JP2011232725A - ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 透明基板、金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるブランクマスク。ここで、金属膜及びハードマスク膜のうち少なくとも一つは、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、既存の深さ方向に元素の組成比が均一な薄膜と比較する時、光学密度の均一性、反射率の均一性、表面粗度、耐化学性、耐露光性などを向上させ、成長性欠陥と残留応力の問題を低減させることができる。
【選択図】 図1
Description
(最大組成比−最小組成比)/(最大組成比+最小組成比)×100 (1)
一方、薄膜の深さ方向への密度変化が0.2g/cm3より小さな場合には、薄膜の密度が変わっていない状態と類似になって効果が微小であり、2.0g/cm3より大きい場合には、薄膜内部の応力が互いに大きく変わるという問題がある。また金属膜120は、膜の深さ方向に相異なる残留応力を持ち、残留応力の差が10MPa以上の区間を含むことが望ましい。この時、金属膜120は、少なくとも一つ以上の元素組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間を含み、特に、薄膜内部の残留応力を低減させるために、選択的に炭素を含めることが望ましい。
110 透明基板
120 金属膜
130 ハードマスク膜
140 レジスト膜
Claims (32)
- 透明基板、金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜を備えるブランクマスクにおいて、
前記金属膜及び前記ハードマスク膜のうち少なくとも一つは、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を備えることを特徴とするブランクマスク。 - 前記成分変化区間で、元素の組成比は1at%ないし50at%範囲で変わることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記金属膜または前記ハードマスク膜は、複数の薄膜が積層されている複数層構造を持ち、前記成分変化区間は、複数層構造の薄膜の内部に少なくとも一つ形成されることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 一つ以上の元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間が、前記複数層構造の薄膜構造の薄膜の内部に形成される場合に、前記連続的に変わる区間の厚さは5nmより大きいか、または同一であることを特徴とする請求項3に記載のブランクマスク。
- 前記金属膜は、一つ以上の元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間の厚さが、5nmより大きいか、または同一であることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記金属膜に含まれた一つ以上の元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間の厚さは、1nmより大きいか、または同一であり、組成比が前記金属膜の深さ方向に連続的に変わる元素は、窒素であることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記金属膜に含まれた一つ以上の元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間の厚さは、5nmより大きいか、または同一であり、組成比が前記金属膜の深さ方向に連続的に変わる元素にはシリコンが含まれることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記金属膜の広さ方向に組成比均一度が10%より小さいか、または同一であることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記金属膜の深さ方向への密度変化は、0.2g/cm3ないし2.0g/cm3であることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記金属膜は、膜の深さ方向に相異なる残留応力を持ち、前記残留応力の差が10MPa以上発生する区間を含むことを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記金属膜の表面に成分変化区間が含まれ、前記成分変化区間の上面の表面粗度は1.0nmRaより小さいか、または同一であることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記金属膜は、表面から深さ方向に5nmより小さいか、または同じ範囲で、窒素の元素比が酸素の元素比より高い組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間を備えることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記金属膜は、一つ以上の元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間を含み、前記金属膜表面の窒素含有量は、前記表面から深さ方向に一定距離ほど離隔した地点の窒素含有量より多いことを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記ハードマスク膜は、その厚さが20Åより大きいか、または同じ成分変化区間を備えることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記ハードマスク膜は、一つ以上の元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間を含み、前記ハードマスク膜の表面から深さ方向に一定距離ほど離隔した地点のエッチング比の変化が、前記ハードマスク膜の表面のエッチング比の変化より大きいことを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記ハードマスク膜に含まれた一つ以上の元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間の厚さは1nmより大きいか、または同一であり、組成比が前記金属膜の深さ方向に連続的に変わる元素は窒素であることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記ハードマスク膜の深さ方向への密度変化は、0.2g/cm3ないし2.0g/cm3であることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記レジスト膜は強酸を含むレジスト物質からなり、前記レジスト膜の下部には前記レジスト膜よりさらに高い濃度を持つ強酸を含む有機薄膜が形成されたことを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記レジスト膜の下部に形成された有機薄膜は、現像液により現像されることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記透明基板は、複数回のラッピング工程及び複数回のポリシング工程を通じて製造されることを特徴とする請求項1に記載のブランクマスク。
- 前記複数回のラッピング工程は、シリコンカーバイド(SiC)、ダイアモンド(C)、ジルコニア(ZrO2)及びアルミナ(Al2O3)のうち少なくとも一つの物質を含む研磨粒子を利用することを特徴とする請求項20に記載のブランクマスク。
- 前記研磨粒子のサイズは、4μmないし20μmであることを特徴とする請求項21に記載のブランクマスク。
- 前記複数回のポリシング工程は、酸化セリウム(CeO2)、コロイダルシリカ(SiO2)及び過酸化水素(H2O2)を含むスラリーを利用して行われることを特徴とする請求項20に記載のブランクマスク。
- 前記酸化セリウムの粒径は、0.5μmないし5μmであり、
前記コロイダルシリカの粒径は、20μmないし200μmであることを特徴とする請求項23に記載のブランクマスク。 - 前記スラリーの酸性度は、6pHないし12pHであることを特徴とする請求項23に記載のブランクマスク。
- 前記複数回のポリシング工程は、硬度、圧縮率及び弾性回復率のうち少なくとも一つが、相異なるパッドを利用して行われる少なくとも3回のポリシング工程を含むことを特徴とする請求項20に記載のブランクマスク。
- 請求項1ないし26のうちいずれか一項に記載のブランクマスクをパターニング及びエッチングして製造されたフォトマスク。
- 透明基板上に金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜を順次に形成してブランクマスクを製造する方法において、
(a)第1蒸着時間中に同じ工程条件を維持しつつ、前記透明基板上に金属膜を蒸着する工程と、
(b)プラズマがついている状態で、第2蒸着時間中に適用される工程条件を構成する複数の工程条件のうち少なくとも一つを段階的または連続的に変更して、前記金属膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が、膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を形成する工程と、を持ち、
前記(a)工程及び前記(b)工程は、順序を変更して行われるか、または交替に行われることを特徴とするブランクマスクの製造方法。 - 前記第1反応性ガスは、窒素であることを特徴とする請求項28に記載のブランクマスクの製造方法。
- 前記反応性ガスの流量は連続的に増加していて減少し、前記パワーは、連続的に増加することを特徴とする請求項28に記載のブランクマスクの製造方法。
- 透明基板上に金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜を順次に形成してブランクマスクを製造する方法において、
(a)第1蒸着時間中に前記透明基板上に金属膜を蒸着する工程と、
(b)プラズマがついている状態で、第2蒸着時間中に適用される工程条件を構成する複数の工程条件のうち少なくとも一つを段階的または連続的に変更して、前記ハードマスク膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が、膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を形成する工程と、を含むことを特徴とするブランクマスクの製造方法。 - 前記ハードマスク膜上に強酸を含有する有機薄膜を形成する工程と、
前記有機薄膜上にレジスト物質をコーティングしてレジスト膜を形成する工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項31に記載のブランクマスクの製造方法。
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