JP2018040968A - 光モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
(付記1)基板と前記基板上に下部クラッド層、コア層及び上部クラッド層を順次設けた光導波路と、前記光導波路を形成した領域以外に設けた前記コア層と光学的に結合する光素子を搭載する光素子搭載領域と、前記光素子搭載領域において前記光素子を支持する前記基板を加工した支持台座と、前記支持台座に搭載した前記光素子とを有し、前記支持台座の高さが3μm以上であり、前記支持台座の最小幅部分の幅が1μm以下で且つ前記光素子との接触面の面積が前記支持台座の前記基板側の面積と同じ場合に比べて大きい機械的強度が得られる形状である光モジュール。
(付記2)前記支持台座と前記基板との間に、前記基板を加工した支持台座土台をさらに有する付記1に記載の光モジュール。
(付記3)前記支持台座が、前記支持台座の前記基板側の面積が前記光素子との接触面の面積より7倍以上大きい形状である付記1または付記2に記載の光モジュール。
(付記4)前記支持台座が、複数枚の壁状部材からなる付記1乃至付記3のいずれか1に記載の光モジュール。
(付記5)前記複数枚の壁状部材が、T字型壁状部材或いはH字型壁状部材である付記4に記載の光モジュール。
(付記6)前記複数枚の壁状部材が、包囲空間を形成し、且つ、前記包囲空間の最小幅部分の幅が3μm以上である付記4に記載の光モジュール。
(付記7)前記支持台座が、前記包囲空間をマトリクス状に有するメッシュ状支持台座である付記6に記載の光モジュール。
(付記8)前記複数枚の壁状部材の前記光素子との接触面側の面積が、前記複数枚の壁状部材の前記基板側の面積より小さい付記5乃至付記7のいずれか1に記載の光モジュール。
(付記9)前記前記複数枚の壁状部材の先端部に絶縁物サイドウォールを有する付記8に記載の光モジュール。
(付記10)前記基板が、単結晶シリコン層/絶縁膜/単結晶シリコン基板構造のSOI基板の前記単結晶シリコン基板であり、前記下部クラッド層が、前記SOI基板の絶縁膜であり、前記コア層が、前記SOI基板の単結晶シリコン層を加工したものである付記1乃至付記9のいずれか1に記載の光モジュール。
(付記11)前記光素子が、半導体レーザである付記1乃至付記10のいずれか1に記載の光モジュール。
11 基板
12 下部クラッド層
13 コア層
14 上部クラッド層
15 支持台座土台
16 支持台座
17 アライメントマーク
18 光素子
19 半田形成領域
20 光モジュール
21 Si基板
22 BOX層
23 Si細線コア
24 上部クラッド層
25 半導体レーザ
26 半田形成領域
30,40,50,60 支持台座形成用ブロック
31,41 レジストパターン
32,33,42〜45 壁状部材
34 T字型支持台座
35,47,49,55,66 支持台座土台
36 アライメントマーク
37 H字型支持台座
46 枠状支持台座
48 メッシュ状支持台座
51 マスクパターン
52 開口部
53 エッチング凹部
54 角錐台状支持台座
61 Siパターン
62 サイドウォール
63 壁状部材
64 包囲空間
65 支持台座
70 光モジュール
71 基板
72 下部クラッド層
73 コア層
74 上部クラッド層
75 支持台座
76 アライメントマーク
77 半田形成領域
78 メタル配線
79 異物
80 半導体レーザ
81 半導体基板
82 n型クラッド層
83 MQW活性層
84 p型クラッド層
85 破損台座
Claims (6)
- 基板と
前記基板上に下部クラッド層、コア層及び上部クラッド層を順次設けた光導波路と、
前記光導波路を形成した領域以外に設けた前記コア層と光学的に結合する光素子を搭載する光素子搭載領域と、
前記光素子搭載領域において前記光素子を支持する前記基板を加工した支持台座と、
前記支持台座に搭載した前記光素子と
を有し、
前記支持台座の高さが3μm以上であり、
前記支持台座の最小幅部分の幅が1μm以下で且つ前記光素子との接触面の面積が前記支持台座の前記基板側の面積と同じ場合に比べて大きい機械的強度が得られる形状である光モジュール。 - 前記支持台座と前記基板との間に、前記基板を加工した支持台座土台をさらに有する請求項1に記載の光モジュール。
- 前記支持台座が、前記支持台座の前記基板側の面積が前記光素子との接触面の面積より7倍以上大きい形状である請求項1または請求項2に記載の光モジュール。
- 前記支持台座が、前記基板を加工した複数枚の壁状部材からなる請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の光モジュール。
- 前記複数枚の壁状部材が、包囲空間を形成し、且つ、前記包囲空間の最小幅部分の幅が3μm以上である請求項4に記載の光モジュール。
- 前記複数枚の壁形状材の前記光素子との接触面側の面積が、前記複数枚の壁状部材の前記基板側の面積より小さい請求項4または請求項5に記載の光モジュール。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10656080B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-05-19 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Gas detection apparatus |
JPWO2021014720A1 (ja) * | 2019-07-25 | 2021-01-28 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05196844A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-08-06 | Nec Corp | 光結合回路 |
JP2010020180A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Nec Corp | 光導波路デバイスとその製造方法 |
US20110085760A1 (en) * | 2009-10-13 | 2011-04-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Optical devices and methods of fabricating the same |
JP2012182367A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Nec Corp | 部品搭載方法および部品搭載装置 |
WO2014156936A1 (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | 光モジュール及び光モジュール製造方法 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05196844A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-08-06 | Nec Corp | 光結合回路 |
JP2010020180A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Nec Corp | 光導波路デバイスとその製造方法 |
US20110085760A1 (en) * | 2009-10-13 | 2011-04-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Optical devices and methods of fabricating the same |
JP2012182367A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Nec Corp | 部品搭載方法および部品搭載装置 |
WO2014156936A1 (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | 光モジュール及び光モジュール製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10656080B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-05-19 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Gas detection apparatus |
JPWO2021014720A1 (ja) * | 2019-07-25 | 2021-01-28 | ||
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