CN112838171B - 电子传输材料、倒置型有机电致发光器件及其制备方法以及显示装置 - Google Patents

电子传输材料、倒置型有机电致发光器件及其制备方法以及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种电子传输材料、倒置型有机电致发光器件及其制备方法以及显示装置，所述电子传输材料包括电子传输主体材料以及分散在所述电子传输主体材料中的小分子n型掺杂剂，其中，所述电子传输主体材料具有至少三个可交联基团。本发明提供的电子传输材料，电子传输主体材料形成具有刚性且不溶于有机溶剂的三维网状结构，小分子n型掺杂剂分布在三维网状结构的孔隙中，一方面，小分子n型掺杂剂受到三维网状结构的保护，难以与溶剂直接接触，从而不容易被溶剂清洗掉，使得电子传输材料具有抗溶剂效果，另一方面，由于掺杂小分子n型掺杂剂，电子传输主体材料的电子传输性能得到改善，使得电子传输材料具有更好的电子传输性能。

Description

电子传输材料、倒置型有机电致发光器件及其制备方法以及 显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置技术领域，特别涉及有机电致发光器件技术领域，具体涉及一种电子传输材料、倒置型有机电致发光器件及其制备方法以及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)因其具有高对比度、低能耗、可弯折卷曲等特点在显示与照明领域备受关注。常见的OLED器件结构包括正置结构和倒置结构，正置结构由依次附着于衬底上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极所构成；倒置结构由依次附着于衬底上的阴极、电子注入层、电子传输层、有机发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极所构成。
由于倒置结构的下层阴极便于与n型TFT搭接，在全彩显示应用方面具有独特的优势。以印刷方式制备倒置OLED器件时，需要在电子传输层上采用溶液法沉积有机发光层薄膜，因此电子传输层必须具有抗有机发光层墨水溶剂的特性。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种电子传输材料、倒置型有机电致发光器件及其制备方法以及显示装置，旨在提供一种电子传输材料，该电子传输材料兼具电子传输性能和抗溶剂效果。
为实现上述目的，本发明提出一种电子传输材料，用在倒置型有机电致发光器件中，所述电子传输材料包括电子传输主体材料以及分散在所述电子传输主体材料中的小分子n型掺杂剂，其中，所述电子传输主体材料具有至少三个可交联基团。
可选地，所述电子传输材料中，所述电子传输主体材料的重量百分含量不小于80％。
可选地，所述小分子n型掺杂剂包括8-羟基喹啉-锂及其衍生物、NDN-77及其衍生物、1,3-二甲基-2,3-二氢-1H-苯并咪唑及其衍生物中的至少一种。
可选地，所述可交联基团包括乙烯基和三氟乙烯醚中的一种。
为实现上述目的，本发明还提出一种倒置型有机电致发光器件，所述倒置型有机电致发光器件由下至上依次层叠设置的衬底、阴极、电子注入层、电子传输层、有机发光层、空穴传输层以及阳极，其中，所述电子传输层由如上文所述电子传输材料制成，所述电子传输材料包括电子传输主体材料以及分散在所述电子传输主体材料中的小分子n型掺杂剂，其中，所述电子传输主体材料具有至少三个可交联基团。
可选地，所述倒置型有机电致发光器件为倒置型有机发光二极管。
此外，本发明还提出一种倒置型有机电致发光器件的制备方法，所述倒置型有机电致发光器件的制备方法包括以下步骤：
在衬底上依次设置阴极和电子注入层；
将电子传输主体材料和小分子n型掺杂剂混合后溶解于有机溶剂中，形成混合物溶液；
将所述混合物溶液涂布在所述电子注入层上，干燥形成薄膜；
对所述薄膜进行交联处理，以使所述薄膜中的电子传输主体材料交联化，得到电子传输层；
在所述电子传输层上依次设置有机发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极，得到倒置型有机电致发光器件。
可选地，所述对所述薄膜进行交联处理，以使所述薄膜中的电子传输主体材料交联化，得到电子传输层的步骤包括：
对所述薄膜进行紫外光照射，以使所述薄膜中的电子传输主体材料交联化，得到电子传输层。
可选地，所述对所述薄膜进行交联处理，以使所述薄膜中的电子传输主体材料交联化，得到电子传输层的步骤包括：
对所述薄膜进行退火处理以使所述薄膜中的电子传输主体材料交联化，得到电子传输层，其中，所述退火处理的温度不低于200℃。
此外，本发明还提出一种显示装置，所述显示装置包括如上文所述的倒置型有机电致发光器件。
本发明提供的技术方案中，该电子传输材料选用可交联的材料作为电子传输主体材料，并在其中掺杂小分子n型掺杂剂，如此一来，电子传输主体材料形成具有刚性且不溶于有机溶剂的三维网状结构，小分子n型掺杂剂分布在三维网状结构的孔隙中，一方面，小分子n型掺杂剂受到三维网状结构的保护，难以与溶剂直接接触，从而不容易被溶剂清洗掉，使得电子传输材料具有抗溶剂效果，另一方面，由于掺杂小分子n型掺杂剂，电子传输主体材料的电子传输性能得到改善，使得电子传输材料具有更好的电子传输性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅为本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明提供的倒置型有机发光二极管的第一实施例的结构示意图；
图2为本发明提供的倒置型有机发光二极管的第一实施例的结构示意图；
图3为本发明提供的倒置型有机发光二极管的第一实施例的结构示意图；
图4为本发明提供的倒置型有机发光二极管的第一实施例的结构示意图。
附图标号说明：
标号 名称 标号 名称
10 衬底 60 空穴传输层
20 阴极 61 掺杂空穴传输层
30 电子注入层 70 空穴注入层
40 电子传输层 80 阳极
50 有机发光层 90 电子阻挡层
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。此外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
有机发光二极管(OLED)因其具有高对比度、低能耗、可弯折卷曲等特点在显示与照明领域备受关注。常见的OLED器件结构包括正置结构和倒置结构，正置结构由依次附着于衬底上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极所构成；倒置结构由依次附着于衬底上的阴极、电子注入层、电子传输层、有机发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极所构成。
由于倒置结构的下层阴极便于与n型TFT搭接，在全彩显示应用方面具有独特的优势。以印刷方式制备倒置OLED器件时，需要在电子传输层上采用溶液法沉积有机发光层薄膜，因此电子传输层必须具有抗有机发光层墨水溶剂的特性。
鉴于此，本发明提出一种电子传输材料，用在倒置型有机电致发光器件中，所述电子传输材料包括电子传输主体材料以及分散在所述电子传输主体材料中的小分子n型掺杂剂，其中，所述电子传输主体材料具有至少三个可交联基团。
本发明提供的技术方案中，该电子传输材料选用可交联的材料作为电子传输主体材料，并在其中掺杂小分子n型掺杂剂，如此一来，电子传输主体材料形成具有刚性且不溶于有机溶剂的三维网状结构，小分子n型掺杂剂分布在三维网状结构的孔隙中，一方面，小分子n型掺杂剂受到三维网状结构的保护，难以与溶剂直接接触，从而不容易被溶剂清洗掉，使得电子传输材料具有抗溶剂效果，另一方面，由于掺杂小分子n型掺杂剂，电子传输主体材料的电子传输性能得到改善，使得电子传输材料具有更好的电子传输性能。
电子传输主体材料为具有电子传输性能的材料，且该材料可交联化，在一定条件下能够交联形成三维网状结构，小分子n型掺杂剂分布在孔隙中，由于三维网状结构的空间限制，小分子n型掺杂剂难以聚集结晶，因此可以耐受较高的退火温度及其他交联条件；同时，小分子n型掺杂剂也难以与溶剂直接接触，从而不容易被溶剂清洗掉。所述电子传输主体材料可以是小分子有机电子传输材料，例如小分子有机半导体，具体地，所述电子传输主体材料由具有电子传输性能的结构组成部分以及三个以上的可交联基团组成，如此，在一定的交联条件下，可交联基团间发生交联，从而使得电子传输主体材料形成三维网状结构。其中，可交联基团可以是乙烯基或者三氟乙烯醚。以可交联基团设有三个为例，电子传输主体材料可以是1,3,5-三(5-(4-乙烯基苯基)吡啶)苯、1,3,5-三(5-(4-((1,2,2-三氟乙烯基)氧)苯基)吡啶)苯等。
小分子n型掺杂剂具有良好的电子传输性能，在电子传输主体材料中掺杂小分子n型掺杂剂能够改善电子传输材料的性能。具体地，小分子n型掺杂剂包括8-羟基喹啉-锂及其衍生物、NDN-77及其衍生物、1,3-二甲基-2,3-二氢-1H-苯并咪唑及其衍生物中的一种或者多种。
可以理解的是，本文中提到的小分子是指非聚合物，即分子结构中不包含重复单元的化合物。
此外，为确保三维网状结构能够对掺杂剂起到保护效果，所述电子传输材料中，所述电子传输主体材料的重量百分含量不小于80％，具体地，所述电子传输材料中，所述电子传输主体材料与所述小分子n型掺杂剂的重量比不小于8:2，可以是8:2、8.2:1.8、8.5:1.5、8.9:1.1、9:1、9.5:0.5、9.75:0.25等。
本发明进一步提出一种倒置型有机电致发光器件，例如，倒置型有机发光二极管等。所述倒置型有机发光二极管可以为倒置顶发射结构，也可以是倒置底发射结构。所述倒置型有机电致发光器件包括由下至上依次层叠设置的衬底10、阴极20、电子注入层30、电子传输层40、有机发光层50、空穴传输层60以及阳极80。其中，所述电子传输层40由上文所述的电子传输材料制成。具体地，电子传输层40包括基体和多个小分子n型掺杂剂微粒；其中，基体由电子传输主体材料交联形成，基体具有三维网状结构，而形成有多个孔隙，多个小分子n型掺杂剂微粒分布在多个孔隙中。由于本发明提供的倒置型电致发光器件采用了上述电子传输材料所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
具体地，图1至图4为倒置型有机发光二极管的具体实施例。为帮助理解，以下将结合具体实施例来详细描述倒置型有机发光二极管的具体结构。
参阅图1，本实施例中，所述衬底10的材质可以为玻璃、PI膜等；所述阴极20的材质可以为ITO、IZO、IGZO等金属氧化物，或者银、铝、镁、镱、钡等低功函金属，或者低功函金属中的一种与银的合金等；所述电子注入层30的材料选自具有电子注入能力的无机盐类化合物或金属氧化物纳米颗粒，例如，碳酸铯纳米颗粒，氧化锌纳米颗粒，少量掺杂有镁、铝、锂等其他金属中的一种或几种的氧化锌纳米颗粒，二氧化钛纳米颗粒，二氧化锡纳米颗粒等；所述有机发光层50包含具有电荷传输性质的主体材料以及具有电致发光能力的客体材料；所述空穴传输层60的材料选自CDBP、TCTA、CBP、NPB、NPD、HGG002等；所述阳极80的材料选自银、铝、镁、镱、钡等低功函金属，或者低功函金属中的一种与银的合金等。
参阅图2，在本发明的一实施例中，在空穴传输层60和阳极80之间还可以设置空穴注入层70，以降低从阳极80的空穴注入势垒，使得阳极80有效地注入空穴，从而降低器件的工作电压，提高器件的寿命，使得器件具有较好的稳定性和发光效率。所述空穴注入层70的材料选自HAT-CN、氧化镍、三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒和五氧化二钽中的至少一种。
参阅图3，在本发明的一实施例中，所述有机发光层50和所述空穴传输层60之间还可以设置电子阻挡层90，以阻挡电子/激子继续向阳极80迁移。
此外，参阅图4，在本发明的一实施例中，空穴传输层60与阳极80之间还可以设置掺杂空穴传输层61，以进一步提升空穴传输性能。所述掺杂空穴传输层61的材料包括掺杂有P型掺杂材料的空穴传输主体材料，其中，空穴传输主体材料包括CDBP、TCTA、CBP、NPB、NPD、HGG002等中的至少一种，P型掺杂材料包括HAT-CN、三氧化钼、三氧化钨和NDP-9中的至少一种。需要说明的是，当倒置型有机电致发光器件包含空穴注入层70时，掺杂空穴传输层61位于空穴传输层60和空穴注入层70之间。
本发明还进一步提出一种如上所述的倒置型有机电致发光器件的制备方法。
所述倒置型有机电致发光器件的制备方法包括以下步骤：
步骤S10，在衬底10上依次设置阴极20和电子注入层30。
本实施例在衬底10上制备阴极20以形成阴极基板后，将电子注入层30材料的溶液、乳液或者前驱体溶液涂布在阴极20的上表面，经干燥退火处理，形成电子注入层30。
步骤S20，将电子传输主体材料和小分子n型掺杂剂混合后溶解于有机溶剂中，形成混合物溶液。
步骤S30，将所述混合物溶液涂布在所述电子注入层上，干燥形成薄膜。
步骤S40，对所述薄膜进行交联处理，以使所述薄膜中的电子传输主体材料交联化，得到电子传输层40。
本实施例将电子传输主体材料和小分子n型掺杂剂混合后，制成薄膜，然后将薄膜置于一定的工艺环境中，以使得电子传输主体材料交联化形成三维网状基体，进而使得小分子n型掺杂剂分散在基体的孔隙中。
其中，涂布的方式包括但不限于旋涂、刮涂以及喷墨打印等。
其中，电子传输主体材料和小分子n型掺杂剂已在上文进行解释，此处不作详述；有机溶剂可以是任意能够溶解电子传输主体材料和小分子n型掺杂剂的常见溶剂，例如，乙醇、1,2-二氯乙烷和苄醇(体积比9:1)的混合溶剂、甲氧基乙醇等，本发明对此不作限制。
此外，交联化的方法有多种，在一实施例中，步骤S40具体可以按照如下步骤实施：
步骤S40a，对所述薄膜进行紫外光照射，以使所述薄膜中的电子传输主体材料交联化，得到电子传输层40。
或者，步骤S30也可以按照如下步骤操作：
步骤S40b，对所述薄膜进行退火处理以使所述薄膜中的电子传输主体材料交联化，得到电子传输层40，其中，所述退火处理的温度不低于200℃。
步骤S50，在所述电子传输层上依次设置有机发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极，得到倒置型有机电致发光器件。
本实施例在制成电子传输层后，使用有机发光层50墨水在电子传输层40上喷墨打印，真空干燥成膜后，退火处理形成有机发光层50；然后，使用蒸镀方式，在有机发光层50上依次形成空穴传输层60、空穴注入层70以及阳极80。其中，掺杂空穴传输层61同样可以采用蒸镀方式制得。
此外，本发明还提出一种显示装置，所述显示装置包括所述倒置型有机电致发光器件，所述倒置型有机电致发光器件包括电子传输层40，所述电子传输层40由如上文所述电子传输材料制成，所述电子传输材料包括电子传输主体材料以及分散在所述电子传输主体材料中的小分子n型掺杂剂，其中，所述电子传输主体材料具有至少三个可交联基团，所述电子传输材料的具体结构参照上述实施例，由于本发明显示装置采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
以下结合具体实施例和附图对本发明的技术方案作进一步详细说明，应当理解，以下实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
本实施例倒置型有机发光二极管的结构如图2所示，OLED包括从下往上依次设置的衬底10、阴极20、电子注入层30、电子传输层40、有机发光层50、空穴传输层60、空穴注入层70以及阳极80。
采用玻璃衬底10，在玻璃衬底10上制备ITO阴极20，阴极20厚度为50nm。
采用氧化锌纳米颗粒在阴极20的上表面上喷墨打印电子注入层30，干燥成膜后退火处理，厚度为25nm。
将1,3,5-三(5-(4-乙烯基苯基)吡啶)苯和NDN-77按照8:2的重量比混合后溶于1,2-二氯乙烷和苄醇(体积比9:1)的混合溶剂，形成混合物溶液；将混合物溶液在电子注入层30上进行喷墨打印，待干燥成薄膜后，将半成品置于230℃下退火1h，得到电子传输层40，厚度为20nm。
将2-甲基-9,10-二(萘-2-基)蒽和(E)-N,N-二苯基-4-(4-(芘-1-基)苯乙烯基)苯胺DPASP按照95:5的重量比混合制成油墨；使用油墨在电子传输层40上喷墨打印出有机发光层50，厚度为30nm。
使用HGG002在有机发光层50的上表面蒸镀形成空穴传输层60，厚度为30nm。
使用三氧化钼在空穴传输层60的上表面蒸镀形成空穴注入层70，厚度为8nm。
在空穴注入层70的上表面蒸镀形成100nm左右厚度的银反射电极，以作为阳极80。
实施例2
本实施例倒置型有机发光二极管的结构如图2所示，OLED包括从下往上依次设置的衬底10、阴极20、电子注入层30、电子传输层40、有机发光层50、空穴传输层60、空穴注入层70以及阳极80。
采用玻璃衬底10，在玻璃衬底10上制备ITO阴极20，阴极20厚度为50nm。
采用氧化锌纳米颗粒在阴极20的上表面上喷墨打印电子注入层30，干燥成膜后退火处理，厚度为20nm。
将1,3,5-三(5-(4-乙烯基苯基)吡啶)苯和8-羟基喹啉-锂按照8:2的重量比混合后溶于1,2-二氯乙烷和苄醇(体积比9:1)的混合溶剂，形成混合物溶液；将混合物溶液在电子注入层30上进行喷墨打印，待干燥成薄膜后，将半成品置于230℃下退火1h，得到电子传输层40，厚度为25nm。
将2-甲基-9,10-二(萘-2-基)蒽和(E)-N,N-二苯基-4-(4-(芘-1-基)苯乙烯基)苯胺DPASP按照95:5的重量比混合制成油墨；使用油墨在电子传输层40上喷墨打印出有机发光层50，厚度为30nm。
使用HGG002在有机发光层50的上表面蒸镀形成空穴传输层60，厚度为35nm。
使用三氧化钼在空穴传输层60的上表面蒸镀形成空穴注入层70，厚度为5nm。
在空穴注入层70的上表面蒸镀形成100nm左右厚度的银反射电极，以作为阳极80。
实施例3
本实施例倒置型有机发光二极管的结构如图2所示，OLED包括从下往上依次设置的衬底10、阴极20、电子注入层30、电子传输层40、有机发光层50、空穴传输层60、空穴注入层70以及阳极80。
采用玻璃衬底10，在玻璃衬底10上制备ITO阴极20，阴极20厚度为50nm。
采用氧化锌纳米颗粒在阴极20的上表面上喷墨打印电子注入层30，干燥成膜后退火处理，厚度为20nm。
将1,3,5-三(5-(4-乙烯基苯基)吡啶)苯和1,3-二甲基-2,3-二氢-1H-苯并咪唑按照9:1的重量比混合后溶于1,2-二氯乙烷和苄醇(体积比9:1)的混合溶剂，形成混合物溶液；将混合物溶液在电子注入层30上进行喷墨打印，待干燥成薄膜后，对半成品进行紫外光照射，得到电子传输层40，厚度为25nm。
将2-甲基-9,10-二(萘-2-基)蒽和(E)-N,N-二苯基-4-(4-(芘-1-基)苯乙烯基)苯胺DPASP按照95:5的重量比混合制成油墨；使用油墨在电子传输层40上喷墨打印出有机发光层50，厚度为30nm。
使用HGG002在有机发光层50的上表面蒸镀形成空穴传输层60，厚度为25nm。
使用三氧化钼在空穴传输层60的上表面蒸镀形成空穴注入层70，厚度为10nm。
在空穴注入层70的上表面蒸镀形成100nm左右厚度的银反射电极，以作为阳极80。
实施例4
本实施例倒置型有机发光二极管的结构如图2所示，OLED包括从下往上依次设置的衬底10、阴极20、电子注入层30、电子传输层40、有机发光层50、空穴传输层60、空穴注入层70以及阳极80。
采用玻璃衬底10，在玻璃衬底10上制备ITO阴极20，阴极20厚度为50nm。
采用氧化锌纳米颗粒在阴极20的上表面上喷墨打印电子注入层30，干燥成膜后退火处理，厚度为30nm。
将1,3,5-三(5-(4-((1,2,2-三氟乙烯基)氧)苯基)吡啶)苯和1,3-二甲基-2,3-二氢-1H-苯并咪唑按照9:1的重量比混合后溶于1,2-二氯乙烷，形成混合物溶液；将混合物溶液在电子注入层30上进行喷墨打印，待干燥成薄膜后，将半成品置于230℃下退火1h，得到电子传输层40，厚度为15nm。
将2-甲基-9,10-二(萘-2-基)蒽和(E)-N,N-二苯基-4-(4-(芘-1-基)苯乙烯基)苯胺DPASP按照95:5的重量比混合制成油墨；使用油墨在电子传输层40上喷墨打印出有机发光层50，厚度为30nm。
使用HGG002在有机发光层50的上表面蒸镀形成空穴传输层60，厚度为30nm。
使用三氧化钼在空穴传输层60的上表面蒸镀形成空穴注入层70，厚度为10nm。
在空穴注入层70的上表面蒸镀形成100nm左右厚度的银反射电极，以作为阳极80。
对比例1
本对比例提供一种具有图2所示结构的OLED，除将电子传输层40的材料从“1,3,5-三(5-(4-乙烯基苯基)吡啶)苯和NDN-77”改为1,3,5-三(5-(4-乙烯基苯基)吡啶)苯外，其他设置均与实施例1相同。
分别对各实施例和对比例1的OLED器件的电流效率和寿命进行测试，测试结果如表1所示。
表1
Figure BDA0002878217770000111
Figure BDA0002878217770000121
由表格1中的测试结果可知，本发明实施例提供的电子传输材料在用作制备OLED的电子传输层40的材料时，制备所得的OLED具有更好的电流效率以及更长的寿命。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种电子传输材料，用在倒置型有机电致发光器件中，其特征在于，所述电子传输材料包括电子传输主体材料以及分散在所述电子传输主体材料中的小分子n型掺杂剂，其中，所述电子传输主体材料选自1,3,5-三（5-（4-乙烯基苯基）吡啶）苯、1,3,5-三（5-（4-（（1,2,2-三氟乙烯基）氧）苯基）吡啶）苯中的一种；所述小分子n型掺杂剂包括8-羟基喹啉-锂及其衍生物、NDN-77及其衍生物、1,3-二甲基-2,3-二氢-1H-苯并咪唑及其衍生物中的至少一种。
2.如权利要求1所述的电子传输材料，其特征在于，所述电子传输材料中，所述电子传输主体材料的重量百分含量不小于80%。
3.一种倒置型有机电致发光器件，其特征在于，包括由下至上依次层叠设置的衬底、阴极、电子注入层、电子传输层、有机发光层、空穴传输层以及阳极，其中，所述电子传输层由如权利要求1至2任意一项所述的电子传输材料制成。
4.如权利要求3所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述倒置型有机电致发光器件为倒置型有机发光二极管。
5.如权利要求3-4任一项所述倒置型有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上依次设置阴极和电子注入层；
将电子传输主体材料和小分子n型掺杂剂混合后溶解于有机溶剂中，形成混合物溶液；
将所述混合物溶液涂布在所述电子注入层上，干燥形成薄膜；
对所述薄膜进行交联处理，以使所述薄膜中的电子传输主体材料交联化，得到电子传输层；
在所述电子传输层上依次设置有机发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极，得到倒置型有机电致发光器件。
6.如权利要求5所述的倒置型有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述对所述薄膜进行交联处理，以使所述薄膜中的电子传输主体材料交联化，得到电子传输层的步骤包括：
对所述薄膜进行紫外光照射，以使所述薄膜中的电子传输主体材料交联化，得到电子传输层。
7.如权利要求5所述的倒置型有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述对所述薄膜进行交联处理，以使所述薄膜中的电子传输主体材料交联化，得到电子传输层的步骤包括：
对所述薄膜进行退火处理以使所述薄膜中的电子传输主体材料交联化，得到电子传输层，其中，所述退火处理的温度不低于200℃。
8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求3或4所述的倒置型有机电致发光器件。
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