記赤色発光層、青色発光層および緑色発光層の補助ドーパントが、フェニルアミン誘導体を含む請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機発光素子。
  5. 前記青色発光層および緑色発光層のホストが、アントラセン誘導体およびカルバゾール系化合物からなる群から選択される一つ以上を含む請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機発光素子。
  6. 前記青色発光層の発光ドーパントが、2,5,8,11−テトラ−tert−ブチルフェニレンおよびスチリル誘導体からなる群から選択される一つ以上を含む請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機発光素子。
  7. 前記緑色発光層の発光ドーパントが、イリジウム錯体およびアントラセン誘導体からなる群から選択される一つ以上を含む請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機発光素子。
  8. 前記発光層の発光ドーパントの含有量が、ホスト100質量部を基準として0.1〜49質量部であり、
    前記補助ドーパントの含有量が、ホスト100質量部を基準として0.1〜49質量部である請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機発光素子。
  9. 前記電子輸送層は、
    第1電子輸送物質を含む第1電子輸送層と、
    第2電子輸送物質と下記化学式1の金属化合物とを含む第2電子輸送層と、からなる群から選択される一つ以上を含む請求項1〜8のいずれか1項に記載の有機発光素子:
    Xは、アルカリ金属、アルカリ土類金属または遷移金属であり;
    Yは、17族元素またはC1〜20の有機基であり;
    aは、1〜3の整数であり;
    bは、1〜3の整数である。
  10. 前記化学式1の金属化合物が、リチウムキノレート、ナトリウムキノレート、リチウム
    アセトアセテート、マグネシウムアセトアセテート、フッ化リチウム、フッ化セシウムおよびフッ化ナトリウムからなる群から選択される一つ以上である請求項9に記載の有機発光素子。
  11. 前記化学式1の金属化合物の含有量が、電子輸送層100質量部を基準として40〜110質量部である請求項9または10に記載の有機発光素子。
  12. 前記第1電子輸送物質および第2電子輸送物質が、それぞれ独立して下記の化学式2で表示されるビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナトベリリウム(Bebq2)、その誘導体、8−ヒドロキシキノリン亜鉛(Znq2)および(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq3)からなる群から選択される一つ以上の物質を含む請求項9〜11のいずれか1項に記載の有機発光素子。
  13. 前記正孔輸送層が、
    N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミンおよびN,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミンからなる群から選択される一つ以上を含む請求項1〜12のいずれか1項に記載の有機発光素子。
  14. 前記中間層が、1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレンヘキサニトリルおよびテトラシアノキノジメタン(TCNQ)からなる群から選択される一つ以上である請求項1〜13のいずれか1項に記載の有機発光素子。
  15. 金属反射膜をさらに含む請求項1〜14のいずれか1項に記載の有機発光素子。
  16. 前記金属反射膜が、銀(Ag)、アルミニウム(Al)から選択される一つ以上の金属を含む請求項15に記載の有機発光素子。
  17. 第2電極をさらに含む請求項1〜16のいずれか1項に記載の有機発光素子。
  18. 第2電極が、MgAg、Al(aluminum)からなる群から選択される一つ以上を含む請求項1〜17のいずれか1項に記載の有機発光素子。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013080898A (ja) * 2011-09-22 2013-05-02 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機発光素子及びこれを用いた表示装置
JP2013140961A (ja) * 2012-01-05 2013-07-18 Samsung Display Co Ltd 有機発光素子
WO2014185075A1 (ja) * 2013-05-17 2014-11-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPWO2013146117A1 (ja) * 2012-03-26 2015-12-10 東レ株式会社 発光素子材料および発光素子
JP2016115717A (ja) * 2014-12-11 2016-06-23 株式会社Joled 有機el素子および有機el素子の製造方法
JP2016143797A (ja) * 2015-02-03 2016-08-08 住友化学株式会社 有機el素子

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140008126A (ko) * 2012-07-10 2014-01-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
KR102153871B1 (ko) 2012-10-09 2020-09-09 메르크 파텐트 게엠베하 전자 디바이스
CN103915470B (zh) 2012-12-31 2016-12-07 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
KR102050445B1 (ko) * 2012-12-31 2019-11-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102081281B1 (ko) * 2013-02-08 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102050483B1 (ko) * 2013-06-26 2020-01-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102104637B1 (ko) 2013-06-28 2020-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광소자
KR20150007011A (ko) 2013-07-10 2015-01-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 및 유기 발광 표시 장치
KR102173040B1 (ko) * 2013-10-29 2020-11-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102087048B1 (ko) * 2013-12-03 2020-03-10 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR102092551B1 (ko) * 2013-12-03 2020-04-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
KR102401598B1 (ko) * 2014-11-07 2022-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR101796288B1 (ko) * 2014-12-02 2017-11-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR102460657B1 (ko) * 2015-08-31 2022-10-28 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
EP3208861A1 (en) * 2016-02-19 2017-08-23 Novaled GmbH Electron transport layer comprising a matrix compound mixture for an organic light-emitting diode (oled)
KR102637002B1 (ko) * 2016-06-30 2024-02-16 삼성디스플레이 주식회사 전자수송층을 구비한 유기발광표시장치 및 그 제조방법
CN109994629B (zh) * 2017-12-29 2021-01-29 Tcl科技集团股份有限公司 复合薄膜及其制备方法和应用
WO2020063592A1 (zh) * 2018-09-29 2020-04-02 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管
EP3809474B1 (en) * 2019-10-18 2023-07-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot light-emitting device and electronic device
CN113498556B (zh) * 2020-01-20 2023-06-16 京东方科技集团股份有限公司 发光结构、显示面板和显示装置
CN112838171B (zh) * 2020-12-31 2022-12-23 广东聚华印刷显示技术有限公司 电子传输材料、倒置型有机电致发光器件及其制备方法以及显示装置
CN115132926B (zh) * 2022-08-25 2022-11-25 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 一种空穴传输层及其应用

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006041395A (ja) * 2004-07-29 2006-02-09 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007123611A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2007142111A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Takasago Internatl Corp 発光素子及び表示装置
JP2007207916A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Sanyo Electric Co Ltd 有機elディスプレイ及び有機el素子
WO2008102644A1 (ja) * 2007-02-19 2008-08-28 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2009164578A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光素子
JP2009182322A (ja) * 2008-01-29 2009-08-13 Qinghua Univ 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2009231807A (ja) * 2008-02-28 2009-10-08 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2010004031A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3370011B2 (ja) 1998-05-19 2003-01-27 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002352960A (ja) * 2001-05-29 2002-12-06 Hitachi Ltd 薄膜電界発光素子
JP4036682B2 (ja) 2001-06-06 2008-01-23 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光材料
JP2004179142A (ja) * 2002-09-30 2004-06-24 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
JP2004319456A (ja) 2003-03-31 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3883999B2 (ja) 2003-09-30 2007-02-21 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
US7030554B2 (en) * 2004-02-06 2006-04-18 Eastman Kodak Company Full-color organic display having improved blue emission
US7157156B2 (en) * 2004-03-19 2007-01-02 Eastman Kodak Company Organic light emitting device having improved stability
EP1624502B1 (en) * 2004-08-04 2015-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
US7579090B2 (en) * 2004-09-20 2009-08-25 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
KR100669757B1 (ko) * 2004-11-12 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
US20070092753A1 (en) * 2005-10-26 2007-04-26 Eastman Kodak Company Organic element for low voltage electroluminescent devices
US7638207B2 (en) * 2006-03-30 2009-12-29 Eastman Kodak Company OLED device with improved efficiency and lifetime

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006041395A (ja) * 2004-07-29 2006-02-09 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007123611A (ja) * 2005-10-28 2007-05-17 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2007142111A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Takasago Internatl Corp 発光素子及び表示装置
JP2007207916A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Sanyo Electric Co Ltd 有機elディスプレイ及び有機el素子
WO2008102644A1 (ja) * 2007-02-19 2008-08-28 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2009164578A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光素子
JP2009182322A (ja) * 2008-01-29 2009-08-13 Qinghua Univ 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2009231807A (ja) * 2008-02-28 2009-10-08 Fujifilm Corp 有機電界発光素子
JP2010004031A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013080898A (ja) * 2011-09-22 2013-05-02 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機発光素子及びこれを用いた表示装置
JP2013140961A (ja) * 2012-01-05 2013-07-18 Samsung Display Co Ltd 有機発光素子
JPWO2013146117A1 (ja) * 2012-03-26 2015-12-10 東レ株式会社 発光素子材料および発光素子
WO2014185075A1 (ja) * 2013-05-17 2014-11-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20150143784A (ko) * 2013-05-17 2015-12-23 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자
JPWO2014185075A1 (ja) * 2013-05-17 2017-02-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101710988B1 (ko) 2013-05-17 2017-02-28 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자
US9748313B2 (en) 2013-05-17 2017-08-29 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Organic electroluminescent element
JP2016115717A (ja) * 2014-12-11 2016-06-23 株式会社Joled 有機el素子および有機el素子の製造方法
JP2016143797A (ja) * 2015-02-03 2016-08-08 住友化学株式会社 有機el素子
WO2016125750A1 (ja) * 2015-02-03 2016-08-11 住友化学株式会社 有機el素子

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