JP2011242602A - 光集積素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】斜め導波路を有する光素子を集積する場合に、素子端面の位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なえるようにする。
【解決手段】光集積素子の製造方法を、第１斜め導波路５を有する第１光素子１に、その端面位置を検知しうる複数の端面位置検知マーカ１１Ａ、及び、複数の端面位置検知マーカのそれぞれに対応する複数の第１位置合わせマーカ１２Ａを形成し、第２斜め導波路８を有する第２光素子２に、第１斜め導波路の端面位置と第２斜め導波路の端面位置とが合った場合に複数の第１位置合わせマーカのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第２位置合わせマーカ１３Ａを形成し、端面位置を検知した端面位置検知マーカに対応する第１位置合わせマーカとこれに対応する第２位置合わせマーカとを合わせて第１斜め導波路の端面と第２斜め導波路の端面とを位置合わせして、第２光素子上に第１光素子を実装するものとする。
【選択図】図１

Description

本発明は、光集積素子及びその製造方法に関する。

複数の光素子をハイブリッド集積して光集積素子を作製する場合、精度良く位置合わせを行なう必要がある。例えば、光導波路素子上に発光素子を実装して光集積素子を作製する場合、発光素子の活性導波路の端面と光導波路素子の光導波路の端面とを精度良く位置合わせする必要がある。
この方法として、アクティブアライメント法と、パッシブアライメント法とがある。

アクティブアライメント法は、出力をモニタしながら光軸を調整できるため、高精度の位置合わせが可能である。
しかし、光集積素子を作製するのに多くの時間がかかり、工程が複雑になる。この点でパッシブアライメント法は有利である。パッシブアライメント法を用いるものとして、例えば、搭載時の映像をモニタしながら、光導波路が形成された基板上に、活性層を有する光素子を実装する技術がある。

特開平８−３３４６５５号公報

ところで、導波路端面での光反射を考えると、光素子の導波路は素子端面に対して斜めの導波路であることが望ましい。
しかしながら、光素子の導波路を斜め導波路とする場合、へき開などによって素子端面を形成する際に、例えば図１４に示すように、端面位置（へき開位置）が所望の位置からずれてしまうと、斜め導波路の端面位置もずれてしまう。この斜め導波路の端面位置のずれは素子毎に異なってしまう。このため、斜め導波路を有する光素子を集積する場合、精度良く位置合わせを行なうのが難しい。

そこで、斜め導波路を有する光素子を集積する場合に、素子端面の位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なえるようにしたい。

このため、本光集積素子の製造方法は、第１斜め導波路を有する第１光素子の表面又は裏面に、第１光素子の端面位置を検知しうる、複数の端面位置検知マーカを含む端面位置検知マーカ群を形成する工程と、第１光素子の表面又は裏面に、複数の端面位置検知マーカのそれぞれに対応する複数の第１位置合わせマーカを含む第１位置合わせマーカ群を形成する工程と、第２斜め導波路を有する第２光素子の素子実装領域の表面に、第１斜め導波路の端面位置と第２斜め導波路の端面位置とが合った場合に複数の第１位置合わせマーカのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第２位置合わせマーカを含む第２位置合わせマーカ群を形成する工程と、第１光素子を第２光素子の素子実装領域に載せ、第１光素子の端面位置を検知した端面位置検知マーカに対応する第１位置合わせマーカと、第１位置合わせマーカに対応する第２位置合わせマーカとを位置合わせすることによって第１斜め導波路の端面と第２斜め導波路の端面とを位置合わせして、第２光素子上に第１光素子を実装する工程とを含むことを要件とする。

また、本光集積素子は、素子端面に対して斜めの第１斜め導波路を有する第１光素子と、素子端面に対して斜めの第２斜め導波路を有する第２光素子とを備え、第１斜め導波路の端面位置と第２斜め導波路の端面位置とが合わされた状態で第２光素子上に第１光素子が実装されており、第１光素子は、表面又は裏面に、第１光素子の端面に接する端面位置検知マーカを含む端面位置検知マーカ群を有し、かつ、表面又は裏面に、端面位置検知マーカに対応する第１位置合わせマーカを含む第１位置合わせマーカ群を有し、第２光素子は、素子実装領域の表面に、第１位置合わせマーカに位置が合っている第２位置合わせマーカを含む第２位置合わせマーカ群を有することを要件とする。

したがって、本光集積素子及びその製造方法によれば、斜め導波路を有する光素子を集積する場合に、素子端面の位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なえるという利点がある。

（Ａ）は、本実施形態の光集積素子の構成を示す模式的平面図であり、（Ｂ）は、本実施形態の光集積素子の構成を示す模式的断面図である。 （Ａ）は、本実施形態の第１光素子の構成を示す模式的平面図であり、（Ｂ）は、本実施形態の第１光素子の構成を示す模式的断面図である。 （Ａ）は、本実施形態の第２光素子の構成を示す模式的平面図であり、（Ｂ）は、本実施形態の第２光素子の構成を示す模式的断面図である。 （Ａ）は、本実施形態の第１光素子の端面位置検知マーカ群及び第１位置合わせマーカ群の配置を説明するための模式的平面図であり、（Ｂ）は、本実施形態の第１光素子の各端面位置検知マーカの配置を説明するために一部の端面位置検知マーカを示す模式的平面図である。 （Ａ）は、本実施形態の第２光素子の各第２位置合わせマーカの配置の一例を説明するために一部の第２位置合わせマーカを示す模式的平面図であり、（Ｂ）は、本実施形態の第２光素子の第２位置合わせマーカ群の配置の一例を説明するための模式的平面図である。 （Ａ）は、本実施形態の第２光素子の各第２位置合わせマーカの配置の他の例を説明するために一部の第２位置合わせマーカを示す模式的平面図であり、（Ｂ）は、本実施形態の第２光素子の第２位置合わせマーカ群の配置の他の例を説明するための模式的平面図である。 本実施形態の光集積素子の製造方法を説明するためのフローチャートである。 本実施形態の光集積素子の製造方法における実装工程の一例を説明するための模式的平面図である。 本実施形態の光集積素子の製造方法における実装工程の一例を説明するための模式的平面図である。 （Ａ）は、本実施形態の光集積素子の製造方法における実装工程の一例を説明するための模式的断面図であり、（Ｂ）は、本実施形態の光集積素子の製造方法における実装工程の一例を説明するための模式的平面図である。 本実施形態の第１光素子に設けられる電極窓の大きさと第２光素子に設けられる高さ調整用台座の大きさについて説明するための模式的平面図である。 本実施形態の光集積素子の他の構成例を示す模式的平面図である。 （Ａ）〜（Ｄ）は、本実施形態の第１光素子に設けられる端面位置検知マーカの他の構成例を示す模式的平面図である。 本発明の課題を説明するための模式的平面図である。

以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる光集積素子及びその製造方法について、図１〜図１１を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる光集積素子は、図１に示すように、第１光素子１と、第２光素子２とを備え、第１光素子１と第２光素子２とが同一基板３上にハイブリッド集積されている。なお、光集積素子は、光素子、あるいは、発光素子ともいう。また、本実施形態では、光集積素子は半導体材料からなるため、半導体光素子、半導体発光素子、あるいは、半導体素子ともいう。

ここで、第１光素子１は、図２に示すように、素子端面４に対して斜めの導波路（第１斜め導波路）５を有する。つまり、第１光素子１は、導波路が延びる方向（導波路方向）が素子端面４に対して斜めになっている斜め導波路構造を有する。本実施形態では、第１光素子１は、斜め導波路５及び直線導波路６を含む光導波路を有する発光素子であり、斜め導波路５の角度θ１（素子端面４に直交する線に対する角度）は例えば約７°になっている。つまり、直線導波路６に対する斜め導波路５の角度が例えば約７°になっている。ここでは、第１光素子１は、例えばＩｎＰ基板上に、クラッド層（ここではＩｎＰ層）、コア層（導波路コア）、クラッド層（ここではＩｎＰ層）を順に積層した構造になっている。なお、第１光素子１は、活性導波路も含む。また、第１光素子１は、第１発光素子ともいう。また、本実施形態では、第１光素子１は半導体材料からなるため、第１半導体光素子、あるいは、第１半導体発光素子ともいう。なお、図２（Ａ）では、電極１４は図示しておらず、説明を分かり易くするために、端面位置検知マーカ群１１と第１位置合わせマーカ群１２とを並べて図示している。

第２光素子２は、図３に示すように、素子端面７に対して斜めの導波路（第２斜め導波路）８を有する。つまり、第２光素子２は、導波路方向が素子端面７に対して斜めになっている斜め導波路構造を有する。本実施形態では、第２光素子２は、斜め導波路８及び直線導波路９を含む光導波路を有する光導波路素子であり、斜め導波路８の角度θ２（素子端面７に直交する線に対する角度）は例えば約１５°になっている。つまり、直線導波路９に対する斜め導波路８の角度が例えば約１５°になっている。ここでは、第２光素子２は、例えばＳｉ基板上に、クラッド層（ここではＳｉＯ_２層）、コア層（導波路コア）、クラッド層（ここではＳｉＯ_２層）を順に積層した構造になっている。なお、本実施形態では、第２光素子２は半導体材料からなるため、第２半導体光素子ともいう。なお、図３（Ａ）では、電極１６や高さ調整用台座１５は図示していない。

そして、本光集積素子では、図１に示すように、第１斜め導波路５の端面位置と第２斜め導波路の端面位置とが合わされた状態で第２光素子２上に第１光素子１が実装されている。つまり、第２光素子２は、素子実装領域１０を有し、この素子実装領域１０上に第１光素子１が実装されている。なお、第１斜め導波路５の端面位置と第２斜め導波路８の端面位置とが合わされた状態とは、第１斜め導波路５と第２斜め導波路８とが結合している状態をいう。

このような光集積素子は、例えば光ファイバ通信や光インターコネクトにおいて、例えば光源用として用いられる。
ところで、第２光素子２の素子実装領域１０に露出する端面７、即ち、第１光素子１に対向する端面７は、エッチングによって形成するため、高精度に形成することができる。一方、第１光素子１の端面４、即ち、第２光素子２に対向する端面４は、へき開によって形成するため、スクライブの精度以内の範囲で、端面位置（へき開位置）にずれが生じる。つまり、第１光素子１の端面位置が、図２中、ｘ軸に沿う方向にずれることになる（図１４参照）。この場合、第１光素子１の端面近傍に設けられる第１斜め導波路５の端面位置が、図２中、ｙ軸に沿う方向にずれることになる（図１４参照）。そして、このような第１光素子１の端面位置のずれ量（図２中、ｘ方向のずれ量）、ひいては、第１斜め導波路５の端面位置のずれ量（図２中、ｙ軸に沿う方向のずれ量）は、素子毎に異なるため、第１斜め導波路５の端面位置を第２斜め導波路８の端面位置に精度良く位置合わせするのは難しい。また、第１斜め導波路５の端面位置と第２斜め導波路８の端面位置とを精度良く位置合わせできないと、過剰結合損が生じてしまうことになる。

そこで、素子端面を形成する際に端面位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なえるように、第１光素子１に、端面位置検知マーカ群１１及び第１位置合わせマーカ群１２が設けられており、第２光素子２に、第２位置合わせマーカ群１３が設けられている。
本実施形態では、個片の第１光素子１は、図２に示すように、その表面（上面）に、第１光素子１の端面４に接する端面位置検知マーカ１１Ａを含む端面位置検知マーカ群１１を備える。一方、へき開する前のウエハ状態の第１光素子１は、その表面に、第１光素子１のへき開によって形成された端面４の位置を検知しうる、複数の端面位置検知マーカ１１Ａを含む端面位置検知マーカ群１１を備える。なお、ここでは、第１光素子１の表面に端面位置検知マーカ群１１を設けているが、これに限られるものではなく、第１光素子１の裏面に端面位置検知マーカ群１１を設けても良い。また、端面位置検知マーカ群１１の具体的な構成については、後述の製造方法の説明の中で説明する。

また、個片の第１光素子１は、その裏面（下面）であって、端面位置検知マーカ群１１よりも第１光素子１の端面４から遠い側に、第１光素子１の端面４に接する端面位置検知マーカ１１Ａに対応する第１位置合わせマーカ１２Ａを含む第１位置合わせマーカ群１２を備える。一方、ウエハ状態の第１光素子１は、その裏面であって、端面位置検知マーカ群１１よりも第１光素子１の想定される端面から遠い側に、複数の端面位置検知マーカ１１Ａのそれぞれに対応する複数の第１位置合わせマーカ１２Ａを含む第１位置合わせマーカ群１２を備える。また、第１光素子１の裏面には、電極１４も形成されている。この電極１４には、第１光素子１を第２光素子２上に実装した場合に後述の第２光素子２の高さ調整用台座１５が接する領域及びその近傍の領域に窓（電極窓）１４Ａが形成されている。なお、ここでは、第１光素子１の裏面に第１位置合わせマーカ群１２を設けているが、これに限られるものではなく、第１光素子１の表面に第１位置合わせマーカ群１２を設けても良い。また、第１位置合わせマーカ群１２の具体的な構成については、後述の製造方法の説明の中で説明する。

第２光素子２は、図３に示すように、その表面、ここでは素子実装領域１０の表面に、第１光素子１の端面４に接する端面位置検知マーカ１１Ａに対応する第１位置合わせマーカ１２Ａに位置が合っている第２位置合わせマーカ１３Ａを含む第２位置合わせマーカ群１３を備える。つまり、第２光素子２は、その表面に、第１斜め導波路５の端面位置と第２斜め導波路８の端面位置とが合った場合に複数の第１位置合わせマーカ１２Ａのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第２位置合わせマーカ１３Ａを含む第２位置合わせマーカ群１３を備える。なお、素子実装領域１０の表面は、第２光素子２の基板３の延伸部分の上側の表面である。本実施形態では、素子実装領域１０において、基板３をエッチングして高さ調整用台座１５を形成している。このため、エッチング底面が素子実装領域１０の表面となる。この素子実装領域１０の表面には、電極１６も形成されている。なお、第２位置合わせマーカ群１３の具体的な構成については、後述の製造方法の説明の中で説明する。

そして、本光集積素子では、図１に示すように、第２光素子２の素子実装領域１０の表面に形成された電極１６と、第１光素子１の裏面に形成された電極１４とは、例えばはんだ１７によって、電気的に接続されている。
次に、本実施形態にかかる光集積素子の製造方法について説明する。
なお、本光集積素子の製造方法は、第１光素子１を第２光素子２上に実装する実装方法、即ち、光素子の実装方法を含む。

本光集積素子の製造方法では、まず、素子端面４に対して斜めになる導波路５（第１斜め導波路）を有する第１光素子１、及び、素子端面７に対して斜めになる導波路８（第２斜め導波路）を有する第２光素子２を作製する（図２、図３参照）。次に、図４に示すように、第１光素子１に、端面位置検知マーカ群１１及び第１位置合わせマーカ群１２を形成するとともに、図５、図６に示すように、第２光素子２に、第２位置合わせマーカ群１３を形成する。そして、これらのマーカ群１１〜１３を用いて、パッシブアライメント法によって、第２光素子２上に第１光素子１を集積させて、光集積素子を製造する。これにより、斜め導波路を有する光素子同士をパッシブアライメント法によって集積する場合に、光素子１の端面４を形成する際に端面位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なうことができ、高精度で斜め導波路５、８を結合することが可能となる。

以下、具体的に説明する。
まず、素子端面４に対して斜めになる第１斜め導波路５を有する第１光素子１（図２参照）、及び、素子端面７に対して斜めになる第２斜め導波路８を有する第２光素子２（図３参照）を作製する。
本実施形態では、第１光素子１として、例えばＩｎＰ基板上に、直線導波路６及び斜め導波路５を含む光導波路を有する発光素子を作製する。ここでは、斜め導波路５の角度は例えば約７°とする。また、第１光素子１の裏面には、電極１４を形成する。この電極１４には、第１光素子１を第２光素子２上に実装した場合に後述の第２光素子２の高さ調整用台座１５が接する領域及びその近傍の領域に窓（電極窓）１４Ａを設ける。

また、第２光素子２として、例えばＳｉ基板上に、直線導波路９及び斜め導波路８を含む光導波路を有する光導波路素子を作製する。ここでは、斜め導波路８の角度は例えば約１５°とする。また、第２光素子２には、第２光素子２を構成する半導体積層構造をエッチングによって除去することによって素子実装領域１０を形成する。また、この素子実装領域１０において、基板３をエッチングして高さ調整用台座１５を形成する。また、この素子実装領域１０の表面には、電極１６を形成する。

ところで、第２光素子２の素子実装領域１０は、第２光素子２を構成する半導体積層構造をエッチングによって除去することによって形成される。このため、第２光素子２を構成する半導体積層構造の素子実装領域１０に露出する端面７が、第１光素子１に対向する端面７となる。つまり、第２光素子２の端面７、即ち、第１光素子１に対向する端面７は、エッチングによって形成され、垂直端面になっている。

一方、第１光素子１の端面４、即ち、第２光素子２に対向する端面４は、へき開によって形成される。
このように、第２光素子２の端面７は、エッチングによって形成するため、高精度に形成することができる。一方、第１光素子１の端面４は、へき開によって形成するため、スクライブの精度以内の範囲で、端面位置（へき開位置）にずれが生じる。つまり、第１光素子１の端面位置が、図２中、ｘ軸に沿う方向にずれることになる（図１４参照）。この場合、第１光素子１の端面近傍に設けられる第１斜め導波路５の端面位置が、図２中、ｙ軸に沿う方向にずれることになる（図１４参照）。このため、第１斜め導波路５の端面位置のずれ量に応じて、ｘ−ｙ面内で第１光素子１を平行移動させて位置合わせを行なうことになる。しかしながら、第１光素子１の端面位置のずれ量（図２中、ｘ軸に沿う方向のずれ量）、ひいては、第１斜め導波路５の端面位置のずれ量（図２中、ｙ軸に沿う方向のずれ量）は、素子毎に異なるため、第１斜め導波路５の端面位置を第２斜め導波路８の端面位置に精度良く位置合わせするのは難しい。また、第１斜め導波路５の端面位置と第２斜め導波路８の端面位置とを精度良く位置合わせできないと、過剰結合損が生じてしまうことになる。

そこで、図４に示すように、ウエハ状態の第１光素子１に、端面位置検知マーカ群１１及び第１位置合わせマーカ群１２を形成するとともに、図５、図６に示すように、個片の第２光素子２に、第２位置合わせマーカ群１３を形成する。
特に、本実施形態では、端面位置検知マーカ群１１を形成する工程及び第１位置合わせマーカ群１２を形成する工程において、端面位置検知マーカ群１１と第１位置合わせマーカ群１２とを、想定される素子端面に平行な直線であって、かつ、端面位置検知マーカ群１１を挟んで想定される素子端面の反対側に位置する直線に対して線対称な位置に対して、対応する端面位置検知マーカ１１Ａと第１位置合わせマーカ１２Ａとが第１斜め導波路５に平行な直線上に位置するように、ずらした位置に形成する。

この場合、へき開された個片の第１光素子１は、端面位置検知マーカ群１１と第１位置合わせマーカ群１２とが、第１光素子１の端面４に平行な直線であって、かつ、端面位置検知マーカ群１１を挟んで第１光素子１の端面４の反対側に位置する直線に対して線対称な位置に対して、対応する端面位置検知マーカ１１Ａと第１位置合わせマーカ１２Ａとが第１斜め導波路５に平行な直線上に位置するように、ずらした位置に配置されているものとなる。

また、本実施形態では、第１位置合わせマーカ群１２を形成する工程及び第２位置合わせマーカ群１３を形成する工程において、第１位置合わせマーカ１２Ａ及び第２位置合わせマーカ１３Ａとして、相補的な形状を有するマーカを形成する。つまり、第１位置合わせマーカ群に含まれる第１位置合わせマーカと第２位置合わせマーカ群に含まれる第２位置合わせマーカとは、相補的な形状になっている。ここでは、第１位置合わせマーカ１２Ａの形状を、例えば十字型とし、第２位置合わせマーカ１３Ａの形状を、田の字型としている。

まず、第１光素子１に端面位置検知マーカ群１１を作成する工程について説明する。
この工程では、第１光素子１の表面（上面）に、図４に示すように、第１光素子１のへき開によって形成された端面４の位置を検知しうる、複数の端面位置検知マーカ１１Ａを含む端面位置検知マーカ群１１を形成する。この端面位置検知マーカ群１１は、へき開によって露出した端面位置を検知するために用いられるものである。ここでは、複数の端面位置検知マーカ１１Ａとして、第１光素子１の上面に、例えばリフトオフ法によって、例えばＡｕからなる十字型マーカ１１Ａを形成する。

なお、ここでは、第１光素子１の表面に端面位置検知マーカ群１１を設けているが、これに限られるものではなく、第１光素子１の裏面（下面）に端面位置検知マーカ群１１を設けても良い。
この工程で、へき開によって第１光素子１の端面４を形成する場合の精度ばらつきｄｘをＮ分割し、複数の端面位置検知マーカ１１ＡとしてＮ＋１個の端面位置検知マーカを設ける場合、想定される素子端面に直交する方向（想定される端面から離れる方向）にｄｘ／Ｎずつずらし、かつ、想定される素子端面に沿う方向（想定される端面から離れる方向に直交する方向）に互いに重ならないようにずらして、Ｎ＋１個の端面位置検知マーカ１１Ａを形成する。

例えば、ウエハ状態の第１光素子１をへき開によって個片にする際に想定される端面位置を検知しうる端面位置検知マーカ１１Ａを基準マーカとし、１番目の端面位置検知マーカ１１Ａとして配置する。次に、残りのＮ個の端面位置検知マーカ１１Ａを、基準マーカとしての１番目の端面位置検知マーカ１１Ａからｄｘ／Ｎずつ想定される素子端面に直交する方向にずらし、かつ、想定される素子端面に沿う方向にマーカ同士が重ならない程度の間隔ｄｙだけずらして配置する。このようにして、Ｎ＋１個の端面位置検知マーカ１１Ａを順番に並べて配置する。

ここで、例えばＩｎＰ基板上に形成された第１光素子１（ＩｎＰ素子）の端面４をへき開によって形成する場合、通常、約２０μｍ程度以内の端面位置のずれが生じる。つまり、精度ばらつきｄｘは約２０μｍである。ここでは、Ｎを２０とし、精度ばらつきｄｘ（＝約２０μｍ）を２０分割し、即ち、約２０μｍを２０で割って、図４中、ｘ軸に沿う方向へずらす量ｄｘ／Ｎを約１μｍとし、２１個の端面位置検知マーカ１１Ａからなる端面位置検知マーカ群１１を設ける。また、ここでは、端面位置検知マーカ１１Ａとして、約１０μｍ×約１０μｍの大きさの十字型マーカを設ける。そして、マーカ同士が重ならないように、図４中、ｙ方向へずらす量ｄｙを約１０μｍとする。つまり、ここでは、ウエハ状態の第１光素子１をへき開によって個片にする際に想定される端面位置の近傍領域に、約１０μｍ×約１０μｍの大きさの２１個の十字型マーカ１１Ａを、図４中、ｘ軸に沿う方向へ約１μｍずつずらし、ｙ軸に沿う方向へ約１０μｍずつずらして配置する。なお、図４中、番号１〜２１は、端面位置検知マーカ１１Ａを配置する際の順番を示している。

このように、２１個の十字型マーカ１１Ａを、図４中、ｘ軸に沿う方向へ約１μｍずつずらして設けることで、精度ばらつきである約２０μｍの範囲内で、約１μｍの精度で、第１光素子１の端面位置（へき開位置）を特定することができる。
特に、ここでは、端面位置検知マーカ群１１を配置するスペースを小さくするために、２１個の十字型マーカ１１Ａを２列に並べて配置する。例えば、図４中、ｘ軸に沿う方向へ約１μｍずつずらして順番に十字型マーカ１１Ａを配置する場合に、奇数番目の十字型マーカ１１Ａ及び偶数番目の十字型マーカ１１Ａをそれぞれ１列に並べ、奇数番目の十字型マーカ１１Ａに対して偶数番目の十字型マーカ１１Ａを約５５μｍだけ、図４中、ｙ軸に沿う方向へずらして配置する。つまり、上述のようにして１番目の十字型マーカ１１Ａを配置した後、２番目の十字型マーカ１１Ａは、１番目の十字型マーカ１１Ａに対して、図４中、ｘ軸に沿う方向（負の方向）へ約１μｍずらし、かつ、ｙ軸に沿う方向（負の方向）へ約５５μｍずらして配置する。次いで、３番目の十字型マーカ１１Ａは、２番目の十字型マーカ１１Ａに対して、図４中、ｘ軸に沿う方向（負の方向）へ約１μｍずらし、かつ、１番目の十字型マーカ１１Ａに対して、図４中、ｙ軸に沿う方向（負の方向）へ約１０μｍずらして配置する。次に、４番目の十字型マーカ１１Ａは、３番目の十字型マーカ１１Ａに対して、図４中、ｘ軸に沿う方向（負の方向）へ約１μｍずらし、かつ、ｙ軸に沿う方向（負の方向）へ約５５μｍずらして配置する。以後、同様にして、２１個の十字型マーカ１１Ａを配置する。なお、十字型マーカ１１Ａの配置の仕方はこれに限られるものではない。例えば、２１個の十字型マーカ１１Ａが、互いに、図４中、ｘ軸に沿う方向へ約１μｍずつずれており、ｙ軸に沿う方向へ約１０μｍずつずれていれば、任意の順番で配置しても良い。

次に、第１光素子１に第１位置合わせマーカ群１２を形成する工程について説明する。
この工程では、第１光素子１の裏面（下面）であって、端面位置検知マーカ群１１よりも第１光素子１の想定される端面から遠い側に、複数の端面位置検知マーカ１１Ａのそれぞれに対応する複数の第１位置合わせマーカ１２Ａを含む第１位置合わせマーカ群１２を形成する。なお、第１位置合わせマーカ群１２は、第２光素子２との位置合わせ、即ち、第２光素子２に備えられる第２斜め導波路８との位置合わせを行なうのに用いられるものである。ここでは、複数の第１位置合わせマーカ１２Ａとして、第１光素子１の下面に、例えばリフトオフ法によって、例えばＡｕからなる十字型マーカを形成する。

なお、ここでは、第１光素子１の裏面に第１位置合わせマーカ群１２を設けているが、これに限られるものではなく、第１光素子１の表面（上面）に第１位置合わせマーカ群１２を設けても良い。
特に、本実施形態では、第１位置合わせマーカ群１２と端面位置検知マーカ群１１とが、想定される素子端面に平行な直線であって、かつ、端面位置検知マーカ群１１を挟んで想定される素子端面の反対側に位置する直線に対して線対称な位置に対して、対応する端面位置検知マーカ１１Ａと第１位置合わせマーカ１２Ａとが第１斜め導波路５に平行な直線上に位置するように、ずらした位置に配置されるように、上述のように配置された端面位置検知マーカ群１１に対して、第１位置合わせマーカ群１２を形成する。

このため、この工程で、へき開によって第１光素子１の端面４を形成する場合の精度ばらつきｄｘをＮ分割し、複数の端面位置検知マーカ１１ＡとしてＮ＋１個の端面位置検知マーカを設ける場合、複数の第１位置合わせマーカ１２ＡとしてＮ＋１個の第１位置合わせマーカを設けることになる。つまり、第１光素子１の端面４を形成する場合の精度ばらつきｄｘをＮ分割し、第１位置合わせマーカ群１２としてＮ＋１個の第１位置合わせマーカ１２Ａを設ける場合、想定される素子端面に直交する方向（想定される端面に近づく方向）にｄｘ／Ｎずつずらし、かつ、想定される素子端面に沿う方向（想定される端面に近づく方向に直交する方向）に互いに重ならないようにずらして、Ｎ＋１個の第１位置合わせマーカ１２Ａを形成する。

この場合、へき開された個片の第１光素子１は、第１光素子１の端面を形成する場合の精度ばらつきｄｘをＮ分割し、第１位置合わせマーカ群１２としてＮ＋１個の第１位置合わせマーカ１２Ａを設ける場合、Ｎ＋１個の第１位置合わせマーカ１２Ａは、素子端面４に直交する方向にｄｘ／Ｎずつずらされており、かつ、素子端面４に沿う方向に互いに重ならないようにずらされているものとなる。

例えば、ウエハ状態の第１光素子１をへき開によって個片にする際に想定される端面位置を検知しうる端面位置検知マーカ１１Ａを基準マーカとし、１番目の端面位置検知マーカ１１Ａとして配置する場合、１番目の端面位置検知マーカ１１Ａから第１斜め導波路５に平行な直線Ｘ上で任意の距離だけ離れた位置に、基準位置合わせマーカとして、１番目の第１位置合わせマーカ１２Ａを配置する。次に、残りのＮ個の第１位置合わせマーカ１２Ａを、基準位置合わせマーカとしての１番目の第１位置合わせマーカ１２Ａからｄｘ／Ｎずつ想定される素子端面に直交する方向にずらし、かつ、想定される素子端面に沿う方向にマーカ同士が重ならない程度の間隔ｄｙだけずらして配置する。このようにして、Ｎ＋１個の第１位置合わせマーカ１２Ａを順番に並べて配置する。

ここでは、２１個の第１位置合わせマーカ１２Ａからなる第１位置合わせマーカ群１２を設ける。また、ここでは、第１位置合わせマーカ１２Ａとして、約１０μｍ×約１０μｍの大きさの十字型マーカを設ける。つまり、ここでは、約１０μｍ×約１０μｍの大きさの２１個の十字型マーカ１２Ａを、図４中、ｘ軸に沿う方向へ約１μｍずつずらし、ｙ軸に沿う方向へ約１０μｍずつずらして配置する。

特に、ここでは、第１位置合わせマーカ群１２を配置するスペースを小さくするために、２１個の第１位置合わせマーカ１２Ａを２列に並べて配置する。例えば、図４中、ｘ軸に沿う方向へ約１μｍずつずらして順番に第１位置合わせマーカ１２Ａを配置する場合に、奇数番目の第１位置合わせマーカ１２Ａ及び偶数番目の第１位置合わせマーカ１２Ａをそれぞれ１列に並べ、奇数番目の第１位置合わせマーカ１２Ａに対して偶数番目の第１位置合わせマーカ１２Ａを約５５μｍだけ、図４中、ｙ軸に沿う方向へずらして配置する。

つまり、ここでは、第１光素子１に設けられる第１斜め導波路５の角度は７°であるため、１番目の端面位置検知マーカ１１Ａから想定される素子端面に直交する線に対して７°の角度を有する直線Ｘ上を想定される素子端面から離れる方向へ平行移動した位置に、１番目の端面位置検知マーカ１１Ａに対応する１番目の第１位置合わせマーカ１２Ａを配置する。また、ここでは、端面位置検知マーカ群１１と第１位置合わせマーカ群１２とが重ならないように、１番目の端面位置検知マーカ１１Ａから、図４中、ｘ軸に沿う方向（負の方向）へ約６０μｍずらした位置に、１番目の第１位置合わせマーカ１２Ａを配置する。つまり、１番目の端面位置検知マーカ１１Ａと１番目の第１位置合わせマーカ１２Ａとの距離を約６０μｍとする。次に、２番目の端面位置検知マーカ１１Ａに対応する２番目の第１位置合わせマーカ１２Ａは、１番目の第１位置合わせマーカ１２Ａに対して、図４中、ｘ軸に沿う方向（正の方向）へ約１μｍずらし、かつ、ｙ軸に沿う方向（負の方向）へ約５５μｍずらして配置する。次いで、３番目の端面位置検知マーカ１１Ａに対応する３番目の第１位置合わせマーカ１２Ａは、２番目の第１位置合わせマーカ１２Ａに対して、図４中、ｘ軸に沿う方向（正の方向）へ約１μｍずらし、かつ、１番目の第１位置合わせマーカ１２Ａに対して、図４中、ｙ軸に沿う方向（負の方向）へ約１０μｍずらして配置する。次に、４番目の端面位置検知マーカ１１Ａに対応する４番目の第１位置合わせマーカ１２Ａは、３番目の第１位置合わせマーカ１２Ａに対して、図４中、ｘ軸に沿う方向（正の方向）へ約１μｍずらし、かつ、ｙ軸に沿う方向（負の方向）へ約５５μｍずらして配置する。以後、同様にして、２１個の第１位置合わせマーカ１２Ａを配置する。なお、図４中、番号１〜２１は、第１位置合わせマーカ１２Ａを配置する際の順番を示している。

このように、第１位置合わせマーカ群１２を構成する複数の第１位置合わせマーカ１２Ａは、上述の端面位置検知マーカ群１１を構成する複数の端面位置検知マーカ１１Ａの配置の仕方に応じて配置する。
次に、第２光素子２に第２位置合わせマーカ群１３を形成する工程について説明する。
この工程では、第２光素子２の素子実装領域１０の表面（上面）に、図５に示すように、第１斜め導波路５の端面位置と第２斜め導波路８の端面位置とが合った場合に複数の第１位置合わせマーカ１２Ａのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第２位置合わせマーカ１３Ａを含む第２位置合わせマーカ群１３を形成する。なお、第２位置合わせマーカ群１３は、第１光素子２との位置合わせ、即ち、第１光素子２に備えられる第１斜め導波路５との位置合わせを行なうのに用いられるものである。ここでは、複数の第２位置合わせマーカ１３Ａとして、第２光素子２の上面（第１光素子１が接触する面）にエッチングによって形成されたくぼみの底面に、例えばリフトオフ法によって、例えばＡｕからなる田の字型マーカ１３Ａを形成する。

特に、本実施形態では、複数の第２位置合わせマーカ１３Ａは、それぞれ、上述のようにして配置される複数の第１位置合わせマーカ１２Ａに対応する位置に配置される。
このため、この工程で、へき開によって第１光素子１の端面４を形成する場合の精度ばらつきｄｘをＮ分割し、複数の端面位置検知マーカ１１ＡとしてＮ＋１個の端面位置検知マーカを設ける場合、複数の第２位置合わせマーカ１３ＡとしてＮ＋１個の第２位置合わせマーカ１３Ａを設けることになる。つまり、第１光素子１の端面４を形成する場合の精度ばらつきｄｘをＮ分割し、第２位置合わせマーカ群１３としてＮ＋１個の第２位置合わせマーカ１３Ａを設ける場合、素子端面７に直交する方向（端面７に近づく方向）に２ｄｘ／Ｎずつずらし、かつ、素子端面７に沿う方向（端面７に近づく方向に直交する方向）にｄｙ−ｄｘ／Ｎ・ｔａｎθ１ずつずらして、Ｎ＋１個の第２位置合わせマーカ１３Ａを形成する。ここで、θ１は第１光素子１の斜め導波路５の角度である。

例えば、ウエハ状態の第１光素子１をへき開によって個片にする際に想定される端面位置を検知しうる端面位置検知マーカ１１Ａを基準マーカとし、１番目の端面位置検知マーカ１１Ａとして配置する場合、１番目の第１位置合わせマーカ１２Ａと合わせたときに第１斜め導波路５の端面位置と第２斜め導波路８の端面位置とが合う位置に、基準位置合わせマーカとして、１番目の第２位置合わせマーカ１３Ａを配置する。次に、残りのＮ個の第２位置合わせマーカ１３Ａを、基準位置合わせマーカとしての１番目の第２位置合わせマーカ１３Ａから２ｄｘ／Ｎずつ素子端面７に直交する方向にずらし、かつ、素子端面７に沿う方向にｄｙ−ｄｘ／Ｎ・ｔａｎθ１ずつずらして配置する。このようにして、Ｎ＋１個の第２位置合わせマーカ１３Ａを順番に並べて配置する。

ここでは、２１個の第２位置合わせマーカ１３Ａからなる第２位置合わせマーカ群１３を設ける。また、ここでは、第２位置合わせマーカ１３Ａとして、約１０μｍ×約１０μｍの大きさの田の字型マーカを設ける。つまり、ここでは、約１０μｍ×約１０μｍの大きさの２１個の田の字型マーカ１３Ａを、図５中、ｘ軸に沿う方向へ約２μｍずつずらし、ｙ軸に沿う方向へ１０μｍ−１μｍ×ｔａｎ７°程度ずつずらして配置する。なお、図５中、番号１〜２１は、第２位置合わせマーカ１３Ａを配置する際の順番を示している。

しかし、２１個の第２位置合わせマーカ１３Ａを１列に並べると、スペースを多くとってしまう。
そこで、図６に示すように、２１個の第２位置合わせマーカ１３Ａを２列に並べて配置するのが好ましい。例えば、図６中、ｘ軸に沿う方向へ約２μｍずつずらして順番に第２位置合わせマーカ１３Ａを配置する場合に、奇数番目の第２位置合わせマーカ１３Ａ及び偶数番目の第２位置合わせマーカ１３Ａをそれぞれ１列に並べ、奇数番目の第２位置合わせマーカ１３Ａに対して偶数番目の第２位置合わせマーカ１３Ａを、図６中、ｙ軸に沿う方向へ５５μｍ−１μｍ×ｔａｎ７°程度ずらして配置する。

つまり、ここでは、上述のようにして、１番目の第１位置合わせマーカ１２Ａに対応する位置に１番目の第２位置合わせマーカ１３Ａを配置する。次に、２番目の第１位置合わせマーカ１２Ａに対応する２番目の第２位置合わせマーカ１３Ａは、１番目の第２位置合わせマーカ１３Ａに対して、図６中、ｘ軸に沿う方向（正の方向；素子端面７に近づく方向）へ約２μｍずらし、かつ、ｙ軸に沿う方向（負の方向）へ５５μｍ−１μｍ×ｔａｎ７°程度ずらして配置する。次いで、３番目の第１位置合わせマーカ１２Ａに対応する３番目の第２位置合わせマーカ１３Ａは、２番目の第２位置合わせマーカ１３Ａに対して、図６中、ｘ軸に沿う方向（正の方向）へ約２μｍずらし、かつ、１番目の第２位置合わせマーカ１３Ａに対して、図６中、ｙ軸に沿う方向（負の方向）へ１０μｍ−２μｍ×ｔａｎ７°程度ずらして配置する。次に、４番目の第１位置合わせマーカ１２Ａに対応する４番目の第２位置合わせマーカ１３Ａは、３番目の第２位置合わせマーカ１３Ａに対して、図６中、ｘ軸に沿う方向（正の方向）へ約２μｍずらし、かつ、ｙ軸に沿う方向（負の方向）へ５５μｍ−１μｍ×ｔａｎ７°程度ずらして配置する。以後、同様にして、２１個の第２位置合わせマーカ１３Ａを配置する。なお、図６中、番号１〜２１は、第２位置合わせマーカ１３Ａを配置する際の順番を示している。

ここで、図６中、ｘ軸に沿う方向へ約２μｍずつずらして配置するのは、第１位置合わせマーカ１２Ａをｘ軸に沿う方向へ約１μｍずつずらして配置するのに加えて、一つ後の順番で配置する第２位置合わせマーカ１３Ａを用いる場合は、その前の順番で配置する第２位置合わせマーカ１３Ａを用いる場合に対して、第１斜め導波路５の端面位置が、ｘ軸に沿う方向へ約１μｍずれているからである。

また、奇数番目の第２位置合わせマーカ１３Ａに対して偶数番目の第２位置合わせマーカ１３Ａを、図６中、ｙ軸に沿う方向へ５５μｍ−１μｍ×ｔａｎ７°程度ずらして配置するのは、奇数番目の第１位置合わせマーカ１２Ａに対して偶数番目の第１位置合わせマーカ１２Ａを、図４中、ｙ軸に沿う方向へ約５５μｍずらして配置するのに加えて、一つ後の順番で配置する第２位置合わせマーカ１３Ａを用いる場合は、その前の順番で配置する第２位置合わせマーカ１３Ａを用いる場合に対して、第１斜め導波路５の端面位置が、ｙ軸に沿う方向へ１μｍ×ｔａｎ７°程度ずれているからである。

このようにして、ウエハ状態の第１光素子１に、端面位置検知マーカ群１１及び第１位置合わせマーカ群１２を形成するとともに、個片の第２光素子２に、第２位置合わせマーカ群１３を形成した後、以下のようにして、第２光素子２上に第１光素子１を実装する。
次に、第２光素子２上に第１光素子１を実装する工程について説明する。
この工程では、まず、ウエハ状態の第１光素子１をへき開して、個片の第１光素子１を作製する。つまり、第１光素子１の端面４をへき開によって形成する。

次に、第１光素子１を第２光素子２の素子実装領域１０に載せ、端面位置を検知した端面位置検知マーカ１１Ａに対応する第１位置合わせマーカ１２Ａと、第１位置合わせマーカ１２Ａに対応する第２位置合わせマーカ１３Ａとを位置合わせすることによって第１斜め導波路５の端面と第２斜め導波路８の端面とを位置合わせして、第２光素子２上に第１光素子１を実装する。

ここでは、まず、端面位置検知マーカ群１１を用いて、へき開によって形成された第１光素子１の端面４の位置を検知する。次に、端面位置を検知した端面位置検知マーカ１１Ａに対応する第１位置合わせマーカ１２Ａを選択する。また、選択された第１位置合わせマーカ１２Ａに対応する第２位置合わせマーカ１３Ａを選択する。そして、選択された第１位置合わせマーカ１２Ａと、これに対応する第２位置合わせマーカ１３Ａとを位置合わせすることによって、第１光素子１と第２光素子２との位置合わせ、即ち、第１斜め導波路５の端面と第２斜め導波路８の端面との位置合わせを行なって、第２光素子２上に第１光素子１を実装する。

以下、第１光素子１の端面が、端面位置検知マーカ群１１の中の７番目の端面位置検知マーカ１１Ａの右端の位置で形成された場合を例に挙げて、図７〜図９を参照しながら説明する。
まず、図７に示すように、第１光素子１の端面４をへき開によって形成する（ステップＳ１０）。

次に、図７に示すように、端面位置検知マーカ群１１の中から、元の十字型の形状を維持している端面位置検知マーカ１１Ａであって、その右端が第１光素子１の端面４に接しているものを検知する（ステップＳ２０）。つまり、端面位置検知マーカ群１１の中から、元の十字型の形状を維持している端面位置検知マーカ１１Ａであって、図８中、最も右側にあるものを検知する。このようにして、端面位置検知マーカ群１１を用いて、へき開によって形成された第１光素子１の端面４の位置を検知する。なお、この端面位置検知マーカ群１１を用いた端面位置の検知は、カメラを用い、各端面位置検知マーカ１１Ａの形状を観察して行なっても良いし、カメラで撮像したものをコンピュータで処理して、自動的に行なうようにしても良い。

ここでは、１番目から６番目までの端面位置検知マーカ１１Ａは、一部が欠損してもとの形状を維持していない。このため、元の形状を維持しており、その右端が第１光素子１の端面４に接しているもの（即ち、図８中、最も右側にあるもの）として、７番目の端面位置検知マーカ１１Ａが検知される。
次に、図７に示すように、端面位置を検知した端面位置検知マーカ１１Ａに対応する第１位置合わせマーカ１２Ａを選択する（ステップＳ３０）。ここでは、７番目の端面位置検知マーカ１１Ａが、端面位置を検知した端面位置検知マーカであるため、この７番目の端面位置検知マーカ１１Ａに対応する７番目の第１位置合わせマーカ１２Ａを選択する。

また、選択された第１位置合わせマーカ１２Ａに対応する第２位置合わせマーカ１３Ａを選択する。ここでは、７番目の第１位置合わせマーカ１２Ａが選択されたため、この７番目の第１位置合わせマーカ１２Ａに対応する７番目の第２位置合わせマーカ１３Ａを選択する。
次に、図７に示すように、例えばフリップチップボンダによって、第１光素子１をピックアップし、第２光素子２の上方に運ぶ（ステップＳ４０）。そして、第１光素子１と第２光素子２との間に、上下を同時に観察できるカメラ又は上方視野と下方視野とを切り替え可能なカメラを移動させ、これを用いて、７番目の第１位置合わせマーカ１２Ａと７番目の第２位置合わせマーカ１３Ａとが合うように、第１光素子１をｘ−ｙ平面内で平行移動させる（ステップＳ４０）。つまり、７番目の第１位置合わせマーカ１２Ａと７番目の第２位置合わせマーカ１３Ａとを位置合わせすることによって、第１光素子１と第２光素子２との位置合わせ、即ち、第１斜め導波路５の端面と第２斜め導波路８の端面との位置合わせを行なう。この第１斜め導波路５の端面と第２斜め導波路８の端面との位置合わせは、水平方向での位置合わせであり、導波路の幅方向の位置合わせである。これにより、へき開によって形成される第１光素子１の端面位置のずれを補正することができる。

ここでは、第１光素子１をｘ−ｙ平面内で平行移動させた後、７番目の第１位置合わせマーカ１２Ａと７番目の第２位置合わせマーカ１３Ａとが合ったか否かを判定し（ステップＳ５０）、合っていない場合（ｎｏルート）には、ステップＳ４０へ戻り、処理を繰り返す。
そして、７番目の第１位置合わせマーカ１２Ａと７番目の第２位置合わせマーカ１３Ａとが合ったら（図９参照）、アライメントを終了し（ｙｅｓルート）、カメラを素子付近から退避させる。

その後、第１光素子１を降下させ、第１光素子１を第２光素子２上に固定する（ステップＳ６０）。
ここでは、第２光素子２を加熱して、はんだ１７によって、第１光素子１の電極１４と第２光素子２の電極１６とを電気的に接続することで、第１光素子１を第２光素子２上に固定する（図１参照）。

なお、上述の実装工程における処理（図７のフローチャートに示す処理）は、コンピュータ等を用いて自動制御で行なうようにしても良い。
ところで、本実施形態では、図１０に示すように、第２光素子２の素子実装領域１０の表面、即ち、素子実装領域１０において露出した基板３の表面上に高さ調整用台座１５が設けられており、この高さ調整用台座１５によって第１光素子１が支持されるようにする。つまり、第１光素子１の裏面（下面；電極窓１４Ａ内の半導体表面）と第２光素子２の高さ調整用台座１５が接触するように、第２光素子２上に第１光素子１を配置する。これにより、第１光素子１の第１斜め導波路５の端面と第２光素子２の第２斜め導波路８の端面との垂直方向での位置合わせ、即ち、導波路の高さ方向の位置合わせを行なう。

ここでは、第１光素子１のクラッド層（ここではＩｎＰ層）の膜厚制御、第２光素子２のクラッド層（ここではＳｉＯ_２層）の膜厚制御及び高さ調整用台座１５を形成するための選択エッチングの制御によって、第１斜め導波路５の高さ方向位置と第２斜め導波路８の高さ方向位置とを精密に制御する。これにより、第１光素子１の裏面と第２光素子２の高さ調整用台座１５が接触するように、第２光素子２上に第１光素子１を配置するだけで、第１光素子１の第１斜め導波路５の端面と第２光素子２の第２斜め導波路８の端面との垂直方向での位置合わせを精密に行なうことができる。

特に、このような導波路の高さ方向の位置合わせを精密に行なえるように、第１光素子１の裏面（底面；第２光素子２との接合面）に設けられる電極窓１４Ａを、図１０，１１に示すように、第１光素子１の端面位置がずれても、第２光素子２の高さ調整用台座１５が第１光素子１の電極１４に接触しないような大きさにする。
例えば、１番目の第１位置合わせマーカ１２Ａと１番目の第２位置合わせマーカ１３Ａを合わせた場合に、高さ調整用台座１５の図１０，１１中、右側の側面に対応する位置よりも、図１０，１１中、右側に、電極窓１４Ａの図１０，１１中、右側の辺が位置するように、電極窓１４Ａを形成する。

また、２１番目の第１位置合わせマーカ１２Ａと２１番目の第２位置合わせマーカ１３Ａを合わせた場合に、高さ調整用台座１５の図１０，１１中、左側の側面に対応する位置よりも、図１０，１１中、左側に、電極窓１４Ａの図１０，１１中、左側の辺が位置するように、電極窓１４Ａを形成する。
ここでは、１番目の第２位置合わせマーカ１２Ａの位置と２１番目の第２位置合わせマーカ１３Ａの位置とは、図５，６中、ｘ軸に沿う方向へ約４０μｍ（＝約２μｍ×２０）ずれている。このため、電極窓１４Ａの図１０，１１中、ｘ軸に沿う方向の大きさは、高さ調整用台座１５の図１０，１１中、ｘ軸に沿う方向の大きさよりも、少なくとも約４０μｍ大きくする。

また、１番目の第１位置合わせマーカ１２Ａと１番目の第２位置合わせマーカ１３Ａを合わせた場合に、高さ調整用台座１５の図１０，１１中、上側の側面に対応する位置よりも、図１０，１１中、上側に、電極窓１４Ａの図１０，１１中、上側の辺が位置するように、電極窓１４Ａを形成する。
また、２１番目の第１位置合わせマーカ１２Ａと２１番目の第２位置合わせマーカ１３Ａを合わせた場合に、高さ調整用台座１５の図１０，１１中、下側の側面に対応する位置よりも、図１０，１１中、下側に、電極窓１４Ａの図１０，１１中、下側の辺が位置するように、電極窓１４Ａを形成する。

ここで、第２位置合わせマーカ１３Ａを１列に並べた場合、１番目の第２位置合わせマーカ１３Ａの位置と２１番目の第２位置合わせマーカ１３Ａの位置とは、図５中、ｙ軸に沿う方向へ（１０μｍ−１μｍ×ｔａｎ７°）×２１程度ずれている。このため、電極窓１４Ａの図１０，１１中、ｙ軸に沿う方向の大きさは、高さ調整用台座１５の図１０，１１中、ｙ軸に沿う方向の大きさよりも、少なくとも（１０μｍ−１μｍ×ｔａｎ７°）×２１程度大きくする。

第２位置合わせマーカ１３Ａを２列に並べた場合、１番目の第２位置合わせマーカ１３Ａの位置と２１番目の第２位置合わせマーカ１３Ａの位置とは、図５中、ｙ軸に沿う方向へ（５５μｍ−１μｍ×ｔａｎ７°）＋（１０μｍ−２μｍ×ｔａｎ７°）×１０程度ずれている。このため、電極窓１４Ａの図１０，１１中、ｙ軸に沿う方向の大きさは、高さ調整用台座１５の図１０，１１中、ｙ軸に沿う方向の大きさよりも、少なくとも（５５μｍ−１μｍ×ｔａｎ７°）＋（１０μｍ−２μｍ×ｔａｎ７°）×１０程度大きくする。

このようにして、第２光素子２上に第１光素子１を実装する。
上述のようにして、第２光素子２上に第１光素子１を実装することで、へき開によって形成される第１光素子１の端面４の位置がずれてしまった場合であっても、第１光素子１の第１斜め導波路５の端面と第２光素子２の第２斜め導波路８の端面とがずれないように、第２光素子２上に第１光素子１を実装することができる。

したがって、本実施形態にかかる光集積素子及びその製造方法によれば、斜め導波路を有する光素子を集積する場合に、素子端面の位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なえるという利点がある。
なお、本発明は、上述した実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。

例えば、上述の実施形態では、第１光素子１の端面４をへき開によって形成するようにしているが、これに限られるものではなく、端面位置がずれてしまう他の方法によって第１光素子の端面を形成する場合にも、本発明を適用することができる。
また、上述の実施形態では、複数の端面位置検知マーカ１１Ａを約１μｍずつずらして配置しているが、ずらす量はこれに限られるものではない。例えば、結合させる導波路同士の許容結合損失量、光素子上のマーカを配置できるスペース、マーカの読み出し精度などを考慮して決定すれば良い。なお、上述の実施形態では、約１μｍのｘ方向の位置ずれに対して、結合損失が約０．１ｄＢ程度と小さい値であるため、複数の端面位置検知マーカ１１Ａを約１μｍずつずらせば十分である。

また、上述の実施形態では、端面位置検知マーカ群１１、第１位置合わせマーカ群１２及び第２位置合わせマーカ群１３を、図１に示すように、導波路の上側に設けているが、これに限られるものではない。例えば、図１２に示すように、端面位置検知マーカ群１１、第１位置合わせマーカ群１２及び第２位置合わせマーカ群１３を、導波路の上側及び下側（導波路を挟んで両側）に設けても良い。また、端面位置検知マーカ群１１、第１位置合わせマーカ群１２及び第２位置合わせマーカ群１３を、導波路の下側に設けても良い。また、端面位置検知マーカ群１１を、導波路の上側に設け、第１位置合わせマーカ群１２及び第２位置合わせマーカ群１３を、導波路の下側に設けても良い。また、端面位置検知マーカ群１１を、導波路の下側に設け、第１位置合わせマーカ群１２及び第２位置合わせマーカ群１３を、導波路の上側に設けても良い。また、端面位置検知マーカ群１１を、導波路を挟んで両側に設け、第１位置合わせマーカ群１２及び第２位置合わせマーカ群１３を、導波路の一方の側に設けても良い。また、端面位置検知マーカ群１１を、導波路の一方の側に設け、第１位置合わせマーカ群１２及び第２位置合わせマーカ群１３を、導波路を挟んで両側に設けても良い。

また、上述の実施形態では、端面位置検知マーカの形状を十字型とし、大きさを約１０μｍ×約１０μｍとしているが、これに限られるものではなく、へき開位置（端面位置）を検知できる形状及び大きさであれば良い。例えば、端面位置検知マーカ１１Ａの形状は、図１３（Ａ）〜（Ｄ）のそれぞれに示すように、十字型、Ｔ字型、くさび型、スリット型のいずれかにするのが好ましい。また、元の形状を維持しているか否かによってへき開位置を検知できるものが好ましい。

また、上述の実施形態では、位置合わせを行ないやすくするために、第１位置合わせマーカ１２Ａの形状を十字型とし、第２位置合わせマーカ１３Ａの形状を田の字型としているが、各マーカの形状及び組み合わせは、これに限られるものではない。なお、位置合わせを行ないやすくするためには、第１位置合わせマーカ及び第２位置合わせマーカとして、相補的な形状のマーカを形成するのが好ましい。

また、上述の実施形態では、図４，６中、ｙ軸に沿う方向への配置スペースを小さくするために、各マーカ群に含まれる複数のマーカを２列に並べて配置しているが、マーカの配列の仕方はこれに限られるものではない。例えば、１列に並べて配置しても良いし、３列以上に並べて配置しても良い。但し、配置スペースを小さくすることができるという点で、複数列に並べて配置するのが好ましい。

また、上述の実施形態では、各マーカ群１１，１２，１３に含まれる複数のマーカ１１Ａ，１２Ａ，１３Ａを順番に配置する際に、奇数番目のマーカを１列に順番に配置し、偶数番目のマーカを１列に順番に配置するようにしているが、これに限られるものではない。例えば、各マーカ群に含まれる複数のマーカの位置がずれていれば、配置する順番は任意に決めることができる。

また、上述の実施形態では、第１光素子１と第２光素子２との間にカメラを置いて、第１位置合わせマーカ１２Ａ及び第２位置合わせマーカ１３Ａを観察しながらアライメントを行なうようにしているが、これに限られるものではない。例えば、赤外カメラを用いて、素子の上方又は下方からの第１位置合わせマーカ及び第２位置合わせマーカの透過像を観察しながらアライメントを行なうようにしても良い。また、第１位置合わせマーカ１２Ａ及び第２位置合わせマーカ１３Ａをカメラで撮像し、これをコンピュータで処理して、自動的にアライメントを行なうようにしても良い。

また、上述の実施形態では、第１光素子１をＩｎＰ基板上に形成された発光素子とし、第２光素子２をＳｉ基板上に形成された光導波路素子としているが、これに限られるものではなく、第１光素子及び第２光素子は、素子端面に対して斜めの導波路を有するものであれば良い。例えば、上述の実施形態では、第１光素子１及び第２光素子２は、それぞれ、直線導波路６、９を有するが、第１光素子及び第２光素子は、直線導波路を有しないものであっても良い。

また、上述の実施形態では、ＩｎＰ素子１の斜め導波路５の角度を約７°とし、Ｓｉ素子２の斜め導波路８の角度を約１５°としているが、角度はこれらに限られるものではない。但し、例えばＩｎＰ素子１の斜め導波路５の角度を変更した場合は、それに応じてＳｉ素子２の斜め導波路８の角度も変更することになる。
また、上述の実施形態の光集積素子を光ファイバと結合する場合には、光素子の導波路の端面近傍にスポットサイズ変換器を設けても良い。これにより、光ファイバとの光の結合効率を向上させることができる。

以下、上述の実施形態及びその変形例に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
第１斜め導波路を有する第１光素子の表面又は裏面に、前記第１光素子の端面位置を検知しうる、複数の端面位置検知マーカを含む端面位置検知マーカ群を形成する工程と、
前記第１光素子の表面又は裏面に、前記複数の端面位置検知マーカのそれぞれに対応する複数の第１位置合わせマーカを含む第１位置合わせマーカ群を形成する工程と、
第２斜め導波路を有する第２光素子の素子実装領域の表面に、前記第１斜め導波路の端面位置と前記第２斜め導波路の端面位置とが合った場合に前記複数の第１位置合わせマーカのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第２位置合わせマーカを含む第２位置合わせマーカ群を形成する工程と、
前記第１光素子を前記第２光素子の前記素子実装領域に載せ、前記第１光素子の端面位置を検知した端面位置検知マーカに対応する第１位置合わせマーカと、前記第１位置合わせマーカに対応する第２位置合わせマーカとを位置合わせすることによって前記第１斜め導波路の端面と前記第２斜め導波路の端面とを位置合わせして、前記第２光素子上に前記第１光素子を実装する工程とを含むことを特徴とする光集積素子の製造方法。

（付記２）
前記端面位置検知マーカ群を形成する工程及び前記第１位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記端面位置検知マーカ群と前記第１位置合わせマーカ群とを、想定される素子端面に平行な直線であって、かつ、前記端面位置検知マーカ群を挟んで想定される素子端面の反対側に位置する直線に対して線対称な位置に対して、対応する端面位置検知マーカと第１位置合わせマーカとが前記第１斜め導波路に平行な直線上に位置するように、ずらした位置に形成することを特徴とする、付記１に記載の光集積素子の製造方法。

（付記３）
前記端面位置検知マーカ群を形成する工程において、前記第１光素子の端面を形成する場合の精度ばらつきｄｘをＮ分割し、前記複数の端面位置検知マーカとしてＮ＋１個の端面位置検知マーカを設ける場合、想定される素子端面に直交する方向にｄｘ／Ｎずつずらし、かつ、前記想定される素子端面に沿う方向に互いに重ならないようにずらして、前記Ｎ＋１個の端面位置検知マーカを形成することを特徴とする、付記１又は２に記載の光集積素子の製造方法。

（付記４）
前記第１位置合わせマーカ群を形成する工程及び前記第２位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記第１位置合わせマーカ及び前記第２位置合わせマーカとして、相補的な形状を有するマーカを形成することを特徴とする、付記１〜３のいずれか１項に記載の光集積素子の製造方法。

（付記５）
前記第２光素子上に前記第１光素子を実装する工程において、前記第１光素子の電極と前記第２光素子の電極とを電気的に接続して、前記第２光素子上に前記第１光素子を実装することを特徴とする、付記１〜４のいずれか１項に記載の光集積素子の製造方法。
（付記６）
前記端面位置検知マーカ群を形成する工程において、前記複数の端面位置検知マーカを複数列に並べて配置し、
前記第１位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記複数の第１位置合わせマーカを複数列に並べて配置し、
前記第２位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記複数の第２位置合わせマーカを複数列に並べて配置することを特徴とする、付記１〜５のいずれか１項に記載の光集積素子の製造方法。

（付記７）
素子端面に対して斜めの第１斜め導波路を有する第１光素子と、
素子端面に対して斜めの第２斜め導波路を有する第２光素子とを備え、
前記第１斜め導波路の端面位置と前記第２斜め導波路の端面位置とが合わされた状態で前記第２光素子上に前記第１光素子が実装されており、
前記第１光素子は、表面又は裏面に、前記第１光素子の端面に接する端面位置検知マーカを含む端面位置検知マーカ群を有し、かつ、表面又は裏面に、前記端面位置検知マーカに対応する第１位置合わせマーカを含む第１位置合わせマーカ群を有し、
前記第２光素子は、素子実装領域の表面に、前記第１位置合わせマーカに位置が合っている第２位置合わせマーカを含む第２位置合わせマーカ群を有することを特徴とする光集積素子。

（付記８）
前記端面位置検知マーカ群と前記第１位置合わせマーカ群とが、想定される素子端面に平行な直線であって、かつ、前記端面位置検知マーカ群を挟んで想定される素子端面の反対側に位置する直線に対して線対称な位置に対して、対応する端面位置検知マーカと第１位置合わせマーカとが前記第１斜め導波路に平行な直線上に位置するように、ずらした位置に配置されていることを特徴とする、付記７に記載の光集積素子。

（付記９）
前記第１光素子の端面を形成する場合の精度ばらつきｄｘをＮ分割し、前記第１位置合わせマーカ群としてＮ＋１個の第１位置合わせマーカを設ける場合、前記Ｎ＋１個の第１位置合わせマーカは、前記素子端面に直交する方向にｄｘ／Ｎずつずらされており、かつ、前記素子端面に沿う方向に互いに重ならないようにずらされていることを特徴とする、付記７又は８に記載の光集積素子。

（付記１０）
前記第１位置合わせマーカ及び前記第２位置合わせマーカとして、相補的な形状を有するマーカが形成されていることを特徴とする、付記７〜９のいずれか１項に記載の光集積素子。
（付記１１）
前記複数の端面位置検知マーカ、前記複数の第１位置合わせマーカ及び前記複数の第２位置合わせマーカは、いずれも、複数列に並べて配置されていることを特徴とする、付記７〜１０のいずれか１項に記載の光集積素子。

１ 第１光素子
２ 第２光素子
３ 基板
４ 第１光素子の端面
５ 斜め導波路（第１斜め導波路）
６ 直線導波路
７ 第２光素子の端面
８ 斜め導波路（第２斜め導波路）
９ 直線導波路
１０ 素子実装領域
１１ 端面位置検知マーカ群
１１Ａ 端面位置検知マーカ
１２ 第１位置合わせマーカ群
１２Ａ 第１位置合わせマーカ
１３ 第２位置合わせマーカ群
１３Ａ 第２位置合わせマーカ
１４ 電極
１４Ａ 電極窓
１５ 高さ調整用台座
１６ 電極
１７ はんだ

Claims (6)

1. 第１斜め導波路を有する第１光素子の表面又は裏面に、前記第１光素子の端面位置を検知しうる、複数の端面位置検知マーカを含む端面位置検知マーカ群を形成する工程と、
   前記第１光素子の表面又は裏面に、前記複数の端面位置検知マーカのそれぞれに対応する複数の第１位置合わせマーカを含む第１位置合わせマーカ群を形成する工程と、
   第２斜め導波路を有する第２光素子の素子実装領域の表面に、前記第１斜め導波路の端面位置と前記第２斜め導波路の端面位置とが合った場合に前記複数の第１位置合わせマーカのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第２位置合わせマーカを含む第２位置合わせマーカ群を形成する工程と、
   前記第１光素子を前記第２光素子の前記素子実装領域に載せ、前記第１光素子の端面位置を検知した端面位置検知マーカに対応する第１位置合わせマーカと、前記第１位置合わせマーカに対応する第２位置合わせマーカとを位置合わせすることによって前記第１斜め導波路の端面と前記第２斜め導波路の端面とを位置合わせして、前記第２光素子上に前記第１光素子を実装する工程とを含むことを特徴とする光集積素子の製造方法。
2. 前記端面位置検知マーカ群を形成する工程及び前記第１位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記端面位置検知マーカ群と前記第１位置合わせマーカ群とを、想定される素子端面に平行な直線であって、かつ、前記端面位置検知マーカ群を挟んで想定される素子端面の反対側に位置する直線に対して線対称な位置に対して、対応する端面位置検知マーカと第１位置合わせマーカとが前記第１斜め導波路に平行な直線上に位置するように、ずらした位置に形成することを特徴とする、請求項１に記載の光集積素子の製造方法。
3. 前記端面位置検知マーカ群を形成する工程において、前記第１光素子の端面を形成する場合の精度ばらつきｄｘをＮ分割し、前記複数の端面位置検知マーカとしてＮ＋１個の端面位置検知マーカを設ける場合、想定される素子端面に直交する方向にｄｘ／Ｎずつずらし、かつ、前記想定される素子端面に沿う方向に互いに重ならないようにずらして、前記Ｎ＋１個の端面位置検知マーカを形成することを特徴とする、請求項１又は２に記載の光集積素子の製造方法。
4. 前記第１位置合わせマーカ群を形成する工程及び前記第２位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記第１位置合わせマーカ及び前記第２位置合わせマーカとして、相補的な形状を有するマーカを形成することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光集積素子の製造方法。
5. 前記端面位置検知マーカ群を形成する工程において、前記複数の端面位置検知マーカを複数列に並べて配置し、
   前記第１位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記複数の第１位置合わせマーカを複数列に並べて配置し、
   前記第２位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記複数の第２位置合わせマーカを複数列に並べて配置することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光集積素子の製造方法。
6. 素子端面に対して斜めの第１斜め導波路を有する第１光素子と、
   素子端面に対して斜めの第２斜め導波路を有する第２光素子とを備え、
   前記第１斜め導波路の端面位置と前記第２斜め導波路の端面位置とが合わされた状態で前記第２光素子上に前記第１光素子が実装されており、
   前記第１光素子は、表面又は裏面に、前記第１光素子の端面に接する端面位置検知マーカを含む端面位置検知マーカ群を有し、かつ、表面又は裏面に、前記端面位置検知マーカに対応する第１位置合わせマーカを含む第１位置合わせマーカ群を有し、
   前記第２光素子は、素子実装領域の表面に、前記第１位置合わせマーカに位置が合っている第２位置合わせマーカを含む第２位置合わせマーカ群を有することを特徴とする光集積素子。

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